JP2007284766A - 縦型プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な構成で、基板を鉛直方向に支持すると共に鉛直状態の基板を加熱する。
【解決手段】縦型プラズマCVD装置は、成膜室内において基板面を縦方向に配した状態で成膜する縦型プラズマCVD装置であり、基板を支持すると共に、この基板を加熱又は保温する台形傾斜型ヒータを備える。台形傾斜型ヒータ10は、基板20を縦方向に支持する2つの支持面11と、この支持面11を加熱する加熱部を有し、2つの支持面11は、加熱部を挟むと共に傾斜し、上方が狭く下方が広い台形形状の断面を形成する。各支持面11は、基板20の自重によって支持面上に載置させることで、基板20を固定するための格別な機構を要することなく、ほぼ鉛直方向に支持する。支持面11を介して加熱部からの熱を伝達して加熱又は保温するため、基板との間に真空部分を挟まずに直接に加熱することができ、加熱効率を高めることができる。
【選択図】図1
【解決手段】縦型プラズマCVD装置は、成膜室内において基板面を縦方向に配した状態で成膜する縦型プラズマCVD装置であり、基板を支持すると共に、この基板を加熱又は保温する台形傾斜型ヒータを備える。台形傾斜型ヒータ10は、基板20を縦方向に支持する2つの支持面11と、この支持面11を加熱する加熱部を有し、2つの支持面11は、加熱部を挟むと共に傾斜し、上方が狭く下方が広い台形形状の断面を形成する。各支持面11は、基板20の自重によって支持面上に載置させることで、基板20を固定するための格別な機構を要することなく、ほぼ鉛直方向に支持する。支持面11を介して加熱部からの熱を伝達して加熱又は保温するため、基板との間に真空部分を挟まずに直接に加熱することができ、加熱効率を高めることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板の被成膜面をほぼ鉛直方向として状態で成膜を行う縦型プラズマCVD装置に関し、特に、基板を所定温度に加熱するヒータに関する。
基板上に成膜を行って薄膜等を製造する成膜装置が知られている。このような成膜装置として、プラズマCVD装置があり、太陽電池用薄膜、感光ドラム、液晶ディスプレイ等に用いられるTFTアレイ等の種々の半導体製造に使用されている。
このプラズマCVD装置において、基板の被成膜面を鉛直方向として状態で成膜を行う縦型プラズマCVD装置が知られている。このような縦型プラズマCVD装置として、例えば、特許文献1が知られている。
また、成膜装置では、成膜室内にプラズマを形成するための電極を備えると共に、例えば200℃〜300℃の温度条件で成膜するためにヒータを備えている。電極とヒータは、成膜室内において対向配置され、この間に基板カートに載置した基板を介在させることによって成膜を行っている。このような成膜装置として、例えば、特許文献2が知られている。
特公平6−50735号公報
特開2001−237188号公報
上記した縦型プラズマCVD装置では、基板を鉛直方向に支持するために、サセプタと呼ばれる支持部材に基板を鉛直に取り付け、この基板を取り付けたサセプタをチェーン式搬送装置によって成膜室内外の移動を行っている。
上記した構成では、基板を鉛直状態でサセプタに取り付けるために、上記文献に明記されていない何らかの機構が必要である。また、この鉛直方向に支持した基板を加熱するには、成膜室内に導入された基板の基板面と対向する位置にヒータを鉛直方向に設置する構成が必要となる。
そのため、縦型プラズマCVD装置において、基板を鉛直方向に支持する構成や、鉛直支持された基板を加熱する構成等において、複雑な構成を必要とするという問題がある。
そこで、本発明は上記課題を解決して、簡易な構成で、基板を鉛直方向に支持すると共に鉛直状態の基板を加熱することを目的とする。
本発明は、基板自体の自重を利用して基板をほぼ鉛直に支持すると共に、加熱部によって基板を支持することで、基板の支持と加熱とを一つの構成により行うことができ、構成を簡易化することができる。
本発明の縦型プラズマCVD装置は、成膜室内において基板面を縦方向に配した状態で成膜する縦型プラズマCVD装置であり、基板を支持すると共に、当該基板を加熱又は保温する台形傾斜型ヒータを備える。
この台形傾斜型ヒータは、基板を縦方向に支持する2つの支持面と、この支持面を加熱する加熱部を有し、2つの支持面は、加熱部を挟むと共に傾斜し、上方が狭く下方が広い台形形状の断面を形成する。各支持面は、基板の自重によって支持面上に載置させることで、基板を固定するための格別な機構を要することなく、ほぼ鉛直方向に支持することができる。また、この支持面を介して加熱部からの熱を伝達して加熱又は保温するため、基板との間に真空部分を挟まずに直接に加熱することができ、加熱効率を高めることができる。
また、本発明の台形傾斜型ヒータは、その支持面の下方位置に、基板の端部辺を支持する受け部を備える。この受け部は、基板の端部辺を支持すると共に、台形傾斜型ヒータに対する位置決めを行うことができる。
また、基板は、基板トレイ上に配置した状態で台形傾斜型ヒータの支持面上に載置する他、台形傾斜型ヒータの支持面上に直接に載置してもよい。
本発明の縦型プラズマCVD装置に対して、基板を水平状態で導入し、縦型プラズマCVD装置の装置内で鉛直方向に基板面の向きを変更した後に、台形傾斜型ヒータの支持面上に載置させる他、装置外で水平方向から鉛直方向に向きを変えておき、鉛直方向の状態で導入して台形傾斜型ヒータの支持面に載置させてもよい。
本発明によれば、縦型プラズマCVD装置において、基板の鉛直方向の支持と、鉛直状態における基板の加熱とを簡易な一つの機構で行うことができる。
また、本発明によれば、基板の支持を基板自体の自重を利用するため、複雑な機構を不要とすることができる。
