JPS6223983A - 真空化学反応装置 - Google Patents
真空化学反応装置Info
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- JPS6223983A JPS6223983A JP60164670A JP16467085A JPS6223983A JP S6223983 A JPS6223983 A JP S6223983A JP 60164670 A JP60164670 A JP 60164670A JP 16467085 A JP16467085 A JP 16467085A JP S6223983 A JPS6223983 A JP S6223983A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業−にの利用分野）
本発明は、真空中に反応性気体を導入し、その内部にお
いて化学的な反応を行なわせる真空装置に関し、たとえ
ば、反応性イオンエツチング装置。
いて化学的な反応を行なわせる真空装置に関し、たとえ
ば、反応性イオンエツチング装置。
各種エツチング装置、ＣＶＤ装置や表面処理装置゛など
に適用して効果の著しいものである。
に適用して効果の著しいものである。
（従来技術とその問題点）
真空中で化学反応を行なわせる真空装置は、今日前述の
ごとく多数ある。これらは、その内部において加工され
る被加工体（以下、基板）をなるべく多数配置する工夫
がなされ、生産性を向上させる努力が続けられている。
ごとく多数ある。これらは、その内部において加工され
る被加工体（以下、基板）をなるべく多数配置する工夫
がなされ、生産性を向上させる努力が続けられている。
今日迄提案され実施されている方法は多数あるが次のご
とく要約される。
とく要約される。
一つは、単一の平面又は立体の表面に基板を配置する方
法で、例えば本願の発明者著、日刊工業新聞′”薄膜作
成の基礎″（第２版）図５．２／１（ａ）Ｐ１２０に示
すような、薄い円板の−Ｌ面に多数の基板を配置する方
法。また同表９．４ｃ（Ｐ１９＝’１．）に示すような
円柱あるいは角柱の側面（内側面あるいは外側面）に多
数の基板を配置する方法がある。これらの方法では結局
、配置面の表面積で基板の収容数が比較的小数にＦｊｌ
定されている。
法で、例えば本願の発明者著、日刊工業新聞′”薄膜作
成の基礎″（第２版）図５．２／１（ａ）Ｐ１２０に示
すような、薄い円板の−Ｌ面に多数の基板を配置する方
法。また同表９．４ｃ（Ｐ１９＝’１．）に示すような
円柱あるいは角柱の側面（内側面あるいは外側面）に多
数の基板を配置する方法がある。これらの方法では結局
、配置面の表面積で基板の収容数が比較的小数にＦｊｌ
定されている。
曲のもう一つは、［ガスプラズマ処理装置］（特開昭５
９−１５９５３２号公報）に示されるように、正負又は
二電極（高周波電力のとき）を垂直方向に交互に積層配
列する方法であるが、この方法では各電極の表裏一方の
面は一般に絶縁物で覆われ、基板は他方の片面にしか配
置出来ないため、やはり基板の収容数が比較的小数に限
定されてしまっている。
９−１５９５３２号公報）に示されるように、正負又は
二電極（高周波電力のとき）を垂直方向に交互に積層配
列する方法であるが、この方法では各電極の表裏一方の
面は一般に絶縁物で覆われ、基板は他方の片面にしか配
置出来ないため、やはり基板の収容数が比較的小数に限
定されてしまっている。
（発明の目的）
この発明の目的は、これらの欠点を改良し、一時に多数
の基板を収容して処理できる信頼性の高い真空化学反応
装置を提供することにある。
の基板を収容して処理できる信頼性の高い真空化学反応
装置を提供することにある。
この発明の他の目的は、同一収容数を基準に考えれば、
より小形の真空化学反応装置の提供にある。
より小形の真空化学反応装置の提供にある。
この発明の別の目的は、例えは基板保持機構に高周波電
力を供給する場合や、基板保持機構を加熱する場合でも
、均一な加工の出来る真空化学反応装置を提供すること
にある。
力を供給する場合や、基板保持機構を加熱する場合でも
、均一な加工の出来る真空化学反応装置を提供すること
にある。
（発明の構成）
本発明は、真空室及びその内部を所定の圧力まで排気す
る排気系と、 排気後所定の反応性気体を導入するカス導入系と、 前記真空室内部にあって基板を保持する基板保持機構と
、 前記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を出し入れ
する搬送機構とを備え、 前記真空室内を所定の圧力まで排気した後所定の反応性
気体を導入し、前記基板表面において化学反応を行なわ
せる真空化学反応装置にあって、前記基板保持機構が、
担体保持機を備えてその担体保持機の周りに複数の担体
を突出させ、かつ、それら担体はその表裏あるいは表面
