JPH04206626A - 周辺レジスト除去方法 - Google Patents
周辺レジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH04206626A JPH04206626A JP2330132A JP33013290A JPH04206626A JP H04206626 A JPH04206626 A JP H04206626A JP 2330132 A JP2330132 A JP 2330132A JP 33013290 A JP33013290 A JP 33013290A JP H04206626 A JPH04206626 A JP H04206626A
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- JP
- Japan
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- resist
- wafer
- resist film
- peripheral
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「発明の目的」
本発明は、半導体ウェハ周辺部のレジストを除去する除
去方法に関するものである。
去方法に関するものである。
半導体製造工程中には、半導体ウェハ上にレジストを塗
布し、次いで所定のパターンに露光と現像工程を施し、
更にエツチング等の種々の処理工程を経るものがある。 レジストを塗布した半導体ウェハは、搬送時に搬送機構
等との接触によりウェハ周辺部のレジストが剥離して飛
散し、この飛散部分のレジストが半導体ウェハに付着し
て不良品となることがしばしば生じる。特に、最近のよ
うに露光の線幅が狭くウェハの高密度化に伴って、レジ
スト剥離による歩留まりの低下が大きな問題となってい
る。 そこで、通常、半導体ウェハ周辺部のレジストをあらか
じめ除去する方法が提案されている。 この方法には、溶剤を周辺部に噴射して除去する溶剤除
去方法、ガスを周辺部に吹き付けて除去する方法あるい
は周辺部−を露光させて除去する周辺露光方法等が知ら
れている。
布し、次いで所定のパターンに露光と現像工程を施し、
更にエツチング等の種々の処理工程を経るものがある。 レジストを塗布した半導体ウェハは、搬送時に搬送機構
等との接触によりウェハ周辺部のレジストが剥離して飛
散し、この飛散部分のレジストが半導体ウェハに付着し
て不良品となることがしばしば生じる。特に、最近のよ
うに露光の線幅が狭くウェハの高密度化に伴って、レジ
スト剥離による歩留まりの低下が大きな問題となってい
る。 そこで、通常、半導体ウェハ周辺部のレジストをあらか
じめ除去する方法が提案されている。 この方法には、溶剤を周辺部に噴射して除去する溶剤除
去方法、ガスを周辺部に吹き付けて除去する方法あるい
は周辺部−を露光させて除去する周辺露光方法等が知ら
れている。
しかしながら、上記の従来のウェハの周辺除去方法は、
いずれもウェハの周辺部のレジストの表層が減少して層
が薄くなるが完全に除去されるものではなく、依然とし
てウェハの周辺部のレジストが剥離して飛散し、この飛
散部分のレジストが付着する等の課題を残していた。 しかも、半導体ウェハのオリフラ部の周辺部分は、いず
れの除去方法を実行してもこの部分のレジストの除去は
困難であった。 本発明は、上記の実情に鑑みて開発したものであり、発
塵対策した周辺レジスト除去方法を提供するものである
。 「発明の構成」 ［１１１題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するため、本発明は、被塗布板状体上
にレジスト塗布後周辺部にレジスト溶剤を供給して周辺
部のレジストを薄くする工程と、この工程後に上記周辺
部を露光する工程と、この工程の後現像液を供給する工
程とを具備してなる周辺レジスト除去方法である。
いずれもウェハの周辺部のレジストの表層が減少して層
が薄くなるが完全に除去されるものではなく、依然とし
てウェハの周辺部のレジストが剥離して飛散し、この飛
散部分のレジストが付着する等の課題を残していた。 しかも、半導体ウェハのオリフラ部の周辺部分は、いず
れの除去方法を実行してもこの部分のレジストの除去は
困難であった。 本発明は、上記の実情に鑑みて開発したものであり、発
塵対策した周辺レジスト除去方法を提供するものである
。 「発明の構成」 ［１１１題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するため、本発明は、被塗布板状体上
にレジスト塗布後周辺部にレジスト溶剤を供給して周辺
部のレジストを薄くする工程と、この工程後に上記周辺
部を露光する工程と、この工程の後現像液を供給する工
程とを具備してなる周辺レジスト除去方法である。
【作 用］
本発明は、レジストがウェハ表面全面に拡散してウェハ
の全域にレジスト膜を形成したのち、続いて、ウェハの
周辺部に設けたノズルから溶剤を噴射してウェハの周辺
部のレジスト膜の表面を除去して薄くし、次に薄くなっ
た周辺露光現像工程を実施することにより周辺レジスト
を除去する。 このように、上記のように溶剤により周辺のレジストは
ある程度まで除去が進んでいるので、ウェハの周辺露光
と現像工程により短時間でより確実に周辺除去すること
が可能となる。 【実施例】 以下に、本発明における周辺レジストの除去方法の実施
例を図面に従って説明する。 第１図において、密閉式のチャンバ１内には。 回転モータにより同図の矢印のように回転するスピンチ
ャック２を設け、このスピンチャック２上にウェハ３を
真空吸着して仮固定する。 上記スピンチャック２は所定の速度で回転させる如く゛
上記チャンバ１外に回転モータ１５を設ける。 スピンチャック２の上方中央部には、レジスト液塗布用
ノズル４が垂下されており、このノズル４の先端からレ
ジスト液５をウェハ３の表面に例えば滴下する。上記チ
ャック２を高速回転させてウェハ３の表面に厚さ例えば
３０００〜８０００人にレジスト１ｌｉ５を形成する。 上記レジスト液５には、レジスト成分にＥＣＡ等の溶剤
を混入させて、レジスト液５の粘性を所望値に保持させ
ると共に、溶剤の揮発性によってレジスト膜は固化する
。 上記のチャンバｌ内の上方周辺位置に周辺除去用のノズ
ル６を設け、スピンチャック２を低速回転（例えばｌｐ
ｐｍ以下）させて上記したレジスト膜の溶剤をこのノズ
ル６より外周側に供給１例えば噴射して第１図に示した
