JPS63218513A - TiOx薄膜を用いた光学素子 - Google Patents
TiOx薄膜を用いた光学素子Info
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- JPS63218513A JPS63218513A JP62051256A JP5125687A JPS63218513A JP S63218513 A JPS63218513 A JP S63218513A JP 62051256 A JP62051256 A JP 62051256A JP 5125687 A JP5125687 A JP 5125687A JP S63218513 A JPS63218513 A JP S63218513A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な薄膜状酸化チタン系物質に関する。
これまで酸化チタン系物質としては、TiOとTiO□
が知られている。
が知られている。
しかしながら、T i Oは真空薄膜堆積技術例えば真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングで薄膜
状に形成すると、紫色を呈しており光学薄膜としては問
題がある。
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングで薄膜
状に形成すると、紫色を呈しており光学薄膜としては問
題がある。
またT i O!は同様に薄膜状に形成すると帯電する
という問題点があった。
という問題点があった。
本発明者らは鋭意研究した結果、偶然にもTi01T
i Ozのいずれの問題点も有しない新規な薄膜状酸化
チタン系物質を見い出し、本発明を成すに至った。
i Ozのいずれの問題点も有しない新規な薄膜状酸化
チタン系物質を見い出し、本発明を成すに至った。
よって、本発明は、分子式:TiOx (1<x〈2
)で表わされる薄膜状酸化チタン系物質を提供する。
)で表わされる薄膜状酸化チタン系物質を提供する。
この新規物質は薄膜状であることと、酸素原子の分析が
難しいことから、Xを特定することができないものの、
Xが1<x<2の範囲内にあることは確かである。何故
ならば、 ■この新規物質は、蒸発源としてT i Oを用い、真
空チャンバー内に少量の酸素ガスを導入した上で真空蒸
着することによって得られることと、■TiOは紫色を
呈するのに、この新規物質は無色透明であること、及び
■T i O!は帯電するのに、この新規物質は帯電し
ないからである。
難しいことから、Xを特定することができないものの、
Xが1<x<2の範囲内にあることは確かである。何故
ならば、 ■この新規物質は、蒸発源としてT i Oを用い、真
空チャンバー内に少量の酸素ガスを導入した上で真空蒸
着することによって得られることと、■TiOは紫色を
呈するのに、この新規物質は無色透明であること、及び
■T i O!は帯電するのに、この新規物質は帯電し
ないからである。
この新規物質は、蒸発源としてTiOを用い、一旦真空
チャンバー内を高真空にした後、酸素ガスを導入して酸
素分圧を5X10−’〜8X10−’Torrに設定し
て真空蒸着を行なうことによって基板上に形成される。
チャンバー内を高真空にした後、酸素ガスを導入して酸
素分圧を5X10−’〜8X10−’Torrに設定し
て真空蒸着を行なうことによって基板上に形成される。
そして酸素分圧によって、この新規物質の屈折率ndは
2.2〜2.4の間で変化する。ちなみにTiOのnd
は2.2〜2.3で、Ti0gのndは2.2〜2.4
である。蒸発源のTiOはT i Ozに比べ低い融点
を有するので真空蒸着の際に抵抗加熱で溶融させればよ
い、それに対してTiO□は高い融点を有するので電子
ビーム加熱を用いないと蒸着できない。電子ビーム加熱
は基板が荒れるという問題がある。例えば表面にスキン
層(内部とは結晶化度や密度の異なる層)を有する合成
樹脂基板上に電子ビーム加熱による蒸着でT i O!
薄膜を形成すると、スキン層が劣化し、薄膜がスキン層
と共に基板から剥離するという剥離問題がある。この問
題は合成樹脂基板上に仮に無機誘電体薄膜が形成されて
いても、その薄膜がポーラス(多孔質)の場合には発生
する。
2.2〜2.4の間で変化する。ちなみにTiOのnd
は2.2〜2.3で、Ti0gのndは2.2〜2.4
である。蒸発源のTiOはT i Ozに比べ低い融点
を有するので真空蒸着の際に抵抗加熱で溶融させればよ
い、それに対してTiO□は高い融点を有するので電子
ビーム加熱を用いないと蒸着できない。電子ビーム加熱
は基板が荒れるという問題がある。例えば表面にスキン
層(内部とは結晶化度や密度の異なる層)を有する合成
樹脂基板上に電子ビーム加熱による蒸着でT i O!
