JPS602668A - 無電解めつき装置 - Google Patents
無電解めつき装置Info
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- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は無電解めっき液の組成を一定に維持管理しなが
ら無電解めっきを行なうようにした無電解めっき装置に
関するものである。
ら無電解めっきを行なうようにした無電解めっき装置に
関するものである。
一般に、無電解めっき液は金属陽イオン、金属陽イオン
の錯化剤、金屈陽イオンの還元剤、PH調整剤等を主成
分として含有してなるものであり、特に汎用度の高い無
電解銅めっき液を例にとって示せば次の組成を有するめ
つき液が代表的なものである。
の錯化剤、金屈陽イオンの還元剤、PH調整剤等を主成
分として含有してなるものであり、特に汎用度の高い無
電解銅めっき液を例にとって示せば次の組成を有するめ
つき液が代表的なものである。
Cll5O今 ・5H20(銅イオン供給剤)EDTA
・4Na ・4H20(銅イオンの錯化剤)HCHO
(還元剤) NaOH(PI−(調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤)かかる組成を有
する無電解銅めっき液においては、めっきに伴ない次の
主反応及び副反応が起こっているものと考えられる。
・4Na ・4H20(銅イオンの錯化剤)HCHO
(還元剤) NaOH(PI−(調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤)かかる組成を有
する無電解銅めっき液においては、めっきに伴ない次の
主反応及び副反応が起こっているものと考えられる。
主反応
Cu Y−2+2HCHO+40H−→Ct+°+Y4
−+2HCOO−+2H20+112 副反応 2 l−I CHO+OH−→CH30H+FI CO
0−2Cu”+t−ICt−10+50H−+C1j2
0+1−ICOO−+ 3 t−120 Cu2Q + H20→C11°+ Qu”+ 208
−C11Y” +)−ICOO−+30H−−+Ct+
’ +Y4− + COB−+2 日20 ここに、YはEDTA(エチレンジアミン四酢酸)、C
u0は吸着銅原子を表わす。
−+2HCOO−+2H20+112 副反応 2 l−I CHO+OH−→CH30H+FI CO
0−2Cu”+t−ICt−10+50H−+C1j2
0+1−ICOO−+ 3 t−120 Cu2Q + H20→C11°+ Qu”+ 208
−C11Y” +)−ICOO−+30H−−+Ct+
’ +Y4− + COB−+2 日20 ここに、YはEDTA(エチレンジアミン四酢酸)、C
u0は吸着銅原子を表わす。
前記めっき反応を安定した状態で継続的に維持するには
、めっき液を構成する全ての成分が常に一定であること
が望ましい。しかしながら、前記めっき反応を進行させ
つつめっき液の組成を常に一定に保持するのは非常に難
かしい。即ち、前記めっき反応において、反応消耗成分
であるC u 2f1−I C)−10、O1−1−は
夫々Cu SO+ ・5H20゜I−ICf−to、N
a OHとして補充すればよいが、反応で消耗せず反応
とともに増加していく80手。
、めっき液を構成する全ての成分が常に一定であること
が望ましい。しかしながら、前記めっき反応を進行させ
つつめっき液の組成を常に一定に保持するのは非常に難
かしい。即ち、前記めっき反応において、反応消耗成分
であるC u 2f1−I C)−10、O1−1−は
夫々Cu SO+ ・5H20゜I−ICf−to、N
a OHとして補充すればよいが、反応で消耗せず反応
とともに増加していく80手。
N a + 、及びl−I C)−10の酸化生成物で
あるl−I C00−、l−1cOO−の酸化生成物で
あるCO3(空気中のCO2ガスの溶解にもよる)はめ
っき反応の進行に伴ない蓄積イオンとして蓄積されてい
き、また、かかる蓄積イオンの増加はめつき品質に悪影
響を与えることが一般に知られている。従って、めっき
