JPS63164461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63164461A JPS63164461A JP31230386A JP31230386A JPS63164461A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP 31230386 A JP31230386 A JP 31230386A JP S63164461 A JPS63164461 A JP S63164461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- aluminum
- metal
- metal silicide
- small amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910021471 metal-silicon alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 を本発明は半導
体装置、詳しくはその電極部の構造に関するものである
。
体装置、詳しくはその電極部の構造に関するものである
。
従来の技術
近年、機器のデジタル化に伴い、バイポーラtCの中で
デジタル用IC1とりわけ、トランジスタ・トランジス
タ・ロジック(以下、TTLと略す)の需要が急増して
きた。
デジタル用IC1とりわけ、トランジスタ・トランジス
タ・ロジック(以下、TTLと略す)の需要が急増して
きた。
以下に従来のショットキーバリアをもつTTLについて
説明する。
説明する。
第2図は従来のショットキーバリアダイオードの断面図
である。第2図において、lはバリアメタル、2はフィ
ールド酸化膜、3はメタルシリサイド、4はアルミニウ
ム(A+り配線、5はN型シリコン基板である。メタル
シリサイド3は、フィールド酸化膜2に窓を開けた部分
のみ形成し、バリアメタル1は、窓を覆うように形成し
メタルシリサイド3とオーミック接触している。
である。第2図において、lはバリアメタル、2はフィ
ールド酸化膜、3はメタルシリサイド、4はアルミニウ
ム(A+り配線、5はN型シリコン基板である。メタル
シリサイド3は、フィールド酸化膜2に窓を開けた部分
のみ形成し、バリアメタル1は、窓を覆うように形成し
メタルシリサイド3とオーミック接触している。
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について以下その動作について説明する。バリアメタル
1がなくメタルシリサイド3上に、直接、アルミニウム
配線を形成すると熱処理 ゛により相互に拡散し合い、
アルミニウムがメタルシリサイド3を突き抜ける現蒙を
誘起してしまう。この現象を防止するためにアルミニウ
ム配線4とメタルシリサイド3との間にバリアメタル1
の層を形成している。バリアメタル2は通常タングステ
ンとチタンの混合物を使用しており、耐侵食性に優れ、
自己拡散速度が遅いという性質を持っており、アルミニ
ウムの突き抜けを防止している。
について以下その動作について説明する。バリアメタル
1がなくメタルシリサイド3上に、直接、アルミニウム
配線を形成すると熱処理 ゛により相互に拡散し合い、
アルミニウムがメタルシリサイド3を突き抜ける現蒙を
誘起してしまう。この現象を防止するためにアルミニウ
ム配線4とメタルシリサイド3との間にバリアメタル1
の層を形成している。バリアメタル2は通常タングステ
ンとチタンの混合物を使用しており、耐侵食性に優れ、
自己拡散速度が遅いという性質を持っており、アルミニ
ウムの突き抜けを防止している。
発明が解決しようとする問題点
しかしなが4、上′記構酸のバリアメタルは耐侵食性に
優れていることで逆にエツチングが困難になり作業性に
問題が生じていた。また、チタンは非常に高価でコスト
アップになる欠点も有していた。
優れていることで逆にエツチングが困難になり作業性に
問題が生じていた。また、チタンは非常に高価でコスト
アップになる欠点も有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、アルミニ
ウムの突き抜けを防止すると共に作業性の向上及び低コ
ストの半導体装置を提供することを目的とする。
ウムの突き抜けを防止すると共に作業性の向上及び低コ
ストの半導体装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明はバリアメタルのか
わりにアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属層
の構成を有している。
わりにアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属層
の構成を有している。
作用
上記の構成によってアルミニウムに混入させた少量のシ
リコンがメタルシリサイドの拡散を防止し、アルミニウ
ムの突き抜けを防止することができる。
リコンがメタルシリサイドの拡散を防止し、アルミニウ
ムの突き抜けを防止することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例におけるショットキーバリア
ダイオード部分の断面を示すものである。第1図におい
て、6はアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属
層(以下A e/ S i)、2はフィールド酸化膜、
3はメタルシリサイド、5はN型シリコン基板である。
ダイオード部分の断面を示すものである。第1図におい
て、6はアルミニウムに少量のシリコンを混入した金属
層(以下A e/ S i)、2はフィールド酸化膜、
3はメタルシリサイド、5はN型シリコン基板である。
メタルシリサイド3は、フィールド酸化膜2に窓を開け
た部分のみ形成し、Af!/Si層6は窓を覆うように
形成し、メタルシリサイド3とオーミック接触している
。
た部分のみ形成し、Af!/Si層6は窓を覆うように
形成し、メタルシリサイド3とオーミック接触している
。
以上のように構成されたショットキーバリアダイオード
について、以下その動作について説明する。Ae/Si
層6とメタルシリサイド3は、熱処理を実施しても、A
e/Si層6中に少量のシリコンが固溶しているため、
メタルシリサイドがAe/Si層中に拡散せず、相互拡
