JPS638604A - 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 - Google Patents
可視域における平坦な分光特性を示す半透膜Info
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- JPS638604A JPS638604A JP15173086A JP15173086A JPS638604A JP S638604 A JPS638604 A JP S638604A JP 15173086 A JP15173086 A JP 15173086A JP 15173086 A JP15173086 A JP 15173086A JP S638604 A JPS638604 A JP S638604A
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Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえばカメラのアルバダファインダーなど
の、各種光学系の光学部材として用いる半透膜に関し、
特に可視域全体にわたる分光特性を平坦化した半透膜に
関するものである。
の、各種光学系の光学部材として用いる半透膜に関し、
特に可視域全体にわたる分光特性を平坦化した半透膜に
関するものである。
〔従来の技術および発明が解決しようとする問題点〕逆
来、カメラのアルバダファインダーなどに用いる半透膜
として、ガラスまたは透明なプラスゅ入 料の膜を、各層の光学的膜厚かτになるように積層した
ものが知られているが、従来公知のこの種の半透膜は、
可視域全体にわたる分光特性のフラットネスに問題があ
り、これを解決する方法の開発が望まれていた。
来、カメラのアルバダファインダーなどに用いる半透膜
として、ガラスまたは透明なプラスゅ入 料の膜を、各層の光学的膜厚かτになるように積層した
ものが知られているが、従来公知のこの種の半透膜は、
可視域全体にわたる分光特性のフラットネスに問題があ
り、これを解決する方法の開発が望まれていた。
本発明は上記問題点の解決を目的とするものである。
本発明は、ガラスまたは透明なプラスチック基板上に、
高屈折率材料、低屈折率材料、高屈折率材料の各層が、
上記繰返し順序で少くとも３の奇数層が積層されており
、かつその最上層の高屈折率材料層の上に、更に表面層
として、設計波長を入として光学的膜厚がＯ１ｌ入乃至
０．２５人の低屈折率材料層が形成されていることを特
徴とする可視域における平坦な分光特性を示す半透膜で
ある。
高屈折率材料、低屈折率材料、高屈折率材料の各層が、
上記繰返し順序で少くとも３の奇数層が積層されており
、かつその最上層の高屈折率材料層の上に、更に表面層
として、設計波長を入として光学的膜厚がＯ１ｌ入乃至
０．２５人の低屈折率材料層が形成されていることを特
徴とする可視域における平坦な分光特性を示す半透膜で
ある。
表面層は、ガラス基板のときはＭｇＦ２であってもよい
が、好ましくはＳｉＯ２であり、ＳｉＯ□の使用は、可
視域における分光特性を平坦にする効果のみでなく、表
面硬化層として耐擦傷性の作用も果すので特に好ましい
。
が、好ましくはＳｉＯ２であり、ＳｉＯ□の使用は、可
視域における分光特性を平坦にする効果のみでなく、表
面硬化層として耐擦傷性の作用も果すので特に好ましい
。
プラスチック基板の材料としてはポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネートなどが好ましく、基板がプラス
チックのときは基板を加熱しておいて半透膜形成のため
の成膜が出来ないので、基板と半透膜との密着性に難点
があり、密着性向上のために、基板側から順にＳｉ０層
とＳｉＯ２層とを積層するのが好ましく、その膜厚は、
それぞれ光学的膜厚金で−あることが好ましく、Ｓｉ０
層の形成方法は真空蒸着法が、ＳｉＯ２層の形成には低
