JPS63205383A - ウエハ貼着用粘着シ−ト - Google Patents

ウエハ貼着用粘着シ−ト

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JPS63205383A
JPS63205383A JP62037429A JP3742987A JPS63205383A JP S63205383 A JPS63205383 A JP S63205383A JP 62037429 A JP62037429 A JP 62037429A JP 3742987 A JP3742987 A JP 3742987A JP S63205383 A JPS63205383 A JP S63205383A
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abrasive grains
adhesive sheet
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和義 江部
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博昭 成田
Katsuhisa Taguchi
田口 克久
Yoshitaka Akeda
明田 好孝
Takanori Saito
斉藤 隆則
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光肌の肢血分胛 本発明はウェハ貼着用粘着シートに関し、さらに詳しく
は、半導体ウェハを小片に切断分離する際に用いられる
ウェハ貼着用粘着シートに関する。
日の−・1自り北旦fへびに の。叩 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離(ダイ
シング)された後に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、□半導体ウェハは予じめ粘着シート
に貼着された状態でダイシング、洗浄、乾煤、エキスパ
ンディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が
加えられている。
このような半導体ウェハのダイシング工程で用いられて
いる粘着シートとしては、従来、塩化ビニル、ポリプロ
ピレンなどの基材面上にアクリル系などの粘着剤層が設
けられたものが用いられてきた。
ところで上記のような粘着シートを用いて半導体ウェハ
を切断ブレードによ・り切断分離するには、従来半導体
ウェハの厚みの半分程度を切断するハーフカット方式が
主として採用されてきた。ところがこのハーフカット方
式では、切断プレートにより切断されなウェハをさらに
分割する操作が必要であるという問題点があった。
このような問題点を解決するため、ウェハを切断ブレー
ドによって完全に切断するフルカット方式が採用されつ
つある。このフルカット方式によればウェハは完全に切
断されるなめ、ウェハを分割する必要はないが、ウェハ
の切断時に切断ブレードが粘着剤層にもくい込むため、
切断ブレードに粘着剤が付着し目づまりを起こして切断
ブレードによるウェハの切断ができなくなってしまうと
いう新たな問題点が生じてしまう。このような粘着剤が
付着した切断ブレードは、この付着物を除去するととも
に切れ味を回復させるため、いわゆるドレッサーボード
と接触させることが行なわれているが、このような操作
を採用しても、切断ブレードの寿命は、ハーフカット方
式の場合に比較して1/10程度になってしまう。
切断ブレードの寿命が短くなるということは、単に高価
な切断ブレードが新たに必要となるという問題点に加え
て、切断ブレードの取り替えに手間がかかるという問題
点もある。なぜなら切断ブレードの取り替えには、精度
が要求されるからである。
上記のように、ウェハを切断ブレードによってフルカッ
ト方式により切断することが求められているが、現状で
はフルカット方式を採用すると切断ブレードの寿命が著
しく短くなってしまうという大きな問題点が存在してい
る。
光朗例且的 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、半導体ウェハを粘着シート
に貼着した状態で切断ブレードによりフルカット方式で
切断分離しても、切断ブレードに大量の粘着剤が付着し
て目づまりを起こすことがなく、かつ砥粒の研磨効果に
よって切断ブレードの寿命が短縮されることがないよう
な、ウェハ貼着用粘着シートを提供することを目的とし
ている。
児洲例概翌 本発明に係る第1のウェハ貼着用粘着シートは、基材面
上に粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートに
おいて、粘着剤層中に、粒径が0.5〜100μmであ
りモース硬度が6〜1゜である砥粒を分散さぜなことを
特徴としている。
また本発明に係る第2のウェハ貼着用粘着シートは、基
材3面上に粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シ
ートにおいて、基材と粘着剤層との間に、粒径が0.5
〜100μmでありモース硬度が6〜10である砥粒を
含む砥粒層を設けたことを特徴としている。
本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、基材面上に粘
着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートにおいて
、粘着剤層中に特定の粒径および硬度を有する砥粒を分
散させるか、あるいは基材と粘着剤層との間に、上記の
ような砥粒を含む砥粒層を設けているので、半導体ウェ
ハを粘着シートに貼着した状態で切断ブレードによりフ
ルカット方式で切断分離しても、砥粒の研磨効果によっ
て切断ブレードに大量の粘着剤が付着して目づまりを起
こすことがなく、したがって切断ブレードの寿命が短縮
されることが少ない。
充用!す■訂げ市明 以下本発明に係るウェハ貼着用粘着シートについて具体
的に説明する。
本発明に係る第1のウェハ貼着用粘着シートは、第1図
に示すように、基材2と、この表面に設けられた粘着剤