また、本発明の台形傾斜型ヒータによれば、基板を支持すると支持面と、基板を加熱する加熱面とを同一の面で構成することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の縦型プラズマCVD装置が備える台形傾斜型ヒータの概略を説明するための図である。図1(a)は台形傾斜型ヒータ10のみを示し、図1(b)は台形傾斜型ヒータ10に基板20を載置する状態を示している。
図1(a)において、台形傾斜型ヒータ10は、上端部13の幅が下端部14の幅よりも狭い断面形状が台形形状であり、その側辺部分の傾斜面は基板20を支持する支持面11A及び支持面11Bを形成している。したがって、この支持面11A及び支持面11Bは、台形傾斜型ヒータの本体部分15を挟んで背面側で対向することになる。なお、図1(a)では、支持面11Bは、台形傾斜型ヒータ10の裏面側であるため、図示していない。
支持面11A,11Bの下方位置には、基板20の下端の辺部を支持する受け部12を備える。この受け部12は、基板20の下端の辺部を当接させることで、基板20を支持面11に保持させると共に、基板20の支持面11に対する位置決めを行うことができる。なお、受け部12は、例えば、支持面11の一部を外側に向かって突出させる形状によって形成することができるが、この形状に限らず、基板20の下端辺を所定位置に支持するものであれば他の形状とすることができる。
台形傾斜型ヒータの本体部分15の内部には加熱手段(図示していない)が設けられる。加熱手段は、例えば、シース線等の発熱体を用いることができ、この加熱手段で発生された熱は、支持面面11A,11Bに伝わり所定温度に加熱する。
上記した構成により、支持面11A及び支持面11Bの傾斜面は、その傾斜によって基板20を自重で支持させると共に、支持面上に載置された基板20と直接することで、加熱手段からの熱を基板20に直接に伝えることができる。
なお、本発明の台形傾斜型ヒータ10では、基板20及び基板トレイ21を自重で支持面11に支持させるために、支持面11を傾斜面としている。そのため、支持面11は鉛直方向からわずかに傾いた面とし、この支持面11を形成する本体部分15は上端が狭く下端が広い台形形状としている。
また、台形傾斜型ヒータ10は、本体部分15の両面に支持面11A,11Bを備える構成とすることによって、2枚の基板20を同時に取り付けることができる。
図1(b)は、台形傾斜型ヒータ10の支持面11に基板20を載置する状態を示している。
基板20は、基板トレイ21に載置された状態で台形傾斜型ヒータ10の支持面11上に載置される。この際、基板トレイ21の下端部を受け部12に当接させることで、基板20及び基板トレイ21を支持面11上に支持させると共に、支持面11上における位置を定めることができる。
支持面11は傾斜しているため、基板20及び基板トレイ21は、支持面11上に立て掛けられた状態で支持される。この支持は、単に支持面に載置することで、基板20及び基板トレイ21の自重によって行われるため、格別な機構は不要である。
なお、ここでは、基板20を基板トレイ21上に載置した状態で台形傾斜型ヒータ10に取り付けているが、台形傾斜型ヒータ10の支持面に基板トレイを設ける構成とすることによって、基板20のみを載置させる構成としてもよい。
また、図1(b)において、基板20を水平状態で導入した場合には、搬送アーム等の機構によって、基板20を水平状態から鉛直方向に姿勢を変えた後、台形傾斜型ヒータ10の支持面11に立て掛けた状態で支持させる。基板20の水平状態から鉛直方向への姿勢変更は、基板20を載置する基板トレイ21を搬送アームや搬送機構等で移動させることで行うことができる。なお、台形傾斜型ヒータ10から取り外す場合には、支持面11上に載置される基板トレイ21を搬送アームや搬送機構等によって取り外した後、水平方向に姿勢を変更する。
なお、基板20は外部において鉛直方向に姿勢を変えて鉛直状態のまま導入し、この鉛直状態から台形傾斜型ヒータ10の支持面11に立て掛けた状態で支持させてもよい。
図2、図3は台形傾斜型ヒータ10に載置した基板20を成膜室4内に導入する状態を示している。
図2(a),図3(a)は台形傾斜型ヒータ10を成膜室4内に導入する前あるいは導出した後の状態を示し、図2(b),図3(b)は台形傾斜型ヒータ10を成膜室4内に導入した状態を示している。
成膜室4は、基板20を載置した台形傾斜型ヒータ10を導入可能なスペースを内部に有し、導入された基板20と対向する位置にプラズマ発生用のRF電極4A,4Bが設けられている。RF電極4A,4Bは、導入された基板20との間の間隔をいずれの位置でも同等とするために、支持面11と同等の傾斜角で取り付けられている。なお、図2(a)ではRF電極4Bは図示していない。
図2(a),図3(a)において、基板20を台形傾斜型ヒータ10に取り付ける際には、基板20A,20Bを基板トレイ21A,21Bに載置した後、水平状態から鉛直状態の姿勢を変更し、台形傾斜型ヒータ10の傾斜した支持面11A,11Bに載置する。この際、基板トレイ21A,21Bの下端辺を受け部12A,12Bの当接させることで、基板20A,20Bおよび基板トレイ21A,21Bを台形傾斜型ヒータ10に対して支持させると共に、所定位置に位置決めする。
また、基板20を台形傾斜型ヒータ10から取り外す際には、基板20A,20Bを基板トレイ21A,21Bに載置した状態で、支持面11A,11Bから外した後、鉛直状態から水平状態に姿勢を戻る。
図2(b),図3(b)において、成膜室4内に台形傾斜型ヒータ10を導入すると、台形傾斜型ヒータ10の支持面11Aは成膜室4側のRF電極4Aと所定距離の等間隔を開けて対向配置し、支持面11BはRF電極4BAと所定距離の等間隔を開けて対向配置することになる。