真空の酸素環境の高周波プラズマ雰囲気において、Ｓｉ
Ｏの活性化反応性蒸着により行うのが好ましい方法であ
る。ガラス基板のときは基板を加熱しておいて半透膜形
成のための成膜が可能なので、密着性の問題がなく、従
って上記中間のＳｉ０層とＳｉＯ□層の積層は不要であ
る。
ート、ポリカーボネートなどが好ましく、基板がプラス
チックのときは基板を加熱しておいて半透膜形成のため
の成膜が出来ないので、基板と半透膜との密着性に難点
があり、密着性向上のために、基板側から順にＳｉ０層
とＳｉＯ２層とを積層するのが好ましく、その膜厚は、
それぞれ光学的膜厚金で−あることが好ましく、Ｓｉ０
層の形成方法は真空蒸着法が、ＳｉＯ２層の形成には低
真空の酸素環境の高周波プラズマ雰囲気において、Ｓｉ
Ｏの活性化反応性蒸着により行うのが好ましい方法であ
る。ガラス基板のときは基板を加熱しておいて半透膜形
成のための成膜が可能なので、密着性の問題がなく、従
って上記中間のＳｉ０層とＳｉＯ□層の積層は不要であ
る。
基板上に形成される高屈折率材料と低屈折率材料とより
なる交互層は、基板側から高・低Φ高の順の少くとも３
の奇数層であることが必要であ入 り、その膜厚は、それぞれ光学的膜厚としてλ／４であ
ることが好ましく、高屈折率材料（屈折率：１．９０〜
２．３０程度）は、基板がガラスの場合はＴｉＯ２、Ｚ
ｒＯ２またはＴｉＯ２とＺｒＯ２との混合物、プラスチ
ック基板の場合はＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５ 、
ＺｒＯ２とＴｉＯ□との混合物またはＴａ２Ｏ５ と
ＺｒＯ□との混合物が好ましく、一方低屈折率材料（屈
折率： １．３８〜１．４６程度）としては、基板がガ
ラスの場合はＭｇＦ２が、プラスチック基板の場合はＳ
ｉＯ２が好ましい。
なる交互層は、基板側から高・低Φ高の順の少くとも３
の奇数層であることが必要であ入 り、その膜厚は、それぞれ光学的膜厚としてλ／４であ
ることが好ましく、高屈折率材料（屈折率：１．９０〜
２．３０程度）は、基板がガラスの場合はＴｉＯ２、Ｚ
ｒＯ２またはＴｉＯ２とＺｒＯ２との混合物、プラスチ
ック基板の場合はＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５ 、
ＺｒＯ２とＴｉＯ□との混合物またはＴａ２Ｏ５ と
ＺｒＯ□との混合物が好ましく、一方低屈折率材料（屈
折率： １．３８〜１．４６程度）としては、基板がガ
ラスの場合はＭｇＦ２が、プラスチック基板の場合はＳ
ｉＯ２が好ましい。
これらの膜の形成方法は、基板がガラスの場合は前述の
通り基板の高温加熱が可能なので、真空蒸着法等の任意
の手段で密着性のよい緻密な成膜が、高・低屈折率材料
とも可能であるが、プラスチック基板の場合は加熱下の
成膜が出来ないので、高φ低両屈折率材料とも低真空の
酸素環境の高周波プラズマ雰囲気において、それぞれ対
応する金属または低次酸化物の活性化反応性蒸着により
成膜するのが好ましい。
通り基板の高温加熱が可能なので、真空蒸着法等の任意
の手段で密着性のよい緻密な成膜が、高・低屈折率材料
とも可能であるが、プラスチック基板の場合は加熱下の
成膜が出来ないので、高φ低両屈折率材料とも低真空の
酸素環境の高周波プラズマ雰囲気において、それぞれ対
応する金属または低次酸化物の活性化反応性蒸着により
成膜するのが好ましい。
本発明の半透膜は可視域全体にわたる分光特性のフラッ
トネスが達成されているので、カメラのアルバダファイ
ンダーなどの各種光学系の半透膜として好適である。ま
た、特にその表面層としてＳｉＯ２を用いた場合は、表
面硬度も高く、耐摩耗性の点でもすぐれており、またプ
ラスチック基板を用いた場合には基板上にＳｉ０層とＳ
ｉＯ□層をまずこの順に積層しておき、かつＳｉＯ２層
とその上に積層する半透膜層の積層手段として低真空の
酸素環境の高周波プラズマ雰囲気における活性化反応性
