JPH01216563A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH01216563A JPH01216563A JP4318788A JP4318788A JPH01216563A JP H01216563 A JPH01216563 A JP H01216563A JP 4318788 A JP4318788 A JP 4318788A JP 4318788 A JP4318788 A JP 4318788A JP H01216563 A JPH01216563 A JP H01216563A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本几明は、リードフレームの製造方法に係り、特に、そ
のアウターリードの形状加工法に関する。
のアウターリードの形状加工法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際して用いられる
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金属材料から
なる板状体をプレス加工又はエツチングにより所望のパ
ターンに成形することによって形成される。
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金属材料から
なる板状体をプレス加工又はエツチングにより所望のパ
ターンに成形することによって形成される。
通常、リードフレームは、第２図に示す如く、半導体集
積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載するダイパッ
ド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめられ
た複数のインナーリード１２とインナーリード１２を一
体的に連結するタイバー１３と、各インナーリードに連
結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリード
１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイドパ
ー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するサポートパ
ー１７とから構成されている。
積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載するダイパッ
ド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめられ
た複数のインナーリード１２とインナーリード１２を一
体的に連結するタイバー１３と、各インナーリードに連
結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリード
１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイドパ
ー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するサポートパ
ー１７とから構成されている。
このようなリードフレームを用いて実装せしめられる半
導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボンデ
ィングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセ
ラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイ
ドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲
げて完成せしめられる。
導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボンデ
ィングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセ
ラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイ
ドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲
げて完成せしめられる。
ところで、このようなリードフレームはプレス加工で成
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は第４図（ａ）に示すように抜きダレｄ
に起因して凸面形状となる一方裏面は抜きばりｂが生じ
る。
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は第４図（ａ）に示すように抜きダレｄ
に起因して凸面形状となる一方裏面は抜きばりｂが生じ
る。
ところで、アウターリードは、封止後、または封止前に
ほぼ全面に半田メツキが施され所望の形状に折り曲げら
れて、プリント基板などの外部回路に接続される。
ほぼ全面に半田メツキが施され所望の形状に折り曲げら
れて、プリント基板などの外部回路に接続される。
しかし、半田メツキに際し第４図（ｂ）に示すようにこ
の抜きダレ部分には半田１８がつきにくく、プリント基
板などの外部回路への接続に際し半田付は不良が発生す
ることがある。
の抜きダレ部分には半田１８がつきにくく、プリント基
板などの外部回路への接続に際し半田付は不良が発生す
ることがある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、半田付は
不良の発生を招くことなく、信頼性の高いリードフレー
ムを提供することを目的とする。
不良の発生を招くことなく、信頼性の高いリードフレー
ムを提供することを目的とする。
そこで本発明のリードフレームの製造方法ではアウター
リードをコイニングする工程を付加するようにしている
。
リードをコイニングする工程を付加するようにしている
。
アウターリードをコイニングする工程を付加することに
より、プレス工程で生じたアウターリードの抜きダレに
よる角部の丸みを除去し、幅方向断面の形状がほぼ四角
形となるようにしているため半田メツキは均一に付着す
る。このため、プリント基板などの外部回路への接続に
際し半田付は不良が発生することもなく信頼性の＾い半
導体装置を提供することが可能となる。
より、プレス工程で生じたアウターリードの抜きダレに
よる角部の丸みを除去し、幅方向断面の形状がほぼ四角
形となるようにしているため半田メツキは均一に付着す
る。このため、プリント基板などの外部回路への接続に
際し半田付は不良が発生することもなく信頼性の＾い半
導体装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
本発明実施例の方法によって形成されたリードフレーム
は、平面図としては、第２図に示したものと同様の構造
を有しているが、アウターリードをコイニング後 ウターリードの断面形状が、上記コイニングによりほぼ
四角形となっている。
は、平面図としては、第２図に示したものと同様の構造
を有しているが、アウターリードをコイニング後 ウターリードの断面形状が、上記コイニングによりほぼ
四角形となっている。
次に、このリードフレームの製造方法について説明する
。
。
まず、帯状材料の中央部に、第１の金型を装着し、プレ
ス加工を行なうことにより、タイバー１３よりも内側す
なわちインナーリード１２側をバターニングする。（第
１図（ａ）） 次いで、この帯状材料を１８０°回転せしめ、両側部に
第２の金型を装着し、プレス加工を行なうことにより、
アウターリード１４側をバターニングする。（第１図（
ｂ）および第１図（Ｃ））ここで第１図（Ｃ）は第１図
（ｂ）のＡ−Ａｌｌｉ面図である。
ス加工を行なうことにより、タイバー１３よりも内側す
なわちインナーリード１２側をバターニングする。（第
１図（ａ）） 次いで、この帯状材料を１８０°回転せしめ、両側部に
第２の金型を装着し、プレス加工を行なうことにより、
アウターリード１４側をバターニングする。（第１図（
ｂ）および第１図（Ｃ））ここで第１図（Ｃ）は第１図
（ｂ）のＡ−Ａｌｌｉ面図である。
続いてこの第２の金型内で、アウターリード１４をパリ
を潰す程度にコイニング後 化し断面がほぼ四角形となるようにする。（第１図（ｄ
）） そして最後に、アウターリード１４を半田メツキ液中に
