JPS63243276A - 真空化学反応装置 - Google Patents
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- JPS63243276A JPS63243276A JP7880887A JP7880887A JPS63243276A JP S63243276 A JPS63243276 A JP S63243276A JP 7880887 A JP7880887 A JP 7880887A JP 7880887 A JP7880887 A JP 7880887A JP S63243276 A JPS63243276 A JP S63243276A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空中に反応性気体を導入し、その内部にお
いて化学的な反応を行なわせる真空装置に関し、例えば
、反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、
ＣＶＤ装置や表面処理装置等に適用して効果の著しいも
のである。
いて化学的な反応を行なわせる真空装置に関し、例えば
、反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、
ＣＶＤ装置や表面処理装置等に適用して効果の著しいも
のである。
（従来の技術）
真空中で化学反応を行なわせる真空装置は、今日前述の
如く多数ある。
如く多数ある。
これらは、その内部において加工される被加工体（以下
基板）をなるべく多数配置する工夫がなされ、生産性を
向上させる努力が続けられている。
基板）をなるべく多数配置する工夫がなされ、生産性を
向上させる努力が続けられている。
今日まで提案され実施されている方法は多数あるが次の
如く要約される。
如く要約される。
（１）単一の平面または立体の表面に基板を配置する方
法で、例えば、麻蒔立男著、日刊工業朝間「薄膜作成の
基礎ｊ （第２版）図５．２４（ａ）Ｐ１２０に示すよ
うな薄い円板の上面に多数の基板を配置する方法。また
、同表９．４Ｃ（Ｐ１９４）に示すような円柱あるいは
角柱の側面（内側面あるいは外側面）に多数の基板を配
置する方法がある。
法で、例えば、麻蒔立男著、日刊工業朝間「薄膜作成の
基礎ｊ （第２版）図５．２４（ａ）Ｐ１２０に示すよ
うな薄い円板の上面に多数の基板を配置する方法。また
、同表９．４Ｃ（Ｐ１９４）に示すような円柱あるいは
角柱の側面（内側面あるいは外側面）に多数の基板を配
置する方法がある。
（２）「ガスプラズマ処理装置ｊ （特開昭５９−１５
９５３２号公報）に示されるように、正負または二電極
（高周波電力のとき）を垂直方向に交互に積層配列する
方法がある。
９５３２号公報）に示されるように、正負または二電極
（高周波電力のとき）を垂直方向に交互に積層配列する
方法がある。
（３）「真空化学反応装置」 （特願昭６０−１６４６
７０号）に示されるように、基板を保持する基板保持機
構が担体保持機を備えて、その担体保持機の周りに複数
の担体を突出させ、かつ、それら担体は、その表裏ある
いは、表面の殆んど全面に基板を保持出来る基板保持部
材を備え、それら基板保持部材により多数の基板を配置
する方法が−ある。
７０号）に示されるように、基板を保持する基板保持機
構が担体保持機を備えて、その担体保持機の周りに複数
の担体を突出させ、かつ、それら担体は、その表裏ある
いは、表面の殆んど全面に基板を保持出来る基板保持部
材を備え、それら基板保持部材により多数の基板を配置
する方法が−ある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら前記従来の方法には、それぞれ以下のよう
な欠点がある。
な欠点がある。
（１）前記単一の平面または立体の表面に基板を配置す
る方法では、結局、配置面の表面積で基板の収容数が比
較的小数に限定されている。
る方法では、結局、配置面の表面積で基板の収容数が比
較的小数に限定されている。
（２）前述の「ガスプラズマ処理装置」 （特開昭５９
−１５９５３２号公％）に示される、正負または二電極
を垂直方向に交互に積層配列する方法では、各電極の表
裏の一方の面は、一般に絶縁物で覆われ、基板は他方の
片面にしか配置出来ないため、やはり基板の収容数が比
較的小数に限定されている。
−１５９５３２号公％）に示される、正負または二電極
を垂直方向に交互に積層配列する方法では、各電極の表
裏の一方の面は、一般に絶縁物で覆われ、基板は他方の
片面にしか配置出来ないため、やはり基板の収容数が比
較的小数に限定されている。
（３）前記「真空化学反応装置」 （特願昭６０−１６
４６７０号）に示されている方法は、一時に多数の基板
を収容して処理するという目的により改良されており、
