JPS6273202A - 光学薄膜の製造方法 - Google Patents
光学薄膜の製造方法Info
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- JPS6273202A JPS6273202A JP60213845A JP21384585A JPS6273202A JP S6273202 A JPS6273202 A JP S6273202A JP 60213845 A JP60213845 A JP 60213845A JP 21384585 A JP21384585 A JP 21384585A JP S6273202 A JPS6273202 A JP S6273202A
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- Japan
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- thin film
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- substances
- optical thin
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、希望する屈折率値を有する光学薄膜を製造す
ることができる光学薄膜の製造方法に関する。
ることができる光学薄膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
光学薄膜は反射防止膜として利用されている。
反射防止膜は主としてガラスまたは他の透明物質の表面
での反射を減らし透過率を増加させるための膜である。
での反射を減らし透過率を増加させるための膜である。
種々の屈折率値を有する光学基板に対して、反射防１）
．股を形成する場合、その光学基板特有の反射防止条件
を満たず屈折率をもつ薄膜が必要である。
．股を形成する場合、その光学基板特有の反射防止条件
を満たず屈折率をもつ薄膜が必要である。
そのため、真空蒸着方法により目的に応した屈折率をも
つ薄膜の製造方法が種々提案されている。
つ薄膜の製造方法が種々提案されている。
（１）混合蒸着法
混合蒸着法は、２種以上の物質をあらかじめある割合で
混合して１つの蒸着源から蒸着させ、その中間の屈折率
の膜を作る方法である。
混合して１つの蒸着源から蒸着させ、その中間の屈折率
の膜を作る方法である。
この方法では、融点の違いが大きい物質の混合物を蒸着
できないため、使用できる物質が限定される。
できないため、使用できる物質が限定される。
（２）二源蒸着法
二源蒸着法は、異なる蒸着物質を別々の蒸着源から同時
に蒸発させ、それぞれの蒸発速度を制御することによっ
て、所望の屈折率膜を１７るものである。
に蒸発させ、それぞれの蒸発速度を制御することによっ
て、所望の屈折率膜を１７るものである。
この方法によれば、融点の違いが大きい物質の蒸着が可
能になるが、蒸発速度制御が難しいため屈折率値の再現
性が悪い。
能になるが、蒸発速度制御が難しいため屈折率値の再現
性が悪い。
（３）酸化度法
酸化度法は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉまたばその低級酸化物を
蒸発し、雰囲気中の酸素と反応さ４！、その酸化の度合
によって屈折率を変化させる方法である。
蒸発し、雰囲気中の酸素と反応さ４！、その酸化の度合
によって屈折率を変化させる方法である。
この方法も屈折率値の再現性が悪く、光吸収の多い膜が
でき易い。
でき易い。
（４）等価膜性・コンボシソＩ・膜性
この方法は所望の屈折率お３■、び光学的膜厚を、この
屈折率よりも高い屈折率と低い屈折率の物質の２層膜で
作る方法である。
屈折率よりも高い屈折率と低い屈折率の物質の２層膜で
作る方法である。
この方法では、股の層数が多くなるため生産能率が悪い
。
。
（発明が解決しようとする問題点）
′（４）
一般に前述の真空蒸着法で作成された膜は、膜の充填密
度が小さく、基板付着強度が弱い。
度が小さく、基板付着強度が弱い。
その結果、真空蒸着法により得られた薄膜は、膜質が軟
