JPS62221464A - 回転塗布用真空吸着台 - Google Patents
回転塗布用真空吸着台Info
- Publication number
- JPS62221464A JPS62221464A JP6347386A JP6347386A JPS62221464A JP S62221464 A JPS62221464 A JP S62221464A JP 6347386 A JP6347386 A JP 6347386A JP 6347386 A JP6347386 A JP 6347386A JP S62221464 A JPS62221464 A JP S62221464A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- vacuum suction
- back surface
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハやガラスマスクなどの製造に
必要なフォトレジストの塗布に用いる回転塗布用真空吸
着台に関するものである。
必要なフォトレジストの塗布に用いる回転塗布用真空吸
着台に関するものである。
半導体装置のウェハやガラスマスク上に各種電極パター
ンを写真製版技術を用いて転写する時、感光性樹脂であ
るフォトレジストが用いられる。
ンを写真製版技術を用いて転写する時、感光性樹脂であ
るフォトレジストが用いられる。
そしてこのフォトレジストをウェハやガラスマスクに均
一にむらなく塗布する方法として回転塗布法が採用され
ている 第６図は従来の回転塗布装置に用いられている真空吸着
台を示すものであり、第６図イ１口において、１は真空
吸着台、１ａはその吸着面、１ｂは裏面、１ｃは回転軸
、ｌｄは吸着溝、ｌｅは真空吸着穴である。そしてその
吸着面ｌｅ上に第７図のようにウェハ２などの被塗布物
を載置し、真空吸着穴１ｅを通してこれを真空吸着して
のち、ウェハ２の上に塗布しようとするフォトレジスト
３を滴下し、真空吸着台１の回転軸】Ｃに直結されたモ
ータ（図示せず）を高速回転することにより、ウェハ２
を高速回転し、その時に生じる遠心力により余分なフォ
トレジスト３を飛散させて回転塗布するものであった。
一にむらなく塗布する方法として回転塗布法が採用され
ている 第６図は従来の回転塗布装置に用いられている真空吸着
台を示すものであり、第６図イ１口において、１は真空
吸着台、１ａはその吸着面、１ｂは裏面、１ｃは回転軸
、ｌｄは吸着溝、ｌｅは真空吸着穴である。そしてその
吸着面ｌｅ上に第７図のようにウェハ２などの被塗布物
を載置し、真空吸着穴１ｅを通してこれを真空吸着して
のち、ウェハ２の上に塗布しようとするフォトレジスト
３を滴下し、真空吸着台１の回転軸】Ｃに直結されたモ
ータ（図示せず）を高速回転することにより、ウェハ２
を高速回転し、その時に生じる遠心力により余分なフォ
トレジスト３を飛散させて回転塗布するものであった。
ところが以上のような従来の真空吸着台１を用いてフォ
トレジスト３を回転塗布すると第８図の様にウェハ２の
外周付近では遠心力Ａが働いてフォトレジスト３が飛散
されるが、この際フォトレジスト３の表面張力によりウ
ェハ２の裏面にまオ〕り込む場合が生じる。
トレジスト３を回転塗布すると第８図の様にウェハ２の
外周付近では遠心力Ａが働いてフォトレジスト３が飛散
されるが、この際フォトレジスト３の表面張力によりウ
ェハ２の裏面にまオ〕り込む場合が生じる。
一般にウェハ等の写真製版を行う写真製版装置は、ウェ
ハ等を真空吸着し、フォトマスクとウェハの平行度出し
を行い、電極パターンを転写するが、上記の様にウェハ
裏面にフォトレジストがまわり込むと、写真製版装置の
真空吸着台に真空吸着できなかったり、ウニへの平行度
出しが正確にできないｔこめ、電極パターンの転写が正
確に実施できない等、写真製版工程の不良率を増加させ
ている原因の一つとなっていた。
ハ等を真空吸着し、フォトマスクとウェハの平行度出し
を行い、電極パターンを転写するが、上記の様にウェハ
裏面にフォトレジストがまわり込むと、写真製版装置の
真空吸着台に真空吸着できなかったり、ウニへの平行度
出しが正確にできないｔこめ、電極パターンの転写が正
確に実施できない等、写真製版工程の不良率を増加させ
ている原因の一つとなっていた。
この発明は以上のような従来の欠点を解消するためにな
されたもので、ウェハ裏面にフォトレジスト 着台を得ろことを目的としている。
されたもので、ウェハ裏面にフォトレジスト 着台を得ろことを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る回転塗布用真空吸着台は、吸着面の裏面
を曲面又は斜面に形成し、かつ吸着台の回転軸と平行で
同心円状にガスをふき出すノズルを設けたものである。
を曲面又は斜面に形成し、かつ吸着台の回転軸と平行で
同心円状にガスをふき出すノズルを設けたものである。
この発明では、ノズルよりふき出すガスにより、ウェハ
裏面に回転の中心から外周方向へ向かう流れを作り、こ
の流れによってウェハ裏面のレジストのまわり込みを防
止するものである。
裏面に回転の中心から外周方向へ向かう流れを作り、こ
の流れによってウェハ裏面のレジストのまわり込みを防
止するものである。
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示す断面図と斜
視図であり、真空吸着台１の吸着面１ａの裏１ｂに半径
