JPS6217851B2 - - Google Patents
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- JPS6217851B2 JPS6217851B2 JP56006685A JP668581A JPS6217851B2 JP S6217851 B2 JPS6217851 B2 JP S6217851B2 JP 56006685 A JP56006685 A JP 56006685A JP 668581 A JP668581 A JP 668581A JP S6217851 B2 JPS6217851 B2 JP S6217851B2
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- spinner
- glass substrate
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- resist coating
- substrate
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体表面にフオトレジストを塗布する
ためのレジスト塗布装置に関する。
ためのレジスト塗布装置に関する。
半導体装置を製造するに際しては、半導体基板
中に不純物を選択的に拡散したり、また選択的に
エツチングする工程が何回も繰り返される。選択
拡散および選択エツチングにはPEP工程（Photo
Engraving Process）が付随し、PEP工程を行な
う為にはフオトレジストを半導体基板表面に極く
薄く均一に塗布しなければならない。一方、上記
選択拡散および選択エツチングに付随したPEPに
使用するフオトマスク（塗布されたフオトレジス
ト膜を選択的に露光するためのマスク）を作成す
る際にもPEPが行なわれ、この場合にも例えばガ
ラス基板等の表面にフオトレジストを極く薄く均
一に塗布することが要求される。
中に不純物を選択的に拡散したり、また選択的に
エツチングする工程が何回も繰り返される。選択
拡散および選択エツチングにはPEP工程（Photo
Engraving Process）が付随し、PEP工程を行な
う為にはフオトレジストを半導体基板表面に極く
薄く均一に塗布しなければならない。一方、上記
選択拡散および選択エツチングに付随したPEPに
使用するフオトマスク（塗布されたフオトレジス
ト膜を選択的に露光するためのマスク）を作成す
る際にもPEPが行なわれ、この場合にも例えばガ
ラス基板等の表面にフオトレジストを極く薄く均
一に塗布することが要求される。
第１図は従来から行なわれているレジスト塗布
方法を示す説明図である。同図において、１はス
ピンナーと呼ばれるレジスト塗布装置本体であ
る。該スピンナー１の内部には真空吸引のための
空洞２が形成されている。表面にレジストが塗布
される基体、例えば方形のガラス基板３はこのス
ピンナー１上に載置され、空洞２を介して真空吸
引されることにより強固に保持される。この状態
でガラス基板３上にフオトレジスト４を滴下し、
スピンナー１および強固に保持されたガラス基板
３を回転させれば、滴下されたフオトレジストは
遠心力によつてガラス基板３の中心部から周縁部
に広がり、ガラス基板３の表面に極く薄く均一な
厚さで塗布される。
方法を示す説明図である。同図において、１はス
ピンナーと呼ばれるレジスト塗布装置本体であ
る。該スピンナー１の内部には真空吸引のための
空洞２が形成されている。表面にレジストが塗布
される基体、例えば方形のガラス基板３はこのス
ピンナー１上に載置され、空洞２を介して真空吸
引されることにより強固に保持される。この状態
でガラス基板３上にフオトレジスト４を滴下し、
スピンナー１および強固に保持されたガラス基板
３を回転させれば、滴下されたフオトレジストは
遠心力によつてガラス基板３の中心部から周縁部
に広がり、ガラス基板３の表面に極く薄く均一な
厚さで塗布される。
ところが、例えば分子量10万以上、あるいは粘
度40cps以上のフオトレジストを上記の方法で塗
布すると、第２図に示すようにガラス基板の回転
で飛ばされたフオトレジストの雫が長い糸を引く
ようになる。しかも、同図に示すように破線の回
転位置でガラス基板３の隅Ａからフオトレジスト
が飛散して糸を引いたままガラス基板３が実線位
置に回転すると、この糸４′がガラス基板３上に
乗つてしまうことが多い。ガラス基板３上に塗布
されるフオトレジスト膜は膜厚約5000Å程度と極
めて薄いのに対して、飛散したフオトレジストの
糸引き現象で生じる糸は肉眼ではつきりと確認で
きるほどに極めて太い。従つて、露光および現像
を行なつても、この糸が付着した部分では露光不
足となり、形成されるパターンに欠陥が生じるこ
とになる。
度40cps以上のフオトレジストを上記の方法で塗
布すると、第２図に示すようにガラス基板の回転
で飛ばされたフオトレジストの雫が長い糸を引く
ようになる。しかも、同図に示すように破線の回
転位置でガラス基板３の隅Ａからフオトレジスト
が飛散して糸を引いたままガラス基板３が実線位
置に回転すると、この糸４′がガラス基板３上に
乗つてしまうことが多い。ガラス基板３上に塗布
されるフオトレジスト膜は膜厚約5000Å程度と極
めて薄いのに対して、飛散したフオトレジストの
糸引き現象で生じる糸は肉眼ではつきりと確認で
きるほどに極めて太い。従つて、露光および現像
を行なつても、この糸が付着した部分では露光不
足となり、形成されるパターンに欠陥が生じるこ
とになる。
この場合、周囲の雰囲気におけるレジスト溶媒