同一収容数を基準に考えれば比較的小形の装置となるが
、多数の基板を収容する際の基板の出し入れのしやすさ
を考慮し、かつ、同一時間での生産性についても考える
と基板の処理数は比較的小数に限定される。
４６７０号）に示されている方法は、一時に多数の基板
を収容して処理するという目的により改良されており、
同一収容数を基準に考えれば比較的小形の装置となるが
、多数の基板を収容する際の基板の出し入れのしやすさ
を考慮し、かつ、同一時間での生産性についても考える
と基板の処理数は比較的小数に限定される。
（発明の目的）
この発明は、上記の欠点を改良し、一時に多数の基板を
収容して処理できる、信頼性と生産性の高い真空化学反
応装置の提供を目的とする。
収容して処理できる、信頼性と生産性の高い真空化学反
応装置の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は、真空
室およびその内部を所定の圧力まで排気する排気系と、
排気後所定の反応性気体を導入するガス導入系と、前記
真空室内部にあって基板を保持する基板保持機構と、前
記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を出し入れす
る搬送機構とを備え、前記真空室内を所定の圧力まで排
気した後所定の反応性気体を導入し、前記基板表面にお
いて化学反応を行なわせる真空化学反応装置にあって、 前記基板保持機構が担体保持機を備えてその担体保持機
の周りに複数の担体を突出させ、かつ、それら担体はそ
の表裏あるいは表面の殆んど全面に、基板を保持出来る
基板保持部材を備え、更に、該担体保持機は移動可能で
あって、その移動により前記担体の該基板保持部材が保
持する基板は、そのうちの少なくとも複数の基板がほぼ
所定の同一面上に移されて、該所定の同一面上で前記搬
送機構に委譲される如き機構を備える真空化学反応装置
において、 前記基板を搬送機構に委譲できる所定の同一面を、 前記担体の互いに異なる少なくとも２個所の表面が占め
、更に、該委譲は、前記互いに異なる少なくとも２個所
の表面にて、各独立して行なわれるごとき機構を備える
真空化学反応装置によって前記目的を達成したものであ
る。
室およびその内部を所定の圧力まで排気する排気系と、
排気後所定の反応性気体を導入するガス導入系と、前記
真空室内部にあって基板を保持する基板保持機構と、前
記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を出し入れす
る搬送機構とを備え、前記真空室内を所定の圧力まで排
気した後所定の反応性気体を導入し、前記基板表面にお
いて化学反応を行なわせる真空化学反応装置にあって、 前記基板保持機構が担体保持機を備えてその担体保持機
の周りに複数の担体を突出させ、かつ、それら担体はそ
の表裏あるいは表面の殆んど全面に、基板を保持出来る
基板保持部材を備え、更に、該担体保持機は移動可能で
あって、その移動により前記担体の該基板保持部材が保
持する基板は、そのうちの少なくとも複数の基板がほぼ
所定の同一面上に移されて、該所定の同一面上で前記搬
送機構に委譲される如き機構を備える真空化学反応装置
において、 前記基板を搬送機構に委譲できる所定の同一面を、 前記担体の互いに異なる少なくとも２個所の表面が占め
、更に、該委譲は、前記互いに異なる少なくとも２個所
の表面にて、各独立して行なわれるごとき機構を備える
真空化学反応装置によって前記目的を達成したものであ
る。
（作用）
排気系により真空室を所定の圧力に排気したのち、所定
の反応性気体をガス導入系から導入し、真空室内部の基
板保持機構に配置された基板の表面において化学反応を
行なわせる。基板保持機構が担体保持機を備えて、その
担体保持機の周りに複数の担体を突出させ、且つ、それ
ら担体はその表裏あるいは表面の殆んど全面に基板を保
持出来る基板保持部材を備えているので、一時に多数の
基板を収容して処理することが出来る。さらに前記担体
の互いに異なる少なくとも２個所の表面を、同時に、前
記基板を搬送機構に委譲できる所定の同一面状に移せる
ようにし、各独立に委譲できるようにしているので、基
板の出し入れの効率化が図れる。それらの相乗効果によ
り、一時に多数の基板を収容して処理し、かつ生産性と
信頼性の高いという機能を達成している。
の反応性気体をガス導入系から導入し、真空室内部の基
板保持機構に配置された基板の表面において化学反応を
行なわせる。基板保持機構が担体保持機を備えて、その
担体保持機の周りに複数の担体を突出させ、且つ、それ
ら担体はその表裏あるいは表面の殆んど全面に基板を保
持出来る基板保持部材を備えているので、一時に多数の
基板を収容して処理することが出来る。さらに前記担体
の互いに異なる少なくとも２個所の表面を、同時に、前