また、基板20A,20Bは基板トレイ21A,21Bを介して支持面11A,11Bと接触し、加熱手段(図示していない)からの熱を支持面11A,11Bを介して直接に受けて加熱あるいは保温が行われる。
図4,図5は、本発明の縦型プラズマCVD装置の一構成例および基板の導出入動作を説明するための図である。
図4,図5において、縦型プラズマCVD装置1は、搬送室3の周囲に複数の成膜室4a,4b,4cは配置され、また、外部との間で基板20を搬出入するためのロード室2を備える。成膜室4は、例えば、太陽電池用の基板を形成する際には、P層、N層、およびI層等の各層に応じて設けられる。
基板20は基板トレイ21に載置された状態でロード室2に導入され、このロード室2を通して搬送室3内に導入される(図4(a))。搬送室内3には本発明の台形傾斜型ヒータ10が設けられ、ロード室2を通して導入された基板20を鉛直方向に姿勢を変えた後、台形傾斜型ヒータ10の支持面11に支持させる。この状態において、基板20は、支持面11を介して加熱手段からの熱を受けて加熱される。縦型プラズマCVD装置1の外部において、基板20が既に加熱されている場合には、加熱手段からの熱によって保温される(図4(b),図5(a))。
基板20A,20Bは、台形傾斜型ヒータ10の支持面11に鉛直方向に取り付けられた状態のまま成膜室4a内に導入され、鉛直状態で成膜処理が行われる。したがって、このとき、台形傾斜型ヒータ10は基板20を搬送する搬送機構の一部を構成することになる。成膜室4a内において、基板20A,20Bは、台形傾斜型ヒータ10の加熱手段によって所定温度に維持され、成膜処理が行われる(図5(b))。
成膜室4aでの成膜処理が終了した後、基板20A,20Bは台形傾斜型ヒータ10と共に成膜室4aから搬送室3に搬出される。搬送室3に戻された基板20A,20Bは、必要に応じて、別の成膜室4bあるいは成膜室4cに搬入され、成膜室4aと同様に成膜処理が行われる。
成膜処理が完了した基板を搬送室3から搬出する場合には、台形傾斜型ヒータ10から基板トレイ21と共に基板20を鉛直状態から水平状態に姿勢を戻した後、ロード室2を通して外部に搬出する。
なお、上記動作例では、水平状態から鉛直状態に基板20および基板トレイ21の姿勢を変更しているが、搬送室3内に鉛直状態で搬入し、搬送室3外に鉛直状態で搬出する場合には、この姿勢変更の動作は不要とすることができる。
本発明は、太陽電池用薄膜、感光ドラム、液晶ディスプレイ等に用いられるTFTアレイ等の種々の半導体製造に適用することができる。
1…縦型両面プラズマCVD装置、2…ロード室、3…搬送室、4、4a,4b,4c…成膜室、4A,4B…RF電極、10…台形傾斜型ヒータ、11,11A,11B…支持面、12,12A,12B…受け部、13…上端部、14…下端部、15…本体部分、20,20A,20B…基板、21,21A,21B…基板トレイ。
Claims (3)
- 成膜室内において基板面を縦方向に配した状態で成膜する縦型プラズマCVD装置において、
基板を支持すると共に、当該基板を加熱又は保温する台形傾斜型ヒータを備え、
前記台形傾斜型ヒータは、基板を縦方向に支持する2つの支持面と、当該支持面を加熱する加熱部を有し、
前記2つの支持面は、加熱部を挟むと共に傾斜し、上方が狭く下方が広い台形形状の断面を形成し、基板の自重によって支持面上に載置させ、当該支持面を介して加熱又は保温することを特徴とする、縦型プラズマCVD装置。 - 前記支持面は、基板の端部辺を支持する受け部を備えることを特徴とする、請求項1に記載の縦型プラズマCVD装置。
- 前記支持面は、基板トレイ上に配置された基板を支持することを特徴とする、請求項1又は2に記載の縦型プラズマCVD装置。
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---|---|
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009148165A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US7923313B1 (en) | 2010-02-26 | 2011-04-12 | Eastman Kodak Company | Method of making transistor including reentrant profile |
US7985684B1 (en) | 2011-01-07 | 2011-07-26 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including reduced channel length |
CN102312199A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上方能源技术(杭州)有限公司 | 一种扫描镀膜装置及扫描镀膜组件 |
US8304347B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-11-06 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including multiple reentrant profiles |
US8338291B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multiple reentrant profiles |
US8383469B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-02-26 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including reduced channel length |