濃度を零から飽和濃度まで変化させてみたが、糸
引き現象には影響がなかつた。また、糸をからめ
とるために基板が回転する周囲に輪あるいは棒を
静置してみたがあまり効果はなく、むしろこれに
よつて糸引きはより大きくなる。
濃度を零から飽和濃度まで変化させてみたが、糸
引き現象には影響がなかつた。また、糸をからめ
とるために基板が回転する周囲に輪あるいは棒を
静置してみたがあまり効果はなく、むしろこれに
よつて糸引きはより大きくなる。
上記の糸引き現象は半導体ウエハーの表面にフ
オトレジストを塗布する場合にも同様に生じる。
またレジスト塗布装置のなかには基体を真空吸引
によらず機械的に保持する構造のスピンナーを具
備したものもあるが、このようなレジスト塗布装
置を用いた場合にも同様に糸引き現象が生じる。
オトレジストを塗布する場合にも同様に生じる。
またレジスト塗布装置のなかには基体を真空吸引
によらず機械的に保持する構造のスピンナーを具
備したものもあるが、このようなレジスト塗布装
置を用いた場合にも同様に糸引き現象が生じる。
本発明は上述の事情に鑑みてなされたもので、
レジストの飛散により生じた糸が基体表面に付着
することなく、レジストを均一に塗布することが
できるレジスト塗布装置を提供するものである。
レジストの飛散により生じた糸が基体表面に付着
することなく、レジストを均一に塗布することが
できるレジスト塗布装置を提供するものである。
以下、第３図および第４図を参照して本発明の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第３図Ａは本発明の１実施例になるレジスト塗
布装置のスピンナーを示す平面図であり、同図Ｂ
はそのＢ―Ｂ線に沿う断面図である。これらの図
において、１１はスピンナーの基台である。該基
台１１の裏面には回転軸１２が一体に取付けられ
ている。また基台１１裏面近傍の回転軸１２部分
には４本のアーム１３１〜１３４が固着されてい
る。アーム１３１〜１３４の夫々には断面Ｌ字形
の基体止め１４１〜１４４が突設されており、図
中想像線で示す位置に載置されたマスク用のガラ
ス基板１５はこの基体止め１４１〜１４４に係止
されて保持される。一方、アーム１３１〜１３４
の先端には載置されるガラス基板１５の周囲を取
り囲む環状の壁体１６が固着されている。該壁体
１６は全体に末広がりになるように傾斜して設け
られている。
布装置のスピンナーを示す平面図であり、同図Ｂ
はそのＢ―Ｂ線に沿う断面図である。これらの図
において、１１はスピンナーの基台である。該基
台１１の裏面には回転軸１２が一体に取付けられ
ている。また基台１１裏面近傍の回転軸１２部分
には４本のアーム１３１〜１３４が固着されてい
る。アーム１３１〜１３４の夫々には断面Ｌ字形
の基体止め１４１〜１４４が突設されており、図
中想像線で示す位置に載置されたマスク用のガラ
ス基板１５はこの基体止め１４１〜１４４に係止
されて保持される。一方、アーム１３１〜１３４
の先端には載置されるガラス基板１５の周囲を取
り囲む環状の壁体１６が固着されている。該壁体
１６は全体に末広がりになるように傾斜して設け
られている。
上記構成からなるスピンナーの図中想像線で示
す位置に例えば方形のガラス基板１５を載置して
スピンナーを回転させれば、ガラス基板１５は基
板止め１４１〜１４４で係止されているからスピ
ンナーと共に回転する。こうして、ガラス基板１
５を回転させながらその表面にフオトレジストを
滴下して塗布する場合、ガラス基板１５の周縁部
（たいていはその四隅）からフオトレジストが糸
を引いて飛散しても、飛散したフオトレジストは
その囲りで同一の角速度で回転している壁体１６
に補捉されてそれ以上に糸を引くことはない。こ
の際、上記のように壁体１６が末広がりに傾斜さ
れていれば、補足されたフオトレジストの雫は壁
面に沿つて落下する。従つてこのフオトレジスト
の雫が壁体１６の上端から更に糸を引いて飛散
し、その糸がガラス基板１５上に付着するのを防
止することができる。補足されたフオトレジスト
の雫が壁体１６の下端から糸を引いて飛散したと
しても、壁体１６の下端はガラス基板１５よりも
下に延設されているから、この場合には糸がガラ
ス基板１５のレジスト塗布面に付着することはな
い。なお、環状の壁体１６の直径はガラス基板１
５に接触しない程度にできるだけ小さくするのが
望ましい。
す位置に例えば方形のガラス基板１５を載置して
スピンナーを回転させれば、ガラス基板１５は基
板止め１４１〜１４４で係止されているからスピ
ンナーと共に回転する。こうして、ガラス基板１
５を回転させながらその表面にフオトレジストを
滴下して塗布する場合、ガラス基板１５の周縁部
（たいていはその四隅）からフオトレジストが糸
を引いて飛散しても、飛散したフオトレジストは
その囲りで同一の角速度で回転している壁体１６
に補捉されてそれ以上に糸を引くことはない。こ
の際、上記のように壁体１６が末広がりに傾斜さ
れていれば、補足されたフオトレジストの雫は壁
面に沿つて落下する。従つてこのフオトレジスト
の雫が壁体１６の上端から更に糸を引いて飛散
し、その糸がガラス基板１５上に付着するのを防
止することができる。補足されたフオトレジスト
の雫が壁体１６の下端から糸を引いて飛散したと
しても、壁体１６の下端はガラス基板１５よりも
下に延設されているから、この場合には糸がガラ
ス基板１５のレジスト塗布面に付着することはな
い。なお、環状の壁体１６の直径はガラス基板１
５に接触しない程度にできるだけ小さくするのが
望ましい。
第４図Ａは本発明の他の実施例になるレジスト
塗布装置のスピンナーを示す平面図であり、同図
