JPS61156845A - 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS61156845A JPS61156845A JP27677684A JP27677684A JPS61156845A JP S61156845 A JPS61156845 A JP S61156845A JP 27677684 A JP27677684 A JP 27677684A JP 27677684 A JP27677684 A JP 27677684A JP S61156845 A JPS61156845 A JP S61156845A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- leads
- resin
- cross
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関
するものである。
するものである。
従来、樹脂封止型半導体装置において用いられているリ
ードフレームは、写真製版方式等にょシ製作され、第2
図に示すように、半導体素子をマウントするダイスパッ
ド(図示せず)と、このダイスパッドの周面に形成され
るその半導体素子の各々の電極とワイヤボンド可能なリ
ードとしてのアクタ−リード1と、これらリード1を連
接するダムバー2と、各アクタ−リード1およびダムバ
ー2を支持する枠状のフレーム3から構成されている。
ードフレームは、写真製版方式等にょシ製作され、第2
図に示すように、半導体素子をマウントするダイスパッ
ド(図示せず)と、このダイスパッドの周面に形成され
るその半導体素子の各々の電極とワイヤボンド可能なリ
ードとしてのアクタ−リード1と、これらリード1を連
接するダムバー2と、各アクタ−リード1およびダムバ
ー2を支持する枠状のフレーム3から構成されている。
そして、このリードフレームに半導体素子を樹脂封止す
るには、リードフレームのダイスパッド上に半導体素子
をマウントし、その半導体素子の各電極とアウターリー
ド1の先端部分をワイヤボンディングしたのち、トラン
スファー低圧成形法により半導体素子およびワイヤボン
ディング部分を保護すべく樹脂にて樹脂封止が行なわれ
ている。この時、樹脂はその封止部4以外にダムバー2
までのアウターリード1間にも注入される。
るには、リードフレームのダイスパッド上に半導体素子
をマウントし、その半導体素子の各電極とアウターリー
ド1の先端部分をワイヤボンディングしたのち、トラン
スファー低圧成形法により半導体素子およびワイヤボン
ディング部分を保護すべく樹脂にて樹脂封止が行なわれ
ている。この時、樹脂はその封止部4以外にダムバー2
までのアウターリード1間にも注入される。
このリード1間の樹脂(パリと呼ぶ)5は、リード成形
後に樹脂本体から外れてリードに付着し、接触不良や基
板実装時半田付不良の原因となるため、取シ除かなけれ
ばならない。このため、リード間パリは樹脂封止後に取
り除かれる。
後に樹脂本体から外れてリードに付着し、接触不良や基
板実装時半田付不良の原因となるため、取シ除かなけれ
ばならない。このため、リード間パリは樹脂封止後に取
り除かれる。
このパリ抜き方法としてはシアット材を吹きつけて除去
する方法が通常用いられるが、リード1の断面形状がい
びつな形をしているため、パリが一部残ったり、またパ
リが抜は難いという問題がある。
する方法が通常用いられるが、リード1の断面形状がい
びつな形をしているため、パリが一部残ったり、またパ
リが抜は難いという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、リード
間のパリ抜きが容易となる樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームを提供することを目的とする。
間のパリ抜きが容易となる樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームを提供することを目的とする。
本発明によるリードフレームは、半導体素子をマウント
するダイスパッドの周面に形成されるリードの断面形状
を台形状としたことを特徴とするものである。
するダイスパッドの周面に形成されるリードの断面形状
を台形状としたことを特徴とするものである。
本発明においては、リードの断面形状を台形状とするこ
とによシ、リード間のパリ抜きを容易に行なうことがで
きる。
とによシ、リード間のパリ抜きを容易に行なうことがで
きる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基いて説明する。
第1図は本発明の一実施例によるリードフレームのリー
ド部分の断面図であシ、第2図のA−A’線における断
面に相当する。この実施例のリードフレームは、半導体
素子をマウントするダイスパッドの周面にその半導体素
子の各電極とワイヤボンド可能なリードとしてのアウタ
ーリード1を形成すると共に、これらアウターリード1
をダムバー2を介してフレーム3に支持させる点は上記
した第2図に示すものと同様であるが、上記各アウター
リード1の断面形状を第1図に示すような台形状とした
ものである。
ド部分の断面図であシ、第2図のA−A’線における断
面に相当する。この実施例のリードフレームは、半導体
素子をマウントするダイスパッドの周面にその半導体素
子の各電極とワイヤボンド可能なリードとしてのアウタ
ーリード1を形成すると共に、これらアウターリード1
をダムバー2を介してフレーム3に支持させる点は上記
した第2図に示すものと同様であるが、上記各アウター
リード1の断面形状を第1図に示すような台形状とした
ものである。
この場合、リード断面1aを台形状に形成するには、リ
ードフレームのエツチング加工時に各リード1の表面と
裏面のエツチング量またはエツチング範囲を変えること
により、容易に形成できる。