蒸着手段を用いることにより、半透膜層の密着性、耐溶
剤性、＃環境性にもすぐれたプラスチック半透膜となる
。
トネスが達成されているので、カメラのアルバダファイ
ンダーなどの各種光学系の半透膜として好適である。ま
た、特にその表面層としてＳｉＯ２を用いた場合は、表
面硬度も高く、耐摩耗性の点でもすぐれており、またプ
ラスチック基板を用いた場合には基板上にＳｉ０層とＳ
ｉＯ□層をまずこの順に積層しておき、かつＳｉＯ２層
とその上に積層する半透膜層の積層手段として低真空の
酸素環境の高周波プラズマ雰囲気における活性化反応性
蒸着手段を用いることにより、半透膜層の密着性、耐溶
剤性、＃環境性にもすぐれたプラスチック半透膜となる
。
以下に図面を参照しながら実施例をあげて更に本発明を
説明する。
説明する。
実施例１
第１図にその構造断面図を示す半透膜を、下記の成膜手
段で作製した。
段で作製した。
２５０℃以上に加熱したガラス部材１．１の表面層
に、まず光学的膜厚τ（設計波長入＝４５０ｎｍ）のＺ
ｒＯ２からなる層４．１を１次いで光学的膜厚Δ（設計
波長入＝ ４５０ｎｍ ）のＭｇＦ２からなる層５．１
を、吹入 ； いで光学的膜厚τ（設計波長入＝４５０ｎｍ）のＺｒＯ
２からなる層６．１を、最後に光学的膜厚０．１４人（
設計波長入＝ ４５０ｎｍ ）のＳｉＯ２からなる層７
．１を、それぞれ真空蒸着法で成膜して、本発明の半透
膜を得た。
ｒＯ２からなる層４．１を１次いで光学的膜厚Δ（設計
波長入＝ ４５０ｎｍ ）のＭｇＦ２からなる層５．１
を、吹入 ； いで光学的膜厚τ（設計波長入＝４５０ｎｍ）のＺｒＯ
２からなる層６．１を、最後に光学的膜厚０．１４人（
設計波長入＝ ４５０ｎｍ ）のＳｉＯ２からなる層７
．１を、それぞれ真空蒸着法で成膜して、本発明の半透
膜を得た。
実施例２
第２図にその構造断面図を示す半透膜を、下記の成膜手
段で作製した。
段で作製した。
インジェクション精密成形されたポリメチルメタクリレ
ート部材１．１の表面に第１層として光学人 的膜厚７（入＝ ４５０ｎｍ ）の１酸化珪素（Ｓｉｎ
）からなる１２．１を真空度２〜３ＸＩＯ“５Ｔｏｒｒ
で真空落入 着した。第１層の上に第２層として光学的膜厚７（入＝
４５０ｎｍ ）の２酸化珪素（Ｓｉ０２）からなる層
３．１を真空度１〜２×ｌＯ″４Ｔｏｒｒ （使用ガス
、酸素）範囲で高周波プラズマ（印加高周波１３．５８
ＭＨｚ、 １００Ｗ）雰囲気にて活性化反応性蒸着を行
い、１酸化珪素（Ｓｉｎ）から２酸化珪素（Ｓｉ０２）
に変換した。
ート部材１．１の表面に第１層として光学人 的膜厚７（入＝ ４５０ｎｍ ）の１酸化珪素（Ｓｉｎ
）からなる１２．１を真空度２〜３ＸＩＯ“５Ｔｏｒｒ
で真空落入 着した。第１層の上に第２層として光学的膜厚７（入＝
４５０ｎｍ ）の２酸化珪素（Ｓｉ０２）からなる層
３．１を真空度１〜２×ｌＯ″４Ｔｏｒｒ （使用ガス
、酸素）範囲で高周波プラズマ（印加高周波１３．５８
ＭＨｚ、 １００Ｗ）雰囲気にて活性化反応性蒸着を行
い、１酸化珪素（Ｓｉｎ）から２酸化珪素（Ｓｉ０２）
に変換した。
入
第２層の上に第３層として光学的膜厚τ（入＝４５０ｎ
ｍ ）の２酸化チタン（Ｔｉ０２）からなる層４．１を
真空度２〜４ Ｘ ＩＯ″４ｔｏｒｒ （使用ガス、酸
素）範囲で高周波プラズマ（印加高周波１３．５６ Ｍ
Ｈｚ、 １００Ｗ）雰囲気にて活性化反応性蒸着を行い
、１酸化チタン（Ｔｉｅ）から２酸化チタン（Ｔｉ０２
）に変換した。＠３層の上に第４層として光学的膜厚Ａ
（λ＝ ４５０ｎｍ ） ノ２酸化珪素（Ｓｉ０２）か
らなる層５．１を層３．１と同じ手段で成膜し、次いで
第４層の上に第５層として光学的膜厚含（入＝４５０ｎ
ａ＋）の２酸化チタン（Ｔｉ０２）からなる層６．１を
層４．１ と同じ手段で成膜し、最後に第５層の上に最
終層第６層として光学的膜厚０．１４人（入＝ ４５０
ｎｍ ）の２酸化珪素（Ｓｉ０２）からなる層７．１を
層３．１と同じ手段で成膜して本発明の半透膜を得た。