液の組成はめっき反応の進行に伴なってその建浴当初か
ら刻々と変化していき、その結果、比較的短期間でめっ
き液のめつぎ能の低下を来たし、これに伴ないめっき品
質も低下していくという欠点があった。
あるl−I C00−、l−1cOO−の酸化生成物で
あるCO3(空気中のCO2ガスの溶解にもよる)はめ
っき反応の進行に伴ない蓄積イオンとして蓄積されてい
き、また、かかる蓄積イオンの増加はめつき品質に悪影
響を与えることが一般に知られている。従って、めっき
液の組成はめっき反応の進行に伴なってその建浴当初か
ら刻々と変化していき、その結果、比較的短期間でめっ
き液のめつぎ能の低下を来たし、これに伴ないめっき品
質も低下していくという欠点があった。
かかる欠点に対し従来では、めっき液を一定期間使用し
た後廃棄し再建浴する方法、または、めっき液中の前記
蓄積イオン量を一定以上に増加させないようにめっき液
の比重を管理しながら相当量の新液補充を行なう方法に
よっていた。しかし、前者の方法ではめっき液建浴当初
の液組成を維持するためにめっき液の再建浴を頻繁に行
なう必要があり、コスト高を招来するとともに作業性も
悪く、また、後者の方法によっても補充される新液3− には反応消耗成分であるCu 、HCHO,OH−と当
mのsoニー、HCOO−、Na+ が含まれているか
らこれらの組成をめっき液建浴当初と同じに維持するた
めには極めて多聞の新液を補充しなければならず、結局
この方法によってもコスト面、作業性において実用的で
はなかった。
た後廃棄し再建浴する方法、または、めっき液中の前記
蓄積イオン量を一定以上に増加させないようにめっき液
の比重を管理しながら相当量の新液補充を行なう方法に
よっていた。しかし、前者の方法ではめっき液建浴当初
の液組成を維持するためにめっき液の再建浴を頻繁に行
なう必要があり、コスト高を招来するとともに作業性も
悪く、また、後者の方法によっても補充される新液3− には反応消耗成分であるCu 、HCHO,OH−と当
mのsoニー、HCOO−、Na+ が含まれているか
らこれらの組成をめっき液建浴当初と同じに維持するた
めには極めて多聞の新液を補充しなければならず、結局
この方法によってもコスト面、作業性において実用的で
はなかった。
(発明の目的)
本発明の目的は前記従来の欠点を改良し、無電解金属め
っき液の組成を常に一定に維持管理しつつ無電解めっき
を行なうことを可能とし、ちって長期にわたりめっきコ
ストが低く、かつ、めっき品質の良好な無電解めっきを
することができる無電解めっき装置を提供するにある。
っき液の組成を常に一定に維持管理しつつ無電解めっき
を行なうことを可能とし、ちって長期にわたりめっきコ
ストが低く、かつ、めっき品質の良好な無電解めっきを
することができる無電解めっき装置を提供するにある。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。第1図は本実施例の無電解めっき装置を示す模式図
であり、1は無電解めっき液の組成を一定に維持管理す
るための管埋装置を構成する電解槽である。電解槽1は
第2図に示すように陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜
3とにより34− 室A、B、Cに区画されている。室Aにはめつきに使用
される金属陽イオン、例えば、銅イオン。
る。第1図は本実施例の無電解めっき装置を示す模式図
であり、1は無電解めっき液の組成を一定に維持管理す
るための管埋装置を構成する電解槽である。電解槽1は
第2図に示すように陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜
3とにより34− 室A、B、Cに区画されている。室Aにはめつきに使用
される金属陽イオン、例えば、銅イオン。
コバルトイオン、ニッケルイオン、パラジウムイオン、
白金イオン、銀イオン、金イオン等を解離せしめる金属
塩溶液が満たされている。また、室Bには前記金属塩、
その金属塩からの金属陽イオンの2.n化剤、金属陽イ
オンの還元剤、PH調整剤としてのアルカリ金属水酸化
物、めっき液の安定性の向上、めっき皮膜の機械的性質
