JPS602669A - 無電解めっき液の管理装置 - Google Patents

無電解めっき液の管理装置

Info

Publication number
JPS602669A
JPS602669A JP10971183A JP10971183A JPS602669A JP S602669 A JPS602669 A JP S602669A JP 10971183 A JP10971183 A JP 10971183A JP 10971183 A JP10971183 A JP 10971183A JP S602669 A JPS602669 A JP S602669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
electroless plating
plating
exchange membrane
plating solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10971183A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0359143B2 (ja
Inventor
Takeshi Miyabayashi
毅 宮林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Brother Industries Ltd
Original Assignee
Brother Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Brother Industries Ltd filed Critical Brother Industries Ltd
Priority to JP10971183A priority Critical patent/JPS602669A/ja
Publication of JPS602669A publication Critical patent/JPS602669A/ja
Publication of JPH0359143B2 publication Critical patent/JPH0359143B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1655Process features
    • C23C18/1664Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1671Electric field
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1619Apparatus for electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1675Process conditions
    • C23C18/1683Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は無電解めっき液の組成を常に一定に訂を持する
ための管l!!装置及びその管理方法に関するものであ
る。
〔従来技術〕
一般に、無電解めっき液は金属陽イオン、金属陽イオン
の錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調整剤等を主成
分として含有してなるものであり、特に汎用度の高い無
電解銅めっき液を例にとって示せば次の組成を有するめ
っき液が代表的なものである。
Cu so4 + 5)−120(銅イオン供給剤)E
DTA−4Na ・4H20(銅イオン供給剤)トIC
l−10(遷元剤) Na OH(PI−1調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤)かかる組成を有
する無電解銅めっき液においては、めっきに伴ない次の
主反応及び副反応が起こっているものと考えられる。
主反応 Cu Y +2HCHO+40H−→Ct+ ’ 十Y
’−+2HCOO−+2H20+H2 副反応 2 HCHO+Ol−1−→CH301−1十FI C
O0−2CU”+HCHO+508−)Cu20−1−
HCOO−+3820 CIJ20+H20→Cu ’ +Cu”+208−C
u y2−+1−1coo−+301−1−→Cu ’
 +Y’−+ G o、−+ 2820 ここに、YはEDTΔ〈エチレンジアミン四酢酸〉、C
u6は吸着銅原子を表わす。
前記めっぎ反応を安定した状態で継続的に維持するには
、めっき液を構成する全ての成分が常に一定であること
が望ましい。しかしながら、前記めっき反応を進行させ
つつめっき液の組成を常に一定に保持するのは非常に難
かしい。即ち、前記めっき反応において、反応消耗成分
であるCu。
HcHo、01−1−は夫々Cll5○4・5+−12
0゜HCHO,Na 0f−1として補充すればよいが
、反応で消耗せず反応とともに増加してい<SO2゜N
a“ 、及びl−I CHOの酸化生成物であるHCO
O、l−IC0O−の酸化生成物であるco¥(空気中
のC02ガスの溶解にもよる)はめっき反応の進行に伴
ない蓄積イオンとして蓄積されていき、また、かかる蓄