層3とからなっており、この粘着剤層3中には、砥粒4
が分散されている。
また本発明に係る第2のウェハ貼着用粘着シート1は、
第2図に示すように、基材2と、この表面に設けられた
粘着剤層3とからなり、この見料2と粘着剤層3との間
には砥粒4を含む砥粒層5が設けられている。
本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、ラベル状
などあらゆる形状をとりうる。基材2としては、耐水性
および耐熱性に優れているものが適し、特に合成樹脂フ
ィルムが適する。本発明の粘着シートでは、後記するよ
うに、その使用に当り、EB+UVなどの放射線照射が
行なわれる場合には、EB照射の場合は、該基材2は透
明である必要はないが、UV照射をして用いる場合は、
透明な材料である必要がある。
このような基材2としては、具体的に、ポリエチレンフ
ィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチ
レンテレフタレートフィルム、ポリブテンフィルム、ポ
リブタジェンフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリメ
チルペンテンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用
いられる。また重合体構成単位としてカルボキシル基を
有する化合物を含む重合体フィルムあるいはこれと汎用
重合体フィルムとのラミネート体を用いることもできる
半導体ウェハのダイシング後にエキスパディング処理を
する必要がある場合には、従来と同様にポリ塩化ビニル
、ポリプロピレンなどの長さ方向および幅方向に延伸性
をもつ合成樹脂フィルムを基材として用いることが好ま
しい。
粘着剤としては、ゴム系あるいはアクリル系粘着剤など
の従来公知のものが広く用いられうるが、アクリル系粘
着剤が好ましく、具体的には、アクリル系エステルを主
たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体か
ら選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単量体との
共重合体およびこれら重合体の混合物である。たとえば
、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタアクリル
酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸−2
−エチルヘキシル、メタアクリル酸グリシジル、メタア
クリル酸−2−ヒドロキシエチルなど、また上記のメタ
アクリル酸をたとえばアクリル酸に代えたものなども好
ましく使用できる。ウェハ裏面への粘着剤の付着を防止
するためには、低粘着性の粘着剤を用いることが好まし
い。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高めるなめ、(
メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
のモノマーを共重合させてもよい。
これらのモノマーから重合して得られるアクリル系重合
体の分子量は、5.OXI。04〜]0.○×105で
あり、好ましくは、2.OXI、05〜8.0XIO”
である。
上記のような粘着剤層中に放射線重合性化合物を含ませ
ることによって、ウェハを切断分離した後、該粘着剤層
に放射線を照射することによって粘着力を低下させるこ
とができる。このような放射線重合性化合物としては、
たとえば特開昭60−196,956号公報および特開
昭60−223.139号公報に開示されているような
光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭
素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量
化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプ
ロパンアクリレート、テトラメチロールメタンテトラア
クリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエ
リスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールへキサアクリレートあるいは1.4
−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサ
ンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジ
アクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなど
が用いられる。
さらに放射線重合性化合物として、上記のようなアクリ
レート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系
オリゴマ〜は、ポリニスデル型またはポリエーテル型な
どのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物た
とえば2.4−トリレンジイソシアナート、2.6−)
リレンジイソシアナート、1.3−キシリレンジイソシ
アナート、1゜4−キシリレンジイソシアナルト、ジフ
ェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反応させ
て得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートたとえ
ば2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒ
ドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレン
グリコールくメタ)アクリレートなどを反応させて得ら
れる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素
−炭素二重結合を少なくとも1個以上有する放射線重合
性化合物である。
