JPH0714960A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0714960A JPH0714960A JP15702293A JP15702293A JPH0714960A JP H0714960 A JPH0714960 A JP H0714960A JP 15702293 A JP15702293 A JP 15702293A JP 15702293 A JP15702293 A JP 15702293A JP H0714960 A JPH0714960 A JP H0714960A
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- JP
- Japan
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- lead
- semiconductor device
- lead frame
- sections
- bent
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のリードの長さを短く加工でき、
しかもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さ
くすることが可能な半導体装置用のリードフレームを提
供することを目的とする。 【構成】 半導体素子の電極に一端が接続される複数の
リード部を有する半導体装置用のリードフレームにおい
て、上記リード部の外側に突出する部分に、曲げ加工さ
れる箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成す
るように構成した。
しかもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さ
くすることが可能な半導体装置用のリードフレームを提
供することを目的とする。 【構成】 半導体素子の電極に一端が接続される複数の
リード部を有する半導体装置用のリードフレームにおい
て、上記リード部の外側に突出する部分に、曲げ加工さ
れる箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成す
るように構成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に使用さ
れるリードフレームに関するものである。
れるリードフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置用リードフレ
ームとしては、例えば、図7に示すようなものがある。
このリードフレーム100は、周知の如く、複数の半導
体装置を一連の製造工程によって製造可能なように、半
導体装置に対応する形状をしたフレームが複数帯状に連
設されたものである。
ームとしては、例えば、図7に示すようなものがある。
このリードフレーム100は、周知の如く、複数の半導
体装置を一連の製造工程によって製造可能なように、半
導体装置に対応する形状をしたフレームが複数帯状に連
設されたものである。
【0003】上記リードフレーム100は、正方形のク
ワットフラットパッケージ(QFP)用のリードフレー
ムであり、このリードフレーム100は、図7に示すよ
うに、その両側に互いに平行に配置された幅の広い外枠
101、101と、これらの外枠101、101に連結
されて半導体装置の樹脂封止部102に相当する正方形
状の領域を区画するダム103、103と、これらのダ
ム103、103の中央に配置された半導体素子104
を支持するための平面正方形状のタブ105と、半導体
素子104の電極と図示しないワイヤボンディングによ
って接続される複数本のインナーリード106と、これ
らのインナーリード106とダム103を介して直線的
に連設されるアウターリード107と、上記タブ105
とダム103とを接続する吊りリード108とを、一体
的に備えている。
ワットフラットパッケージ(QFP)用のリードフレー
ムであり、このリードフレーム100は、図7に示すよ
うに、その両側に互いに平行に配置された幅の広い外枠
101、101と、これらの外枠101、101に連結
されて半導体装置の樹脂封止部102に相当する正方形
状の領域を区画するダム103、103と、これらのダ
ム103、103の中央に配置された半導体素子104
を支持するための平面正方形状のタブ105と、半導体
素子104の電極と図示しないワイヤボンディングによ
って接続される複数本のインナーリード106と、これ
らのインナーリード106とダム103を介して直線的
に連設されるアウターリード107と、上記タブ105
とダム103とを接続する吊りリード108とを、一体
的に備えている。
【0004】そして、上記リードフレーム100は、中
央のタブ105上に半導体素子104を載置し、この半
導体素子104の電極とインナーリード106の先端と
をワイヤーボンディング(図示せず)によって互いに接
続した状態で、平面正方形状のダム103、103の内