積イオンの増加はめっき品質に悪影響を与えることが一
般に知られている。従って、めっき液の組成はめつき反
応の進行に伴なってその建浴当初から刻々と変化してい
き、ぞの結果、比較的短期間でめっき液のめつき能の低
下を来たし、これに伴ないめっき品質も低下していくと
いう欠点があった。
3− かかる欠点に対し従来では、めっき液を一定期間使用し
た後廃棄し再建浴する方法、または、めっき液中の前記
蓄積イオン量を一定以上に増加させないようにめっき液
の比重を管理しながら相当量の新液補充を行なう方法に
よっていた。しかし、前者の方法ではめっき液建浴当初
の液組成を維持するためにめっき液の再建浴を頻繁に行
なう必要があり、コスト高をIC来するとともに作業性
も悪く、また、後者の方法によっても補充される新液ニ
ハ反応消耗成分子あるcu” 、f−(CHO,0f−
1−と当量のS O’+−1l−I CO0−1N a
 + が含まれているからこれらの組成をめっき液建浴
当初と同じに維持するためには極めて多量の新液を補充
しなければならず、結局この方法によってもコスト面、
作業性において実用的ではなかった。
(発明の目的) 本発明の目的は前記従来の欠点を改良し、無電解めっき
液の組成をめっき反応の進行にかかわらず常に、そのめ
っき液の建浴当初の組成と同じに紺持し、ちって長期に
わたりめっき品質の良好な4− 無電解めっき液を供給し得る管理装置及びその管理方法
を提供するにある。
〔発明の構成〕
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は電解槽1の断面図を示し、電解槽1は陽イオン
交換膜2と陰イオン交換膜3とにより3室A、B、Cに
区画されている。室へにはめっきに使用される金属陽イ
オン、例えば、銅イオン、コバルトイオン、ニッケルイ
オン、パラジウムイオン、白金イオン、銀イオン、金イ
オン等を解離せしめる金属塩溶液が満たされている。ま
た、室Bには前記金属塩、その金属塩からの金属陽イオ
ンの錯化剤、金属陽イオンの)9元剤、PI−1調整剤
としてのアルカリ金属水酸化物、めっき液の安定性の向
」込めつき皮膜の機械的性質の向上、めっぎ速度の向上
等のために用いられる添加剤を含有する無電解めっき液
が満たされており、錯化剤としてはエチレンジアミン、
ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、エ
チレンジアミンテトラ酢酸、N、N、 N−N−テトラ
キス−2−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミ
ン、クエン酸、酒石L1.3−プロパンジアミン、アン
モニア、ロッシェル塩酸、N−ヒドロキシエチルエチレ
ンジアミントリ酢酸のナトリウム塩類(モノ−、ジー、
及びトリーナトリウム塩類)、ニトリロトリ酢酸及びそ
のアルカリ塩類、グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタ
ノールアミン等が適する。また、還元剤としては、ホル
ムアルデヒド及びその早期硬化剤あるいは誘導体、例え
ば、グリコールアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ト
リオキサン、ジメチルヒダントイン、グリオキザール及
びその類似物、その他アルカリ金属のボロハイドライド
類、ボラン類が適用できる。PH調整剤としては水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアル
カリ金属の水酸化物が使用される。更に、添加剤として
はα−α′ジピリジル、ポリエチレングリコール、その
伯のシアン化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合物、
希土類元素等が挙げられる。また、室Cには室Bに満た
された無電解めっき液のPHを調整するため前記アルカ
リ金属水酸化物溶液が満たされている。
室へと室Cの各溶液中には、夫々電極4,5が浸漬され
ており、各電極4,5間には第2図に示すような定電流
の方形波交流パルスが印加きれる。
この波形のデユーティは後述のようにめっき条件により
定められる。
(実施例) 続いて、本発明の一実施例を無電解銅めっき液を例にと
って詳細に説明する。
本実施例では電解槽1の各室△、B、Cには夫々次の組
成を右する溶液が満たされる。
室A CuSO+・51−120 1.0tvl/ノ1−12
sO40,1M/J Na2SO40,5M/J2 室B CuSO+ ・5H200,04M//7!EDTA・
4.Na ・4H200,10M/、/1−I CH0
5m12/! NaOHPI−1が12.3となるm 7− α−α′ジピリジル 20mg/2 ポリエチレングリコール 5(1/J 室C Na01−I IM/、g このように構成された電解槽1の室へと室Cに浸漬され
た銅板電極4.白金板電極5に交流定電流パルスがか(
プられ、各溶液中のイオンは陰イオン交換膜2及び陰イ
オン交換膜3を介して移動する。かかる各イオンの移動
状態を第3図、第4図を参照し、(1)銅板電極4がプ
ラス、白金板電極5がマイナスになった時、(2)銅板
電極4がマイナス、白金板電極5がプラスになった時の
2つの場合に分けて説明する。