薄膜を形成すると、スキン層が劣化し、薄膜がスキン層
と共に基板から剥離するという剥離問題がある。この問
題は合成樹脂基板上に仮に無機誘電体薄膜が形成されて
いても、その薄膜がポーラス(多孔質)の場合には発生
する。
それに対して、本発明の新規物質を形成した合成樹脂基
板では、そのような剥離問題は発生しない。
板では、そのような剥離問題は発生しない。
製造できる。20μmより厚いと、膜中にクランクがは
いり易い。
いり易い。
本新規物質は、既述のように無色透明でnd=2.2〜
2.4の屈折率を有し、かつ帯電しないので、特に光学
薄膜として有用である。
2.4の屈折率を有し、かつ帯電しないので、特に光学
薄膜として有用である。
従って、本発明は第二に分子式:TiOx (1<x
<2)で表わされる薄膜状酸化チタン系物質を基板上に
形成してなる光学素子を提供する。
<2)で表わされる薄膜状酸化チタン系物質を基板上に
形成してなる光学素子を提供する。
基板としては合成樹脂製でもガラス製でもその他の材料
で作られたものでもよいが、特にスキン層を有する合成
樹脂成形品の場合、本発明の薄膜の特徴が顕著に発揮さ
れる。
で作られたものでもよいが、特にスキン層を有する合成
樹脂成形品の場合、本発明の薄膜の特徴が顕著に発揮さ
れる。
基板は単なる平板でもレンズ状でもプリズム状でもよい
、基板上に直接に本発明の薄膜を形成してもよいし、間
に他の薄膜を介して本発明の薄膜を形成してもよいし、
本発明の薄膜の上に他の光学薄膜を形成してもよい0本
発明の薄膜は、硬く透明なので単なる保護膜でもよいし
、それ単独で又は他の光学薄膜と積層した形で光学的機
能例えば、反射防止、反射増加、干渉フィルタ、偏光フ
ィルタなどの機能を持たせてもよい。このような機能は
、光学理論により、薄膜の膜厚及び屈折率、積層数、積
層順序等を変えて自由に設計できる。
、基板上に直接に本発明の薄膜を形成してもよいし、間
に他の薄膜を介して本発明の薄膜を形成してもよいし、
本発明の薄膜の上に他の光学薄膜を形成してもよい0本
発明の薄膜は、硬く透明なので単なる保護膜でもよいし
、それ単独で又は他の光学薄膜と積層した形で光学的機
能例えば、反射防止、反射増加、干渉フィルタ、偏光フ
ィルタなどの機能を持たせてもよい。このような機能は
、光学理論により、薄膜の膜厚及び屈折率、積層数、積
層順序等を変えて自由に設計できる。
以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
直径800鶴高さ850鶴の円筒形の真空チャンバー内
にPMMA (ポリメチルメタクリレート)基板及び蒸
発源としてTiOをセットし、一旦2 X 10−’T
orrまで排気した後、酸素を4×10−’Torrま
で導入し、抵抗加熱により蒸着を行ない、基板上に光学
的膜厚λ/4(λは設計波長であり、ここではλ=48
80人)の薄膜状Ti0Xを形成した。このTiOxの
ndは2.3であった。
にPMMA (ポリメチルメタクリレート)基板及び蒸
発源としてTiOをセットし、一旦2 X 10−’T
orrまで排気した後、酸素を4×10−’Torrま
で導入し、抵抗加熱により蒸着を行ない、基板上に光学
的膜厚λ/4(λは設計波長であり、ここではλ=48
80人)の薄膜状Ti0Xを形成した。このTiOxの
ndは2.3であった。
〔比較例1〕
酸素を導入しないほかは実施例1と同様にしてλ/4の
膜厚のT i O薄膜を形成した。このTiO膜のnd
は2.3であった。
膜厚のT i O薄膜を形成した。このTiO膜のnd
は2.3であった。
〔比較例2〕
蒸発源としてTioO代りにTie、を用い、抵抗加熱
の代りに電子ビームが加熱を用い、酸素を導入しないほ
かは実施例1と同様にしてλ/4の膜厚のTi01薄膜
を形成した。このTiO2膜のndは2.2であった。
の代りに電子ビームが加熱を用い、酸素を導入しないほ
かは実施例1と同様にしてλ/4の膜厚のTi01薄膜
を形成した。このTiO2膜のndは2.2であった。
〔試験例1〕
実施例1、比較例1.2で製造した薄膜について、帯電
性、外観及び基板との密着性を調べた。
性、外観及び基板との密着性を調べた。
帯電性は、斉藤工機■製帯電量測定器DYNAC3−4
104を使用し、印加電圧8KVで測定した。密着性は
、薄膜表面に市販のセロハンテープを手で押して貼り付
けた後、テープの一端を持って勢いよく剥し、薄膜の様
子を観察した。
104を使用し、印加電圧8KVで測定した。密着性は
、薄膜表面に市販のセロハンテープを手で押して貼り付
けた後、テープの一端を持って勢いよく剥し、薄膜の様
子を観察した。
′″h6(DNN’AG’it七社・ 1人〔実施例2