矢印７の方向に溶剤を吸引し、第３図に示すようにウェ
ハ３周辺部のレジスト液５膜の表面層を除去して周辺の
レジスト膜５の厚さを中央部の厚さより薄く減少させる
と共に、ウェハ３のオリフラ部３Ａの周辺部のレジスト
膜も薄くできるように、オリフラ部３Ａで上記ノズル６
を側縁に沿って移動させるようにしている。 次に、ウェハ３上のレジスト５の溶剤を気化させてレジ
スト膜を固化させるためブリベーク工程において加熱処
理を行うにの工程によって周辺レジスト５Ａの表面が固
化して第４図に示す如くやや薄くなる（ｘ、＞ｘ、’、
ｘ２＞ｘ２’）。 上記、第４図に示すようなレジスト膜が被着された状態
のウェハ３に対して、周辺露光と現像工程を行う。具体
的には、第５図に示す如くチャック８上に仮固定したウ
ェハ３の周辺部に対して周辺露光機９を設け、チャック
８を回転させながら周辺部のレジスト５Ａを露光した後
に同図の矢印１０に示すように現像液を供給し、矢印１
１に示す方向に現像液が流れるように吸引して、周辺部
で残りの周辺レジストＳＡを確実に除去する。この場合
、上記した様に現像工程ではある程度周辺レジストの除
去が進んでいるため、当然のことながら短時間のうちに
周辺除去の処理が実行できる。 この２工程により周辺除去境界をきれいに除去できる。 次に、レジストの周辺除去工程を中心に説明する。 密閉式チャンバ１内のスピンチャック２上にウエハ３を
吸着固定し、次いで、ウェハ３上の中心部にノズル４を
近づけレジスト５を滴下させ、ウェハ３を高速回転させ
ると遠心力によってレジスト５をウェハ３の全表面に拡
散させてウェハ３の全域にレジスト膜を形成する。 次いで、このチャンバ内１において、ウェハ３の周辺部
に設けたノズル６から溶剤を噴射してウェハ３の周辺部
レジストの表面部分を除去して周辺部のみ薄くし、ここ
でブリベーク工程を経て中央部のレジスト膜と共に、周
辺レジスト５Ａの表面を固化する。 上記のように溶剤により周辺のレジストはある程度まで
薄くなっているので、ウェハ３の周辺露光と現像工程に
より短時間で確実に周辺除去することが可能となる。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると、半導
体ウェハの周辺部のレジストを短時間で確実に除去し、
もって歩留まりの向上を図ることができる効果がある。
の全域にレジスト膜を形成したのち、続いて、ウェハの
周辺部に設けたノズルから溶剤を噴射してウェハの周辺
部のレジスト膜の表面を除去して薄くし、次に薄くなっ
た周辺露光現像工程を実施することにより周辺レジスト
を除去する。 このように、上記のように溶剤により周辺のレジストは
ある程度まで除去が進んでいるので、ウェハの周辺露光
と現像工程により短時間でより確実に周辺除去すること
が可能となる。 【実施例】 以下に、本発明における周辺レジストの除去方法の実施
例を図面に従って説明する。 第１図において、密閉式のチャンバ１内には。 回転モータにより同図の矢印のように回転するスピンチ
ャック２を設け、このスピンチャック２上にウェハ３を
真空吸着して仮固定する。 上記スピンチャック２は所定の速度で回転させる如く゛
上記チャンバ１外に回転モータ１５を設ける。 スピンチャック２の上方中央部には、レジスト液塗布用
ノズル４が垂下されており、このノズル４の先端からレ
ジスト液５をウェハ３の表面に例えば滴下する。上記チ
ャック２を高速回転させてウェハ３の表面に厚さ例えば
３０００〜８０００人にレジスト１ｌｉ５を形成する。 上記レジスト液５には、レジスト成分にＥＣＡ等の溶剤
を混入させて、レジスト液５の粘性を所望値に保持させ
ると共に、溶剤の揮発性によってレジスト膜は固化する
。 上記のチャンバｌ内の上方周辺位置に周辺除去用のノズ
ル６を設け、スピンチャック２を低速回転（例えばｌｐ
ｐｍ以下）させて上記したレジスト膜の溶剤をこのノズ
ル６より外周側に供給１例えば噴射して第１図に示した
矢印７の方向に溶剤を吸引し、第３図に示すようにウェ
ハ３周辺部のレジスト液５膜の表面層を除去して周辺の
レジスト膜５の厚さを中央部の厚さより薄く減少させる
と共に、ウェハ３のオリフラ部３Ａの周辺部のレジスト
膜も薄くできるように、オリフラ部３Ａで上記ノズル６
を側縁に沿って移動させるようにしている。 次に、ウェハ３上のレジスト５の溶剤を気化させてレジ
スト膜を固化させるためブリベーク工程において加熱処
理を行うにの工程によって周辺レジスト５Ａの表面が固
化して第４図に示す如くやや薄くなる（ｘ、＞ｘ、’、
ｘ２＞ｘ２’）。 上記、第４図に示すようなレジスト膜が被着された状態
のウェハ３に対して、周辺露光と現像工程を行う。具体
的には、第５図に示す如くチャック８上に仮固定したウ
ェハ３の周辺部に対して周辺露光機９を設け、チャック
８を回転させながら周辺部のレジスト５Ａを露光した後
に同図の矢印１０に示すように現像液を供給し、矢印１
１に示す方向に現像液が流れるように吸引して、周辺部
で残りの周辺レジストＳＡを確実に除去する。この場合
、上記した様に現像工程ではある程度周辺レジストの除
去が進んでいるため、当然のことながら短時間のうちに
周辺除去の処理が実行できる。 この２工程により周辺除去境界をきれいに除去できる。 次に、レジストの周辺除去工程を中心に説明する。 密閉式チャンバ１内のスピンチャック２上にウエハ３を
吸着固定し、次いで、ウェハ３上の中心部にノズル４を
近づけレジスト５を滴下させ、ウェハ３を高速回転させ
ると遠心力によってレジスト５をウェハ３の全表面に拡
散させてウェハ３の全域にレジスト膜を形成する。 次いで、このチャンバ内１において、ウェハ３の周辺部
に設けたノズル６から溶剤を噴射してウェハ３の周辺部
レジストの表面部分を除去して周辺部のみ薄くし、ここ
でブリベーク工程を経て中央部のレジスト膜と共に、周
辺レジスト５Ａの表面を固化する。 上記のように溶剤により周辺のレジストはある程度まで
薄くなっているので、ウェハ３の周辺露光と現像工程に
より短時間で確実に周辺除去することが可能となる。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると、半導
体ウェハの周辺部のレジストを短時間で確実に除去し、
もって歩留まりの向上を図ることができる効果がある。
図面は本発明の周辺レジスト除去方法の一実施例を示し
たもので、第１図は溶剤除去工程を示した正面説明図、
第２図は同上の周辺レジスト除去後の状態を示す部分断
面図、第３図はウェハを示した平面図、第４図はブリベ