ＢはそのＢ―Ｂ線に沿う断面図である。この実施
例において、壁体は傾斜されずに垂直に設けら
れ、かつ四つに分割されている。分割された個々
の弧状の壁体１６1′〜１６4′はアーム１３１〜１
３４に夫々固着されている。そして、図中想像線
で示される位置に載置され、基台止め１４１〜１
４４に係止固定されるガラス基板１５の四隅が弧
状の壁体１６1′〜１６4′の間隙から外方に延出す
るように構成されている。その他の構成は総て第
３図の実施例と同じである。
塗布装置のスピンナーを示す平面図であり、同図
ＢはそのＢ―Ｂ線に沿う断面図である。この実施
例において、壁体は傾斜されずに垂直に設けら
れ、かつ四つに分割されている。分割された個々
の弧状の壁体１６1′〜１６4′はアーム１３１〜１
３４に夫々固着されている。そして、図中想像線
で示される位置に載置され、基台止め１４１〜１
４４に係止固定されるガラス基板１５の四隅が弧
状の壁体１６1′〜１６4′の間隙から外方に延出す
るように構成されている。その他の構成は総て第
３図の実施例と同じである。
ところで、方形のガラス基板１５をスピンナー
で回転しながらその表面にフオトレジストを塗布
する場合、フオトレジストの雫はガラス基板１５
の四隅から飛散する。従つて、上記構成からなる
スピンナーを用いてフオトレジストを塗布する
と、フオトレジストの雫はガラス基板１５の四隅
から壁体１６1′〜１６4′の外側に糸を引いて飛散
する。その結果、フオトレジストの飛散で形成さ
れた糸は壁体１６1′〜１６4′に阻まれて壁体１６
1′〜１６4′内のガラス基板１５上には付着するこ
とはなく、第３図の実施例と同様に優れたフオト
レジスト膜を形成できる効果が得られる。
で回転しながらその表面にフオトレジストを塗布
する場合、フオトレジストの雫はガラス基板１５
の四隅から飛散する。従つて、上記構成からなる
スピンナーを用いてフオトレジストを塗布する
と、フオトレジストの雫はガラス基板１５の四隅
から壁体１６1′〜１６4′の外側に糸を引いて飛散
する。その結果、フオトレジストの飛散で形成さ
れた糸は壁体１６1′〜１６4′に阻まれて壁体１６
1′〜１６4′内のガラス基板１５上には付着するこ
とはなく、第３図の実施例と同様に優れたフオト
レジスト膜を形成できる効果が得られる。
なお、上述の実施例は何れも基板止１４１〜１
４４により係止してガラス基板１５をスピンナー
上に固定する構成となつているが、ガラス基板１
５を真空吸引によつてスピンナー基台１１上に固
定する構成とすることももちろん可能である。
４４により係止してガラス基板１５をスピンナー
上に固定する構成となつているが、ガラス基板１
５を真空吸引によつてスピンナー基台１１上に固
定する構成とすることももちろん可能である。
また、第４図の実施例に示されるレジスト塗布
装置は例えばフオトマスクのガラス基板のような
方形の基板にしか適用できないが、第３図の実施
例に示される装置は半導体ウエハーのように略円
形の基体表面にフオトレジストを塗布する場合に
も適用することができる。この場合、基体をスピ
ンナー上に固定する方法としては真空吸引による
方が好ましい。
装置は例えばフオトマスクのガラス基板のような
方形の基板にしか適用できないが、第３図の実施
例に示される装置は半導体ウエハーのように略円
形の基体表面にフオトレジストを塗布する場合に
も適用することができる。この場合、基体をスピ
ンナー上に固定する方法としては真空吸引による
方が好ましい。
以上詳述したように、本発明のレジスト塗布装
置によれば、基体の周縁から飛散するフオトレジ
ストの雫の糸引き現象によつて形成された糸が基
体のフオトレジスト塗布面に付着するのを防止
し、もつて欠陥のないフオトレジストパターンを
形成できるという顕著な効果を奏することができ
る。
置によれば、基体の周縁から飛散するフオトレジ
ストの雫の糸引き現象によつて形成された糸が基
体のフオトレジスト塗布面に付着するのを防止
し、もつて欠陥のないフオトレジストパターンを
形成できるという顕著な効果を奏することができ
る。
第１図はスピンナーによるフオトレジストの塗
布方法を示す説明図、第２図は回転するガラス基
体から飛散したフオトレジストの糸引き現象と、
これによつて形成された糸がガラス基板のレジス
ト塗布面に付着する様子を示す説明図、第３図Ａ
は本発明の１実施例になるレジスト塗布装置のス
ピンナーを示す平面図、第３図Ｂは同図ＡのＢ―
Ｂ線に沿う断面図、第４図Ａは本発明の他の実施
例になるレジスト塗布装置のスピンナーを示す平
面図、第４図Ｂは同図ＡのＢ―Ｂ線に沿う断面図
である。 １１……スピンナー基台、１２……回転軸、１
３１〜１３４……アーム、１４１〜１４４……基
台止め、１５……ガラス基板、１６，１６1′〜１
６4′……壁体。
布方法を示す説明図、第２図は回転するガラス基
体から飛散したフオトレジストの糸引き現象と、
これによつて形成された糸がガラス基板のレジス
ト塗布面に付着する様子を示す説明図、第３図Ａ
は本発明の１実施例になるレジスト塗布装置のス
ピンナーを示す平面図、第３図Ｂは同図ＡのＢ―
Ｂ線に沿う断面図、第４図Ａは本発明の他の実施
例になるレジスト塗布装置のスピンナーを示す平
面図、第４図Ｂは同図ＡのＢ―Ｂ線に沿う断面図
である。 １１……スピンナー基台、１２……回転軸、１
３１〜１３４……アーム、１４１〜１４４……基
台止め、１５……ガラス基板、１６，１６1′〜１
６4′……壁体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジストを塗布すべき基体を保持して回転す
るスピンナーと、該スピンナーの周囲に設けられ
