JPS63164461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63164461A JPS63164461A JP31230386A JP31230386A JPS63164461A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A
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- Japan
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- aluminum
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- metal silicide
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 を本発明は半導
体装置、詳しくはその電極部の構造に関するものである
。
体装置、詳しくはその電極部の構造に関するものである
。
従来の技術
近年、機器のデジタル化に伴い、バイポーラｔＣの中で
デジタル用ＩＣ１とりわけ、トランジスタ・トランジス
タ・ロジック（以下、ＴＴＬと略す）の需要が急増して
きた。
デジタル用ＩＣ１とりわけ、トランジスタ・トランジス
タ・ロジック（以下、ＴＴＬと略す）の需要が急増して
きた。
以下に従来のショットキーバリアをもつＴＴＬについて
説明する。
説明する。
第２図は従来のショットキーバリアダイオードの断面図
である。第２図において、ｌはバリアメタル、２はフィ
ールド酸化膜、３はメタルシリサイド、４はアルミニウ
ム（Ａ＋り配線、５はＮ型シリコン基板である。メタル
シリサイド３は、フィールド酸化膜２に窓を開けた部分
のみ形成し、バリアメタル１は、窓を覆うように形成し
メタルシリサイド３とオーミック接触している。
である。第２図において、ｌはバリアメタル、２はフィ
ールド酸化膜、３はメタルシリサイド、４はアルミニウ
ム（Ａ＋り配線、５はＮ型シリコン基板である。メタル
シリサイド３は、フィールド酸化膜２に窓を開けた部分
のみ形成し、バリアメタル１は、窓を覆うように形成し
メタルシリサイド３とオーミック接触している。
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について以下その動作について説明する。バリアメタル
１がなくメタルシリサイド３上に、直接、アルミニウム
配線を形成すると熱処理 ゛により相互に拡散し合い、
アルミニウムがメタルシリサイド３を突き抜ける現蒙を
誘起してしまう。この現象を防止するためにアルミニウ
ム配線４とメタルシリサイド３との間にバリアメタル１
の層を形成している。バリアメタル２は通常タングステ
ンとチタンの混合物を使用しており、耐侵食性に優れ、
自己拡散速度が遅いという性質を持っており、アルミニ
ウムの突き抜けを防止している。
について以下その動作について説明する。バリアメタル
１がなくメタルシリサイド３上に、直接、アルミニウム
配線を形成すると熱処理 ゛により相互に拡散し合い、
アルミニウムがメタルシリサイド３を突き抜ける現蒙を
誘起してしまう。この現象を防止するためにアルミニウ
ム配線４とメタルシリサイド３との間にバリアメタル１
の層を形成している。バリアメタル２は通常タングステ
ンとチタンの混合物を使用しており、耐侵食性に優れ、
自己拡散速度が遅いという性質を持っており、アルミニ
ウムの突き抜けを防止している。
発明が解決しようとする問題点
しかしなが４、上′記構酸のバリアメタルは耐侵食性に
優れていることで逆にエツチングが困難になり作業性に
問題が生じていた。また、チタンは非常に高価でコスト
アップになる欠点も有していた。
優れていることで逆にエツチングが困難になり作業性に
問題が生じていた。また、チタンは非常に高価でコスト
アップになる欠点も有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、アルミニ
ウムの突き抜けを防止すると共に作業性の向上及び低コ
ストの半導体装置を提供することを目的とする。
ウムの突き抜けを防止すると共に作業性の向上及び低コ
ストの半導体装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明はバリアメタルのか
わりにアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属層
の構成を有している。
わりにアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属層
の構成を有している。
作用
上記の構成によってアルミニウムに混入させた少量のシ
リコンがメタルシリサイドの拡散を防止し、アルミニウ
ムの突き抜けを防止することができる。
リコンがメタルシリサイドの拡散を防止し、アルミニウ
ムの突き抜けを防止することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例におけるショットキーバリア
ダイオード部分の断面を示すものである。第１図におい
て、６はアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属
層（以下Ａ ｅ／ Ｓ ｉ）、２はフィールド酸化膜、
３はメタルシリサイド、５はＮ型シリコン基板である。
ダイオード部分の断面を示すものである。第１図におい
て、６はアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属
層（以下Ａ ｅ／ Ｓ ｉ）、２はフィールド酸化膜、
３はメタルシリサイド、５はＮ型シリコン基板である。
メタルシリサイド３は、フィールド酸化膜２に窓を開け
た部分のみ形成し、Ａｆ！／Ｓｉ層６は窓を覆うように
形成し、メタルシリサイド３とオーミック接触している
。
た部分のみ形成し、Ａｆ！／Ｓｉ層６は窓を覆うように
形成し、メタルシリサイド３とオーミック接触している
。
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について、以下その動作について説明する。Ａｅ／Ｓｉ
層６とメタルシリサイド３は、熱処理を実施しても、Ａ
ｅ／Ｓｉ層６中に少量のシリコンが固溶しているため、
メタルシリサイドがＡｅ／Ｓｉ層中に拡散せず、相互拡
散がなくなり、アルミニウムの突き抜けが防止できる。
について、以下その動作について説明する。Ａｅ／Ｓｉ
層６とメタルシリサイド３は、熱処理を実施しても、Ａ
ｅ／Ｓｉ層６中に少量のシリコンが固溶しているため、
メタルシリサイドがＡｅ／Ｓｉ層中に拡散せず、相互拡
散がなくなり、アルミニウムの突き抜けが防止できる。
以上のように本実施例によれば、バリアメタルのかわり
にＡｅ／Ｓｉ層を形成することで、メタルシリサイドへ
の突き抜けを防止することができる。
にＡｅ／Ｓｉ層を形成することで、メタルシリサイドへ
の突き抜けを防止することができる。
発明の効果
以上のように、本発明はバリアメタルのかわりにＡｅ／
Ｓｉ層を用いることでメタルシリサイドへの突き抜けを
防止することができ、作業性の向上及び低コストを実現
できるものである。
Ｓｉ層を用いることでメタルシリサイドへの突き抜けを
防止することができ、作業性の向上及び低コストを実現
できるものである。
第１図は本発明の実施例におけるショットキーバリアダ
イオードの断面図、第２図は従来のショットキーバリア
ダイオードの断面図である。 ２・・・・・・フィールド酸化膜、３・・・・・・メタ
ルシリサイド、５・・・・・・Ｎ型シリコン基板、６・
・・・・・Ａｅ／Ｓｉ層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名手続補正書
輸引 昭和６２年２月１６０
イオードの断面図、第２図は従来のショットキーバリア
ダイオードの断面図である。 ２・・・・・・フィールド酸化膜、３・・・・・・メタ
ルシリサイド、５・・・・・・Ｎ型シリコン基板、６・
・・・・・Ａｅ／Ｓｉ層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名手続補正書
輸引 昭和６２年２月１６０
Claims (1)
- 半導体装置の半導体表面に金属‐シリコン合金層（メタ
ルシリサイド）を有し、同メタルシリサイド上に、アル
ミニウム（Ａｌ）に少量のシリコン（Ｓｉ）を混入した
アルミニウム合金（Ａｌ／Ｓｉ）層からなる電極をそな
えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31230386A JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31230386A JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164461A true JPS63164461A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18027625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31230386A Pending JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP31230386A patent/JPS63164461A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
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