の向上、めっき速度の向上等のために用いられる添加剤
を含有する無電解めっき液が満たされており、錯化剤と
してはエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸、
N、 N、 N’、 N’−テトラキス−2−(2−ヒ
ドロキシプロピル)エチレンジアミン、クエン酸、酒石
酸、1,3−プロパンジアミン、アンモニア、ロッシェ
ルiHM、N−ヒドロキシエヂルエチレンジアミントリ
酢酸のナトリウム塩類(モノ−、ジー、及びトリーナト
リウム塩類)、ニトリロトリ酢酸及びそのアルカリ塩類
、グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミン等
が適する。また、還元剤としては、ホルムアルデヒド及
びその早期硬化剤あるいは誘導体、例えば、グリコール
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ジ
メチル1ダントイン、グリオキザール及びその類似物、
その他アルカリ金属のボロハイドライド類、ボラン類が
適用できる。PI−1調整剤としては水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の
水酸化物が使用される。更に、添加剤としてはα−α′
ジピリジル、ポリエチレングリコール、その他のシアン
化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合物、希土類元素
等が挙げられる。また、室Cには室Bに満たされた無電
解めっき液のPHを調整するため前記アルカリ金属水酸
化物溶液が満たされている。
白金イオン、銀イオン、金イオン等を解離せしめる金属
塩溶液が満たされている。また、室Bには前記金属塩、
その金属塩からの金属陽イオンの2.n化剤、金属陽イ
オンの還元剤、PH調整剤としてのアルカリ金属水酸化
物、めっき液の安定性の向上、めっき皮膜の機械的性質
の向上、めっき速度の向上等のために用いられる添加剤
を含有する無電解めっき液が満たされており、錯化剤と
してはエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラアミン、エチレンジアミンテトラ酢酸、
N、 N、 N’、 N’−テトラキス−2−(2−ヒ
ドロキシプロピル)エチレンジアミン、クエン酸、酒石
酸、1,3−プロパンジアミン、アンモニア、ロッシェ
ルiHM、N−ヒドロキシエヂルエチレンジアミントリ
酢酸のナトリウム塩類(モノ−、ジー、及びトリーナト
リウム塩類)、ニトリロトリ酢酸及びそのアルカリ塩類
、グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミン等
が適する。また、還元剤としては、ホルムアルデヒド及
びその早期硬化剤あるいは誘導体、例えば、グリコール
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ジ
メチル1ダントイン、グリオキザール及びその類似物、
その他アルカリ金属のボロハイドライド類、ボラン類が
適用できる。PI−1調整剤としては水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の
水酸化物が使用される。更に、添加剤としてはα−α′
ジピリジル、ポリエチレングリコール、その他のシアン
化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合物、希土類元素
等が挙げられる。また、室Cには室Bに満たされた無電
解めっき液のPHを調整するため前記アルカリ金属水酸
化物溶液が満たされている。
室Aと室Cの各溶液中には、夫々電極4,5が浸漬され
ており、各電極4.5間には第3図に示すような定電流
の方形波交流パルスが印加される。
ており、各電極4.5間には第3図に示すような定電流
の方形波交流パルスが印加される。
尚、この波形のデユーティは後述のようにめっき条件に
より定められる。
より定められる。
次に、室B内のめっき液は循環バイブロにより熱交I!