ｍ ）の２酸化チタン（Ｔｉ０２）からなる層４．１を
真空度２〜４ Ｘ ＩＯ″４ｔｏｒｒ （使用ガス、酸
素）範囲で高周波プラズマ（印加高周波１３．５６ Ｍ
Ｈｚ、 １００Ｗ）雰囲気にて活性化反応性蒸着を行い
、１酸化チタン（Ｔｉｅ）から２酸化チタン（Ｔｉ０２
）に変換した。＠３層の上に第４層として光学的膜厚Ａ
（λ＝ ４５０ｎｍ ） ノ２酸化珪素（Ｓｉ０２）か
らなる層５．１を層３．１と同じ手段で成膜し、次いで
第４層の上に第５層として光学的膜厚含（入＝４５０ｎ
ａ＋）の２酸化チタン（Ｔｉ０２）からなる層６．１を
層４．１ と同じ手段で成膜し、最後に第５層の上に最
終層第６層として光学的膜厚０．１４人（入＝ ４５０
ｎｍ ）の２酸化珪素（Ｓｉ０２）からなる層７．１を
層３．１と同じ手段で成膜して本発明の半透膜を得た。
実施例３
基板１１としてインジェクション精密成形されたポリカ
ーボネートを用い、最終層として光学的膜厚０．１８人
（入＝ ４５０ｎａ＋ ）のＳｉＯ２からなる層７．１
を、真空度１〜２ Ｘ １０” Ｔａｒｔの酸素環境の
高周波プラズマ（印加高周波１３．５８ ＭＨｚ、 １
ＯＯＷ）雰囲気にてＳｉＯの活性化反応性蒸着法で成膜
した以外は実施例２と同じように２．１乃至６，１層の
成膜を行い、第２図にその構造断面図を示す本発明の半
透膜を得た。
ーボネートを用い、最終層として光学的膜厚０．１８人
（入＝ ４５０ｎａ＋ ）のＳｉＯ２からなる層７．１
を、真空度１〜２ Ｘ １０” Ｔａｒｔの酸素環境の
高周波プラズマ（印加高周波１３．５８ ＭＨｚ、 １
ＯＯＷ）雰囲気にてＳｉＯの活性化反応性蒸着法で成膜
した以外は実施例２と同じように２．１乃至６，１層の
成膜を行い、第２図にその構造断面図を示す本発明の半
透膜を得た。
実施例４
最終層のＳｉＯ２からなる層７．１の膜厚を光学的膜厚
が０．２２人（入＝ ４５０ｎＩ１１）になるように同
一方法でＳｉＯから成膜した以外は実施例２と全く同一
に行い、第２図にその構造断面図を示す本発明の半透膜
を得た。
が０．２２人（入＝ ４５０ｎＩ１１）になるように同
一方法でＳｉＯから成膜した以外は実施例２と全く同一
に行い、第２図にその構造断面図を示す本発明の半透膜
を得た。
実施例５
実施例２における高屈折率材料層４．１および８．１を
、１〜３ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒの酸素環境の高周波プ
ラズマ雰囲気において活性化反応性法肩手段により形成
したＣｅＯ２層、 Ｔａ２Ｏ５層、またはＺｒＯ２とＴ
ｉＯ２との混合物層にそれぞれ変えたほかは実施例２と
全く同一に行い、第２図にその構造断面図を示す本発明
の半透膜をそれぞれ作製した。
、１〜３ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒの酸素環境の高周波プ
ラズマ雰囲気において活性化反応性法肩手段により形成
したＣｅＯ２層、 Ｔａ２Ｏ５層、またはＺｒＯ２とＴ
ｉＯ２との混合物層にそれぞれ変えたほかは実施例２と
全く同一に行い、第２図にその構造断面図を示す本発明
の半透膜をそれぞれ作製した。
第３図は実施例２および５．８４図は実施例３、第５図
は実施例４で得られた半透膜の分光透過率特性を示した
もので、図を見てわかるように該半透膜は可視域に於い
て、はＣフラットな透過率を有している。
は実施例４で得られた半透膜の分光透過率特性を示した
もので、図を見てわかるように該半透膜は可視域に於い
て、はＣフラットな透過率を有している。
以上の各実施例で得られた本発明の半透膜の強度を調べ
るために密着性テスト、耐摩耗性テスト、表面硬度テス
ト、耐溶剤性テスト及耐瑛境テストの５つのテストを行
った。各テストの内容は以下に示すとおりである・ ■） 密着性テスト二上記半透膜の表面にセロハンテー
プにチバン）を接着させた後、この表面にはＣ垂直な角
度で、すばやくとりのぞくテストを１０回繰返し、基着
