JPS5987069A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS5987069A JPS5987069A JP19552382A JP19552382A JPS5987069A JP S5987069 A JPS5987069 A JP S5987069A JP 19552382 A JP19552382 A JP 19552382A JP 19552382 A JP19552382 A JP 19552382A JP S5987069 A JPS5987069 A JP S5987069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- disc
- sample
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はホトプロセス工程において、レジスト液をスピ
ンフート方式で塗布するレジスト布装置の改良に関する
ものである。
ンフート方式で塗布するレジスト布装置の改良に関する
ものである。
（ｂ）技術の背景
ウェハ上に所望のパターンを得るために不必要部分を光
学的及び化学的処理により取除くホトエツチング技術で
あって、不必要部分を一般には化学薬品によりエツチン
グを行うが、このエツチングに対する保護膜が必要とな
る。この保護膜としてレジスト塗布を行なうが特に大型
化されつつあるウェハ上に均一な膜厚のレジスト膜を形
成する必要がある。レジスト８層が薄くなると微細パタ
ーンの形成には有利となる反面、ピンホールが生％ じ易くパターンの性能をタカ化させる。
学的及び化学的処理により取除くホトエツチング技術で
あって、不必要部分を一般には化学薬品によりエツチン
グを行うが、このエツチングに対する保護膜が必要とな
る。この保護膜としてレジスト塗布を行なうが特に大型
化されつつあるウェハ上に均一な膜厚のレジスト膜を形
成する必要がある。レジスト８層が薄くなると微細パタ
ーンの形成には有利となる反面、ピンホールが生％ じ易くパターンの性能をタカ化させる。
０ 従来技術と問題点
スヒｙ ニア −）法によシ得られる膜厚はレジスト液
の粘度、スピンナの回転速度、レジスト液の溶剤、更に
スピンナの初期回転加速の関ｆｌＫよって決まる。−万
りエバは近年微細加工技術の発展に伴い高密度、高集積
化の傾向によシ大ロ径のクエハガ看ボ萩４磨Ｚ披炒瞥メ
峡〃存泳膚膚廓ゲ４ｚ贋市ρ額刷ぽｅｔ広グ径ｑグヂφ
が用いられ均一な膜厚となるよう塗布することが困難と
なっている。しかも滴下するレジスト液に対して形成さ
れるウェハ上の膜厚は数ミクロンであって被着量はレジ
スト液全体の数パーセントにすぎず効率が悪い。第１図
は従来のレジスト塗布装置を示す構成図である。図中１
はクリーンブース２内でスピンコード法によりレジスト
液をウェハ３上に塗布するレジスト塗布装置であって、
レジスト槽４からシリンダー５を介してベローポンプ６
ｉＣ一定ｆｉ＋７）レジスト液を送り込み、ペローポン
プ６を圧して一定量のレジスト液をウェハ３上に滴下す
る。ウェハ３を載置するウェハホルダー７の回転によζ
ウェハ３上に滴下てれたレジスト液に中央部から周辺部
に拡散ぜれる。その配管系にはシリンダー５と遅動する
チェックパルプＶＩＢＶ２を配設し矢印で示す方向に流
動する。ベローポンプ６へのレジスト充填にｉＶｌを開
とし、Ｖ２を閉じる。レジスト液適下に（はＶｌは閉、
Ｖ２は開となる。更ルジスト液の拡散時余剰レジスト液
が回転するウェハ３上［４れないよう液の流量を調整す
るニードル弁８を設ける。またレジスト液内に介在する
塵埃を除去するためのＰＡｊａ９を設けて構成される。
の粘度、スピンナの回転速度、レジスト液の溶剤、更に
スピンナの初期回転加速の関ｆｌＫよって決まる。−万
りエバは近年微細加工技術の発展に伴い高密度、高集積
化の傾向によシ大ロ径のクエハガ看ボ萩４磨Ｚ披炒瞥メ
峡〃存泳膚膚廓ゲ４ｚ贋市ρ額刷ぽｅｔ広グ径ｑグヂφ
が用いられ均一な膜厚となるよう塗布することが困難と
なっている。しかも滴下するレジスト液に対して形成さ
れるウェハ上の膜厚は数ミクロンであって被着量はレジ
スト液全体の数パーセントにすぎず効率が悪い。第１図
は従来のレジスト塗布装置を示す構成図である。図中１
はクリーンブース２内でスピンコード法によりレジスト
液をウェハ３上に塗布するレジスト塗布装置であって、
レジスト槽４からシリンダー５を介してベローポンプ６
ｉＣ一定ｆｉ＋７）レジスト液を送り込み、ペローポン
プ６を圧して一定量のレジスト液をウェハ３上に滴下す
る。ウェハ３を載置するウェハホルダー７の回転によζ
ウェハ３上に滴下てれたレジスト液に中央部から周辺部
に拡散ぜれる。その配管系にはシリンダー５と遅動する
チェックパルプＶＩＢＶ２を配設し矢印で示す方向に流
動する。ベローポンプ６へのレジスト充填にｉＶｌを開
とし、Ｖ２を閉じる。レジスト液適下に（はＶｌは閉、
Ｖ２は開となる。更ルジスト液の拡散時余剰レジスト液
が回転するウェハ３上［４れないよう液の流量を調整す
るニードル弁８を設ける。またレジスト液内に介在する
塵埃を除去するためのＰＡｊａ９を設けて構成される。
所望の膜更が尋らｎるようペローポンプ６に充填するレ