;反射防止膜〕 直径800m高さ850fiの真空チャンバー内に、P
MMA基板をセットし、2 X 10−’Torrまで
排気後、酸素を4 X 10−’Torrまで導入し抵
抗加熱によりTiOを蒸発し、TiOx (1<x<
2)をλ/4(波長λ:4880人)蒸着した。
;反射防止膜〕 直径800m高さ850fiの真空チャンバー内に、P
MMA基板をセットし、2 X 10−’Torrまで
排気後、酸素を4 X 10−’Torrまで導入し抵
抗加熱によりTiOを蒸発し、TiOx (1<x<
2)をλ/4(波長λ:4880人)蒸着した。
次に酸素導入をやめ、再度I X 10−’Torrま
で排気後、S = Otを電子ビーム加熱でλ/4(波
長λ: 4880人)蒸着した。このTiOx s 5
tO0の屈折率ndは2.32.1.46であった。
で排気後、S = Otを電子ビーム加熱でλ/4(波
長λ: 4880人)蒸着した。このTiOx s 5
tO0の屈折率ndは2.32.1.46であった。
この2層膜の構造を第1図に、反射率を第2図に示す。
〔実施例3;反射防止膜〕
実施例2と同じチャンバー内に、P M M A基板を
セントし、2 X 10−’Torrまで排気後、酸素
を6 X 10−’Torrまで導入し、抵抗加熱によ
りStOを蒸発させ5tyx (1<x<2)をλ/
4(波長λ:5500人)蒸着した。次に実施例1と同
様にTiOx (1<x<2)をλ/2(波長λ:
5500人)蒸着した。最後に5iChを電子ビームで
λ/4(波長λ: 5500人)蒸着した。
セントし、2 X 10−’Torrまで排気後、酸素
を6 X 10−’Torrまで導入し、抵抗加熱によ
りStOを蒸発させ5tyx (1<x<2)をλ/
4(波長λ:5500人)蒸着した。次に実施例1と同
様にTiOx (1<x<2)をλ/2(波長λ:
5500人)蒸着した。最後に5iChを電子ビームで
λ/4(波長λ: 5500人)蒸着した。
この5tyx 5TiOx s 5totの屈折率はn
dは、1.65.2.32.1.46であった。この3
層膜の反射率を第3図に示す。
dは、1.65.2.32.1.46であった。この3
層膜の反射率を第3図に示す。
〔実施例4;反射膜〕
実施例2と同じチャンバー内に、PMMA基板をセント
し、2 X 10−’Torrまで排気後、Alを抵抗
加熱で0.2μ−蒸着し、次に酸素を2×10− ’T
orrまで導入し、抵抗加熱によりSiOを蒸発させ5
tyx (1<x<2)をλ/4(波長786328
人)蒸着した。最後に実施例1と同様にTiOx (
1<X<2)をλ/4(波長786328人)蒸着した
。
し、2 X 10−’Torrまで排気後、Alを抵抗
加熱で0.2μ−蒸着し、次に酸素を2×10− ’T
orrまで導入し、抵抗加熱によりSiOを蒸発させ5
tyx (1<x<2)をλ/4(波長786328
人)蒸着した。最後に実施例1と同様にTiOx (
1<X<2)をλ/4(波長786328人)蒸着した
。
この反射膜の反射率を第4図に示す。
実施例2〜4で製造した光学素子について次のような試
験を行ない、光学薄膜の密着性、耐湿性、耐擦傷性を調
査した。
験を行ない、光学薄膜の密着性、耐湿性、耐擦傷性を調
査した。
〔試験例2層密着性〕
薄膜表面にセロハンテープを貼った後、思い切り剥して
、密着性を測定した。実施例2〜4のうち剥離するもの
はなかった。
、密着性を測定した。実施例2〜4のうち剥離するもの
はなかった。
(試験例3;耐湿性)
実施例2〜4で製作した光学素子を、75℃−90%R
Hの恒温恒温器内に、500時間放置後、試験例2と同
様に密着性を測定したが、剥離するものはなかった。ま
た、反射率も変化なかった。
Hの恒温恒温器内に、500時間放置後、試験例2と同
様に密着性を測定したが、剥離するものはなかった。ま
た、反射率も変化なかった。
〔試験例4;耐擦傷性〕
実施例2〜4で製作した光学素子表面を、スチールウー
ル(#0000)で荷重200gfを負荷し30回擦っ
た後、試験例2と同様に密着性を測定したが、剥離する
ものはなかった。また、反射率も変化なかった。
ル(#0000)で荷重200gfを負荷し30回擦っ
た後、試験例2と同様に密着性を測定したが、剥離する
ものはなかった。また、反射率も変化なかった。
実施例1〜4ではPMMA基板について示したが、ポリ
スチレン、ポリカーボネート基板を用いても、結果は変
わらなかった。また、実施例2.3ではS i Otを
使用したが、SiOx (1<x〈2)でも同じ結果
が得られた。
スチレン、ポリカーボネート基板を用いても、結果は変
わらなかった。また、実施例2.3ではS i Otを
使用したが、SiOx (1<x〈2)でも同じ結果