Ｒの曲面１ｆを形成し、また回転軸１ｃの周りに、該回
転軸と平行で同心円状にＮ２ガスなどをふき出すノズル
４を配置したものである。なお４ａはガス供給用ニップ
ルである。
視図であり、真空吸着台１の吸着面１ａの裏１ｂに半径
Ｒの曲面１ｆを形成し、また回転軸１ｃの周りに、該回
転軸と平行で同心円状にＮ２ガスなどをふき出すノズル
４を配置したものである。なお４ａはガス供給用ニップ
ルである。
このようなものにおいて、回転軸】Ｃは高速回転用のモ
ータに連結され、真空吸着穴１ｅは真空源に、又ニップ
ル４ａは例えばＮ２ガス供給源にそれぞれ接続される。
ータに連結され、真空吸着穴１ｅは真空源に、又ニップ
ル４ａは例えばＮ２ガス供給源にそれぞれ接続される。
そしてこの吸着台１を用いてウェハ２にフォトレジスト
３を回転塗布するには、従来と同様にまず第３図の様に
吸着面ｌａ上にウェハ２を置き、真空吸着穴１ｅを通し
て真空吸着する。次にフォトレジスト３を滴下し、モー
タを回転させることにより吸着台１を高速回転し、フォ
トレジスト３を遠心力Ａによりウェハ外局方向に飛散さ
せると同時に、回転軸ＩＣに平行で同心円状に配置され
たノズル４によりニップル４ａより供給されるＮ２ガス
５をふき出す。ふき出ｆ：．Ｎ２ガスは矢印Ｂの様に、
回転軸１ｅ，吸着面１＆の裏面】ｂの曲面１ｆを通って
ウェハ２の外周方向に流れて行くが、この時Ｎ２ガスの
流れＢは第４図の様にウェハ裏面に沿ってウェハの外周
方向に流通するため、従来の様にフォトレジスト３の表
面張力によるウェハ表面へのまわり込みを防ぐことがで
きろ。
３を回転塗布するには、従来と同様にまず第３図の様に
吸着面ｌａ上にウェハ２を置き、真空吸着穴１ｅを通し
て真空吸着する。次にフォトレジスト３を滴下し、モー
タを回転させることにより吸着台１を高速回転し、フォ
トレジスト３を遠心力Ａによりウェハ外局方向に飛散さ
せると同時に、回転軸ＩＣに平行で同心円状に配置され
たノズル４によりニップル４ａより供給されるＮ２ガス
５をふき出す。ふき出ｆ：．Ｎ２ガスは矢印Ｂの様に、
回転軸１ｅ，吸着面１＆の裏面】ｂの曲面１ｆを通って
ウェハ２の外周方向に流れて行くが、この時Ｎ２ガスの
流れＢは第４図の様にウェハ裏面に沿ってウェハの外周
方向に流通するため、従来の様にフォトレジスト３の表
面張力によるウェハ表面へのまわり込みを防ぐことがで
きろ。
なお上記実施例では、吸着台１の裏面１ｈは半径Ｒの曲
面としたが、第５図の様に単に斜面１ｇにしても同様な
効果を得る乙とができる。又ノズルよりふき出すガスは
Ｎ２ガス以外のガスでも良く、またその圧力及び流量は
塗布するフォトレジストの粘度及び塗布時の回転数によ
り適宜選び得る。
面としたが、第５図の様に単に斜面１ｇにしても同様な
効果を得る乙とができる。又ノズルよりふき出すガスは
Ｎ２ガス以外のガスでも良く、またその圧力及び流量は
塗布するフォトレジストの粘度及び塗布時の回転数によ
り適宜選び得る。
まｔこノズルから″ふき出すガスにレジストを溶かす溶
剤の蒸気を混合させるようにすると尚有効である。
剤の蒸気を混合させるようにすると尚有効である。
以上のようにこの発明によれば、ウェハ裏面にフォトレ
ジスト等でかまわり込むことがなくなるので、写真製版
作業の精度が向上し、不良率を減らすことができる。又
、割れたウェハ等の変形ウェハにフォトレジストを回転
塗布する場合でも裏面へのまわり込みを防ぐことができ
るなどの効果を有する。
ジスト等でかまわり込むことがなくなるので、写真製版
作業の精度が向上し、不良率を減らすことができる。又
、割れたウェハ等の変形ウェハにフォトレジストを回転
塗布する場合でも裏面へのまわり込みを防ぐことができ
るなどの効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例による回転塗布用真空吸着
台を示す断面図、第２図はその斜視図、第３図、第４図
は作用説明図、第５図はこの発明の他の実施例を示す断
面図、第６図は従来の回転塗布用真空吸着台を示す平面
図イと断面図口、第７図、第８図は従来の吸着台の作用
説明図である。 図中、１は吸着台、１ａは吸着面、１ｂは裏面、１ｃは
回転軸、ｌｄは吸着溝、１ｅは吸着穴、１ｆは曲面、１
ｇはＭ面、２はウェハ、３はフォトレジスト、４はノズ
ル、５ばＮ２ガスである。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
台を示す断面図、第２図はその斜視図、第３図、第４図
は作用説明図、第５図はこの発明の他の実施例を示す断
面図、第６図は従来の回転塗布用真空吸着台を示す平面
図イと断面図口、第７図、第８図は従来の吸着台の作用
説明図である。 図中、１は吸着台、１ａは吸着面、１ｂは裏面、１ｃは
回転軸、ｌｄは吸着溝、１ｅは吸着穴、１ｆは曲面、１
ｇはＭ面、２はウェハ、３はフォトレジスト、４はノズ
ル、５ばＮ２ガスである。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）吸着面と回転軸とが直角である回転塗布用真空吸
着台において、上記吸着面の裏面を曲面または斜面に形
成するとともに、上記回転軸の周りに該回転軸の外周よ
り上記曲面または斜面に沿ってガスをふき出すノズルを
備えたことを特徴とする回転塗布用真空吸着台。 - （２）ノズルからふき出すガスにレジストを溶かす溶剤