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーとして、
特に分子量が3000〜10000好ましくは4000
〜8000であるものを用いると、= 1〇 − 半導体ウェハ表面が粗い場合にも、ウェハチップのピッ
クアップ時にチップ表面に粘着剤が付着することがない
ため好ましい。またウレタンアクリレート系オリゴマー
を放射線重合性化合物として用いる場合には、特開昭6
0−196,956号公報に開示されたような分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有す
る低分子量化合物を用いた場合と比較して、粘着シート
として極めて優れたものが得られる。すなわち粘着シー
トの放射線照射前の接着力は充分に大きく、また放射線
照射後には接着力が充分に低下してウェハチップのピッ
クアップ時にチップ表面に粘着剤が残存することはない
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタン
アクリレート系オリゴマーなとの放射線重合性化合物と
の配合比は、アクリル系粘着剤10〜90重量部に対し
て放射線重合性化合物は90〜10重量部の範囲の量で
用いられることが好ましい。この場合には、得られる粘
着シートは初期の接着力が大きくしかも放射線照射後に
は粘−1]  − 着力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着シー
トからピックアップすることができる。
本発明に係る第1のウェハ貼着用粘着シート1では、粘
着剤層3中に砥粒4が分散されている。
この砥粒4は、粒径が0,5〜]−00μm好ましくは
1〜50μmであって、モース硬度は6〜10好ましく
は7〜10である。具体的には、グリーンカーボランダ
ム、人造コランダム、オプティカルエメリー、ホワイト
アランダム、炭化ホウ素、酸化フロム(■)、酸化セリ
ウム、ダイヤモンドハウダーなどが用いられる。このよ
うな砥粒4は無色あるいは白色であることが好ましい。
このような砥粒4は、粘着剤層中に0.5〜60重量%
好ましくは3〜30重量%の量で存在している。
また本発明に係る第2のウェハ貼着用粘着シート1では
、上記ような砥粒4および上記のような粘着剤を含む砥
粒層5が設けられている。この砥粒層5の厚みは1〜1
50μm好ましくは5〜80μm程度である。またこの
砥粒層5中におい2では、砥粒4は10〜100重量%
好ましくは30〜80重量%の量で存在している。
このような本発明に係る第2のウェハ貼着用粘着シート
1は、切断ブレードをウェハのみならず基材2にまでも
切り込むような深さで用いる場合に、特に好ましく用い
られる。
上記のような砥粒4を粘着剤層3中に含まぜるか、ある
いは砥粒4を含む砥粒層5を設けることによって、切断
ブレードが粘着剤層3中に切り込んで、切断ブレードに
粘着剤が付着しても砥粒の研磨効果により、目づまりを
簡単に解消することができる。
また本発明では粘着剤層中に放射線照射により着色する
化合物を含ませることもできる。このような放射線照射
により着色する化合物は、放射線の照射前には無色また
は淡色であるが、放射線の照射により有色となる化合物
であって、この化合物の好ましい具体例としてはロイコ
染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフ
ェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オ
一ラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられ
る。具体的には3−[N−(P−トリルアミノ)1−7
−アニリノフルオラン、3−[N−(P−トリル)−N
−メチルアミノ1−7−アニリノフルオラン、3−IN
−(P−トリル)−N−エチルアミノ1−7−アニリノ
フルオラン、3−ジエチルアミノ−6−メチル−7−ア
ニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、
4゜4゛、4“−トリスジメチルアミノトリフェニルメ
タノール、4,4°、4”−)リスジメチルアミノトリ
フェニルメタンなどが挙げられる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤と
しては、従来から用いられているフェノールホルマリン
樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土
などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させ
る場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもでき
る。
このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦
有機溶媒などに溶解された後に粘着剤層中に含まぜても
よく、また微粉末状にして粘着剤層中に含まぜてもよい
。この化合物は、粘着剤層中に0.01〜10重量%好
ましくは0.5〜5重量%の量で用いられることが望ま
しい。該化合物が10重量%を越えた量で用いられると
、粘着シートに照射される放射線がこの化合物に吸収さ
れすぎてしまうなめ、粘着剤層の硬化が不十分となり好
ましくなく、一方該化合物が0.01重量%未満の量で
用いられると放射線照射時に粘着シートが充分に着色し
ないことがあり、ウェハチップのピックアップ時に誤動
作が生じやすくなるため好ましくない。
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とができる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イソシアナート化合物、たとえば2,4−トリレンジ
イソシアナート、2.6−)リレンジイソシアナート、
L34シリレンジイソシアナート、1 、4−4シレン
ジイソシアナート、ジフェニルメタン−4,4゛−ジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン−2,4゛−ジイソシ