ーク工程を行った状態を示す部分断面図、第５図は周辺
露光現像工程を示す部分正面図である。 １・・・・チャンバ ２・・・・スピンチャック３・・
・・ウェハ ５・・・・レジスト５Ａ・・・・周辺レジ
スト ６・・・ノズル９・・・周辺露光機 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図
たもので、第１図は溶剤除去工程を示した正面説明図、
第２図は同上の周辺レジスト除去後の状態を示す部分断
面図、第３図はウェハを示した平面図、第４図はブリベ
ーク工程を行った状態を示す部分断面図、第５図は周辺
露光現像工程を示す部分正面図である。 １・・・・チャンバ ２・・・・スピンチャック３・・
・・ウェハ ５・・・・レジスト５Ａ・・・・周辺レジ
スト ６・・・ノズル９・・・周辺露光機 特 許 出 願 人 東京エレクトロン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）被塗布板状体上にレジスト塗布後周辺部にレジス
ト溶剤を供給して周辺部のレジストを薄くする工程と、
この工程後に上記周辺部を露光する工程と、この工程の
後現像液を供給する工程とを具備してなる周辺レジスト
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330132A JPH04206626A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 周辺レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330132A JPH04206626A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 周辺レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206626A true JPH04206626A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18229169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330132A Pending JPH04206626A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 周辺レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206626A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1458015A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spin coating apparatus for coating photoresist |
| US6805769B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-10-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
| US7186350B2 (en) * | 2003-05-07 | 2007-03-06 | Tpo Displays Corp. | Method for removing color resist for exposure alignment |
| JP2007140287A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Hoya Corp | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 |
| JP2007243218A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330132A patent/JPH04206626A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
| US6805769B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-10-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| EP1458015A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spin coating apparatus for coating photoresist |
| EP1458015A3 (en) * | 2003-03-11 | 2007-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spin coating apparatus for coating photoresist |
| US7186350B2 (en) * | 2003-05-07 | 2007-03-06 | Tpo Displays Corp. | Method for removing color resist for exposure alignment |
| JP2007140287A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Hoya Corp | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 |
| JP4697735B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-06-08 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 |
| JP2007243218A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4741549B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-08-03 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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