JPS58200537A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS58200537A JPS58200537A JP8384382A JP8384382A JPS58200537A JP S58200537 A JPS58200537 A JP S58200537A JP 8384382 A JP8384382 A JP 8384382A JP 8384382 A JP8384382 A JP 8384382A JP S58200537 A JPS58200537 A JP S58200537A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- nozzle
- coating method
- resist coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はスピンコータを用いてウェハ等の基板表面に
レジスト薄膜を形成する際に１ウ工ハ裏面へのレジスト
の回シ込みゃ付着を防止するようにしたレジスト塗布方
法に関する。
レジスト薄膜を形成する際に１ウ工ハ裏面へのレジスト
の回シ込みゃ付着を防止するようにしたレジスト塗布方
法に関する。
第１図に従来のレジスト塗布方法を示す、っｔｂ、スピ
ンドル１１と同軸上に取付けられたパキ、−ムチャ、り
１２上にウェハ１３を固定する。そして、上記ウニ八１
３上方にあるアイス（ンスチューｆ１４よシレジスト１
５を一定量滴下する。ｔた、スピンドル１１の回転ト吉
もにウェハ１３は回転しているため滴下されたレジスト
１５は遠心力を受けてウェハ１３の半径方向に薄く広が
シ、余分なレジストはウェハ端面よシ振シ切られる。そ
して、上記スピン−Ｐル１１の回転数と上記レジスト１
ｓ（Ｄ粘度を調節するととＫよって、ウェハ１３の全表
面にわたって所望の厚さを得ているものである。こζで
、通常のスピンドル１１の回転数は１０００〜８０００
ｒｐｍ 、レゾスト粘度は２０〜Ｚｏｏ ｅｐ 、
ｍ布膜厚は数千又〜数μｍである。上記レジスト１５は
成膜材の樹脂と感光成分を有機溶剤に溶解したものであ
り、遠心力を受けてウニ６１３表面に薄く広がる際に有
機溶剤は蒸発しである程度硬化したレジスト薄膜が形成
されるものである。
ンドル１１と同軸上に取付けられたパキ、−ムチャ、り
１２上にウェハ１３を固定する。そして、上記ウニ八１
３上方にあるアイス（ンスチューｆ１４よシレジスト１
５を一定量滴下する。ｔた、スピンドル１１の回転ト吉
もにウェハ１３は回転しているため滴下されたレジスト
１５は遠心力を受けてウェハ１３の半径方向に薄く広が
シ、余分なレジストはウェハ端面よシ振シ切られる。そ
して、上記スピン−Ｐル１１の回転数と上記レジスト１
ｓ（Ｄ粘度を調節するととＫよって、ウェハ１３の全表
面にわたって所望の厚さを得ているものである。こζで
、通常のスピンドル１１の回転数は１０００〜８０００
ｒｐｍ 、レゾスト粘度は２０〜Ｚｏｏ ｅｐ 、
ｍ布膜厚は数千又〜数μｍである。上記レジスト１５は
成膜材の樹脂と感光成分を有機溶剤に溶解したものであ
り、遠心力を受けてウニ６１３表面に薄く広がる際に有
機溶剤は蒸発しである程度硬化したレジスト薄膜が形成
されるものである。
しかし１、従来のレジスト塗布方法ではレジストがウェ
ハ１３の裏面に□回り返み、ウェハ１３の端面にも多く
の硬化した・シストが付着してしまう現象が生じていた
。また、ウェア１１３の裏面にコータの力、プ内で霧状
になったレジメトが裏面に点状に付着してしまうという
現象が生じていた。
ハ１３の裏面に□回り返み、ウェハ１３の端面にも多く
の硬化した・シストが付着してしまう現象が生じていた
。また、ウェア１１３の裏面にコータの力、プ内で霧状
になったレジメトが裏面に点状に付着してしまうという
現象が生じていた。
第２図はレジストが塗布されたウェハ１３を裏面から見
た図で、１６はウェハ１３の裏面に回）込んだレジスト
、１７はウェハＪ３の裏面に点状に付着したレジストを
示している。
た図で、１６はウェハ１３の裏面に回）込んだレジスト
、１７はウェハＪ３の裏面に点状に付着したレジストを
示している。
また、第３図はレジストが塗布されたウェハ１３の一部
断面図を示すもので、レジストの回）込み及び霧状レジ
ストの裏面への付着をよく現わしている。
断面図を示すもので、レジストの回）込み及び霧状レジ
ストの裏面への付着をよく現わしている。
従って、第２図あるいは第３図に示したようにウェハＪ
ＪＣ）裏面に付着したレジストは露光時ウェハの平行平
面精度を下げる。このためウニへの搬送中にウェハが脱
落し、微細・母ターンの形成に悪影響を与えるという欠
点があった。
ＪＣ）裏面に付着したレジストは露光時ウェハの平行平
面精度を下げる。このためウニへの搬送中にウェハが脱
落し、微細・母ターンの形成に悪影響を与えるという欠
点があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたものでその目的は
レジスト塗布時のウェハの端面及び裏面へのレジストの
回）込みや霧状レジストの裏面への付着を防止して露光
時のウェハの平行平面精度を向上させ付着するレジスト
の脱落を防止するようにしたレジスト塗布方法を提供す
る仁とＫある。
レジスト塗布時のウェハの端面及び裏面へのレジストの
回）込みや霧状レジストの裏面への付着を防止して露光
時のウェハの平行平面精度を向上させ付着するレジスト
の脱落を防止するようにしたレジスト塗布方法を提供す
る仁とＫある。
スピンコータを用いてウェハにレジストを塗布する場合
、ウニ八回転中に裏面よ）レジスト溶剤を吹き付けてウ
ェハ上面よシ回）込んだレゾストを洗い流すようにして
いる。
、ウニ八回転中に裏面よ）レジスト溶剤を吹き付けてウ
ェハ上面よシ回）込んだレゾストを洗い流すようにして
いる。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第４図はスピンコータを示す図である。図において、２
１はスピンドルである。このスピンドル２１と同軸実に
バキュームチャ。
１はスピンドルである。このスピンドル２１と同軸実に
バキュームチャ。
り２２が取シ付けられている。そして、このパキ、−ム
チャ、り２２上にクエへ２３が固定される。また、上記
ウェハ２３上方にはディス−！ンスチューブ２４が設け
られて込る。このディスペンスチューブ２４からはレジ
スト２５がウェハ２３上に滴下される。また上記ウェハ
２３下方にはノズル２６が設けられている。このノズル
２６からはレジスト溶剤２７が上記ウェハ２３下面に吹
き付けられる。さらに、２８は力、ｆで、レジスト２５
及びレジスト溶剤２１の外部への飛び散シを防止してい
ゐ。
チャ、り２２上にクエへ２３が固定される。また、上記
ウェハ２３上方にはディス−！ンスチューブ２４が設け
られて込る。このディスペンスチューブ２４からはレジ
スト２５がウェハ２３上に滴下される。また上記ウェハ
２３下方にはノズル２６が設けられている。このノズル
２６からはレジスト溶剤２７が上記ウェハ２３下面に吹
き付けられる。さらに、２８は力、ｆで、レジスト２５
及びレジスト溶剤２１の外部への飛び散シを防止してい
ゐ。
次に、動作について説明する。まず、ウェハ２Ｊ上方Ｖ
Ｃあるディスペンスチューブ２４よりレジスト２５が一
定量滴下される。また、スピンドル２１の回転とともに
ウェハ２３は回転しているため滴下されたレジスト２５
は遠心力を受けてウェハ２３の半径方向に薄く広がシ、
余分衣レジストはウェハ端面よ）振シ切られる。
Ｃあるディスペンスチューブ２４よりレジスト２５が一
定量滴下される。また、スピンドル２１の回転とともに
ウェハ２３は回転しているため滴下されたレジスト２５
は遠心力を受けてウェハ２３の半径方向に薄く広がシ、
余分衣レジストはウェハ端面よ）振シ切られる。
この際、余分なレジストはウェハ２３１＆面に回〕込も
うとするが、上記ウェハ２３の下方に設けられているノ
ズル２６よ）噴射されるレノスト溶剤２７によシ洗い流
される。このため、余 ・分なレジストはウェハ２３
裏面には回り込まない。
うとするが、上記ウェハ２３の下方に設けられているノ
ズル２６よ）噴射されるレノスト溶剤２７によシ洗い流
される。このため、余 ・分なレジストはウェハ２３
裏面には回り込まない。
第５図はノズル２Ｃの形状を示す図で、同図■はノズル
２６から吹き出るレジスト溶剤２７の流れ方向がウェハ
２３′Ｉｋ面に対して直角なものを示す、ｔた同図側）
はノズル２６から吹き出るレジスト溶剤２７の流れ方向
がウェハ２３の半径方向に傾斜しているものを示す。ま
た、同図（Ｑはノズル２６から吹き出るレジスト溶剤２
７の流れ方向がウェハ２３の中心方向に傾斜しているも
のを示す、さらに、同図（ロ）はノズル２６の吹き出し
口が扇形をしておシ、レジスト溶剤２１の吹き出しが多
方向に及んでいるもの。
２６から吹き出るレジスト溶剤２７の流れ方向がウェハ
２３′Ｉｋ面に対して直角なものを示す、ｔた同図側）
はノズル２６から吹き出るレジスト溶剤２７の流れ方向
がウェハ２３の半径方向に傾斜しているものを示す。ま
た、同図（Ｑはノズル２６から吹き出るレジスト溶剤２
７の流れ方向がウェハ２３の中心方向に傾斜しているも
のを示す、さらに、同図（ロ）はノズル２６の吹き出し
口が扇形をしておシ、レジスト溶剤２１の吹き出しが多
方向に及んでいるもの。
また、同図（ト）はノズル２６が半径方向に移動するも
のを示している。
のを示している。
以上詳述したようにこの発明によれば、レジスト塗布時
、ウェハ裏面及び端面へのレジスト付着を防止すること
ができ、さらにフータの力、ゾ内に浮遊する霧状レジス
トのウェハ裏面への付着を防止することができる。さら
に、レジスト塗布処理が行なわれた後ウェハ裏面及び端
面は平らであるため、露光装置にパキ、−ムチャ、りで
固定する際にパキ、−ムチャ、り、ウェハの平行平面精