il!器7を通って無電解めっき浴8に送入される。更
に、めっき液は無電解めっき浴8から循環ポンプ9によ
り、熱交換器10.フィルター11を経て上方に設置さ
れた貯蔵槽12に一担貯わえられ、その後流量計13に
より所定の流量に調節されて再び室Bに戻るように循環
されている。なお、貯蔵槽12からオーバーフローした
めつき液はその自重により熱交換器7を通って無電解め
っき浴8に戻される。また、室A内の液は循環パイプ1
4により一担下部貯蔵栖15に流下された後、循環ポン
プ16により上部貯蔵槽17に貯えられる。その後、流
量計18により所定の流量に調節されつつ再び室Aに帰
還する。上部貯R槽17からオーバーフローした液はそ
の自重により下部貯蔵槽15に流下される。更に、室C
内の液は前記へ室内の液と同様にして、循環パイプ1つ
を介して下部貯蔵槽20から循環ポンプ21により上部
貯蔵槽22に貯えられ、流量計23により所定の流量に
調節されつつ再び室C内に帰還されている。
il!器7を通って無電解めっき浴8に送入される。更
に、めっき液は無電解めっき浴8から循環ポンプ9によ
り、熱交換器10.フィルター11を経て上方に設置さ
れた貯蔵槽12に一担貯わえられ、その後流量計13に
より所定の流量に調節されて再び室Bに戻るように循環
されている。なお、貯蔵槽12からオーバーフローした
めつき液はその自重により熱交換器7を通って無電解め
っき浴8に戻される。また、室A内の液は循環パイプ1
4により一担下部貯蔵栖15に流下された後、循環ポン
プ16により上部貯蔵槽17に貯えられる。その後、流
量計18により所定の流量に調節されつつ再び室Aに帰
還する。上部貯R槽17からオーバーフローした液はそ
の自重により下部貯蔵槽15に流下される。更に、室C
内の液は前記へ室内の液と同様にして、循環パイプ1つ
を介して下部貯蔵槽20から循環ポンプ21により上部
貯蔵槽22に貯えられ、流量計23により所定の流量に
調節されつつ再び室C内に帰還されている。
7−
上部貯蔵4m22からオーバーフローした液は自重によ
り下部貯蔵槽20に戻る。
り下部貯蔵槽20に戻る。
〔実施例の動作〕
次に、本実施例の無電解めっき1M岡の動作について説
明する。
明する。
まず、前記構成を有する無電解めっき液の管埋装置がい
かにしてめっき液の組成を一定に維持管理するかについ
て汎用度の高い無電解鋼めっき液を例にとって第4図、
第5図を参照しつつ説明する。
かにしてめっき液の組成を一定に維持管理するかについ
て汎用度の高い無電解鋼めっき液を例にとって第4図、
第5図を参照しつつ説明する。
電WW11の各室A、B、Cには夫々次の組成を有する
溶液が満たされる。
溶液が満たされる。
室Δ
Cu 5O4−65H4201,0M/JH2SOr
’ O,IM/J! Na25O+ 0.5M//1!! 室B CuSo4・54−1zO0,04Mz7!EDTA・
4Na −41−1200,10M/JHCHO5前l
々 8− Na0)I P)−1が12.3となる足α−α′ジピ
リジル 20mM、z ポリエチレングリコール 5(J、1 室C Na01」 1M/4 このように構成された電解槽1の室Aと室Cに浸漬され
た電極4,5に交流定電流パルスがかけられ、各溶液中
のイオンは陽イオン交換膜2及び陰イオン交換膜3を介
して移動する。かかる各イオンの移動状態を(1)電極
4がプラス、電極5がマイナスになった時、(2)電極
4がマイナス、電極5がプラスになった時の2つの場合
に分けて説明する。
’ O,IM/J! Na25O+ 0.5M//1!! 室B CuSo4・54−1zO0,04Mz7!EDTA・
4Na −41−1200,10M/JHCHO5前l
々 8− Na0)I P)−1が12.3となる足α−α′ジピ
リジル 20mM、z ポリエチレングリコール 5(J、1 室C Na01」 1M/4 このように構成された電解槽1の室Aと室Cに浸漬され
た電極4,5に交流定電流パルスがかけられ、各溶液中