らかで、はが才１易いものが多い。
らかで、はが才１易いものが多い。
また、前述のように屈折率を蒸着により調整したｖｉｉ
膜の各製法（１）〜（４）は前に記したように、屈折率
値の再現性が悪く、生産性も余り良くない。
膜の各製法（１）〜（４）は前に記したように、屈折率
値の再現性が悪く、生産性も余り良くない。
本発明の目的は、基板との付着強度が強く、充填密度が
高く硬くて丈夫な光学的性質が安定で、［１的とする屈
折率をも一つ光学薄膜を再現性良く製造することができ
る光学薄膜の製造方法を提供するごとにある。
高く硬くて丈夫な光学的性質が安定で、［１的とする屈
折率をも一つ光学薄膜を再現性良く製造することができ
る光学薄膜の製造方法を提供するごとにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために本発明による光学薄膜の製造
方法は、光学薄膜を形成しようとする基板と、異なる屈
折率値を有する２種以上の物質を希望する面積比を保っ
て配置したスパッタターゲントを高周波スパッタリング
装置に収容して、２種以上の物質を前記基板の表面に稠
密に付着させることにより前記基板に前記２種以上の物
質の各屈折率と面積比により決定される屈折率の光学薄
膜を形成するように構成されている。
方法は、光学薄膜を形成しようとする基板と、異なる屈
折率値を有する２種以上の物質を希望する面積比を保っ
て配置したスパッタターゲントを高周波スパッタリング
装置に収容して、２種以上の物質を前記基板の表面に稠
密に付着させることにより前記基板に前記２種以上の物
質の各屈折率と面積比により決定される屈折率の光学薄
膜を形成するように構成されている。
また前記スパンタターゲソ１−を変えてさらにスパフタ
リングを行うことにより多層の光学筒Ｉ９を形成するこ
とができる。
リングを行うことにより多層の光学筒Ｉ９を形成するこ
とができる。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
本発明における高周波スパッタ法による薄膜作成は真空
蒸着法と異なり、ガス放電に伴うイオン化ガスによるＷ
Ｊｌ―材料のスパッタリング機構を利用するものである
。
蒸着法と異なり、ガス放電に伴うイオン化ガスによるＷ
Ｊｌ―材料のスパッタリング機構を利用するものである
。
第１図は本発明方法で利用するスパッタリング装置の略
図である。
図である。
スパッタリング装置の容器Ｃに２種の異なる物質Ａおよ
びＢから成る薄膜材料をスパソタターゲソ］・とじて配
置する。基板Ｓに形成される薄膜の組成は各物質がイオ
ン化ガスＡｒ＋にスパッタされる確率、すなわちイオン
化ガスにさらされている各物質のターゲット全体に占め
る面積比とスパンタＬ・−］・（イオン化ガス１分子の
衝突に対して放出される物質の分子数）に依存する。
びＢから成る薄膜材料をスパソタターゲソ］・とじて配
置する。基板Ｓに形成される薄膜の組成は各物質がイオ
ン化ガスＡｒ＋にスパッタされる確率、すなわちイオン
化ガスにさらされている各物質のターゲット全体に占め
る面積比とスパンタＬ・−］・（イオン化ガス１分子の
衝突に対して放出される物質の分子数）に依存する。
次に、誘電体薄膜材料５ｉ０２ （ｎ＝１．４５）。
ＭｇＯ（ｎ＝１．６９）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．０）。
Ｔａ２０６ （ｎ−２，２）を用いて、２種の物質の
中間の屈折率値をもつ薄膜を高周波スパッタ法により作
成した実施例について説明する。
中間の屈折率値をもつ薄膜を高周波スパッタ法により作
成した実施例について説明する。
第２図は５ｉ０２とＴａ２Ｏ，の光学薄膜を製造する方
法で使用するターゲットの実施例を示す平面図である。
法で使用するターゲットの実施例を示す平面図である。
直径１００ｍｍの５ｉ０２ターゲツト１」−に直径６ｍ
ｍのＴａ２０５ターゲット２を直径６０ｍｍの円周上に
複数個均等に配置したスパッタターゲットを示す。
ｍのＴａ２０５ターゲット２を直径６０ｍｍの円周上に
複数個均等に配置したスパッタターゲットを示す。
第３図は第２図に示すターゲットでＴａ２０５の面積（