記基板を搬送機構に委譲できる所定の同一面状に移せる
ようにし、各独立に委譲できるようにしているので、基
板の出し入れの効率化が図れる。それらの相乗効果によ
り、一時に多数の基板を収容して処理し、かつ生産性と
信頼性の高いという機能を達成している。
（実施例）
第１図（一部断面平面図）、第２図（第１図のＡ−Ａ’
断面図）および第３図（部分断面図）の実施例において
、１０は真空室で、１１はチャンバー、１２は電極導入
のための絶縁物、１３は排気系２０（矢印で示す）を接
続する排気管、１４はフランジ、１５は基板４１０〜４
１９を孔１７を通して出し入れするための蓋、１６と１
９は０リングである。３０は所定の反応性気体を導入す
るガス導入系（矢印で示し、必要によりバリアプルリー
ク、流量制御装置などが接続される）で、３１は真空系
との接続管、３２は気体を基板の表面に一様に行き亙る
ようにするガス配分機構、３３は多数の細孔である。４
０は被処理体を代表的に示す基板群で、４１０〜４１９
はそれぞれ基板である。５０は基板保持機構で５１〜５
５が担体保持機５６の周りに突出配置された多数の担体
、６９は基板を冷却または加熱する熱媒体の導入排出方
向（矢印で示す）である。６０は電力その他の導入機で
ある。 （基板を更に高温に加熱する場合には、第３図
に基板保持部の断面を示すように、）口熱板６１を設け
てその裏面をヒーター６３（例えば、赤外加熱用ランプ
あるいはコイル状ヒーターなど）で加熱する。６４はヒ
ーター電源、６２は加熱板６１の熱が担体５１の方に逃
げるのを妨げるために薄い板で作っである接続体である
。）５８は基板を保持する基板保持部材で、これが担体
５１の表裏あるいは表面（表裏の呼び名が適当でない場
合の全表面を言う）の殆んど全面に取り付けられている
。
断面図）および第３図（部分断面図）の実施例において
、１０は真空室で、１１はチャンバー、１２は電極導入
のための絶縁物、１３は排気系２０（矢印で示す）を接
続する排気管、１４はフランジ、１５は基板４１０〜４
１９を孔１７を通して出し入れするための蓋、１６と１
９は０リングである。３０は所定の反応性気体を導入す
るガス導入系（矢印で示し、必要によりバリアプルリー
ク、流量制御装置などが接続される）で、３１は真空系
との接続管、３２は気体を基板の表面に一様に行き亙る
ようにするガス配分機構、３３は多数の細孔である。４
０は被処理体を代表的に示す基板群で、４１０〜４１９
はそれぞれ基板である。５０は基板保持機構で５１〜５
５が担体保持機５６の周りに突出配置された多数の担体
、６９は基板を冷却または加熱する熱媒体の導入排出方
向（矢印で示す）である。６０は電力その他の導入機で
ある。 （基板を更に高温に加熱する場合には、第３図
に基板保持部の断面を示すように、）口熱板６１を設け
てその裏面をヒーター６３（例えば、赤外加熱用ランプ
あるいはコイル状ヒーターなど）で加熱する。６４はヒ
ーター電源、６２は加熱板６１の熱が担体５１の方に逃
げるのを妨げるために薄い板で作っである接続体である
。）５８は基板を保持する基板保持部材で、これが担体
５１の表裏あるいは表面（表裏の呼び名が適当でない場
合の全表面を言う）の殆んど全面に取り付けられている
。
図の左右２つの５７は、それぞれこの発明の特徴をなす
同一平面上にあり、かつ２個所に対し独立して、同時に
所定の機能をもたせることの出来る面で、これらの面上
にある基板４１０と４１３は基板保持部材５８で保持さ
れたまま、担体保持機５６を矢印５９の方向に回転させ
ることにより（その回転機構は図示していない）この２
個所の所定面５７上に移設され、真空室１０から出し入
れされる。
同一平面上にあり、かつ２個所に対し独立して、同時に
所定の機能をもたせることの出来る面で、これらの面上
にある基板４１０と４１３は基板保持部材５８で保持さ
れたまま、担体保持機５６を矢印５９の方向に回転させ
ることにより（その回転機構は図示していない）この２
個所の所定面５７上に移設され、真空室１０から出し入
れされる。
この実施例においては、蓋１５を開けて基板を出し入れ
するロボット機構７０（二つの矢印で略本する）が真空
装置１０の外に２個所（ロボット機構の中のハンドリン
グアーム部だけがこの２個所にあっても同じ効果となる
）置いてあり、担体深持１５６を矢印５９の方向に回転
させることにより２個所同時に基板を出し入れする方法
を用いている。信頼性度の高い再現性の良い仕事をし、
且つ、生産性の向上を実現するためには、上記のように
真空室１０の内部を常に真空に保ち、この実施例のよう
に基板保持機構５０、従って、担体保持機５Ｇを矢印５
９のように回転させ、同時ここ複数の基板を基板取り出
しに便なる面５７上に移動させるようにするのが有利で
ある。
するロボット機構７０（二つの矢印で略本する）が真空