てこれと共に回転する環状壁体とを具備し、この
環状壁体を、その断面と前記スピンナー基台の主
面とで形成される内角を鋭角とすると共に、その
上端が前記スピンナーに保持された基体の主面よ
りも上方に位置し、且つその下端が前記基体の主
面よりも下方に位置するように設置したことを特
徴とするレジスト塗布装置。 ２ スピンナーの周囲に設けられた壁体が、スピ
ンナーに固定される基体におけるレジストの飛散
し易い隅部を壁体外方に延出させるために分割し
て設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP668581A JPS57121227A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Resist applying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP668581A JPS57121227A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Resist applying device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57121227A JPS57121227A (en) | 1982-07-28 |
| JPS6217851B2 true JPS6217851B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=11645205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP668581A Granted JPS57121227A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Resist applying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57121227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467135A (en) * | 1987-08-03 | 1989-03-13 | Rubbermaid Inc | Automatic water-supply planter |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4674724A (en) * | 1982-08-03 | 1987-06-23 | Future Apparatus Corporation | Collapsible stand especially for books |
| JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| DE4024642A1 (de) * | 1990-08-03 | 1992-02-06 | Ibm | Schleuderteller fuer substrate |
| JP2649219B2 (ja) * | 1995-05-01 | 1997-09-03 | ホーヤ株式会社 | スピンチャックおよび処理液塗布方法 |
| CN108996468B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-10-09 | 中国石油天然气股份有限公司 | 微米级玻璃刻蚀模型的封装方法及设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544936A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Nat Jutaku Kenzai | Rotary coating method of viscous material and apparatus therefor |
| JPS5472973A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Rotary applying unit |
-
1981
- 1981-01-20 JP JP668581A patent/JPS57121227A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544936A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Nat Jutaku Kenzai | Rotary coating method of viscous material and apparatus therefor |
| JPS5472973A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Rotary applying unit |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6467135A (en) * | 1987-08-03 | 1989-03-13 | Rubbermaid Inc | Automatic water-supply planter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57121227A (en) | 1982-07-28 |
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