個数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示すグラ
フである。
個数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示すグラ
フである。
Ｔａ２０５の面積（個数）を増加さ廿Ｔａ２０５のイ・
１着量を次第に増加させると屈折率も増加していること
が理解できる。
１着量を次第に増加させると屈折率も増加していること
が理解できる。
このグラフはこの方法により屈折率１．４５から１゜５
５を越える範囲の任意の屈折率をＴ ａ ２０５の面積
（個数）を変えることにより得られることを示している
。
５を越える範囲の任意の屈折率をＴ ａ ２０５の面積
（個数）を変えることにより得られることを示している
。
第４図はターゲットとしてＭｇＯとＴ；ｒ ２０６を用
いる光学薄膜製造方法においてＴａ２０５の面積（個数
）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示すグラフで
ある。
いる光学薄膜製造方法においてＴａ２０５の面積（個数
）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示すグラフで
ある。
直径１００ｍｒｎのＭｇＯターゲソト一りに直径６ｍｍ
のＴａ２０５ターゲットを直径６０ｍｍの円周上に第２
図に示すように配置する。
のＴａ２０５ターゲットを直径６０ｍｍの円周上に第２
図に示すように配置する。
’ｐａ２０５の面積（個数）を増加させＴａ ２０５の
付着量を次第に増加さ・Ｕると屈折率も増加しているこ
とが理解できる。
付着量を次第に増加さ・Ｕると屈折率も増加しているこ
とが理解できる。
このグラフはこの方法により１．７０より小さい屈折率
から１．８０を越える範囲の任意の屈折率をＴａ２０５
の面積（個数）を変えることにより得られることを示し
ている。
から１．８０を越える範囲の任意の屈折率をＴａ２０５
の面積（個数）を変えることにより得られることを示し
ている。
第５図はターゲットとして７．ｒＯ２と５１０２を用い
る光学薄１！ｔｉ製造方法において５ＩＯ２の面積（Ｉ
ｌ？ＩＩ数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示
すグラフである。
る光学薄１！ｔｉ製造方法において５ＩＯ２の面積（Ｉ
ｌ？ＩＩ数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率を示
すグラフである。
直径１）００ｒｎのｚｒｏ２ターゲット上に直径ｌＱｍ
ｍのＳｉＯ２ターゲットを直１６０ｍｍの円周」−に第
２図に示すように均等に配置したスパッタターゲットを
用いる。
ｍのＳｉＯ２ターゲットを直１６０ｍｍの円周」−に第
２図に示すように均等に配置したスパッタターゲットを
用いる。
５ｉ０２の面積（ｌｌｌｉｌ数）を増加させＺ ｒ Ｏ
２Ｌ対する５ｉ０２の付着量を次第に増加させると屈折
率が減少していることが理解できる。
２Ｌ対する５ｉ０２の付着量を次第に増加させると屈折
率が減少していることが理解できる。
このグラフはこの方法により２．１より小さい屈折率か
ら１．７を越える範囲の任意の屈折率を５ｈｏ２の面積
（個数）を変えることにより得られることを示している
。
ら１．７を越える範囲の任意の屈折率を５ｈｏ２の面積
（個数）を変えることにより得られることを示している
。
次に、このような任意の屈折率値をもつ薄膜の製法を利
用して硼珪酸ガラス、１．１Ｎｂ０３結晶について、単
一波長（Ｈｅ−Ｎｅレーザ波：λ＝６３３ｎｍ）用反射
防止膜を作成した時の実施例を説明する。
用して硼珪酸ガラス、１．１Ｎｂ０３結晶について、単
一波長（Ｈｅ−Ｎｅレーザ波：λ＝６３３ｎｍ）用反射
防止膜を作成した時の実施例を説明する。
第６図は、硼珪酸ガラス基板に対する本発明方法で製造
された２Ｎ反射防止膜の構造を示す断面図である。
された２Ｎ反射防止膜の構造を示す断面図である。
硼珪酸ガラス３ （ｎｏ −１，４９）のにに第４図に
示した方法でＭｇＯにＴａ２０５を添加したスパソタタ