装置１０の外に２個所（ロボット機構の中のハンドリン
グアーム部だけがこの２個所にあっても同じ効果となる
）置いてあり、担体深持１５６を矢印５９の方向に回転
させることにより２個所同時に基板を出し入れする方法
を用いている。信頼性度の高い再現性の良い仕事をし、
且つ、生産性の向上を実現するためには、上記のように
真空室１０の内部を常に真空に保ち、この実施例のよう
に基板保持機構５０、従って、担体保持機５Ｇを矢印５
９のように回転させ、同時ここ複数の基板を基板取り出
しに便なる面５７上に移動させるようにするのが有利で
ある。
８０は真空室１０の内部でマグネトロン放電を行なわせ
たい場合の磁場設定手段で、矢印８５の方向の磁場を設
定する。８１はコイル、８２はその電源である。
たい場合の磁場設定手段で、矢印８５の方向の磁場を設
定する。８１はコイル、８２はその電源である。
９０は高周波電源で、９１が高周波発生器、９２がマツ
チングボックスである。
チングボックスである。
この実施例の装置は、その使用目的に合わせて、従来の
反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、Ｃ
ＶＤ装置や表面処理装置などと同様に運転される。
反応性イオンエツチング装置、各種エツチング装置、Ｃ
ＶＤ装置や表面処理装置などと同様に運転される。
反応性イオンエツチング装置を例にとって運転を説明す
ると、排気系２０で真空室１０を所定の圧力（多くの場
合所いわゆるＵＨＶなど高度な真空に排気する）に排気
した後、所定の気体をガス導入系３０から導入し、真空
室内部を所定の圧力に設定し高周波電力を供給する。す
ると、斜線９３て示す放電プラズマが発生し基板４１０
等はリアクティブイオンエツチングされる。
ると、排気系２０で真空室１０を所定の圧力（多くの場
合所いわゆるＵＨＶなど高度な真空に排気する）に排気
した後、所定の気体をガス導入系３０から導入し、真空
室内部を所定の圧力に設定し高周波電力を供給する。す
ると、斜線９３て示す放電プラズマが発生し基板４１０
等はリアクティブイオンエツチングされる。
所定のエツチングが行なわれた後、高周波電力の供給を
やめ、真空室１０の内部に窒素、アルゴン等の不活性気
体を大気圧まで導入し、蓋１５を開け、担体保持機５６
と搬送機構の先手であるロボット機構７０との協同作業
により、処理済みの基板を２枚づつ取り出し、新しい基
板を２枚づつ入れる。基板の出し入れはロボット機構７
０（の手）を面５７に垂直に移動させながら行なう。次
いで排気を行ない次のサイクルに入る。
やめ、真空室１０の内部に窒素、アルゴン等の不活性気
体を大気圧まで導入し、蓋１５を開け、担体保持機５６
と搬送機構の先手であるロボット機構７０との協同作業
により、処理済みの基板を２枚づつ取り出し、新しい基
板を２枚づつ入れる。基板の出し入れはロボット機構７
０（の手）を面５７に垂直に移動させながら行なう。次
いで排気を行ない次のサイクルに入る。
真空室１０の内部を常に真空に侃ってエツチングを行な
いたい場合には、蓋１５０代わりにバルブを設け、次の
真空室に接続することになる。その場合でも基板保持機
構５０を矢印５９の方向に回転させ２個所から基板を取
り出す。
いたい場合には、蓋１５０代わりにバルブを設け、次の
真空室に接続することになる。その場合でも基板保持機
構５０を矢印５９の方向に回転させ２個所から基板を取
り出す。
その他、反応性イオンエツチング以外の処理の場合も、
殆んど上記と同様に運転されるが、低圧ＣＶＤの場合は
やや異なり、前記した第３図に示すような担体５１、加
熱板６１を設け、加熱板６１を基板保持部として、ここ
へ基板を出し入れする。この場合、高周波電力を供給す
る必要はない。
殆んど上記と同様に運転されるが、低圧ＣＶＤの場合は
やや異なり、前記した第３図に示すような担体５１、加
熱板６１を設け、加熱板６１を基板保持部として、ここ
へ基板を出し入れする。この場合、高周波電力を供給す
る必要はない。
但し、低圧ＣＶＤ処理を多数回行なった後、面５７の近
くのクリーニングを行ないたい場合には、前述のエツチ
ングと同様に運転することになる。
くのクリーニングを行ないたい場合には、前述のエツチ
ングと同様に運転することになる。
この実施例の装置では、磁場を電場と直交して設定する
ことができるので、基板群４０の各表面方向に沿って、
低電圧大電力のマグネトロン放電を発生させ高速の反応
を行なわせることが出来る。
ことができるので、基板群４０の各表面方向に沿って、
低電圧大電力のマグネトロン放電を発生させ高速の反応
を行なわせることが出来る。
。磁場の方向は一定でも交番でもよい。磁場の強さを可
変として放電強度の調整を行なってもよい。
変として放電強度の調整を行なってもよい。
その他殺計上の注意は通常の場合と同様である。
例えば、基板以外の場所では反応を行なうわせたくない