が得られた。
以上の通り、本発明によれば、無色透明でnd−2,2
〜2.4の新規で有用なTiOx (lax<2)薄
膜が初めて提供される。
〜2.4の新規で有用なTiOx (lax<2)薄
膜が初めて提供される。
この薄膜は、合成樹脂基板に対する密着性がよく、耐湿
性、耐擦傷性に優れている。
性、耐擦傷性に優れている。
また、実施例2〜4では2層、3層構成の光学素子につ
いて示したが、4層以上の多層光学素子についても適用
できるため、本発明では所望の光学特性を有する、合成
樹脂製多層光学素子を得ることができる。
いて示したが、4層以上の多層光学素子についても適用
できるため、本発明では所望の光学特性を有する、合成
樹脂製多層光学素子を得ることができる。
第1図は実施例2にかかる光学素子の概略断面図である
。 第2〜4図は実施例2〜4の光学素子の分光反射特性を
示すグラフである。
。 第2〜4図は実施例2〜4の光学素子の分光反射特性を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 分子式:TiO_x(ただし1<x<2)で表わさ
れる薄膜状酸化チタン系物質。 2 基板上に分子式:TiO_x(ただし1<x<2)
で表わされる薄膜状酸化チタン系物質を形成してなる光
学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62051256A JP2546203B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | TiOx薄膜を用いた光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62051256A JP2546203B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | TiOx薄膜を用いた光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63218513A true JPS63218513A (ja) | 1988-09-12 |
JP2546203B2 JP2546203B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=12881867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62051256A Expired - Lifetime JP2546203B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | TiOx薄膜を用いた光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2546203B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0390558A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Seikosha Co Ltd | 有色性装飾体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039075A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
JPS50137836A (ja) * | 1974-04-23 | 1975-11-01 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62051256A patent/JP2546203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5039075A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
JPS50137836A (ja) * | 1974-04-23 | 1975-11-01 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0390558A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Seikosha Co Ltd | 有色性装飾体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2546203B2 (ja) | 1996-10-23 |
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