US8409937B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-04-02 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multi-layer reentrant profile |
US8492769B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-07-23 | Eastman Kodak Company | Transistor including multi-layer reentrant profile |
US8592909B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-11-26 | Eastman Kodak Company | Transistor including single layer reentrant profile |
US8617942B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including single layer reentrant profile |
US8637355B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-01-28 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including single layer reentrant profile |
WO2014104551A1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Park Hyung Sang | 수직형 플레이트 히터를 이용한 증착 장치 |
US8803227B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
US8803203B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
US8847232B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including reduced channel length |
US8847226B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including multiple reentrant profiles |
US8865576B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-21 | Eastman Kodak Company | Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
JP7160421B1 (ja) | 2022-02-10 | 2022-10-25 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置、成膜方法及びガスノズル |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6223983A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-01-31 | Anelva Corp | 真空化学反応装置 |
JPS63162862A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
JPH0950992A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Sharp Corp | 成膜装置 |
-
2006
- 2006-04-19 JP JP2006115414A patent/JP2007284766A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6223983A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-01-31 | Anelva Corp | 真空化学反応装置 |
JPS63162862A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
JPH0950992A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Sharp Corp | 成膜装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5280441B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
WO2009148165A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US7923313B1 (en) | 2010-02-26 | 2011-04-12 | Eastman Kodak Company | Method of making transistor including reentrant profile |
US8803203B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
US9337828B2 (en) | 2010-02-26 | 2016-05-10 | Eastman Kodak Company | Transistor including reentrant profile |