(1)銅板電極4がプラス、白金板N極5がマイナスに
なったとき。
第3図に′示す如く、室△におけるCu、H1Na+は
銅板電極4がプラスになっているため陽イオン交換膜2
を介して室Bに移動する。また、室Cに、etするOH
,so、、 、HCO○、COJ、8− CIJ Y”’、Y’−は電極5がマイナスになってい
るので陰イオン交換膜3を介して室Bに移動するが、室
Cにおける01−1の濃度は他のイオンSO4、Hco
o−、coユニーCIJ Y’−1臂−のcJ度に比べ
て格段に高いので陰イオン交換膜2を介して室Bに移動
するのはほとんどOH−のみである。このとき室B内で
は、CII t+が無電解銅めっき液中に当初から含有
されていたEDTΔからのY と反応して錯体を形成し
、CIIY 錯イオンとして捕捉される。また、01」
−とH+とは互いに反応して消費される。
(2)銅板電極4がマイナス、白金板電極5がプラスに
なったとき。
このとき、室BからNa+が陽イオン交換膜2を介して
室Aに移動されるが、室B内における陽イオンはNa+
しか存在せず、従ってNa”は非常に透過し易いので前
記した(1)の場合において室△から室Bに陽イオン交
換膜2を介して移動するNa +の移!’JI RJ:
りも大きくなり、この結果Na“は室Bから室Δに選択
的に除去されることになる。これにより銅板電極4と白
金板電極5間に交流定電流パルスをか(プている間にわ
たり室BにおけるN a ” tQ度はFEDT△−4
Nf1 ・旧−120からNa十が過剰に生じてもほぼ
一定に保持される。また、イオン交換膜に対するイオン
の透過性は一般的にイオンの価数が大きい程、また、イ
オンが嵩高い稈小さくなることから、室B内における陰
イオンのうちCuY、Y はSoヰ、HCoo”−、C
O3に比べて格段に陰イオン交換膜を透過しにくいもの
であり、更に、室Bから室Cへ移動するso算−1I」
COO−、CO’3−の移動用は前記(1)の場合にお
いて室Cから室Bへ移動するときの移動用よりも大きく
、従って、SO+、1−HCoo−1COニーは両電極
4.5間に交流定電流パルスを流すことにより陰イオン
交換膜3を介して室Bから選択的に除去されることにな
る。一方、室B内において0f−1−は前記の如くめっ
き反応やH+との反応の消費されるので、室B内におけ
る01−ドの濃度はso4’−1HCO〇−1coニー
の濃度よりもかなり低く、従ってOH−は室Bから室C
にほとんど律動されることはない。
以上2つの場合に分けて説明したように、本実施例によ
れば銅板電極4と白金板電極5間に交流定電流パルスを
かけることにより陽イオン交換膜2及び陰イオン交換膜
3を介して、めっき反応に必要なCu、Ol」 を選択
的に室Bに補充せしめ1!7るとともに、めっき反応の
進行に伴なって増加するめつき反応に不要なl’4a 
、SO+ 、HCOO−1CO副−を室Bから選択的に
除去し1qるものである。これより、めっき反応ととも
に消費される1−1cHoどEDTA−4Na −4l
−1sO,![必要量だけ補充すれば、室Bにおける無
電解銅めっき液の組成をめっき反応の進行にかかわらず
めっき液の建浴当初の組成と同じに紐持することができ
る。なお、交流定電流パルスのデユーティは各成分の濃
度に基づいて設定する。
かかる電解槽1より構成される無電解銅めっき液の管理
装置は第5図に示すようなめつき装置に組み込まれて使
用される。同図において、室B内で一定の組成に制御さ
れためつき液は循環パイプ11− 6により無電解鋼めっき浴7に送入される。めっき浴7
内でめっきが行なわれた後、めっき液はポンプ8により
一担貯蔵槽9に移送され、貯蔵槽9から再び室B内に送
られて一定の組成に制御される。また、室A内の液は循
環パイプ10により貯蔵槽11からポンプ12を介して
貯蔵槽13に移送された後再び室へに戻るJ:うに循環
されている。
このように循環されモいる間に、室A内の液は攪拌され
るとともに室Bから陽イオン交換膜2を介して移動して
くるNa”の濃度が希釈され、低濃度に抑えられる。同
様に、室C内の液も循環パイプ14により貯蔵槽15か
らポンプ16を介して貯蔵槽17に移送され、その後室
C内に戻るように循環されている。このとき室C内の液
は攪拌されるとともに室Bから陰イオン交換膜3を介し
て移動してくる5oS−1HC00−、C03の濃度が
希釈されて低濃度に抑えられる。
かかるように構成されためつき装置を使用し、次の条件
でめっきを行なったところ、表に示すにうな結果が得ら
れた。
12− くめつき条件〉 めっき浴操業時間 1時間 めっき欲負荷 1lm2/f めっき速度 2μ/hr。
めっき浴容積 501 有効膜面積 8.24dm2 めっき浴温度 75°C 室Bの温度 500C 表によれば、従来のめっき装置ではめっきに不要とされ
る5OW−1zcoo−、coS−1N a +濃度は
1週間のめっき操業後においては全体に極めて高い濃度
になることがわかる。一方、本実施例のめっき装置によ
ればso′□−1l−ICOO−、C0E−1Na+ 
濃度は1週間後においても全く変化がなく、めっき開始
時の濃度に維持される。また、従来のめっき装置におい
ては1週間の操業後に、CLI804 ・51−120
とNa01−1を夫々28.56mol 、150. 