ーゲソ］・を用いることにより屈折率１．７６の膜厚λ
／４の薄膜４を形成する。
示した方法でＭｇＯにＴａ２０５を添加したスパソタタ
ーゲソ］・を用いることにより屈折率１．７６の膜厚λ
／４の薄膜４を形成する。
その上に形成される薄膜５は屈折率１．４５、膜厚λ／
４の５ｈｏ２膜である。
４の５ｈｏ２膜である。
硼珪酸ガラスＦｉ３の両面に前記反射防止膜を形成する
ことにより、Ｉ−１ｅ −Ｎ ｅレーザ（波長λ−６３
３ｎｍ）での透過率を形成前９３％から９９．８％に改
善できることを確認した。
ことにより、Ｉ−１ｅ −Ｎ ｅレーザ（波長λ−６３
３ｎｍ）での透過率を形成前９３％から９９．８％に改
善できることを確認した。
第７図は、Ｉ、１Ｎｈ０３結晶に対する本発明方法で製
造された単層反射防止膜のＪＲ造を示す断面図である。
造された単層反射防止膜のＪＲ造を示す断面図である。
リチウムニオブ酸結晶（Ｌ ｉ ＮｂＯ２） ６
（ｎ（。
（ｎ（。
＝２．２４）は電気光学効果を示す結晶である。
屈折率１．５のλ／４の薄膜は第２図に示したターゲッ
トを利用することによって得られる。
トを利用することによって得られる。
第８図は、本発明方法で製造された透明溝電膜８ （Ｉ
ＴＯ）付きＬｉＮｂＯ３結晶６に対する反射防１）−膜
の構造を示す断面図である。
ＴＯ）付きＬｉＮｂＯ３結晶６に対する反射防１）−膜
の構造を示す断面図である。
透明導電膜（ＩＴＯ： Ｉｎｘ５ｎｌ−ｘ）０３）８を
電極とＵ７て形成すると結晶６を光変調器として利用す
ることができる。
電極とＵ７て形成すると結晶６を光変調器として利用す
ることができる。
屈折率１．５のλ／４の薄膜７は第２図に示したターゲ
ットを利用することによって得られる。
ットを利用することによって得られる。
前述のように、反射防止膜７を両面に形成することによ
り、Ｈｅ−Ｎｅレーザでの透過率を形成前７４％から９
９．５％に向上できることを確認した。
り、Ｈｅ−Ｎｅレーザでの透過率を形成前７４％から９
９．５％に向上できることを確認した。
なおこれ等の反射防止膜は強固で安定したものであり、
基板を人気中および真空中で４００°Ｃまで加熱したが
膜のはがれ、変質等は認められなかった。
基板を人気中および真空中で４００°Ｃまで加熱したが
膜のはがれ、変質等は認められなかった。
以」−詳しく説明した実施例について、本発明の範囲内
で種々の変形を施すことができる。
で種々の変形を施すことができる。
前記実施例では、硼珪酸ガラスとＬｉＮｂＯ３結晶の基
板について説明したが、基板材料はこれらに限定される
ものではない。
板について説明したが、基板材料はこれらに限定される
ものではない。
また前期実施例では墜−波長についての反射防止膜につ
いて説明したが、多層膜構造にすれば広い波長範囲にわ
たって反射ｔａ失を低減できる。
いて説明したが、多層膜構造にすれば広い波長範囲にわ
たって反射ｔａ失を低減できる。
またターゲットの構造についても２種の円形ターゲソ］
・の組合せについて説明したが、ターゲット構成物質の
種頬、形状に制約は無く、わ〕末物質から成る混合スパ
ッタターゲットを用いることも可能である。
・の組合せについて説明したが、ターゲット構成物質の
種頬、形状に制約は無く、わ〕末物質から成る混合スパ
ッタターゲットを用いることも可能である。
またターゲット材料として前述し２だ酸化物誘電体（Ｓ
ｉ０２ 、 Ｚ ｒ０２ 、 Ｔａ２０５ 、 Ｍｇ
’））の他にＡ１２０３ （ｎ＝１．６０）、５ｉＯ
（ｎ＝１．９０） 、Ｈｆ ０２ （ｎ−２，１）
、Ｎｔ）２０．（ｎ ＝ ２．０ ） 、 Ｔ Ｉ
（）２ （ｎ ＝ ２．５ ）等を利用４−イ。
ｉ０２ 、 Ｚ ｒ０２ 、 Ｔａ２０５ 、 Ｍｇ
’））の他にＡ１２０３ （ｎ＝１．６０）、５ｉＯ
（ｎ＝１．９０） 、Ｈｆ ０２ （ｎ−２，１）
、Ｎｔ）２０．（ｎ ＝ ２．０ ） 、 Ｔ Ｉ
（）２ （ｎ ＝ ２．５ ）等を利用４−イ。
ことができる。
また、Ｓ ｉｇ Ｎ４ （ｎ＝２．０）等の窒化物誘
電体も同様に利用できる。
電体も同様に利用できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明方法は２種１ミし１−の異