ードフレームのエツチング加工時に各リード1の表面と
裏面のエツチング量またはエツチング範囲を変えること
により、容易に形成できる。
しかして、従来、エツチング加工によるリードフレーム
の場合、リードフレームの表面と裏面からほぼ同等にエ
ツチングしている次め、リード断面1bは第3図に示す
ようにリード断面の中央部が凸起がでた形となり、この
リード1間にパリが埋まると抜は難くなる。これに対し
、本発明によるリードフレームのリード断面1aは第1
図に示すように台形状を有しているので、そのリード1
゛ 間のパリ抜きを容易に行なうことが可能になる。
の場合、リードフレームの表面と裏面からほぼ同等にエ
ツチングしている次め、リード断面1bは第3図に示す
ようにリード断面の中央部が凸起がでた形となり、この
リード1間にパリが埋まると抜は難くなる。これに対し
、本発明によるリードフレームのリード断面1aは第1
図に示すように台形状を有しているので、そのリード1
゛ 間のパリ抜きを容易に行なうことが可能になる。
その実測結果を下記第1表に示す。
第1表
第1表は本発明によるリードフレームと従来のリードフ
レームのパリの密着力を比較して示したもので、この表
から明らかなように本発明のす+ド7レームは、従来の
リードフレームに比べてパリの密着力を約1/3に低減
でき、その結果、パリ抜きを容易に行なう1ことができ
た。
レームのパリの密着力を比較して示したもので、この表
から明らかなように本発明のす+ド7レームは、従来の
リードフレームに比べてパリの密着力を約1/3に低減
でき、その結果、パリ抜きを容易に行なう1ことができ
た。
以上のように本発明のリードフレームによれば、リード
断面を台形状にすることにより、リード間のパリ抜きが
容易にでき、また、パリ残シがないという効果が得られ
る。
断面を台形状にすることにより、リード間のパリ抜きが
容易にでき、また、パリ残シがないという効果が得られ
る。
第1図は本発明の一実施例によるリードフレームの第2
図A−A’断面に相当するリード部分の断面図、第2図
は樹脂封止後の通常のリードフレームの平面図、第3図
は従来例によるリードフレームの第2図A−A’断面に
相当するリード部分の断面図である。 1・・・・アクタ−リード(リード)、2・・拳ψダム
バー、3・Φ・−7レーム、46・・・樹脂封止部、5
・・・・パリ。
図A−A’断面に相当するリード部分の断面図、第2図
は樹脂封止後の通常のリードフレームの平面図、第3図
は従来例によるリードフレームの第2図A−A’断面に
相当するリード部分の断面図である。 1・・・・アクタ−リード(リード)、2・・拳ψダム
バー、3・Φ・−7レーム、46・・・樹脂封止部、5
・・・・パリ。
Claims (1)
- ダイスパッドの周面に形成される各々のリードの断面形
状を台形状にしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27677684A JPS61156845A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27677684A JPS61156845A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61156845A true JPS61156845A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17574195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27677684A Pending JPS61156845A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61156845A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289951A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード用リードフレーム |
JPH022844U (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-10 | ||
JPH03293756A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
JPH04180662A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | リードフレームの製造方法 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27677684A patent/JPS61156845A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289951A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード用リードフレーム |
JPH022844U (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-10 | ||
JPH03293756A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
US5083186A (en) * | 1990-04-12 | 1992-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device lead frame with rounded edges |
JPH04180662A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | リードフレームの製造方法 |
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