OOmolだけ補充する必要があるが、本実施例のめっ
き装置においては1週間の操業ItlJr7Mにわたり
C’l 804 ・5 H20z Na 01−1は補
充する必要がない。更に、めっきされた銅箔の機械的強
度を比較すると、従来のめっき装置では1週間の操業期
間に前記の如<5OS−1HC00、CO3、Na濃度
が極めて高くなるので銅箔の引っ張り強度、銅箔の延び
率がともに低下してしまう。これに対し本実施例のめつ
き装置では804 、HCOO,Cow 、Na 濃度
をめっき開始時の濃度に維持し得るので、銅箔の引張り
強度、15− 銅箔の伸び率がともに低下することなく、めっき開始時
の品質を保持することができる。
なお、本実施例のめっき装置に使用される管理装置にお
ける銅板電極4と白金板電極5間にかけられる交流定電
流パルスは第6図に示す如くパルス巾比a/bは1.8
13のパルス電流を使用した。
以上詳細に説明した通り本実施例の管理装置は電解槽1
を陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜3とによりA、B
、Cの3室に分割し、各室には前記所定の液を満たし、
室Aと室Cの夫々に配備された銅板電極4と白金板電極
5間に交流定電流パルスを流すことにより、両イオン交
換膜2,3を介してめっきに必要なCU2+とOH−を
選択的に室Bに補充するとともにめっきに不要なs o
 :”、HCOO−、co−1Na+を室Bから選択的
に除去するようにしたので、所定量のHCHOとEDT
A・4Na ・4H20を補充するのみで室B内の無電
解銅めっき液の各成分組成を常に一定に維持し得るもの
である。従って、かかる管理装置−16= を使用すれば、常に一定品質のめつき被膜を得ることが
でき、また、従来のものに比してめっきコストを格段に
低くすることができる。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明した通り、無電解めっき液の組成を常
に一定に維持し得、もって長期にわたり良好なめつき被
膜が得られる無電解めっき液を調整しうる管理装置を提
供しlり、その奏する効果は大である。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すものであり、第1図は電
解槽の断面図、第2図は交流定電流パルスの波形図、第
3図及び第4図は電極間に交流定電流パルスをかけたと
きの各イオンの移動状態を示す説明図、第5図は本実施
例の管理装置を使用しためつき装置の模式図、第6図は
本実施例に使用される交流定電流パルスの波形図である
。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換膜、3は陰イオン
交換膜、4は銅板電極、5は白金板電極である。 第1図 第2図 第6図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電極間にイオン交換膜が配備されるとともに金属陽
    イオン、金属陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤
    、P)−1調整剤としてのアルカリ金属の水酸化物を主
    成分とする無電解めっき液が満たされた電F+7槽を備
    え、 前記電極に交流電流を流すことにより前記イオン交換膜
    を介して前記無電解めっき液の成分のうち主として金属
    陽イオン、水酸イオン、金属陽イオンの対陰イオン、還
    元剤の酸化生成物イオンを選択的に透過せしめるように
    したことを特徴とする無電解めっき液の管理装置。 2、電極間にイオン交換膜を配備した電解槽内に金属陽
    イオン、金属陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤
    、PH調整剤としてのアルカリ金属の水酸化物を主成分
    とする無電解めっき液を満た前記電極に交流電流を流ず
    ことにより前記イオン交換膜を介して前記無電解めっき
    液の成分のうち主として金属陽イオン、水酸イオン、金
    属陽イオンの対陰イオン、還元剤の酸化生成物イオンを
    選択的に透過せしめるようにしたことを特徴とする無電
    解めっき液の管理方法。
JP10971183A 1983-06-17 1983-06-17 無電解めっき液の管理装置 Granted JPS602669A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10971183A JPS602669A (ja) 1983-06-17 1983-06-17 無電解めっき液の管理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10971183A JPS602669A (ja) 1983-06-17 1983-06-17 無電解めっき液の管理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS602669A true JPS602669A (ja) 1985-01-08
JPH0359143B2 JPH0359143B2 (ja) 1991-09-09

Family

ID=14517276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10971183A Granted JPS602669A (ja) 1983-06-17 1983-06-17 無電解めっき液の管理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS602669A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63303078A (ja) * 1987-06-01 1988-12-09 Tokuyama Soda Co Ltd 化学ニツケルメツキ液の処理方法
FR2721309A1 (fr) * 1994-06-21 1995-12-22 Centre Nat Rech Scient Procédé et dispositif de diffusion d'ions cuivriques pour le traitement d'un milieu liquide salé.