の殆ど全面に、基板を保持出来る基板保持部材を備え、
更に、該担体保持機は移動可能であって、その移動に
より、前記担体の該基板保持部材が保持する基板は、そ
のうちの少なくとも複数の基板がほぼ所定の同一面上に
移されて、該所定の同一面上で前記順送機構に委譲され
るごとき機構を備えた真空化学反応装置によって、前記
目的を達成したものである。
る排気系と、 排気後所定の反応性気体を導入するカス導入系と、 前記真空室内部にあって基板を保持する基板保持機構と
、 前記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を出し入れ
する搬送機構とを備え、 前記真空室内を所定の圧力まで排気した後所定の反応性
気体を導入し、前記基板表面において化学反応を行なわ
せる真空化学反応装置にあって、前記基板保持機構が、
担体保持機を備えてその担体保持機の周りに複数の担体
を突出させ、かつ、それら担体はその表裏あるいは表面
の殆ど全面に、基板を保持出来る基板保持部材を備え、
更に、該担体保持機は移動可能であって、その移動に
より、前記担体の該基板保持部材が保持する基板は、そ
のうちの少なくとも複数の基板がほぼ所定の同一面上に
移されて、該所定の同一面上で前記順送機構に委譲され
るごとき機構を備えた真空化学反応装置によって、前記
目的を達成したものである。
以下、本発明を実施例により図に基づいて説明する。
（実施例）
第１図（正面断面図）、第２図（一部断面平面図）、及
び第３図（部分断面図）の実施例において、ｌＯは真空
室で、１１はチャンバ、１２は電極導入のための絶縁物
、１３は排気系２０（矢印で示す）を接続するための排
気管、１４はフランジ、１５は基板４１乃至４６を孔１
７を通して出し入れするための蓋、１６と１９はＯリン
グである。３０は所定の反応性気体を導入するカス導入
系（矢印で示し、必要によりバリアプルリーク、流量制
御装置などが接続される）で、３１は真空系との接続管
、３２は気体を基板の表面に一様に行き渡るようにする
ガス配分機構、３３は多数の細孔である。／１０は被処
理体を代表的に示す基板群で、４１乃至４６は夫々基板
である。５０はこの発明の特徴をなす基板保持機構で、
５１，５２及び５３が担体保持機５６の周りに突出配置
された多数の担体、５４は基板を冷却または加熱する熱
媒体等のための空間で、冷却の場合であれば市水をその
まま若しくは冷却して又は適宜昇温しで通過させる。云
、の導入排出は矢印５９の方向に行なう。６０は電力そ
の他の導入機である。（Ｘ板をざらに、高温に加熱する
場合には、第３図に基板保持部の断面を示すように、加
熱板６１を設けてその裏面からヒーター６３（例えは赤
外加熱用ランプあるいはコイル状ヒータなど）で加熱す
る。
び第３図（部分断面図）の実施例において、ｌＯは真空
室で、１１はチャンバ、１２は電極導入のための絶縁物
、１３は排気系２０（矢印で示す）を接続するための排
気管、１４はフランジ、１５は基板４１乃至４６を孔１
７を通して出し入れするための蓋、１６と１９はＯリン
グである。３０は所定の反応性気体を導入するカス導入
系（矢印で示し、必要によりバリアプルリーク、流量制
御装置などが接続される）で、３１は真空系との接続管
、３２は気体を基板の表面に一様に行き渡るようにする
ガス配分機構、３３は多数の細孔である。／１０は被処
理体を代表的に示す基板群で、４１乃至４６は夫々基板
である。５０はこの発明の特徴をなす基板保持機構で、
５１，５２及び５３が担体保持機５６の周りに突出配置
された多数の担体、５４は基板を冷却または加熱する熱
媒体等のための空間で、冷却の場合であれば市水をその
まま若しくは冷却して又は適宜昇温しで通過させる。云
、の導入排出は矢印５９の方向に行なう。６０は電力そ
の他の導入機である。（Ｘ板をざらに、高温に加熱する
場合には、第３図に基板保持部の断面を示すように、加
熱板６１を設けてその裏面からヒーター６３（例えは赤
外加熱用ランプあるいはコイル状ヒータなど）で加熱す
る。
６４はヒーター電源、６２は加熱板６１の熱が担体５１
の方に逃げるのを妨げるために薄い板で作っである接続
体である。） ５５は基板を保持する基板保持部材で、これが担体５１
の表裏あるいは表面（表裏の呼び名が適当でない場合の
全表面をいう）の殆ど全面に取りつけられている。
の方に逃げるのを妨げるために薄い板で作っである接続
体である。） ５５は基板を保持する基板保持部材で、これが担体５１
の表裏あるいは表面（表裏の呼び名が適当でない場合の
全表面をいう）の殆ど全面に取りつけられている。
５７はこの発明のもう一つの特徴をなす所定の機能をも
つ面で、基板群４０のうち基板４１と４１２は基板保持
部材５５で保持されたまま、担体保持機５６を矢印５８
の方向に移動させることにより（その移動機構は図示し
ていない）この所定面５７上に移設され、真空室１０か
ら出し入れされる。