ジスト液量は規定されるが大口径のウェハでは均一な膜
厚を得ることは容易でなく中心が厚く周辺部で薄くなる
傾向がある。更は高速回転するウェハ上に生ずる気流に
よって放射状の膜厚むらいわゆる穐離を生ずることがあ
る。
ジスト液量は規定されるが大口径のウェハでは均一な膜
厚を得ることは容易でなく中心が厚く周辺部で薄くなる
傾向がある。更は高速回転するウェハ上に生ずる気流に
よって放射状の膜厚むらいわゆる穐離を生ずることがあ
る。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の欠点に みウェハ上に滴下したレジスト
液面上に円板を押しつけ強制的にレジスト液を拡散させ
更にスピンコードする塗布手段の提供を目的とする。
液面上に円板を押しつけ強制的にレジスト液を拡散させ
更にスピンコードする塗布手段の提供を目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば試料上を上下に移動する円板
を有し、該円板を支持する支持板と該試料を載Ｃｆｉす
るテーブルとが同一の回転軸に固定さｎ一体的に回転す
る機構を備えることにより達せられる。
を有し、該円板を支持する支持板と該試料を載Ｃｆｉす
るテーブルとが同一の回転軸に固定さｎ一体的に回転す
る機構を備えることにより達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によフ詳述する。
第２図は本発明の一実施例である塗布機構を示す側面図
である。
である。
図において回転軸１３に固定をれウェハ１１を載置する
ウェハホルダー１２から成る回転系と円板１４を上下に
移動するシリンダ−１５、真空吸着機１６からなる円板
系でイ１ｑ成され、更に円板１４を支持する支持板１７
は回転軸１３に固定さｆ′ｌ−（基板１１と円板１４は
同一回転軸系により回転動作を行う塗布機構である。操
作手順はまずシリンヤツク１８は円板１４の上面に接し
円板１４を吸着する。しかσ後にシリンダー１５の圧気
パルプｖ１を開とし、ｖ２を閉じてシリンダー１５を動
作させることにより円板１４を浮上させる。レジスト液
を円板１４の中央に設けた導入口１４ａよりウェハ１１
の主面に滴下する。仄にシリ／ダ−１５を静止位置とな
るよう復帰させることにより円板１４：’ｆｆレジスト
液面を押圧してウェハ１１の中央よシ周辺部にかけてレ
ジスト液を拡散させる。円板１４（１円板支持板１７に
設けたストッパー１７メａに係止さ九円板１４とウェハ
１１とは一定量１系りをなすよう位置決めする。従って
レジスト液ε は一定隙ｈｌｌなし−Ｃ７Ｃ７ニハ１に拡散される。
ウェハホルダー１２から成る回転系と円板１４を上下に
移動するシリンダ−１５、真空吸着機１６からなる円板
系でイ１ｑ成され、更に円板１４を支持する支持板１７
は回転軸１３に固定さｆ′ｌ−（基板１１と円板１４は
同一回転軸系により回転動作を行う塗布機構である。操
作手順はまずシリンヤツク１８は円板１４の上面に接し
円板１４を吸着する。しかσ後にシリンダー１５の圧気
パルプｖ１を開とし、ｖ２を閉じてシリンダー１５を動
作させることにより円板１４を浮上させる。レジスト液
を円板１４の中央に設けた導入口１４ａよりウェハ１１
の主面に滴下する。仄にシリ／ダ−１５を静止位置とな
るよう復帰させることにより円板１４：’ｆｆレジスト
液面を押圧してウェハ１１の中央よシ周辺部にかけてレ
ジスト液を拡散させる。円板１４（１円板支持板１７に
設けたストッパー１７メａに係止さ九円板１４とウェハ
１１とは一定量１系りをなすよう位置決めする。従って
レジスト液ε は一定隙ｈｌｌなし−Ｃ７Ｃ７ニハ１に拡散される。
しかるｋ Ｉｆこ吸着チャック１８を開放しシリンダー
１５を再び動作させた図示する状態でスピンコードする
ものである。本実施例では円板１４の累材にレジメ）ｉ
Ｋ対して付着性の少ないテフロン材を用い前述した円板
１４とウェハ１１との間隙りを０．１１とすることによ
り均一 な膜厚が得られた。しがも従来に比してレジス
ト液量を大巾に減小させる利点がある。スピンコードす
るウエノ・上に微小の間隙を有して円板が介在するから
放射状に発生する睦離の膜厚むらも防止できる。また円
板の保持機構に真空吸着機を用いたが他の方法例えば磁
性材に破水性の樹脂をコーチノブした円板に磁性チャッ
クを用いて吸着させ円板を保持、及び開放させてもよい
。
１５を再び動作させた図示する状態でスピンコードする
ものである。本実施例では円板１４の累材にレジメ）ｉ
Ｋ対して付着性の少ないテフロン材を用い前述した円板
１４とウェハ１１との間隙りを０．１１とすることによ
り均一 な膜厚が得られた。しがも従来に比してレジス
ト液量を大巾に減小させる利点がある。スピンコードす
るウエノ・上に微小の間隙を有して円板が介在するから
放射状に発生する睦離の膜厚むらも防止できる。また円
板の保持機構に真空吸着機を用いたが他の方法例えば磁
性材に破水性の樹脂をコーチノブした円板に磁性チャッ
クを用いて吸着させ円板を保持、及び開放させてもよい
。
＠ 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の塗布機構とすること
によりウェハ上に形成されろ膜質は厚さむらのない均一