CN102312199A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上方能源技术(杭州)有限公司 | 一种扫描镀膜装置及扫描镀膜组件 |
US8383469B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-02-26 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including reduced channel length |
US8409937B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-04-02 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multi-layer reentrant profile |
US8492769B2 (en) | 2011-01-07 | 2013-07-23 | Eastman Kodak Company | Transistor including multi-layer reentrant profile |
US8338291B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-12-25 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including multiple reentrant profiles |
US8304347B2 (en) | 2011-01-07 | 2012-11-06 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including multiple reentrant profiles |
US8847226B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including multiple reentrant profiles |
US7985684B1 (en) | 2011-01-07 | 2011-07-26 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including reduced channel length |
US8847232B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-09-30 | Eastman Kodak Company | Transistor including reduced channel length |
US8637355B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-01-28 | Eastman Kodak Company | Actuating transistor including single layer reentrant profile |
US8617942B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-12-31 | Eastman Kodak Company | Producing transistor including single layer reentrant profile |
US8592909B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-11-26 | Eastman Kodak Company | Transistor including single layer reentrant profile |
US8803227B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-08-12 | Eastman Kodak Company | Vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
US8865576B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-21 | Eastman Kodak Company | Producing vertical transistor having reduced parasitic capacitance |
WO2014104551A1 (ko) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Park Hyung Sang | 수직형 플레이트 히터를 이용한 증착 장치 |
KR101490993B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2015-02-06 | 박형상 | 수직형 플레이트 히터를 이용한 증착 장치 |
JP7160421B1 (ja) | 2022-02-10 | 2022-10-25 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置、成膜方法及びガスノズル |
WO2023153369A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2023117347A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | 成膜装置、成膜方法及びガスノズル |
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