膜の剥離が生ずるかを調べる。
るために密着性テスト、耐摩耗性テスト、表面硬度テス
ト、耐溶剤性テスト及耐瑛境テストの５つのテストを行
った。各テストの内容は以下に示すとおりである・ ■） 密着性テスト二上記半透膜の表面にセロハンテー
プにチバン）を接着させた後、この表面にはＣ垂直な角
度で、すばやくとりのぞくテストを１０回繰返し、基着
膜の剥離が生ずるかを調べる。
２）＃摩耗テスト二上記半透膜の表面をレンズ拭き紙（
シルポン紙）で包んだ測定子で耐摩耗往復動試験機を用
い２ ｋｇ／ｃｍ’の圧で５０往復こすり、異状が生ず
るか調べる。
シルポン紙）で包んだ測定子で耐摩耗往復動試験機を用
い２ ｋｇ／ｃｍ’の圧で５０往復こすり、異状が生ず
るか調べる。
３）表面硬度二上記半透膜の表面を鉛筆硬度試験機を用
い３００ｇ圧及５Ｈｏ鉛筆でこすり異状が生ずるか調べ
る。
い３００ｇ圧及５Ｈｏ鉛筆でこすり異状が生ずるか調べ
る。
４）＃溶剤テス°ト：上記半透膜の表面をフロンＴＥ（
三井フロロケミカル製）をふくんだレンズ拭き紙（シル
ポン紙）で５００ｇ７ｃｍ圧で５０往復こすり、異状が
生ずるか調べる。
三井フロロケミカル製）をふくんだレンズ拭き紙（シル
ポン紙）で５００ｇ７ｃｍ圧で５０往復こすり、異状が
生ずるか調べる。
５）＃環境テスト二上記半透膜を温度４５℃、相対湿度
８５％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置し、異状が生
ずるか調べる。
８５％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置し、異状が生
ずるか調べる。
この５テストの結果は、どのテストにおいても異状がみ
られず本発明の半透膜は極めて強い膜であることが判明
した。
られず本発明の半透膜は極めて強い膜であることが判明
した。
第１および第２図は本発明の半透膜の構造断面図であり
、第３乃至第５図は本発明の実施例で得られた半透膜の
分光透過率特性を示すグラフで、横軸は波長、たて軸は
透過率を表わす。 １．１＝基板 ２．１ ： ＳｉＯ ３．１ ：ＳｉＯ２ ４．１：高屈折率材料 ５．１＝低屈折率材料 ６．１：高屈折率材料 ７、！＝低屈折率材料 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠第１図 １．１−一 第２図 。 入（ｎｍ） 第３図 入（ｎｍ） λ（ｎｍ） 第５図
、第３乃至第５図は本発明の実施例で得られた半透膜の
分光透過率特性を示すグラフで、横軸は波長、たて軸は
透過率を表わす。 １．１＝基板 ２．１ ： ＳｉＯ ３．１ ：ＳｉＯ２ ４．１：高屈折率材料 ５．１＝低屈折率材料 ６．１：高屈折率材料 ７、！＝低屈折率材料 特許出願人 キャノン株式会社 代 理 人 若 林 忠第１図 １．１−一 第２図 。 入（ｎｍ） 第３図 入（ｎｍ） λ（ｎｍ） 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラスまたは透明なプラスチック基板上に、高屈折
率材料、低屈折率材料、高屈折率材料の各層が、上記繰
返し順序で少くとも３の奇数層が積層されており、かつ
その最上層の高屈折率材料層の上に、更に表面層として
、設計波長をλとして光学的膜厚が０．１λ乃至０．２
５λの低屈折１材料層が形成されていることを特徴とす
る可視域における平坦な分光特性を示す半透膜。 ２、前記表面層がＳｉＯ＿２である特許請求の範囲第１
項記載の半透膜。 ３、前記奇数層の光学的膜厚がそれぞれλ／４である特
許請求の範囲第１項または第２項記載の半透膜。 ４、前記基板がプラスチック基板であり、基板と最下層
の高屈折率材料層との間に、基板側から順にＳｉＯ層と
ＳｉＯ＿２層とが積層されている特許請求の範囲第２項
または第３項記載の半透膜。 ５、前記高屈折率材料がＴｉＯ＿２、ＣｅＯ＿２、Ｔａ
＿２Ｏ＿５、ＺｒＯ＿２とＴｉＯ＿２との混合物または
