JPS63164461A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPS63164461A JPS63164461A JP31230386A JP31230386A JPS63164461A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 を本発明は半導
体装置、詳しくはその電極部の構造に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION FIELD OF INDUSTRIAL APPLICATION The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to the structure of an electrode portion thereof.
従来の技術
近年、機器のデジタル化に伴い、バイポーラｔＣの中で
デジタル用ＩＣ１とりわけ、トランジスタ・トランジス
タ・ロジック（以下、ＴＴＬと略す）の需要が急増して
きた。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, with the digitalization of equipment, demand for digital ICs 1, particularly transistor transistor logic (hereinafter abbreviated as TTL), among bipolar TCs has rapidly increased.
以下に従来のショットキーバリアをもつＴＴＬについて
説明する。A conventional TTL with a Schottky barrier will be described below.
第２図は従来のショットキーバリアダイオードの断面図
である。第２図において、ｌはバリアメタル、２はフィ
ールド酸化膜、３はメタルシリサイド、４はアルミニウ
ム（Ａ＋り配線、５はＮ型シリコン基板である。メタル
シリサイド３は、フィールド酸化膜２に窓を開けた部分
のみ形成し、バリアメタル１は、窓を覆うように形成し
メタルシリサイド３とオーミック接触している。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional Schottky barrier diode. In FIG. 2, l is a barrier metal, 2 is a field oxide film, 3 is a metal silicide, 4 is an aluminum (A+ wiring), and 5 is an N-type silicon substrate. Only the open portion is formed, and the barrier metal 1 is formed to cover the window and is in ohmic contact with the metal silicide 3.
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について以下その動作について説明する。バリアメタル
１がなくメタルシリサイド３上に、直接、アルミニウム
配線を形成すると熱処理 ゛により相互に拡散し合い、
アルミニウムがメタルシリサイド３を突き抜ける現蒙を
誘起してしまう。この現象を防止するためにアルミニウ
ム配線４とメタルシリサイド３との間にバリアメタル１
の層を形成している。バリアメタル２は通常タングステ
ンとチタンの混合物を使用しており、耐侵食性に優れ、
自己拡散速度が遅いという性質を持っており、アルミニ
ウムの突き抜けを防止している。The operation of the Schottky barrier diode configured as above will be described below. If aluminum wiring is formed directly on metal silicide 3 without barrier metal 1, it will be mutually diffused by heat treatment.
Aluminum induces a phenomenon that penetrates through the metal silicide 3. In order to prevent this phenomenon, barrier metal 1 is used between aluminum wiring 4 and metal silicide 3.
It forms a layer of Barrier Metal 2 usually uses a mixture of tungsten and titanium, and has excellent corrosion resistance.
It has a property of slow self-diffusion rate, which prevents it from penetrating aluminum.
発明が解決しようとする問題点
しかしなが４、上′記構酸のバリアメタルは耐侵食性に
優れていることで逆にエツチングが困難になり作業性に
問題が生じていた。また、チタンは非常に高価でコスト
アップになる欠点も有していた。Problems to be Solved by the Invention However, since the above-mentioned barrier metal of structural acid has excellent corrosion resistance, etching becomes difficult and problems arise in workability. Furthermore, titanium has the disadvantage that it is very expensive and increases costs.
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、アルミニ
ウムの突き抜けを防止すると共に作業性の向上及び低コ
ストの半導体装置を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to provide a semiconductor device that prevents penetration of aluminum, improves workability, and is low in cost.
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明はバリアメタルのか
わりにアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属層
の構成を有している。Means for Solving the Problems To achieve this object, the present invention has a metal layer configuration of aluminum mixed with a small amount of silicon instead of the barrier metal.
作用
上記の構成によってアルミニウムに混入させた少量のシ
リコンがメタルシリサイドの拡散を防止し、アルミニウ
ムの突き抜けを防止することができる。Effect: With the above configuration, a small amount of silicon mixed into aluminum can prevent metal silicide from diffusing, thereby preventing penetration of aluminum.