つ面で、基板群４０のうち基板４１と４１２は基板保持
部材５５で保持されたまま、担体保持機５６を矢印５８
の方向に移動させることにより（その移動機構は図示し
ていない）この所定面５７上に移設され、真空室１０か
ら出し入れされる。
この実施例においては、蓋１５を開けて基板を出し入れ
するロボット機構７０（二つの矢印で略示する）が真空
装置１０の外に置いてあり、ロボット７０を担体５１〜
５３の配列の方向に移動させ乍ら基板を出し入れする方
法を用いている 信頼度の高い再現性のよい仕事をする
ためには、上記のように真空室１０の内部を常に真空に
保ち、この実施例のように基板保持機構５０、従って担
体保持機５６を矢印５８のように移動し、複数の基板を
基板取出しに便なる面５７上に移動させるようにするの
が有利である。
するロボット機構７０（二つの矢印で略示する）が真空
装置１０の外に置いてあり、ロボット７０を担体５１〜
５３の配列の方向に移動させ乍ら基板を出し入れする方
法を用いている 信頼度の高い再現性のよい仕事をする
ためには、上記のように真空室１０の内部を常に真空に
保ち、この実施例のように基板保持機構５０、従って担
体保持機５６を矢印５８のように移動し、複数の基板を
基板取出しに便なる面５７上に移動させるようにするの
が有利である。
８０は真空室１０の内部でマグネトロン放電を行なわせ
たい場合の磁場設定手段で、矢印５８と同一方向の磁場
を設定する。８１はコイル、８２はその電源である。
たい場合の磁場設定手段で、矢印５８と同一方向の磁場
を設定する。８１はコイル、８２はその電源である。
９０は高周波電源で、９１が高周波発生器、９２がマツ
チングボックスである。
チングボックスである。
この実施例の装置は、その使用目的に合わせて、従来の
反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、Ｃ
ＶＤ装置や表面処理装置などと同様に運転される。
反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、Ｃ
ＶＤ装置や表面処理装置などと同様に運転される。
反応性イオンエツチング装置の場合を例にとって運転を
説明すると、排気系２０で真空室１０を所定の圧力（多
くの場合所謂Ｕ ＯＶなど高度な真空に排気する）に排
気した後、所定の気体をガス導入系３０から導入し、真
空室内部を所定の圧力に設定し高周波電力を供給する。
説明すると、排気系２０で真空室１０を所定の圧力（多
くの場合所謂Ｕ ＯＶなど高度な真空に排気する）に排
気した後、所定の気体をガス導入系３０から導入し、真
空室内部を所定の圧力に設定し高周波電力を供給する。
すると、斜線９３で示す放電プラズマが発生し基板４１
等はりアクチブイオンエツチングされる。
等はりアクチブイオンエツチングされる。
所定のエツチングが行なわれた後高周波電力の供給をや
め、真空室１０の内部に窒素、アルゴン等の不活性気体
を大気圧迄導入し、蓋１５を開け、担体保持機５６と搬
送機構の先手であるロボット機構７０との協同作業によ
り処理済みの基板を取出し、新しい基板を入れる。基板
の出し入れはロボット機構７０（の手）を面５７に沿っ
て移動させながら行なう。次いで排気を行ない次のサイ
クルに入る。
め、真空室１０の内部に窒素、アルゴン等の不活性気体
を大気圧迄導入し、蓋１５を開け、担体保持機５６と搬
送機構の先手であるロボット機構７０との協同作業によ
り処理済みの基板を取出し、新しい基板を入れる。基板
の出し入れはロボット機構７０（の手）を面５７に沿っ
て移動させながら行なう。次いで排気を行ない次のサイ
クルに入る。
真空室ｌＯの内部を常に真空に保つでエツチングを行な
いたい場合には、蓋１５の代わりにバルブを設け、次の
真空室に接続することになる。例えば前述の”′薄膜作
成の基礎′”図５．２３（ｂ）や（ｄ）あるいは図５．
２４ （ｂ）あるいは（ａ）（この場合にはバルブは図
示されていないが、各室を目的の圧力に設定出来るよう
に段階的に真空室が設けられ、それらの間に必要なバル
ブが設置−１〇− されている）のように設計し直す。 その場合基板保持
機構５０を矢印５８の方向に移動し３ケ所から（基板４
１と４２が角度をなしている場合、前記の所定面５７は
合計６つあることになるが、それらの面から）基板を取
り出す。カス配分機構３２のない装置では、基板保持機
構５０を更に矢印δ８と直角の方向に移動出来るように
して、基板の出し入れする位置をより少なくすることが
可能である。
いたい場合には、蓋１５の代わりにバルブを設け、次の
真空室に接続することになる。例えば前述の”′薄膜作
成の基礎′”図５．２３（ｂ）や（ｄ）あるいは図５．
２４ （ｂ）あるいは（ａ）（この場合にはバルブは図
示されていないが、各室を目的の圧力に設定出来るよう
に段階的に真空室が設けられ、それらの間に必要なバル
ブが設置−１〇− されている）のように設計し直す。 その場合基板保持