アナート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアナー
ト、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイ
ソシアナート、ジシクロキシシルメタン−4,4“−ジ
イソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−2,4゛−
ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが用いら
れる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場合には、UV
開始剤を混入することにより、UV照射による重合硬化
時間ならびにU■照射量を少なくすることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β −クロールアンスラキノンなどが挙げら
れる。
以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。
本発明に係る粘着シート]−の上面に剥離性シートが設
けられている場合には、該シートを除去し、次いで粘着
シート1の粘着剤層3を上向きにして載置し、この粘着
剤層3の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハAを
貼着する。この貼着状態でウェハAにダイシング工程が
加えられる。
この際、切断ブレードは、ウェハAを完全に切断して、
粘着剤層3に達する。ところが本発明に係る粘着シート
1では、粘着剤層3には砥粒4が含まれているか、ある
いは砥粒4を含む砥粒層5が設けられているので、この
砥粒4の働きによって切断ブレードに粘着剤が付着する
ことが軽減され、またたとえ付着しても砥粒の研磨作用
でブレードの目立てが達成でき、したがって切断ブレー
ドの寿命が著しく短縮されることがない。
ダイシング工程の後、洗浄、乾燥、エキスパンディング
の諸工程がウェハに加えられる。この際粘着剤層3によ
りウェハチップは粘着シートに充分に接着保持されてい
るので、上記各工程の間にウェハチップが脱落すること
はない。
次に、各ウェハチップを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングするが、粘着剤層3中
に放射線重合化合物が含まれている場合には、ピックア
ップに先立っであるいはピックアップ時に、紫外線(U
V)あるいは電子線(EB)などの電離性放射線Bを粘
着シート1の粘着剤層3に照射し、粘着剤層3中に含ま
れる放射線重合性化合物を重合硬化せしめる。このよう
に粘着剤層3に放射線を照射して放射線重合性化合物を
重合硬化せしめると、粘着剤の有する接着力は大きく低
下し、わずかの接着力が残存するのみとなる。
粘着シート1への放射線照射は、基材2の粘着剤層3が
設けられていない面から行なうこと力柚了ましい。した
がって前述のように、放射線としてUVを用いる場合に
は基材2は光透過性であることが必要であるが、放射線
としてEBを用いる場合には基材2は必ずしも光透過性
である必要はない。
このようにウェハチップA1 、A2・・・・・・が設
けられた部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着剤
層3の接着力を低下せしめた後、この粘着シート1をピ
ックアップステーション(図示せず)に移送し、ここで
常法に従って基材2の下面から突き上げ針杆6によりピ
ックアップすべきチップA1・・・・・・を突き上げ、
このチップA ・・・・・・をたとえばエアピンセット
7によりピックアップし、これを所定の基台上にマウン
ティングする。このようにしてウェハチップAI 、A
2・・・・・・のピックアップを行なうと、ウェハチッ
プ面上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピックアップ
することができ、汚染のない良好な品質のチップが得ら
れる。
なお放射線照射は、ピックアップステーションにおいて
行なうこともできる。
放射線照射は、ウェハAの貼着面の全面にわたって1度
に照射する必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
すべきウェハチップAI。
A2・・・・・・の1個ごとに、これに対応する裏面に
のみ照射する放射線照射管により照射しその部分の粘着
剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針杆5により
ウェハチップA+ 、A2・・・・・・を突き上げて順
次ピックアップを行なうこともできる。第6図には、上
記の放射線照射方法の変形例を示すが、この場合には、
突き上げ針杆6の内部を中空とし、その中空部に放射線
発生源8を設けて放射線照射とピックアップとを同時に
行なえるようにしており、このようにすると装置を簡単
化できると同時にピッアップ操作時間を短縮することが
できる。
なお上記の半導体ウェハの処理において、エキスパンデ
ィング工程を行なわず、ダイシング、洗浄、乾燥後直ち
にウェハチップAI 、A2・・・・・・のピックアッ
プ処理を行なうこともできる。
発明の効果 本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、基材面上に粘
着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートにおいて
、粘着剤層中に特定の粒径および硬度を有する砥粒を分
散さぜるか、あるいは基材と粘着剤層との間に、上記の
ような砥粒を含む砥粒層を設けているので、半導体ウェ
ハを粘着シートに貼着した状態で切断ブレードによりフ
ルカッ−20〜 ト方式で切断分離しても、切断ブレードに大量の粘着剤
が付着して目づまりを起こすことが少なく、したがって
切断ブレードの寿命が著しく短縮されることがない。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
失旌倒↓ 平均分子量が約350000. (ポリスチレン換算)