な膜厚が賜られ信頼性が向上するとともにレジスト液が
従来に比して大巾に節減できる大きな効果がある。
によりウェハ上に形成されろ膜質は厚さむらのない均一
な膜厚が賜られ信頼性が向上するとともにレジスト液が
従来に比して大巾に節減できる大きな効果がある。
第１図は従来のレジスト塗布装置を示す溝成区第２図は
本発明の一実施例である塗布装置を示す側面図であるう 図中 １１・・・・・・ウェハ、 １２・・団・クエ
ハホルダ）１３・・・・・・口伝軸、 １４・・・・・
・円板、 １５・旧・・シリンダー １６・・・・・
真空吸着機、 １７・・・・・・支持板、１８・・・・
・・吸着テヤノ久、 ′０几
本発明の一実施例である塗布装置を示す側面図であるう 図中 １１・・・・・・ウェハ、 １２・・団・クエ
ハホルダ）１３・・・・・・口伝軸、 １４・・・・・
・円板、 １５・旧・・シリンダー １６・・・・・
真空吸着機、 １７・・・・・・支持板、１８・・・・
・・吸着テヤノ久、 ′０几
Claims (1)
- 試料上を上下に移動する円板を有し、該円板を支持する
支持板と該試料を載置するホルダーとが同一の回転軸に
固定され一体的に回転する機前を備えてなることを特徴
とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552382A JPS5987069A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552382A JPS5987069A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987069A true JPS5987069A (ja) | 1984-05-19 |
Family
ID=16342503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19552382A Pending JPS5987069A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987069A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889069A (en) * | 1987-11-23 | 1989-12-26 | Tazmo Co., Ltd. | Substrate coating equipment |
| US5099782A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-31 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| US5209180A (en) * | 1991-03-28 | 1993-05-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Spin coating apparatus with an upper spin plate cleaning nozzle |
| US5234499A (en) * | 1990-06-26 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. | Spin coating apparatus |
| US5260174A (en) * | 1989-02-17 | 1993-11-09 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19552382A patent/JPS5987069A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889069A (en) * | 1987-11-23 | 1989-12-26 | Tazmo Co., Ltd. | Substrate coating equipment |
| US5099782A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-31 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| US5260174A (en) * | 1989-02-17 | 1993-11-09 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| US5234499A (en) * | 1990-06-26 | 1993-08-10 | Dainippon Screen Mgf. Co., Ltd. | Spin coating apparatus |
| US5209180A (en) * | 1991-03-28 | 1993-05-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Spin coating apparatus with an upper spin plate cleaning nozzle |
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