散がなくなり、アルミニウムの突き抜けが防止できる。
について、以下その動作について説明する。Ae/Si
層6とメタルシリサイド3は、熱処理を実施しても、A
e/Si層6中に少量のシリコンが固溶しているため、
メタルシリサイドがAe/Si層中に拡散せず、相互拡
散がなくなり、アルミニウムの突き抜けが防止できる。
以上のように本実施例によれば、バリアメタルのかわり
にAe/Si層を形成することで、メタルシリサイドへ
の突き抜けを防止することができる。
にAe/Si層を形成することで、メタルシリサイドへ
の突き抜けを防止することができる。
発明の効果
以上のように、本発明はバリアメタルのかわりにAe/
Si層を用いることでメタルシリサイドへの突き抜けを
防止することができ、作業性の向上及び低コストを実現
できるものである。
Si層を用いることでメタルシリサイドへの突き抜けを
防止することができ、作業性の向上及び低コストを実現
できるものである。
第1図は本発明の実施例におけるショットキーバリアダ
イオードの断面図、第2図は従来のショットキーバリア
ダイオードの断面図である。 2・・・・・・フィールド酸化膜、3・・・・・・メタ
ルシリサイド、5・・・・・・N型シリコン基板、6・
・・・・・Ae/Si層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名手続補正書
輸引 昭和62年2月160
イオードの断面図、第2図は従来のショットキーバリア
ダイオードの断面図である。 2・・・・・・フィールド酸化膜、3・・・・・・メタ
ルシリサイド、5・・・・・・N型シリコン基板、6・
・・・・・Ae/Si層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名手続補正書
輸引 昭和62年2月160
Claims (1)
- 半導体装置の半導体表面に金属‐シリコン合金層(メタ
ルシリサイド)を有し、同メタルシリサイド上に、アル
ミニウム(Al)に少量のシリコン(Si)を混入した
アルミニウム合金(Al/Si)層からなる電極をそな
えた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31230386A JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31230386A JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63164461A true JPS63164461A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18027625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31230386A Pending JPS63164461A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63164461A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP31230386A patent/JPS63164461A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003324197A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH01202841A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JPS63164461A (ja) | 半導体装置 | |
US6159846A (en) | Method of metallization in semiconductor devices | |
JPS59197162A (ja) | 半導体装置 | |
KR880002262A (ko) | 반도체장치 | |
JPS6289355A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6386514A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6276518A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59110115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6347962A (ja) | 半導体装置 | |
JPS58135672A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62143467A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0330474A (ja) | シリコン半導体装置 | |
JPS63160244A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR950011552B1 (ko) | 반도체 장치의 저항접합(ohmic contact) 형성방법 | |
JPS59181669A (ja) | Mos型半導体装置 | |
JPS59193060A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH08316172A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JPH04188630A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6116563A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0562925A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0294440A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6362369A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0441510B2 (ja) |