のアクリル系粘着剤100重量部(固形分40重量%)
と、平均分子量が約6000の2官能ウレタンアクリレ
一トオリゴマー70重量部(固形分60重量%〉と、イ
ソシアナート系硬化剤5重量部と、ベンゾフェノン4重
量部とを混合し、さらに平均粒径が5μmのカーボラン
ダムを1−0重量部均一分散させてなる粘着剤組成物を
調製した。
この組成物を厚さ100μmの低密度ポリエチレンフィ
ルムに転写塗工して粘着剤層の厚さが20μmであるウ
ェハ貼着用粘着シートを作成した。
この粘着シートに厚さ300μm口径5インチのシリコ
ンウェハを貼付し、ブレード回転数30000、切り込
み深さ250μmに条件設定されたダイシングソーで、
サイズが0.35mmX0.35mmのシリコンチップ
をハーフカットした。
このハーフカット方式で、ウェハを連続して処理したと
ころ約40000ラインでブレードの摩耗が大きくなり
交換した。
またダイシング済ウェハ固定粘着シートの基材面より紫
外線(UV)を空冷式高圧水銀灯(80W/am)、照
射距離10(7))により2秒間照射し、次いでブレー
キングを終えた後、ダイボンディングを行なった結果、
いずれのチップも精度良くピックアップできた。
夾施例又 実施例1において、ブレードによる切り込み深さが32
0μmに設定されたダイシングソーでサイズが0.35
mmX0.35mmのシリコンチップをフルカットした
。すなわち粘着剤層まで切り込むこのフルカット方式で
ウェハを連続して処理したところ、約32000ライン
で粘着剤の付着が多く、切れなくなったためブレードを
交換しな。
次いで、実施例]と同一条件でUV照射を行ないダイボ
ンディングしたところ、問題なくピックアップできた。
また剥離されたウェハチップの裏面には、目視しなとこ
る粘着剤は付着していなかった。
ル較捌↓ 実施例1において、粘着剤組成物中にカーボランダムを
全く添加しない以外は同様にして粘着シートを形成し、
厚さ300μmの5インチ径シリコンウェハをブレード
による切り込み深さを320μmに設定されたダイシン
グソーでサイズが0.35mmX0.35mmのチップ
をフルカットした。
その結果、約10000ライン付近でチップにクラック
が多く発生し、確認したところチップ表面にブレードの
ダイヤモンド粒子が混入した粘着剤つぶが付着しており
、原因が切断中に目詰りした粘着剤がダイヤモンド粒子
を剥ぎ取ったことに−23= あると容易に推察できた。
実施■ニ アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリレートと酢酸ビニ
ルとアクリル酸の共重合体)100重量部(固形分37
重量%)と、エチレンイミン硬化剤3重量部と、平均粒
径が]0μmの人造コランダムを20重量部とを均一分
散させてなる粘着剤組成物を調製した。
この組成物を厚さ80μmの塩化ビニルフィルムに転写
塗工して、粘着剤層の厚さが30μmであるウェハ貼着
用粘着シートを作成しな。使用ウェハとダイシングソー
の条件を実施例2と同一にして、320μmの切り込み
深さでウェハをフルカットしな。
ウェハを連続してダイシングしたところ約34000ラ
インまで何らトラブルもなく処理できた。
比較例2 実施例3において、粘着剤組成物中に人造コランダムを
全く添加しない以外は同様にして粘着シ一トを作成し、
同一 ウェハを貼着した後、やはり320μmの切り込
み深さでフルカットした。
約8000ライン付近でチップ表面にブレードのダイヤ
モンド粒子が混入した粘着剤っぷが付着しはじめ、ブレ
ードの切れ味が急激に低下した。
実施[4 ポリニスデル系バインダー樹脂100重量部に粒径が4
0μmの酸化クロム(I)100重量部を均一分散させ
て調製した砥粒層形成用組成物を、厚さ40μmのポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、砥粒層が
50μmであるシート1を作成しな。
次いでアクリル系粘着剤(n−ブチルアクリレートと酢
酸ビニルとアクリル酸の共重合体)100重量部(固形
分37重量%)とエチレンイミン硬化剤3重量部からな
る粘着剤組成物をシート]−の砥粒層面に厚みが10μ
mになるよう塗工し、総厚が100μmであるウェハ貼
着用粘着シートを作成しな。
使用ウェハとダイシングソーの条件を実施例2と同一に
して330μmの切り込み深さでウェハをフルカットし
た。
ウェハを連続してダイシングしたところ、同一ブレード
で約30000ラインまで何らトラブルもなく処理がで
きな。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明に係る粘着シートの断面図
であり、第3図〜第6図は該粘着シートを半導体ウェハ
のダイシング工程からピックアップ工程までに用いた場
合の説明図である。 1・・・粘着シート、2・・・基材、3・・・粘着剤層
、4・・・砥粒、5・・・砥粒層、A・・・ウェハ、r
3・・・放射線。 代理人  弁理士  銘木  俊一部 1         第  1  図 第  2  図 第  3  図 第  4  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基材面上に粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘
    着シートにおいて、粘着剤層中に、粒径が0.5〜10
    0μmでありモース硬度が6〜10である砥粒を分散さ
    せたことを特徴とするウェハ貼着用粘着シート。 2)基材面上に粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘
    着シートにおいて、基材と粘着剤層との間に、粒径が0
    .5〜100μmでありモース硬度が6〜10である砥
    粒を含む砥粒層を設けたことを特徴とするウェハ貼着用
    粘着シート。
JP62037429A 1987-02-20 1987-02-20 ウエハ貼着用粘着シ−ト Granted JPS63205383A (ja)

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