のイオンは陽イオン交換膜2及び陰イオン交換膜3を介
して移動する。かかる各イオンの移動状態を(1)電極
4がプラス、電極5がマイナスになった時、(2)電極
4がマイナス、電極5がプラスになった時の2つの場合
に分けて説明する。
(1)電極4がプラス、電極5がマイナスになったとき
。
。
第4図に示す如く、室AにおけるCU”、H支N a
+ は電極4がプラスになっているため陽イオン交換膜
2を介して室Bに移動する。また、室CにおけるO H
lS 04−1HCO0−1CO;−1CuY2−1Y
4−は電極5がマイナスになっているので陰イオン交換
膜3を介して室Bに移動するが、室Cにお1ノる01−
1のHaは仙のイオンSO4、トIC0O−1co%−
1CUY’−1Y4−の濃度に比べて格段に高いので陰
イオン交換膜2を介して室Bに移動するのはほとんどO
H−のみである。このとき室B内では、(:、 u ”
が無電解銅めっき液中に当初から含有されていたEDD
TAらのY4−と反応して錯体を形成し、CII Y’
−1iイオンとして捕捉される。また、0日−と1」4
とは互いに反応して消費される。
+ は電極4がプラスになっているため陽イオン交換膜
2を介して室Bに移動する。また、室CにおけるO H
lS 04−1HCO0−1CO;−1CuY2−1Y
4−は電極5がマイナスになっているので陰イオン交換
膜3を介して室Bに移動するが、室Cにお1ノる01−
1のHaは仙のイオンSO4、トIC0O−1co%−
1CUY’−1Y4−の濃度に比べて格段に高いので陰
イオン交換膜2を介して室Bに移動するのはほとんどO
H−のみである。このとき室B内では、(:、 u ”
が無電解銅めっき液中に当初から含有されていたEDD
TAらのY4−と反応して錯体を形成し、CII Y’
−1iイオンとして捕捉される。また、0日−と1」4
とは互いに反応して消費される。
(2〉電極4がマイナス、電極5がプラスになったとき
。
。
このとき、室BからNa+が陽イオン交換膜2を介して
室へに移動されるが、室B内における陽イオンはNa+
しか存在せず、従ってNaすは非常に透過し易いので前
記した(1)の場合において室へから室Bに陽イオン交
換膜2を介して移動づるNa+ の移動量よりも大きく
なり、この結果Na+は室Bから室Aに選択的に除去さ
れることになる。これにより電極4と電極5間に交流定
電流パルスをかけている間にわたり室BにおけるNa“
濃度は「DTA−/INa・4H20からN a ’?
が過剰に生じてもほぼ一定に保持される。また、イオン
交換膜に対するイオンの透過性は一般的にイオンの価数
が大きい程、また、イオンが嵩高い程小さくなることか
ら、室B内における陰イオンのうちCuY2−1Y 4
− Iに s 田−1HCOO−、Co1−に比べて格
段に陰イオン交換膜3を透過しにくいものであり、更に
、室Bから室Cへ移動するS閾−1HCOO−、cod
−の移動量は前記(1)の場合において室Cから室Bへ
移動するときの移動量よりも大ぎく、従って、S田−1
HCOO−1Col−は両電極4,5間に交流定電流パ
ルスを流すことにより陰イオン交換膜3を介して室Bか
ら選択的に除去されることになる。一方、室B内におい
てOH−は前記の如くめっぎ反応や1ゼとの反応の消費
されるので、室B内におけるOH−の濃度はSO4、H
COO−、CO3の濃度よりもかなり低く、従ってOH
−は室Bから室Cにほと11− lυど移動されることはない。
室へに移動されるが、室B内における陽イオンはNa+
しか存在せず、従ってNaすは非常に透過し易いので前
記した(1)の場合において室へから室Bに陽イオン交
換膜2を介して移動づるNa+ の移動量よりも大きく
なり、この結果Na+は室Bから室Aに選択的に除去さ
れることになる。これにより電極4と電極5間に交流定
電流パルスをかけている間にわたり室BにおけるNa“
濃度は「DTA−/INa・4H20からN a ’?