度を上げ、リングラフィの解像度及び合わせ精度を向上
させることができる。
、ウェハ裏面及び端面へのレジスト付着を防止すること
ができ、さらにフータの力、ゾ内に浮遊する霧状レジス
トのウェハ裏面への付着を防止することができる。さら
に、レジスト塗布処理が行なわれた後ウェハ裏面及び端
面は平らであるため、露光装置にパキ、−ムチャ、りで
固定する際にパキ、−ムチャ、り、ウェハの平行平面精
度を上げ、リングラフィの解像度及び合わせ精度を向上
させることができる。
また、ウェハを空気を用いて搬送する際、ウェハ裏面の
摩擦抵抗を低減させ、なめらがな搬送に寄与することが
できる。このことは処理能力の向上に効果がある。さら
に１ウエハ搬送中にウェハ裏面及び端面に付着するレジ
ストの脱落をなくし塵埃の発生を防止することができる
。
摩擦抵抗を低減させ、なめらがな搬送に寄与することが
できる。このことは処理能力の向上に効果がある。さら
に１ウエハ搬送中にウェハ裏面及び端面に付着するレジ
ストの脱落をなくし塵埃の発生を防止することができる
。
さらＫｔ九、コータカッゾ内壁に付着したレノストをレ
ゾスト溶剤にょシ洗い流すことができるのでコータカ、
ｆ内の洗浄に効果がある。さらに１ウ工ハ裏面よシ吹き
付けられた溶媒はスピンドル室内に充満するため、レジ
スト塗布中にレジスト溶媒の急速な蒸発を防ぎ、膜厚分
布の均一化を計ることができる。さらに、周辺部のレジ
ストを溶媒で溶解飛散させることにょシ膜厚分布の均一
化を計ることができる。
ゾスト溶剤にょシ洗い流すことができるのでコータカ、
ｆ内の洗浄に効果がある。さらに１ウ工ハ裏面よシ吹き
付けられた溶媒はスピンドル室内に充満するため、レジ
スト塗布中にレジスト溶媒の急速な蒸発を防ぎ、膜厚分
布の均一化を計ることができる。さらに、周辺部のレジ
ストを溶媒で溶解飛散させることにょシ膜厚分布の均一
化を計ることができる。
第１図は従来のレジスト塗布方法を示す図、第２図は従
来のレジスト塗布方法でレジストが８− 塗布されたウェハを裏面から見た図、第３図は従来のレ
ジスト塗布方法でレジストが塗布されたウェハの一部断
面図、第４図はこの発明の一実施例を示すレジスト塗布
方法を示す図、第５図に）ないしくト）はそれぞれノズ
ルの形、状を示す図である。 ２１・・・スピンドル、２２・・・／４キ、−ムチャ。 り、２３・・・ウェハ、２４・・・ディスペンスチュー
ブ、２５・・・レジスト、２６・・・ノズル。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ２第１図 慎２図 慎３図 ｏ Ｊ８・ρ・べ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、事件の表示 ％動昭５７−８３８４３号 ２、発明の名称 レジスト塗布方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目部番５号 第１７森ピル
〒１０５ 電話０３ （５０２） ３１８１ （大
代表） 、’ ；、、 、、 ：％。 ５、自発補正 ７、補正Ω内容 （１） 明細書第４頁第１３行目ないし第１４行目に
「このため、ウェハの搬送中にウエノ・が脱落し、」と
あるを「このため、ウエノ１搬送中にウェハの裏面に回
り込んだり付着したレジストが落脱し、それが再度ウエ
ノ１表面に付着することにより、」と訂正する。
来のレジスト塗布方法でレジストが８− 塗布されたウェハを裏面から見た図、第３図は従来のレ
ジスト塗布方法でレジストが塗布されたウェハの一部断
面図、第４図はこの発明の一実施例を示すレジスト塗布
方法を示す図、第５図に）ないしくト）はそれぞれノズ
ルの形、状を示す図である。 ２１・・・スピンドル、２２・・・／４キ、−ムチャ。 り、２３・・・ウェハ、２４・・・ディスペンスチュー
ブ、２５・・・レジスト、２６・・・ノズル。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 ２第１図 慎２図 慎３図 ｏ Ｊ８・ρ・べ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、事件の表示 ％動昭５７−８３８４３号 ２、発明の名称 レジスト塗布方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目部番５号 第１７森ピル
〒１０５ 電話０３ （５０２） ３１８１ （大
代表） 、’ ；、、 、、 ：％。 ５、自発補正 ７、補正Ω内容 （１） 明細書第４頁第１３行目ないし第１４行目に
「このため、ウェハの搬送中にウエノ・が脱落し、」と
あるを「このため、ウエノ１搬送中にウェハの裏面に回
り込んだり付着したレジストが落脱し、それが再度ウエ
ノ１表面に付着することにより、」と訂正する。
Claims (6)
- （１） スピンコータを用いてクエへにレジストを塗
布するレジスト塗布方法において、クエへ回転中にウェ