機構５０を矢印５８の方向に移動し３ケ所から（基板４
１と４２が角度をなしている場合、前記の所定面５７は
合計６つあることになるが、それらの面から）基板を取
り出す。カス配分機構３２のない装置では、基板保持機
構５０を更に矢印δ８と直角の方向に移動出来るように
して、基板の出し入れする位置をより少なくすることが
可能である。
その他、反応性イオンエツチング以外の処理の場合も、
殆ど上馳と同様に運転されるが、低圧ＣＶＤの場合はや
や異なり、前記した第３図に示すような担体５１．加熱
板６１を設け、加熱板６１を基板保持部としてここへ基
板を出し入れする。
殆ど上馳と同様に運転されるが、低圧ＣＶＤの場合はや
や異なり、前記した第３図に示すような担体５１．加熱
板６１を設け、加熱板６１を基板保持部としてここへ基
板を出し入れする。
この場合高周波電力を供給する必要はない。但しｉ氏圧
ＣＶＤ処理を多数回行なった後、面５７の近くのクリー
ニングを行ないたい場合には、前述のエツチングと同様
に□運転することになる。
ＣＶＤ処理を多数回行なった後、面５７の近くのクリー
ニングを行ないたい場合には、前述のエツチングと同様
に□運転することになる。
こあ実施例の装置では、磁場を電場と直交して設定する
ことが出来るので担体保持機５６の表面に沿って低電圧
大電力のマグネトロン放電を発生させ、高速の反応を行
なわせることが出来る。かつ更に、放電電圧を低下させ
ることにより、半導体のダメージを小さくした化学反応
を行なわせることができる。磁場の方向は、一定でも、
交番でもよく、前記の面５７内にて回転する磁場でもよ
い。磁場の強さを可変として、放電強度の調整を行なっ
てもよい。
ことが出来るので担体保持機５６の表面に沿って低電圧
大電力のマグネトロン放電を発生させ、高速の反応を行
なわせることが出来る。かつ更に、放電電圧を低下させ
ることにより、半導体のダメージを小さくした化学反応
を行なわせることができる。磁場の方向は、一定でも、
交番でもよく、前記の面５７内にて回転する磁場でもよ
い。磁場の強さを可変として、放電強度の調整を行なっ
てもよい。
その他の設計上の注意は通常の場合と同様である。例え
ば基板以外の場所では反応を行なわせたくないというと
きは、（１）それが放電を使用する処理のときであれば
、その場所を適宜の絶縁物やシールドで覆ってしまい、
（２）それが放電を使用しない低圧ＣＶＤの処理のとき
であれば、その場所を低温に冷却する、かどの注意を払
うことになる。
ば基板以外の場所では反応を行なわせたくないというと
きは、（１）それが放電を使用する処理のときであれば
、その場所を適宜の絶縁物やシールドで覆ってしまい、
（２）それが放電を使用しない低圧ＣＶＤの処理のとき
であれば、その場所を低温に冷却する、かどの注意を払
うことになる。
本発明は上記のような基板保持機構５０を用い、基板を
、担体保持機５６から突出する複数の担体５１〜５３の
殆ど全面に立体的に配置することから、小さな容積内に
極めて多数の基板を収容し生産性の高い装置を提供する
ことが出来る。同一処理能力ならば装置を小型化できる
。さらに、担体保持機５６がしっかりした機構でできて
いるので、その高周波インピーダンスは無視できる程小
さい値となり、担体５１上の多数の基板の表面に一様な
プラズマを発生でき、そのため基板毎の処理（例えばエ
ツチング速度や成膜速度）の差異は極めて小さく、均一
な仕上がりのものが得られる。
、担体保持機５６から突出する複数の担体５１〜５３の
殆ど全面に立体的に配置することから、小さな容積内に
極めて多数の基板を収容し生産性の高い装置を提供する
ことが出来る。同一処理能力ならば装置を小型化できる
。さらに、担体保持機５６がしっかりした機構でできて
いるので、その高周波インピーダンスは無視できる程小
さい値となり、担体５１上の多数の基板の表面に一様な
プラズマを発生でき、そのため基板毎の処理（例えばエ
ツチング速度や成膜速度）の差異は極めて小さく、均一
な仕上がりのものが得られる。
磁場を用いることにより、より高速化、低電圧化ができ
る。
る。
第４図（平面図）及び第５図（正面図）には別の実施例
の、基板４１等と基板保持機１！５０の部分のみを示し
である。この実施例では、基板の収動かして基板を出し
入れするが、基板保持機構５０を矢印５８の方向に動か
すようにするには、図の導入機６０を第５図の点線円６
００の位置に紙面に垂直方向に取りつけ、その方向に動
かすとよい。
の、基板４１等と基板保持機１！５０の部分のみを示し
である。この実施例では、基板の収動かして基板を出し
入れするが、基板保持機構５０を矢印５８の方向に動か
すようにするには、図の導入機６０を第５図の点線円６
００の位置に紙面に垂直方向に取りつけ、その方向に動
かすとよい。
第６図及び第７図（ともに平面図）にはそれぞれ別の実
施例を示しである。これらは、基板４１がそれぞれ角筒