側に相当する領域が、樹脂で封止されるようになってい
る。
央のタブ105上に半導体素子104を載置し、この半
導体素子104の電極とインナーリード106の先端と
をワイヤーボンディング(図示せず)によって互いに接
続した状態で、平面正方形状のダム103、103の内
側に相当する領域が、樹脂で封止されるようになってい
る。
【0005】次に、この樹脂封止された半導体装置10
9は、リードフレーム100の外枠101、101やア
ウターリード107を互いに接続する部分等の不要部分
を除去した後、樹脂封止部102の外部に突出したリー
ド107を、図8に示すように、クランプ110によっ
て挟持した状態で、金型111やローラ等を用いてガル
ウイング状に折曲する曲げ加工が行われる。
9は、リードフレーム100の外枠101、101やア
ウターリード107を互いに接続する部分等の不要部分
を除去した後、樹脂封止部102の外部に突出したリー
ド107を、図8に示すように、クランプ110によっ
て挟持した状態で、金型111やローラ等を用いてガル
ウイング状に折曲する曲げ加工が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来のリードフレーム100を使用した半導体
装置の場合には、図8に示すように、樹脂封止部102
から露出しているリード107が細いため、半導体装置
の特性の測定やプリント基板への実装におけるハンドリ
ング時に、リード107が変形し易いという問題点があ
った。また、上記従来のリードフレーム100を使用し
た半導体装置の場合には、プリント基板への実装面積を
より小さくしたいという要求がある。これに対し、上記
半導体装置の場合には、リード107の長さを短くする
ことで対応可能であるが、リード107の曲げ加工部の
寸法は、リードフレーム100の厚さで決まってしまう
ため、現状よりリード107の長さを短くするには限界
がある。また、上記リードフレーム100の厚さを現
状、例えば、0.15mmより薄くすると、リード10
7の強度が低下してハンドリング時に変形し易いという
問題点が顕著となる。
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来のリードフレーム100を使用した半導体
装置の場合には、図8に示すように、樹脂封止部102
から露出しているリード107が細いため、半導体装置
の特性の測定やプリント基板への実装におけるハンドリ
ング時に、リード107が変形し易いという問題点があ
った。また、上記従来のリードフレーム100を使用し
た半導体装置の場合には、プリント基板への実装面積を
より小さくしたいという要求がある。これに対し、上記
半導体装置の場合には、リード107の長さを短くする
ことで対応可能であるが、リード107の曲げ加工部の
寸法は、リードフレーム100の厚さで決まってしまう
ため、現状よりリード107の長さを短くするには限界
がある。また、上記リードフレーム100の厚さを現
状、例えば、0.15mmより薄くすると、リード10
7の強度が低下してハンドリング時に変形し易いという
問題点が顕著となる。
【0007】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、半導体装置のリードの長さを短く加工でき、し
かもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さく
することが可能な半導体装置用のリードフレームを提供
することにある。
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、半導体装置のリードの長さを短く加工でき、し
かもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さく
することが可能な半導体装置用のリードフレームを提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
半導体素子の電極に一端が接続される複数のリード部を
有する半導体装置用のリードフレームにおいて、上記リ
ード部の外側に突出する部分に、曲げ加工される箇所の
厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成するように構
成されている。
半導体素子の電極に一端が接続される複数のリード部を
有する半導体装置用のリードフレームにおいて、上記リ
ード部の外側に突出する部分に、曲げ加工される箇所の
厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成するように構
成されている。
【0009】上記凹部は、例えば、断面矩形状に形成さ
れるが、これに限定されるものではなく、断面V字形状
等に形成しても勿論良い。
れるが、これに限定されるものではなく、断面V字形状
等に形成しても勿論良い。
【0010】
【作用】この発明においては、リード部に曲げ加工され
る箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成する
ように構成されているので、リード部は、凹部が形成さ
れた側が内側に来るように略90度に折曲することがで
きる。そのため、上記リードフレームは、折曲部を容易
に且つ略90度に形成することができるので、従来のよ
うに一様な厚さのリード部をガルウイング状に折曲する
場合に比べてリード部の長さを短く加工でき、しかもそ
の厚さを従来と比較して薄くする必要がないので、リー
ド部が変形し難くまた基板への実装面積を小さくするこ
とが可能となる。
る箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形成する
ように構成されているので、リード部は、凹部が形成さ
れた側が内側に来るように略90度に折曲することがで
きる。そのため、上記リードフレームは、折曲部を容易
に且つ略90度に形成することができるので、従来のよ
うに一様な厚さのリード部をガルウイング状に折曲する
場合に比べてリード部の長さを短く加工でき、しかもそ
の厚さを従来と比較して薄くする必要がないので、リー
ド部が変形し難くまた基板への実装面積を小さくするこ
とが可能となる。
【0011】
【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
明する。
【0012】図2はこの発明に係る半導体装置用リード
フレームの一実施例を示すものである。
フレームの一実施例を示すものである。
【0013】図2において、1は正方形のクワットフラ
ットパッケージ用のリードフレームを示すものである。
このリードフレーム1は、周知の如く、複数の半導体装
置を一連の製造工程によって製造可能なように、半導体
装置に対応する形状をしたフレームが複数帯状に連設さ
れたものである。
ットパッケージ用のリードフレームを示すものである。
このリードフレーム1は、周知の如く、複数の半導体装
置を一連の製造工程によって製造可能なように、半導体
装置に対応する形状をしたフレームが複数帯状に連設さ
れたものである。
【0014】上記リードフレーム1は、図2に示すよう
に、その幅方向両端側に位置する帯状の外枠2と、これ
らの外枠2を互いに連結するように形成されたタイバー
3と、これらの外枠2、タイバー3に連結されて半導体
装置の樹脂封止部4に相当する正方形状の領域を区画す
る枠部としてのダム5、6と、これらのダム5、6の中
央に配置された半導体素子7を支持するための平面正方
形状のタブ8と、半導体素子7の電極と図示しないワイ
ヤボンディングによって互いに接続される複数本のイン
ナーリード9と、このインナーリード9とダム5、6を
介して直線状に連設されたアウターリード10と、上記
タブ8とダム5、6とを接続する吊りリード11とを、
一体的に備えている。
に、その幅方向両端側に位置する帯状の外枠2と、これ
らの外枠2を互いに連結するように形成されたタイバー
3と、これらの外枠2、タイバー3に連結されて半導体
装置の樹脂封止部4に相当する正方形状の領域を区画す
る枠部としてのダム5、6と、これらのダム5、6の中
央に配置された半導体素子7を支持するための平面正方
形状のタブ8と、半導体素子7の電極と図示しないワイ
ヤボンディングによって互いに接続される複数本のイン
ナーリード9と、このインナーリード9とダム5、6を
介して直線状に連設されたアウターリード10と、上記
タブ8とダム5、6とを接続する吊りリード11とを、
一体的に備えている。
【0015】そして、上記リードフレーム1は、中央の
タブ8上に半導体素子7を載置し、この半導体素子7の
電極とインナーリード9の先端とをワイヤーボンディン
グ(図示せず)によって接続した状態で、平面正方形状
のダム5、6の内側に相当する樹脂封止部4を、樹脂で
封止するようになっている。
タブ8上に半導体素子7を載置し、この半導体素子7の
電極とインナーリード9の先端とをワイヤーボンディン
グ(図示せず)によって接続した状態で、平面正方形状
のダム5、6の内側に相当する樹脂封止部4を、樹脂で
封止するようになっている。
【0016】その後、この樹脂封止された半導体装置1
2は、図2に示すように、リードフレーム1の外枠2、
タイバー3やアウターリード10を互いに接続するダム
5、6等の不要部分が除去され、樹脂封止部4の外部に
アウターリード10が突出した状態に成形される。
2は、図2に示すように、リードフレーム1の外枠2、
タイバー3やアウターリード10を互いに接続するダム
5、6等の不要部分が除去され、樹脂封止部4の外部に
アウターリード10が突出した状態に成形される。
【0017】ところで、この実施例では、上記リード部
の外側に突出する部分に、曲げ加工される箇所の厚さを
他の部分よりも薄くした凹部を形成するように構成され
ている。
の外側に突出する部分に、曲げ加工される箇所の厚さを
他の部分よりも薄くした凹部を形成するように構成され
ている。
【0018】すなわち、上記リードフレーム1のアウタ
ーリード10には、図1及び図3に示すように、曲げ加