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例におけるショットキーバリア
ダイオード部分の断面を示すものである。第１図におい
て、６はアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属
層（以下Ａ ｅ／ Ｓ ｉ）、２はフィールド酸化膜、
３はメタルシリサイド、５はＮ型シリコン基板である。FIG. 1 shows a cross section of a Schottky barrier diode portion in an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 6 is a metal layer made of aluminum mixed with a small amount of silicon (hereinafter referred to as Ae/Si), 2 is a field oxide film,
3 is a metal silicide, and 5 is an N-type silicon substrate.
メタルシリサイド３は、フィールド酸化膜２に窓を開け
た部分のみ形成し、Ａｆ！／Ｓｉ層６は窓を覆うように
形成し、メタルシリサイド３とオーミック接触している
。The metal silicide 3 is formed only in the part where the window is opened in the field oxide film 2, and Af! /Si layer 6 is formed to cover the window and is in ohmic contact with metal silicide 3.
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について、以下その動作について説明する。Ａｅ／Ｓｉ
層６とメタルシリサイド３は、熱処理を実施しても、Ａ
ｅ／Ｓｉ層６中に少量のシリコンが固溶しているため、
メタルシリサイドがＡｅ／Ｓｉ層中に拡散せず、相互拡
散がなくなり、アルミニウムの突き抜けが防止できる。The operation of the Schottky barrier diode configured as above will be described below. Ae/Si
Even if the layer 6 and metal silicide 3 are subjected to heat treatment, A
Since a small amount of silicon is dissolved in the e/Si layer 6,
Metal silicide does not diffuse into the Ae/Si layer, mutual diffusion is eliminated, and penetration of aluminum can be prevented.
以上のように本実施例によれば、バリアメタルのかわり
にＡｅ／Ｓｉ層を形成することで、メタルシリサイドへ
の突き抜けを防止することができる。As described above, according to this embodiment, by forming the Ae/Si layer instead of the barrier metal, penetration into the metal silicide can be prevented.
発明の効果
以上のように、本発明はバリアメタルのかわりにＡｅ／
Ｓｉ層を用いることでメタルシリサイドへの突き抜けを
防止することができ、作業性の向上及び低コストを実現
できるものである。Effects of the invention As described above, the present invention uses Ae/
By using the Si layer, penetration into the metal silicide can be prevented, and workability can be improved and costs can be reduced.
第１図は本発明の実施例におけるショットキーバリアダ
イオードの断面図、第２図は従来のショットキーバリア
ダイオードの断面図である。
２・・・・・・フィールド酸化膜、３・・・・・・メタ
ルシリサイド、５・・・・・・Ｎ型シリコン基板、６・
・・・・・Ａｅ／Ｓｉ層。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名手続補正書
輸引
昭和６２年２月１６０FIG. 1 is a sectional view of a Schottky barrier diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional Schottky barrier diode. 2...Field oxide film, 3...Metal silicide, 5...N-type silicon substrate, 6...
...Ae/Si layer. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and one other person Procedural amendment export February 160, 1988
Claims (1)
ルシリサイド）を有し、同メタルシリサイド上に、アル
ミニウム（Ａｌ）に少量のシリコン（Ｓｉ）を混入した
アルミニウム合金（Ａｌ／Ｓｉ）層からなる電極をそな
えた半導体装置。An electrode having a metal-silicon alloy layer (metal silicide) on the semiconductor surface of a semiconductor device, and an aluminum alloy (Al/Si) layer made of aluminum (Al) mixed with a small amount of silicon (Si) on the metal silicide. A semiconductor device equipped with
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31230386A JPS63164461A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31230386A JPS63164461A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164461A true JPS63164461A (en) | 1988-07-07 |
Family
ID=18027625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31230386A Pending JPS63164461A (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164461A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP31230386A patent/JPS63164461A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
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