というとぎは、 （１）それが放電を使用する処理のときであれば、その
場所を適宜の絶縁物やシールドで覆ってしまい、 （２
）それが放電を使用しない低圧ＣＶＤの処理のときであ
れば、その場所を低温に冷却する、などの注意を払うこ
とになる。
というとぎは、 （１）それが放電を使用する処理のときであれば、その
場所を適宜の絶縁物やシールドで覆ってしまい、 （２
）それが放電を使用しない低圧ＣＶＤの処理のときであ
れば、その場所を低温に冷却する、などの注意を払うこ
とになる。
本発明は上記のような基板保持機構５０を用い、担体保
持機５６から放射状に突出する複数の担体５１〜５５の
表面の異なる２面を同一平面上に揃え、その殆んど全面
に基板を配置することから、小さな容積内に極めて多数
の基板を収容し、さらに基板の出し入れの効率化により
生産性の高い装置を提供することが出来る。同一処理能
力ならば装置を小型化出来る。更に、担体保持機５６が
し゛っかりした機構に出来るので、その高周波インピー
ダンスは無視出来る程小さい値となり担体５１〜５５上
の多数の基板の表面に一様なアラズマを発生出来、その
ため基板毎の処理（例えば、エツチング速度や成膜速度
）の差異は極めて小さく、均一な仕上がりのものが得ら
れる。磁場を用いることにより、より高速化、低電圧化
ができる。
持機５６から放射状に突出する複数の担体５１〜５５の
表面の異なる２面を同一平面上に揃え、その殆んど全面
に基板を配置することから、小さな容積内に極めて多数
の基板を収容し、さらに基板の出し入れの効率化により
生産性の高い装置を提供することが出来る。同一処理能
力ならば装置を小型化出来る。更に、担体保持機５６が
し゛っかりした機構に出来るので、その高周波インピー
ダンスは無視出来る程小さい値となり担体５１〜５５上
の多数の基板の表面に一様なアラズマを発生出来、その
ため基板毎の処理（例えば、エツチング速度や成膜速度
）の差異は極めて小さく、均一な仕上がりのものが得ら
れる。磁場を用いることにより、より高速化、低電圧化
ができる。
第４図（斜視図）には別の実施例の基板４１０等と基板
保持機構５０の部分のみを示しである。
保持機構５０の部分のみを示しである。
この実施例では基板の収容数を更に増加させるために担
体５１の背を高くしである。基板保持機構５０を矢印５
９の方向に回転させ基板の出し入れを行なったのち、基
板（呆持損構５０を矢印５９１の方向に動かし、更に矢
印５９の方向に回転させ基を反の出し入れを終了する。
体５１の背を高くしである。基板保持機構５０を矢印５
９の方向に回転させ基板の出し入れを行なったのち、基
板（呆持損構５０を矢印５９１の方向に動かし、更に矢
印５９の方向に回転させ基を反の出し入れを終了する。
第５図および第６図にはさらに別の基板保持機構５０の
実施例の平面図を示しである。これらの実施例は担体５
１を中央の担体保持機５６から放射状に突出させた例で
ある。第５図では担体の数が６の場合で比較的小さい基
板を数多く配置する場合に、また第６図は、担体の数が
４で比較的大きい基板を配置１ノ処理するのに有利であ
る。
実施例の平面図を示しである。これらの実施例は担体５
１を中央の担体保持機５６から放射状に突出させた例で
ある。第５図では担体の数が６の場合で比較的小さい基
板を数多く配置する場合に、また第６図は、担体の数が
４で比較的大きい基板を配置１ノ処理するのに有利であ
る。
以上いくつかの実施例を挙げたが、これらは何ら限定的
な意味を持つものではなく多数の変形が可能である。ま
た従来知られている各種の技術、今後新しく作られて来
る新しい技術と絹み合わせて使用し得ることもいうまで
もない。
な意味を持つものではなく多数の変形が可能である。ま
た従来知られている各種の技術、今後新しく作られて来
る新しい技術と絹み合わせて使用し得ることもいうまで
もない。
（発明の効果）
本発明は一時に多数の基板を収容して処理することが出
来、同−処理数を基準に考えれば、より小形の信頚性と
生産性の高い真空化学反応装置を提供できる効果がある
。
来、同−処理数を基準に考えれば、より小形の信頚性と
生産性の高い真空化学反応装置を提供できる効果がある
。
第１図、第２図および第３図はこの発明の実施例を示す
図で、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面図。 第４図、第５図、第６図はこの発明の別の実施例を示す
図である。 １０は真空室、２０は排気系、３０はガス導入系、４０
は基板群、５０は基板保持機構、７０は基板を出し・入
れするｇ５．５６は担体保持機、５１は担体、５９は複
数基板を所定の同一面５７に移動させるときの移動方向
である。
図で、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面図。 第４図、第５図、第６図はこの発明の別の実施例を示す