が過剰に生じてもほぼ一定に保持される。また、イオン
交換膜に対するイオンの透過性は一般的にイオンの価数
が大きい程、また、イオンが嵩高い程小さくなることか
ら、室B内における陰イオンのうちCuY2−1Y 4
− Iに s 田−1HCOO−、Co1−に比べて格
段に陰イオン交換膜3を透過しにくいものであり、更に
、室Bから室Cへ移動するS閾−1HCOO−、cod
−の移動量は前記(1)の場合において室Cから室Bへ
移動するときの移動量よりも大ぎく、従って、S田−1
HCOO−1Col−は両電極4,5間に交流定電流パ
ルスを流すことにより陰イオン交換膜3を介して室Bか
ら選択的に除去されることになる。一方、室B内におい
てOH−は前記の如くめっぎ反応や1ゼとの反応の消費
されるので、室B内におけるOH−の濃度はSO4、H
COO−、CO3の濃度よりもかなり低く、従ってOH
−は室Bから室Cにほと11− lυど移動されることはない。
以上2つの場合に分けて説明したように、本実施例の管
理装置によれば電極4と電極5間に交流定電流パルスを
流すことにより陽イオン交換膜2及び陰イオン交換膜3
を介して、めっき反応に必要なCu2+、oH−を選択
的に室Bに補充せしめ得るとともに、めっき反応の進行
に伴なって増加するめつき反応に不要なNa+、SOニ
ー、l−I CO0−1C軽−を室Bから選択的に除去
し1りるちのである。これより、めっき反応とともに消
費される1−I CHOとEDT△−4Na−41−1
*oとを必要量だけ補充すれば、室Bにおける無電解銅
めっき液の組成をめっき反応の進行にかかわらずめっき
液の建浴当初の組成と同じに維持することができる。な
お、交流定電流パルスのデユーティは各成分の濃度に基
づいて設定する。
理装置によれば電極4と電極5間に交流定電流パルスを
流すことにより陽イオン交換膜2及び陰イオン交換膜3
を介して、めっき反応に必要なCu2+、oH−を選択
的に室Bに補充せしめ得るとともに、めっき反応の進行
に伴なって増加するめつき反応に不要なNa+、SOニ
ー、l−I CO0−1C軽−を室Bから選択的に除去
し1りるちのである。これより、めっき反応とともに消
費される1−I CHOとEDT△−4Na−41−1
*oとを必要量だけ補充すれば、室Bにおける無電解銅
めっき液の組成をめっき反応の進行にかかわらずめっき
液の建浴当初の組成と同じに維持することができる。な
お、交流定電流パルスのデユーティは各成分の濃度に基
づいて設定する。
ここで再び第1図に戻ると、室B内で一定の組成に維持
管理された無電解銅めっき液は循環バイブロにより無電
解めっき浴8に送入される。無電解めっき浴8内では被
めっき物のめっきが行なわ12− れるが、めつぎ液はめつき反応の進行とともにその組成
に変化を来す。かかるめっき液は前記の如く循環ポンプ
9により貯蔵槽12に一担貯わえられ、その後、電解槽
1の処理能力を考慮して流量計13により設定された所
定の流量にて室Bに帰還される。帰)!されためつき液
は室B内で再び建浴当初の組成に調整される。かかる一
連の動作はめっきを行なっている間にわたり連続的に行
なわれ、これにより無電解めっき浴8内におけるめっき
液の組成はめつき反応の進行にかかわらず常に一定に維
持されるものである。また、室A内の液は前記した如く
下部貯蔵槽15から循環ポンプ16を介して上部貯蔵槽
17に移送された後、再び室A内に戻るように循環され
ており、かかる如く循環されている間に室A内の液は均
一に攪拌されるとともに室Bから陽イオン交換膜2を介
して移動してくるNa+の濃度が希釈されて低濃度に抑
えられる。同様に、室C内の液も循環パイプ19を介し
て下部貯蔵槽20から循環ポンプ21を介して上部貯i
4!!22に移送された後、室C内に戻るように循環さ
れており、かかる如く循環されている間に室C内の液は
均一に匿拌されるとともに室Bから陰イオン交1グ:膜
3を介して移動してくるSOニー、1−ICOO−、C
O31MJaが希釈サレテ低濃疫に抑えられる。
管理された無電解銅めっき液は循環バイブロにより無電
解めっき浴8に送入される。無電解めっき浴8内では被
めっき物のめっきが行なわ12− れるが、めつぎ液はめつき反応の進行とともにその組成
に変化を来す。かかるめっき液は前記の如く循環ポンプ
9により貯蔵槽12に一担貯わえられ、その後、電解槽
1の処理能力を考慮して流量計13により設定された所
定の流量にて室Bに帰還される。帰)!されためつき液
は室B内で再び建浴当初の組成に調整される。かかる一
連の動作はめっきを行なっている間にわたり連続的に行
なわれ、これにより無電解めっき浴8内におけるめっき
液の組成はめつき反応の進行にかかわらず常に一定に維
持されるものである。また、室A内の液は前記した如く
下部貯蔵槽15から循環ポンプ16を介して上部貯蔵槽
17に移送された後、再び室A内に戻るように循環され
ており、かかる如く循環されている間に室A内の液は均
一に攪拌されるとともに室Bから陽イオン交換膜2を介
して移動してくるNa+の濃度が希釈されて低濃度に抑
えられる。同様に、室C内の液も循環パイプ19を介し