なる屈折率値をもつ物質を適当な面積比で配ｌＲした構
造のスパッタターゲットを用いて、高周波スパッタ法で
薄膜を作成している。
なる屈折率値をもつ物質を適当な面積比で配ｌＲした構
造のスパッタターゲットを用いて、高周波スパッタ法で
薄膜を作成している。
したがって、屈折率の異なる２種の物質を適当な面積比
で配置したターゲットを用いることにより、その中間の
任意の屈折率値の膜を製造できる。
で配置したターゲットを用いることにより、その中間の
任意の屈折率値の膜を製造できる。
また高周波スパッタ法によるので従来の真空蒸着法によ
り得られる薄膜と比較して、基板と薄膜との付着強度が
大きく、硬く丈夫な膜が得られる。
り得られる薄膜と比較して、基板と薄膜との付着強度が
大きく、硬く丈夫な膜が得られる。
さらに、薄膜材料の融点の相違は関係ないため、利用で
きる物質の選択の自由度が大きくなる。
きる物質の選択の自由度が大きくなる。
そのため必要な屈折率の薄膜を種々の組合せにより容易
に製造できる。
に製造できる。
本発明方法は、ハイパワーレーザ用光学薄膜素子や高温
用薄膜素子の新しい分野での広い応用が期待できる。
用薄膜素子の新しい分野での広い応用が期待できる。
第１図は本発明による方法で使用するスパッタリング装
置内における基板とターゲットの配置例を示す略図であ
る。 第２図は５ｉ０２とＴａ２０５の光学薄膜を製造する方
法で使用するターゲットの実施例を示す平面図である。 第３図は第２図に示すターゲットでＴａ２０６の面積（
個数）を変えて製造したときのｉｉＶ １）％の屈折率
を示すグラフである。 第４図はターゲノ］・としてＭ ｇ ＯとＴａ、、０５
を用いる光学薄膜製造方法においてＴ ａ２ （Ｔｌ
５の面積（個数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率
を示すグラフである。 第５図はターゲットとしてＺｒＯ２とＳ ｉ （１２を
用いる光学薄膜製造方法において３１０２の面積（個数
）を変えて１）．！造Ｕ２だときの薄膜の屈折率を示す
グラフである。 第６図は、本発明方法で製造された硼珪酸ガラス基板に
対する２層反射防止映の構造を示す断面図である。 第７図は、本発明方法で製造されたＬｉＮｂＯ３結晶に
対する中層反射防１）一般の構造を示す図である。 第８図は、本発明方法で製造された透明導電膜（ＩＴＯ
）付き１．１Ｎｂｎ３結晶に対する反射防ＩＬ膜の構造
を示す断面図である。 Ｓ・・・ＪＪＩＪ、ｔ Ａ、 ｎ・
・・ターゲット材利Ｃ・・スパッタリング４□５置の容
器 １−ｉｆｆｉ’ ｉ￥Ｉ （１０ｒｎ ｍのターゲノ１
２・・・直ＩＭ ６ ｍ ｍまたは直径１０ｍｍのター
ケノト３・・・硼珪酸ガラス ４・・・屈折率１．７６、光学的膜厚λ／４の薄膜５・
・・屈折率１．４５、光学的膜厚λ／４のＳｉ（”）２
股 ６・・・■、ｉ Ｎ ｂ Ｏ３結晶 ７・・屈折率ｊ、５０、光学的膜厚λ／４の薄膜８・・
・屈折率２．０．光学的膜厚λ／２のＩＴＯ股特許出願
人 浜松ボＩニクス株式会ン１（’Ｓ、理人 弁理士
井 ） ロ 壽才４図 才５図 オ６図 オフ図 り′８図 λ＝〆刀ηｍ
置内における基板とターゲットの配置例を示す略図であ
る。 第２図は５ｉ０２とＴａ２０５の光学薄膜を製造する方
法で使用するターゲットの実施例を示す平面図である。 第３図は第２図に示すターゲットでＴａ２０６の面積（
個数）を変えて製造したときのｉｉＶ １）％の屈折率
を示すグラフである。 第４図はターゲノ］・としてＭ ｇ ＯとＴａ、、０５
を用いる光学薄膜製造方法においてＴ ａ２ （Ｔｌ
５の面積（個数）を変えて製造したときの薄膜の屈折率
を示すグラフである。 第５図はターゲットとしてＺｒＯ２とＳ ｉ （１２を
用いる光学薄膜製造方法において３１０２の面積（個数
）を変えて１）．！造Ｕ２だときの薄膜の屈折率を示す
グラフである。 第６図は、本発明方法で製造された硼珪酸ガラス基板に
対する２層反射防止映の構造を示す断面図である。 第７図は、本発明方法で製造されたＬｉＮｂＯ３結晶に
対する中層反射防１）一般の構造を示す図である。 第８図は、本発明方法で製造された透明導電膜（ＩＴＯ
）付き１．１Ｎｂｎ３結晶に対する反射防ＩＬ膜の構造