図である。 １０は真空室、２０は排気系、３０はガス導入系、４０
は基板群、５０は基板保持機構、７０は基板を出し・入
れするｇ５．５６は担体保持機、５１は担体、５９は複
数基板を所定の同一面５７に移動させるときの移動方向
である。
Claims (6)
- （１）真空室およびその内部を所定の圧力まで排気する
排気系と、排気後所定の反応性気体を導入する気体導入
系と、前記真空室内部にあって基板を保持する基板保持
機構と、前記基板保持機構へ前記真空室外から該基板を
出し入れする搬送機構とを備え、前記真空室内を所定の
圧力まで排気した後、所定の反応性気体を導入し、前記
基板表面において化学反応を行なわせる真空化学反応装
置の、前記基板保持機構が担体保持機を備えて、その担
体保持機の周りに複数の担体を突出させ、かつ、それら
担体はその表裏あるいは表面の殆んど全面に、基板を保
持出来る基板保持部材を備え、更に、該担体保持機は移
動可能であって、その移動により、前記担体の該基板保
持部材が保持する基板は、そのうちの少なくとも複数の
基板がほぼ所定の同一面上に移されて、該所定の同一面
上で前記搬送機構に委譲される如き機構を備える真空化
学反応装置において、 前記基板を搬送機構に委譲できる所定の同一面を、 前記担体の互いに異なる少なくとも２個所の表面が占め
、更に、該委譲は、前記互いに異なる少なくとも２個所
の表面にて、各独立して行なわれるごとき機構を備える
ことを特徴とする真空化学反応装置。 - （２）前記担体が電極を兼ねていて、該真空化学反応装
置が放電反応を利用するものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （３）前記担体が加熱器を兼ねていて、該真空化学反応
装置がＣＶＤ装置であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （４）前記担体が盤状体であり、該盤状体が該担体保持
機から放射状に突出することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の真空化学反応装置。 - （５）前記担体保持機の移動が、直線移動であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空化学反応装
置。 - （６）前記担体保持機の移動が、回転によるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空化学
反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7880887A JPS63243276A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 真空化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7880887A JPS63243276A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 真空化学反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243276A true JPS63243276A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13672144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7880887A Pending JPS63243276A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 真空化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804616B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2008-02-20 | 박웅기 | 오토클레이브에 의한 처리방법 및 장치 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7880887A patent/JPS63243276A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804616B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2008-02-20 | 박웅기 | 오토클레이브에 의한 처리방법 및 장치 |
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