て下部貯蔵槽20から循環ポンプ21を介して上部貯i
4!!22に移送された後、室C内に戻るように循環さ
れており、かかる如く循環されている間に室C内の液は
均一に匿拌されるとともに室Bから陰イオン交1グ:膜
3を介して移動してくるSOニー、1−ICOO−、C
O31MJaが希釈サレテ低濃疫に抑えられる。
かかるように構成されためつき装置を使用し、次の条件
でめっきを行なったところ、表に示すような結果が得ら
れた。
でめっきを行なったところ、表に示すような結果が得ら
れた。
くめつき条件)
めっき浴操業時間 1時間
めっき欲負荷 1dへθ
めっき速度 2tl/hr。
めっき浴容積 5O−P−
有効膜面積 8.24dm2
めっき浴温度 75°C
室Bの温度 50’C
15−
表によれば、従来のめつき装置ではめつきに不要とされ
るS04、HCoo−1CO3、Na濃度は1週間のめ
つき操業後においては仝休に極めて高い濃度になること
がわかる。一方、本実施例のめっき装置によればS04
、ト+coo”−、cOx−1Na” 111度は1週
間後においても全(変化がなく、めっき開始時の濃度に
維持される。また、従来のめつき装将においては1週間
の操業後に、Cu5O+ ・51−120どNa 01
−4を夫々28.5(3mol 、150. oomo
lだけ補充する必要があるが、本実施例のめつき装置に
おいては1週間の操業期間にわたりCtl SO4・5
H201Na 01」は補充する必要がない。更に、め
っきされた銅箔の機械的強度を比較すると、従来のめつ
ぎ装置では1週間の操業期間に前記の如くSO4、HC
oo−、coニー、Na”FI度が極メチ高くなルノテ
銅箔の引っ張り強度、銅箔の延び率がともに低下してし
まう。これに対し本実施例のめつき装置では5OH−1
I−I COOスcoS−1Na”W度をめっき開始時
のvA麿に維持し1!′?るので、銅箔の引張り強度、
16− 銅箔の伸び率がともに低下することなく、めっき開始時
の品質を保持することができる。
るS04、HCoo−1CO3、Na濃度は1週間のめ
つき操業後においては仝休に極めて高い濃度になること
がわかる。一方、本実施例のめっき装置によればS04
、ト+coo”−、cOx−1Na” 111度は1週
間後においても全(変化がなく、めっき開始時の濃度に
維持される。また、従来のめつき装将においては1週間
の操業後に、Cu5O+ ・51−120どNa 01
−4を夫々28.5(3mol 、150. oomo
lだけ補充する必要があるが、本実施例のめつき装置に
おいては1週間の操業期間にわたりCtl SO4・5
H201Na 01」は補充する必要がない。更に、め
っきされた銅箔の機械的強度を比較すると、従来のめつ
ぎ装置では1週間の操業期間に前記の如くSO4、HC
oo−、coニー、Na”FI度が極メチ高くなルノテ
銅箔の引っ張り強度、銅箔の延び率がともに低下してし
まう。これに対し本実施例のめつき装置では5OH−1
I−I COOスcoS−1Na”W度をめっき開始時
のvA麿に維持し1!′?るので、銅箔の引張り強度、
16− 銅箔の伸び率がともに低下することなく、めっき開始時
の品質を保持することができる。
なお、本実施例のめつき装置に使用される管理装置にお
ける電極4と電極5間にかけられる交流定電流パルスは
第6図に示す如くパルス[1]比a/bは1.813の
パルス電流を使用した。
ける電極4と電極5間にかけられる交流定電流パルスは
第6図に示す如くパルス[1]比a/bは1.813の
パルス電流を使用した。
以上詳細に説明した通り本実施例の無電解めっき装置は
、電解槽1を陽イオン交換膜2と陰イオン交換H’>’
、 3とにより△、I’3.0の3室に分割し、各室に
は前記所定の液を満たし、室へと室Cの夫々に配備され
た電極4と電極5間に交流定電流パルスをかけることに
より、両イオン交換膜2,3を介してめっきに必要なC
I と01」−を選択的に室Bに補充するとともにめっ
きに不要なS04、トlCOO”−、GO’j−1N
a + を室Bから選択的に除去可能なめつき液の管理
装置を設け、゛無電解めっき浴8のめつ液の組成を常に
一定に維持管理するようにしたので、常に一定品質のめ
っき被膜を得ることができる。更に、本実施例の無電解
めっき装置によれば従来のものに比してめっきコストを
格段に低くすることができる。
、電解槽1を陽イオン交換膜2と陰イオン交換H’>’
、 3とにより△、I’3.0の3室に分割し、各室に
は前記所定の液を満たし、室へと室Cの夫々に配備され
た電極4と電極5間に交流定電流パルスをかけることに
より、両イオン交換膜2,3を介してめっきに必要なC
I と01」−を選択的に室Bに補充するとともにめっ
きに不要なS04、トlCOO”−、GO’j−1N
a + を室Bから選択的に除去可能なめつき液の管理
装置を設け、゛無電解めっき浴8のめつ液の組成を常に
一定に維持管理するようにしたので、常に一定品質のめ
っき被膜を得ることができる。更に、本実施例の無電解
めっき装置によれば従来のものに比してめっきコストを
格段に低くすることができる。
(発明の効果)