及び円筒の場合のもので、担体５１の形状を基板に合わ
せ、基板４１が丁度担体５１の表面を覆うようにしたも
のである。担体保持機５６上の担体５１の配置は、図の
ように、この担体又は基板の形状に適した高密度のもの
をその都度選定する。このように処理する基板の形状に
合わせて基板保持機構５０の構成を変化させることによ
り、あらゆる形状即ち多角筒、多角錐２円筒９円錐その
他の複雑な形状の基板の加工に対処することが可能にな
る。
施例を示しである。これらは、基板４１がそれぞれ角筒
及び円筒の場合のもので、担体５１の形状を基板に合わ
せ、基板４１が丁度担体５１の表面を覆うようにしたも
のである。担体保持機５６上の担体５１の配置は、図の
ように、この担体又は基板の形状に適した高密度のもの
をその都度選定する。このように処理する基板の形状に
合わせて基板保持機構５０の構成を変化させることによ
り、あらゆる形状即ち多角筒、多角錐２円筒９円錐その
他の複雑な形状の基板の加工に対処することが可能にな
る。
第８図、第９図及び第１０図にはそれぞれ別の実施例を
斜視図を用いて示しである。この実施例においては、パ
イプ状の担体保持機５６の周りに担体５１を突出し、そ
の表裏両面に多数の基板４１を保持出来るようにしであ
る。特に第１０図の実施例では大面積の基板を多数保持
出来るのが特徴である。５８若しくは５９又はその両者
な担体保持機５６の移動方向とする。
斜視図を用いて示しである。この実施例においては、パ
イプ状の担体保持機５６の周りに担体５１を突出し、そ
の表裏両面に多数の基板４１を保持出来るようにしであ
る。特に第１０図の実施例では大面積の基板を多数保持
出来るのが特徴である。５８若しくは５９又はその両者
な担体保持機５６の移動方向とする。
第４図から第１０図の各実施例では、その基板保持機構
のみを示し、ガス導入系等々の装置は略しである。
のみを示し、ガス導入系等々の装置は略しである。
なお、厳しい加工の分布を要求される場合や、ガス圧力
の低い場合には担体５１相互の間に、基板の表面に均一
なガス分布や一様な電界を発生させるために突出した部
分等（例えば第１図のカス配分機構３２及びその先端）
を設けた装置となるのであるがこれも省略しである。
の低い場合には担体５１相互の間に、基板の表面に均一
なガス分布や一様な電界を発生させるために突出した部
分等（例えば第１図のカス配分機構３２及びその先端）
を設けた装置となるのであるがこれも省略しである。
第１１．１２．１３図には、それぞれ別の実施例の部分
的ｉ４４図を示しである。これらの実施例においては、
担体保持機５６の周りに放射状に担体５１を設けその４
二に基板４１を設置しである。
的ｉ４４図を示しである。これらの実施例においては、
担体保持機５６の周りに放射状に担体５１を設けその４
二に基板４１を設置しである。
この実施例においては、基板保持機構５０を導入管６０
の軸の周りに矢印５８に示すように回転させることによ
り基板を簡単に移動さぜることができる。従って基板７
１１等を出し入れする搬送機構（第１２図に矢印で示し
たロボッｌ−機構７０等）も簡単な機構とすることが出
来る。さらに矢印５８１で示すような、基板保持機構５
０を−１−下させる機構を設けるときは、基板を多段に
設置して、一層多数の基板を同時にかつ便利に処置する
ことができる。
の軸の周りに矢印５８に示すように回転させることによ
り基板を簡単に移動さぜることができる。従って基板７
１１等を出し入れする搬送機構（第１２図に矢印で示し
たロボッｌ−機構７０等）も簡単な機構とすることが出
来る。さらに矢印５８１で示すような、基板保持機構５
０を−１−下させる機構を設けるときは、基板を多段に
設置して、一層多数の基板を同時にかつ便利に処置する
ことができる。
第１３図の実施例の１００はシールドであって、これは
基板保持機構５０の表面の放電を防止する目的で設けら
れたものである。
基板保持機構５０の表面の放電を防止する目的で設けら
れたものである。
第１４図及び第１５図にはさらに別の基板保持機構５０
の実施例の平面図を示しである。これらの実施例は、第
１１図から第１３図の各実施例に示すと同様の担体５１
を中央の担体保持機５６から放射状に突出させた例であ
る。第１／１図は、多数の放射状の担体５１の隣り合っ
た表面が互いに並行であるもの、第１５図は、それら隣
り合った表面が所望の角度αをなすよう調整されたもの
で一１１ノー ある。
の実施例の平面図を示しである。これらの実施例は、第
１１図から第１３図の各実施例に示すと同様の担体５１
を中央の担体保持機５６から放射状に突出させた例であ
る。第１／１図は、多数の放射状の担体５１の隣り合っ
た表面が互いに並行であるもの、第１５図は、それら隣
り合った表面が所望の角度αをなすよう調整されたもの
で一１１ノー ある。
以」−１多くの実施例を挙げたが、これらは何ら限定的
な意味を持つものではなく多数の変形が可 ・能であ