浸漬し表面に半田メツキ１１１６を形成する。（第１図
（ｅ）） このようにして形成されたリードフレームは、素子チッ
プの搭載、ワイアボンディング、樹脂封止などの工程を
経た後、プリント基板上の回路パターンに接続されるが
、アウターリードの表面全体に均一なメツキ層が形成さ
れるため半田付は不良が発生することもなく信頼性の高
いものとなる。
を潰す程度にコイニング後 化し断面がほぼ四角形となるようにする。（第１図（ｄ
）） そして最後に、アウターリード１４を半田メツキ液中に
浸漬し表面に半田メツキ１１１６を形成する。（第１図
（ｅ）） このようにして形成されたリードフレームは、素子チッ
プの搭載、ワイアボンディング、樹脂封止などの工程を
経た後、プリント基板上の回路パターンに接続されるが
、アウターリードの表面全体に均一なメツキ層が形成さ
れるため半田付は不良が発生することもなく信頼性の高
いものとなる。
なお、実施例では、半田メツキ工程を素子チップのＷ１
＠に先立ち行うようにしたが、゛アウターリードのコイ
ニング後であればいつでも良く樹脂封止後に行うように
しても良い。
＠に先立ち行うようにしたが、゛アウターリードのコイ
ニング後であればいつでも良く樹脂封止後に行うように
しても良い。
また、実施例で°はタイバーを境界として、２つの金型
を用いて、プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体
の形状を形成するようにしてもよい。
を用いて、プレスを行ったが、１つの金型で一度に全体
の形状を形成するようにしてもよい。
更に、コイニングは、表裏どちらから行なってもよい。
加えて、成型順序についても、実施例に限定されること
なく外側、内側の順に成型するようにしてもよい。
なく外側、内側の順に成型するようにしてもよい。
以上説明してきたように、本発明のリードフレームの製
造方法によれば、アウターリードをコイニングして（（
るため、アウターリード表面に形成される半田メツキ層
は均一となり、外部回路との接続に際し半田付は不良の
発生をなくし半導体装置の信頼性の向上をはかることが
可能となる。
造方法によれば、アウターリードをコイニングして（（
るため、アウターリード表面に形成される半田メツキ層
は均一となり、外部回路との接続に際し半田付は不良の
発生をなくし半導体装置の信頼性の向上をはかることが
可能となる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｅ）は本発明実施例のリード
フレームの製造工程図、第２図は通常のリードフレーム
を示す図、第３図は通常の！Ｐ導体装置を示す図、第４
図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリードフレーム
のアウターリードを示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、°１１・・・ダイパッ
ド、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、
１４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバ
ー、１７・・・サポートバー、１８・・・メツキ層、ｄ
・・・抜きダレ、ｂ・・・抜きパリ。 第１図（ｂ）
フレームの製造工程図、第２図は通常のリードフレーム
を示す図、第３図は通常の！Ｐ導体装置を示す図、第４
図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリードフレーム
のアウターリードを示す断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、°１１・・・ダイパッ
ド、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、
１４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバ
ー、１７・・・サポートバー、１８・・・メツキ層、ｄ
・・・抜きダレ、ｂ・・・抜きパリ。 第１図（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プレス加工法により 複数のインナーリードと、 該インナーリードから伸張するアウターリードと、 これらを連結するタイバーと を具えたリードフレームを成型する工程と、前記アウタ
ーリードをコイニングするコイニング工程とを 含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318788A JPH01216563A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318788A JPH01216563A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216563A true JPH01216563A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12656912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4318788A Pending JPH01216563A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01216563A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425059A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
| USRE43443E1 (en) | 1992-03-27 | 2012-06-05 | Renesas Electronics Corporation | Leadframe semiconductor integrated circuit device using the same, and method of and process for fabricating the two |
| CN112018058A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-01 | 济南南知信息科技有限公司 | 一种电力逆变器模块及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198143A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6313358A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4318788A patent/JPH01216563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198143A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS6313358A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリ−ドフレ−ム |
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| USRE43443E1 (en) | 1992-03-27 | 2012-06-05 | Renesas Electronics Corporation | Leadframe semiconductor integrated circuit device using the same, and method of and process for fabricating the two |
| CN112018058A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-01 | 济南南知信息科技有限公司 | 一种电力逆变器模块及其制造方法 |
| CN112018058B (zh) * | 2020-09-08 | 2021-09-24 | 南京宏景智能电网科技有限公司 | 一种电力逆变器模块及其制造方法 |
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