CN104411644A (zh) * 2012-06-27 2015-03-11 皇家飞利浦有限公司 制备包含阳离子和阴离子的溶液的装置和方法
CN104591351A (zh) * 2015-02-13 2015-05-06 中新环科(天津)科技有限公司 一种处理化工生产废水的离子膜电解槽装置
EP2867173A1 (en) * 2012-06-27 2015-05-06 Koninklijke Philips N.V. Apparatus and method of preparing a solution containing cations and anions

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289597A (en) * 1979-03-05 1981-09-15 Electrochem International, Inc. Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products
JPS58109710A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 有限会社新城製作所 ピアスナツト

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289597A (en) * 1979-03-05 1981-09-15 Electrochem International, Inc. Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products
JPS58109710A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 有限会社新城製作所 ピアスナツト

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63303078A (ja) * 1987-06-01 1988-12-09 Tokuyama Soda Co Ltd 化学ニツケルメツキ液の処理方法
JPH0583635B2 (ja) * 1987-06-01 1993-11-26 Tokuyama Sooda Kk
FR2721309A1 (fr) * 1994-06-21 1995-12-22 Centre Nat Rech Scient Procédé et dispositif de diffusion d'ions cuivriques pour le traitement d'un milieu liquide salé.
CN104411644A (zh) * 2012-06-27 2015-03-11 皇家飞利浦有限公司 制备包含阳离子和阴离子的溶液的装置和方法
EP2867173A1 (en) * 2012-06-27 2015-05-06 Koninklijke Philips N.V. Apparatus and method of preparing a solution containing cations and anions
CN104591351A (zh) * 2015-02-13 2015-05-06 中新环科(天津)科技有限公司 一种处理化工生产废水的离子膜电解槽装置
CN104591351B (zh) * 2015-02-13 2016-05-18 中新环科(天津)科技有限公司 一种处理化工生产废水的离子膜电解槽装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0359143B2 (ja) 1991-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3455709B2 (ja) めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体
US3303111A (en) Electro-electroless plating method
JP4091518B2 (ja) 金属の無電解析出法
CA1081406A (en) Electroless metal plating
US4780342A (en) Electroless nickel plating composition and method for its preparation and use
JPS602669A (ja) 無電解めっき液の管理装置
US4654126A (en) Process for determining the plating activity of an electroless plating bath
CN111235609A (zh) 一种无氰镀银溶液与银镀层及其制备方法
JP2009525404A (ja) 基板表面をコーティングする方法および装置
JPS63137177A (ja) 銅めっき浴再生方法
JP7352515B2 (ja) 電解金合金めっき浴及び電解金合金めっき方法
JP2003138381A (ja) 無電解銅めっき液、その管理方法、及び無電解銅めっき装置
JPS5854200B2 (ja) 電気メツキ浴における金属イオンの供給方法
JPS602668A (ja) 無電解めつき装置
JP2001049448A (ja) 無電解ニッケルめっき方法
JPS6120629B2 (ja)
US20230407507A1 (en) Electroplating solutions
JP2787992B2 (ja) Ni−W合金めっき方法
JPS60135593A (ja) Ni―W合金連続めつき方法およびその装置
JP2960439B2 (ja) 金めつき用補充液
JP2833393B2 (ja) 無電解銅メッキ法
JPS5893888A (ja) 電気メツキにおける金属イオンの供給方法
JPS6296692A (ja) ニツケル−硼素合金めつき方法
JPS6230895A (ja) ニツケル−硼素合金めつき方法
JP3339386B2 (ja) 無電解めっき浴の処理方法