る。また、従来知られている各種の技術、これから新た
に創られてくる新しい技術と組み合わせて使用し得るこ
ともいうまでもない。
な意味を持つものではなく多数の変形が可 ・能であ
る。また、従来知られている各種の技術、これから新た
に創られてくる新しい技術と組み合わせて使用し得るこ
ともいうまでもない。
（発明の効果）
本発明は、一時に多数の基板を収容して処理することが
でき、同一収容数を基準に考えれは、より小形の、信頼
性の高い真空化学反応装置を提供できる効果がある。
でき、同一収容数を基準に考えれは、より小形の、信頼
性の高い真空化学反応装置を提供できる効果がある。
第１図、第２図及び第３図は、この発明の実施例を示す
図で、第、１図は第２図の１−１′断面を示す図である
。 第４図及び第５図は、この発明の別の実施例を示す図。 − Ｉｔｉ − 第６図から第１５図は、それぞれ仙の実施例を示す図で
ある。 図中、１０が真空室、２０が排気系、３０がカス導入系
、４０が基板群、５０が基板保持機構、７０が基板を゛
出し入れする機構、５６ノノ月１１体保持機、５１が担
体、５８が複数基板をほぼ所定の同−晶５７１に移動さ
せるときの移動方向である。
図で、第、１図は第２図の１−１′断面を示す図である
。 第４図及び第５図は、この発明の別の実施例を示す図。 − Ｉｔｉ − 第６図から第１５図は、それぞれ仙の実施例を示す図で
ある。 図中、１０が真空室、２０が排気系、３０がカス導入系
、４０が基板群、５０が基板保持機構、７０が基板を゛
出し入れする機構、５６ノノ月１１体保持機、５１が担
体、５８が複数基板をほぼ所定の同−晶５７１に移動さ
せるときの移動方向である。
Claims (6)
- （１）真空室及びその内部を所定の圧力まで排気する排
気系と、 排気後所定の反応性気体を導入するガス導入系と、 前記真空室内部にあって基板を保持する基板保持機構と
、 前記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を出し入れ
する搬送機構とを備え、 前記真空室内を所定の圧力まで排気した後所定の反応性
気体を導入し、前記基板表面において化学反応を行なわ
せる真空化学反応装置において、前記基板保持機構が、
担体保持機を備えてその担体保持機の周りに複数の担体
を突出させ、かつ、それら担体はその表裏あるいは表面
の殆ど全面に、基板を保持出来る基板保持部材を備え、
更に、該担体保持機は移動可能であって、その移動によ
り、前記担体の該基板保持部材が保持する基板は、その
うちの少なくとも複数の基板がほぼ所定の同一面上に移
されて、該所定の同一面上で前記搬送機構に委譲される
ごとき機構を備える、ことを特徴とする真空化学反応装
置。 - （２）前記担体が電極を兼ねていて、該真空化学反応装
置が放電反応を利用するものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （３）前記担体が加熱器を兼ねていて、該真空化学反応
装置がＣＶＤ装置であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （４）前記担体が盤状体であり、該盤状体が該担体保持
機から並列乃至放射状に突出することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （５）前記担体保持機の移動が、直線移動であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空化学反応装
置。 - （６）前記担体保持機の移動が、回転によるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空化学
反応装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164670A JPS6223983A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 真空化学反応装置 |
| CN198686105600A CN86105600A (zh) | 1985-07-25 | 1986-07-25 | 真空化学反应设备 |
| KR1019860006093A KR890005267B1 (ko) | 1985-07-25 | 1986-07-25 | 진공화학반응장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164670A JPS6223983A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 真空化学反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223983A true JPS6223983A (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=15797595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164670A Pending JPS6223983A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 真空化学反応装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223983A (ja) |