の蒸気を混合させるようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の回転塗布用真空吸着台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6347386A JPS62221464A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 回転塗布用真空吸着台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6347386A JPS62221464A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 回転塗布用真空吸着台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221464A true JPS62221464A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13230234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6347386A Pending JPS62221464A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 回転塗布用真空吸着台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221464A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277227A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-13 | Hitachi Ltd | 部品処理装置 |
| JPH04156974A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-29 | Origin Electric Co Ltd | スピンナ装置 |
| JPH0487774U (ja) * | 1990-12-12 | 1992-07-30 | ||
| EP0810478A2 (en) * | 1996-05-22 | 1997-12-03 | Applied Materials, Inc. | A coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing |
| US6302960B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Photoresist coater |
| JP2007048814A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS5864027A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6347386A patent/JPS62221464A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123172A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS5864027A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02277227A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-13 | Hitachi Ltd | 部品処理装置 |
| JPH04156974A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-29 | Origin Electric Co Ltd | スピンナ装置 |
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| EP0810478A2 (en) * | 1996-05-22 | 1997-12-03 | Applied Materials, Inc. | A coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing |
| EP0810478A3 (en) * | 1996-05-22 | 1998-04-15 | Applied Materials, Inc. | A coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing |
| US6248398B1 (en) | 1996-05-22 | 2001-06-19 | Applied Materials, Inc. | Coater having a controllable pressurized process chamber for semiconductor processing |
| US6302960B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Photoresist coater |
| JP2007048814A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
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