を示す断面図である。 Ｓ・・・ＪＪＩＪ、ｔ Ａ、 ｎ・
・・ターゲット材利Ｃ・・スパッタリング４□５置の容
器 １−ｉｆｆｉ’ ｉ￥Ｉ （１０ｒｎ ｍのターゲノ１
２・・・直ＩＭ ６ ｍ ｍまたは直径１０ｍｍのター
ケノト３・・・硼珪酸ガラス ４・・・屈折率１．７６、光学的膜厚λ／４の薄膜５・
・・屈折率１．４５、光学的膜厚λ／４のＳｉ（”）２
股 ６・・・■、ｉ Ｎ ｂ Ｏ３結晶 ７・・屈折率ｊ、５０、光学的膜厚λ／４の薄膜８・・
・屈折率２．０．光学的膜厚λ／２のＩＴＯ股特許出願
人 浜松ボＩニクス株式会ン１（’Ｓ、理人 弁理士
井 ） ロ 壽才４図 才５図 オ６図 オフ図 り′８図 λ＝〆刀ηｍ
Claims (4)
- （１）光学薄膜を形成しようとする基板と、異なる屈折
率値を有する２種以上の物質を希望する面積比を保って
配置したスパッタターゲットを高周波スパッタリング装
置に収容して、２種以上の物質を前記基板の表面に稠密
に付着させることにより前記基板に前記２種以上の物質
の各屈折率と面積比により決定される屈折率の光学薄膜
を形成する光学薄膜の製造方法。 - （２）光学薄膜を形成しようとする基板と、異なる屈折
率値を有する２種以上の物質を希望する面積比を保って
配置した第１のスパッタターゲットを高周波スパッタリ
ング装置に収容して、前記２種以上の物質を前記基板の
表面に稠密に付着させることにより前記基板に前記２種
以上の物質の各屈折率と面積比により決定される屈折率
の第１の光学薄膜を形成し、次いで１種類または他の屈
折率と面積比の組合せの２種以上の物質を希望する面積
比を保って配置した第２のスパッタターゲットを高周波
スパッタリング装置に収容して、前記２種以上の物質を
前記第１の光学薄膜の表面に稠密に付着させることによ
り前記１種類または前記２種以上の物質の各屈折率と面
積比により決定される屈折率の第２の光学薄膜を形成す
る光学薄膜の製造方法。 - （３）前記スパッタターゲットの物質の組合せは、酸化
物誘電体および窒化物誘電体中の異なる屈折率をもつ物
質の２以上の組合せである特許請求の範囲第１項記載の
光学薄膜の製造方法。 - （４）前記酸化物誘電体ＳｉＯ＿２、ＳｉＯ、ＺｒＯ＿
２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯ、ＨｆＯ
＿２、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、ＴｉＯ＿２等である特許請求の
範囲第３項記載の光学薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213845A JPS6273202A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213845A JPS6273202A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273202A true JPS6273202A (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=16645968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213845A Pending JPS6273202A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273202A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259301A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-10-17 | Raytheon Co | 光学素子 |
| JPH02901A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-05 | Asahi Glass Co Ltd | 耐久性の優れた光学体 |
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