工される箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部1
5、16が形成されており、これらの凹部15、16
は、断面矩形状に形成されている。また、これらの凹部
15、16のうち、一方の凹部15はリードフレーム1
の表面側に、他方の凹部16はリードフレーム1の裏面
側にそれぞれ形成されている。上記凹部15、16は、
リードフレーム1を作成する際に、ハーフエッチングあ
るいはプレス加工等によって形成される。
ーリード10には、図1及び図3に示すように、曲げ加
工される箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部1
5、16が形成されており、これらの凹部15、16
は、断面矩形状に形成されている。また、これらの凹部
15、16のうち、一方の凹部15はリードフレーム1
の表面側に、他方の凹部16はリードフレーム1の裏面
側にそれぞれ形成されている。上記凹部15、16は、
リードフレーム1を作成する際に、ハーフエッチングあ
るいはプレス加工等によって形成される。
【0019】以上の構成において、この実施例に係る半
導体装置用のリードフレームでは、次のようにしてリー
ドの折曲部が形成され、半導体装置のリードの長さを短
く加工でき、しかもリードが変形し難くまた基板への実
装面積を小さくすることが可能となっている。
導体装置用のリードフレームでは、次のようにしてリー
ドの折曲部が形成され、半導体装置のリードの長さを短
く加工でき、しかもリードが変形し難くまた基板への実
装面積を小さくすることが可能となっている。
【0020】すなわち、上記リードフレーム1は、図1
に示すように、中央のタブ8上に半導体素子7を載置
し、この半導体素子7の電極とインナーリード9の先端
とをワイヤーボンディング(図示せず)によって接続し
た状態で、平面正方形状のダム5、6の内側に相当する
樹脂封止部4が、樹脂で封止される。
に示すように、中央のタブ8上に半導体素子7を載置
し、この半導体素子7の電極とインナーリード9の先端
とをワイヤーボンディング(図示せず)によって接続し
た状態で、平面正方形状のダム5、6の内側に相当する
樹脂封止部4が、樹脂で封止される。
【0021】その後、この樹脂封止された半導体装置1
2は、図2に示すように、リードフレーム1のアウター
リード10を互いに接続するダム5、6の不要部分が除
去され、さらに外枠2、タイバー3からアウターリード
10が切り離されて樹脂封止部4の外部にアウターリー
ド10が突出した状態に成形される。
2は、図2に示すように、リードフレーム1のアウター
リード10を互いに接続するダム5、6の不要部分が除
去され、さらに外枠2、タイバー3からアウターリード
10が切り離されて樹脂封止部4の外部にアウターリー
ド10が突出した状態に成形される。
【0022】次に、上記リードフレーム1は、図4に示
すように、樹脂封止部4の外部に突出したアウターリー
ド10がクランプ20によって挟持される。そして、上
記リードフレーム1のアウターリード10は、図5及び
図6に示すように、その凹部15、16が金型211や
ローラ等を用いて、凹部15、16が形成された側が内
側に来るように略90度に折曲される。そして、曲げ加
工した後、タイバー17を切断して外枠2、タイバー3
を除去する。
すように、樹脂封止部4の外部に突出したアウターリー
ド10がクランプ20によって挟持される。そして、上
記リードフレーム1のアウターリード10は、図5及び
図6に示すように、その凹部15、16が金型211や
ローラ等を用いて、凹部15、16が形成された側が内
側に来るように略90度に折曲される。そして、曲げ加
工した後、タイバー17を切断して外枠2、タイバー3
を除去する。
【0023】なお、最後に必要に応じて、樹脂封止部4
の外部に突出したアウターリード10には、ディッピン
グ法等によってハンダの被膜などが形成される。このア
ウターリード10の表面に形成されたハンダ被膜は、ア
ウターリード10の凹部15、16における折曲部の表
面にも形成されるため、アウターリード10の折曲部を
補強する作用をもなすものである。
の外部に突出したアウターリード10には、ディッピン
グ法等によってハンダの被膜などが形成される。このア
ウターリード10の表面に形成されたハンダ被膜は、ア
ウターリード10の凹部15、16における折曲部の表
面にも形成されるため、アウターリード10の折曲部を
補強する作用をもなすものである。
【0024】このように、上記リードフレーム1は、ア
ウターリード10に曲げ加工される箇所の厚さを他の部
分よりも薄くした凹部15、16を形成するように構成
されているので、アウターリード10は、凹部15、1
6が形成された側が内側に来るように略90度に折曲す
ることができる。そのため、上記リードフレーム1は、
折曲部を容易に且つ略90度に形成することができるの
で、従来のように一様な厚さのアウターリード10をガ
ルウイング状に折曲する場合に比べてリード10の長さ
を短く加工でき、しかもその厚さを従来と比較して薄く