| KR (1) | KR890005267B1 (ja) |
| CN (1) | CN86105600A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6783596B2 (en) * | 2001-08-20 | 2004-08-31 | Infineon Technologies Ag | Wafer handling device |
| JP2007284766A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
| WO2023153369A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置及び成膜方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102242352A (zh) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 佛山市奇明光电有限公司 | 有机金属化学气相沉积机台 |
| CN104178750A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 常州碳维纳米科技有限公司 | 一种悬挂式加热*** |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4854868A (ja) * | 1971-11-10 | 1973-08-01 | ||
| JPS5016476A (ja) * | 1973-04-27 | 1975-02-21 | ||
| JPS5091255A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60164670A patent/JPS6223983A/ja active Pending
-
1986
- 1986-07-25 CN CN198686105600A patent/CN86105600A/zh active Pending
- 1986-07-25 KR KR1019860006093A patent/KR890005267B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4854868A (ja) * | 1971-11-10 | 1973-08-01 | ||
| JPS5016476A (ja) * | 1973-04-27 | 1975-02-21 | ||
| JPS5091255A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6783596B2 (en) * | 2001-08-20 | 2004-08-31 | Infineon Technologies Ag | Wafer handling device |
| JP2007284766A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | 縦型プラズマｃｖｄ装置 |
| WO2023153369A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2023117377A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置、成膜方法及びガスノズル |
| JP2023117347A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置、成膜方法及びガスノズル |
| KR20230157469A (ko) | 2022-02-10 | 2023-11-16 | 씨브이 리사치 가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN86105600A (zh) | 1987-02-04 |
| KR870000960A (ko) | 1987-03-10 |
| KR890005267B1 (ko) | 1989-12-20 |
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