Ｔａ＿２Ｏ＿５とＺｒＯ＿２との混合物であり、前記低
屈折率材料がＳｉＯ＿２である特許請求の範囲第４項記
載の半透膜。 ６、前記基板がガラス基板であり、前記奇数層を形成す
る材料のうち、高屈折率材料がＺｒＯ＿２、ＴｉＯ＿２
またはＺｒＯ＿２とＴｉＯ＿２との混合物であり、低屈
折率材料がＭｇＦ＿２である特許請求の範囲第１項乃至
第３項のいずれか１項に記載された半透膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15173086A JPS638604A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15173086A JPS638604A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS638604A true JPS638604A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15525035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15173086A Pending JPS638604A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 可視域における平坦な分光特性を示す半透膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS638604A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304202A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 合成樹脂製ハ−フ・ミラ− |
| US5583704A (en) * | 1991-10-31 | 1996-12-10 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Surface reflecting mirror having a surface reflecting multilayer film |
| JP2017194685A (ja) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | 株式会社村田製作所 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53110541A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Canon Inc | Half mirror |
| JPS6057301A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Minolta Camera Co Ltd | 一眼レフレツクスカメラのハ−フミラ− |
| JPS60131501A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Canon Inc | 合成樹脂基板の反射鏡 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15173086A patent/JPS638604A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10377625B2 (en) | 2016-04-18 | 2019-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Scanning mirror device and a method for manufacturing it |
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