する必要がないので、リード10が変形し難くまた基板
への実装面積を小さくすることが可能となる。
ウターリード10に曲げ加工される箇所の厚さを他の部
分よりも薄くした凹部15、16を形成するように構成
されているので、アウターリード10は、凹部15、1
6が形成された側が内側に来るように略90度に折曲す
ることができる。そのため、上記リードフレーム1は、
折曲部を容易に且つ略90度に形成することができるの
で、従来のように一様な厚さのアウターリード10をガ
ルウイング状に折曲する場合に比べてリード10の長さ
を短く加工でき、しかもその厚さを従来と比較して薄く
する必要がないので、リード10が変形し難くまた基板
への実装面積を小さくすることが可能となる。
【0025】
【発明の効果】この発明は以上の構成及び作用よりなる
もので、半導体装置のリードの長さを短く加工でき、し
かもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さく
することが可能な半導体装置用のリードフレームを提供
することができる。
もので、半導体装置のリードの長さを短く加工でき、し
かもリードが変形し難くまた基板への実装面積を小さく
することが可能な半導体装置用のリードフレームを提供
することができる。
【図1】 図1はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームを示す平面図である。
フレームを示す平面図である。
【図2】 図2は製造途中の半導体装置を示す側面図で
ある。
ある。
【図3】 図3は半導体装置の電極を示す要部側面図で
ある。
ある。
【図4】 図4は製造途中の半導体装置を示す側面図で
ある。
ある。
【図5】 図5(a)(b)は折り曲げる前と折り曲げ
た後の半導体装置の電極をそれぞれ示す要部側面図であ
る。
た後の半導体装置の電極をそれぞれ示す要部側面図であ
る。
【図6】 図6は製造後の半導体装置を示す側面図であ
る。
る。
【図7】 図7は従来の半導体装置用のリードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図8】 図8は製造途中の半導体装置を示す側面図で
ある。
ある。
1 リードフレーム、2 外枠、3 タイバー、4 樹
脂封止部、5、6 ダム、7 半導体素子、8 タブ、
9 インナーリード、10 アウターリード、11 吊
りリード、15、16 凹部。
脂封止部、5、6 ダム、7 半導体素子、8 タブ、
9 インナーリード、10 アウターリード、11 吊
りリード、15、16 凹部。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子の電極に一端が接続される複
数のリード部を有する半導体装置用のリードフレームに
おいて、上記リード部の外側に突出する部分に、曲げ加
工される箇所の厚さを他の部分よりも薄くした凹部を形
成したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15702293A JPH0714960A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15702293A JPH0714960A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714960A true JPH0714960A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15640477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15702293A Pending JPH0714960A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714960A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10243107B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-03-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing thereof |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP15702293A patent/JPH0714960A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10243107B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-03-26 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing thereof |
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