ハの下方に設けられたノズルよシレノスト溶剤をウェハ
裏面に吹き付けてウェハ上面よりｎｂ込んだレジストを
洗い流すようにしたことを特徴とするレジスト塗布方法
。 - （２）上記ノズルの吹き出し口は王妃つニへに対して直
角方向に位置していることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のレジスト塗布方法。 - （３）上記ノズルの吹き出し口は上記ウェハの半径方向
に傾斜していることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のレジスト塗布方法。 - （４）上記ノズルの吹き出し口は上記ウェハの中心方向
に傾ｆＡＬ、ていることを特徴とする特許請求のＷｒ！
凹第１項記蓼のレジスト塗布方法。 - （５）上記ノズルの吹き出し口は扇形の形状をしてい゛
ることを特徴とする。ｆ４Ｉ′１１ｆ請求の範囲第１項
記載のレジスト塗布方法。 - （６）上記ノズルの吹き出し口は上記ウニへの半径方向
に移動することが中きることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8384382A JPS58200537A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8384382A JPS58200537A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200537A true JPS58200537A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13813984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8384382A Pending JPS58200537A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JPH03241820A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132972A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-18 | Ibm | Method of etching |
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS52144277A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing device of semiconductor |
| JPS5412123A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-29 | Obayashi Gumi Kk | Method of placing concrete through concrete pump |
| JPS54125981A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Nec Corp | Semiconductor washing device |
| JPS5752132A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Toshiba Corp | Manufacturing apparatus for semiconductor |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP8384382A patent/JPS58200537A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132972A (en) * | 1975-04-28 | 1976-11-18 | Ibm | Method of etching |
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
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| JPS54125981A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Nec Corp | Semiconductor washing device |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
| JPH03241820A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
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