以上説明した通り本発明は無電解めっき液の組成を常に
一定に維持管理しつつ無電解めっきを行なうことができ
、これにより長期にわたりめっきコストが低く、かつ、
めっき品質の良好な無電解めっきが可能なめっき装置を
提供し得、その奏する効果は大である。
一定に維持管理しつつ無電解めっきを行なうことができ
、これにより長期にわたりめっきコストが低く、かつ、
めっき品質の良好な無電解めっきが可能なめっき装置を
提供し得、その奏する効果は大である。
図面は本発明の一実施例を示すものであり、第1図は無
電解めっき装置の模式図、第2図は電解槽の断面図、第
3図は交流定電流パルスの波形図、第4図及び第5図は
電極間に交流定電流パルスをかけたとぎの各イオンの移
動状態を示す説明図、第6図は本実施例のめつき液の管
理装置に使用される交流定電流パルスの波形図である。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換L3は陰イオン交
換膜、4.5は電極、8は無電解めっき浴である。 19− 378−
電解めっき装置の模式図、第2図は電解槽の断面図、第
3図は交流定電流パルスの波形図、第4図及び第5図は
電極間に交流定電流パルスをかけたとぎの各イオンの移
動状態を示す説明図、第6図は本実施例のめつき液の管
理装置に使用される交流定電流パルスの波形図である。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換L3は陰イオン交
換膜、4.5は電極、8は無電解めっき浴である。 19− 378−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属陽イオン、金属陽イオンの錯化剤、金属陽イオ
ンの還元剤、PHwJ整剤としてのアルカリ金属の水酸
化物を主成分とする無電解めっき液が満たされた無電解
めっき浴槽と、 前記無電解めっき浴槽に前記めっき液を供給するための
循環路と、 前記循環路内に、電極間にイオン交換膜が配備され、そ
の電極に交流電流を流すことによりイオン交換膜を介し
て前記無電解めっき液の成分のうち主として金属陽イオ
ン、水酸イオン、金属陽イオンの対陰イオン、還元剤の
酸化生成物イオンを選択的に透過せしめる無電解めっき
液の管理装置を設けたことを特徴とする無電解めっき装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10971083A JPS602668A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10971083A JPS602668A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めつき装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS602668A true JPS602668A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14517251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10971083A Pending JPS602668A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めつき装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602668A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157195A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | 大日本印刷株式会社 | 文字フオントの編集装置 |
JPH06316769A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-11-15 | Nippon Parkerizing Co Ltd | 化学浴から金属イオンおよび混入物の間欠的除去装置および方法 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10971083A patent/JPS602668A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157195A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | 大日本印刷株式会社 | 文字フオントの編集装置 |
JPH06316769A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-11-15 | Nippon Parkerizing Co Ltd | 化学浴から金属イオンおよび混入物の間欠的除去装置および方法 |
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