JPH0359143B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0359143B2 JPH0359143B2 JP58109711A JP10971183A JPH0359143B2 JP H0359143 B2 JPH0359143 B2 JP H0359143B2 JP 58109711 A JP58109711 A JP 58109711A JP 10971183 A JP10971183 A JP 10971183A JP H0359143 B2 JPH0359143 B2 JP H0359143B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- plating
- cation
- membrane side
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 38
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 18
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000003011 anion exchange membrane Substances 0.000 claims description 9
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 claims description 9
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 6
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 5
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 14
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N Glycolaldehyde Chemical compound OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIROYDNZEPTFOL-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethylhydantoin Chemical compound CC1(C)NC(=O)NC1=O YIROYDNZEPTFOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical class OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical class OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Chemical class OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical class OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 description 1
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical class OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K trisodium;hydroxy-[[phosphonatomethyl(phosphonomethyl)amino]methyl]phosphinate Chemical class [Na+].[Na+].[Na+].OP(O)(=O)CN(CP(O)([O-])=O)CP([O-])([O-])=O SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1671—Electric field
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
〔技術分野〕
本発明は無電解めつき液の組成を常に一定に維
持するための管理装置に関するものである。 〔従来技術〕 一般に、無電解めつき液は金属陽イオン、金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤等を主成分として含有してなるものであり、
時に汎用度の高い無電解銅めつき液を例にとつて
示せば次の組成を有するめつき液が代表的なもの
である。 CuSO4・5H2O(銅イオン供給剤) EDTA・4Na・4H2O(銅イオンの錯化剤) HCHO(還元剤) NaOH(PH調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤) かかる組成を有する無電解銅めつき液において
は、めつきに伴ない次の主反応及び副反応が起こ
つているものと考えられる。 主反応 CuY-2+2HCHO+4OH-→Cu°+Y4-+2HC
OO-+2H2O+H2 副反応 2HCHO+OH-→CH3OH+HCOO-2Cu2++HCHO+5OH-→Cu2
O+HCOO-+3H2O Cu2O+H2O→Cu°+Cu2++2OH-CuY2-+HCOO-+3OH-→C
u°+Y4-+CO2- 3+2H2O ここに、YはEDTA(エチレンジアミン四酢
酸)、Cu°は吸着銅原子を表わす。 前記めつき反応を安定した状態で継続的に維持
するには、めつき液を構成する全ての成分が常に
一定であることが望ましい。しかしながら、前記
めつき反応を進行させつつめつき液の組成を常に
一定に保持するのは非常に難かしい。即ち、前記
めつき反応において、反応消耗成分であるCu2+、
HCHO、OH-は夫々CuSO4・5H2O、HCHO、
NaOHとして補充すればよいか、反応で消耗せ
ず反応とともに増加していくSO2- 4、Na+、及び
HCHOの酸化生成物であるHCOO-、HCOO-の
酸化生成物であるCO2- 3(空気中のCO2ガスの溶解
にもよる)はめつき反応の進行に伴ない蓄積イオ
ンとして蓄積されていき、また、かかる蓄積イオ
ンの増加はめつき品質に悪影響を与えることが一
般に知られている。従つて、めつき液の組成はめ
つき反応の進行に伴なつてその建浴当初から刻々
と変化していき、その結果、比較的短期間でめつ
き液のめつき能の低下を来たし、これに伴ないめ
つき品質も低下していくという欠点があつた。 かかる欠点に対し従来では、めつき液を一定期
間使用した後廃棄し再建浴する方法、または、め
つき液中の前記蓄積イオン量を一定以上に増加さ
せないようにめつき液の比重を管理しながら相当
量の新液補充を行なう方法によつていた。しか
し、前者の方法ではめつき液建浴当初の液組成を
維持するためにめつき液の再建浴を頻繁に行なう
必要があり、コスト高を招来するとともに作業性
も悪く、また、後者の方法によつても補充される
新液には反応消耗成分であるCu2+、HCHO、
OH-と当量のSO2- 4、HCOO-、Na+が含まれてい
るからこれらの組成をめつき液建浴当初と同じに
維持するためには極めて多量の新液を補充しなけ
ればならず、結局この方法によつてもコスト面、
作業性において実用的ではなかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は前記従来の欠点を改良し、無電
解めつき液の組成をめつき反応の進行にかかわら
ず常に、そのめつき液の建浴当初の組成と同じに
維持し、もつて長期にわたりめつき品質の良好な
無電解のめつき液を供給し得る管理装置を提供す
るにある。 〔発明の構成〕 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。第1図は電解槽1の断面図を示し、電解槽1
は陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜3とにより
3室A、B、Cに区画されている。室Aにはめつ
きに使用される金属陽イオン、例えば、銅イオ
ン、コバルトイオン、ニツケルイオン、パラジウ
ムイオン、白金イオン、銀イオン、金イオン等を
解離せしめる金属塩溶液が満たされている。ま
た、室Bには前記金属塩、その金属塩からの金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤としてのアルカリ金属水酸化物、めつき液の
安定性の向上、めつき皮膜の機械的性質の向上、
めつき速度の向上等のために用いられる添加剤を
含有する無電解めつき液が満たされており、錯化
剤としてはエチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、トリエチレンテトラアミン、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、N,N,N′,N′−テトラキス
−2−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミン、クエン酸、酒石酸、1,3−プロパンジア
ミン、アンモニア、ロツシエル塩酸、N−ヒドロ
キシエチルエチレンジアミントリ酢酸のナトリウ
ム塩類(モノー、ジー、及びトリ−ナトリウム塩
類)、ニトリロトリ酢酸及びそのアルカリ塩類、
グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミ
ン等が適する。また、還元剤としては、ホルムア
ルデヒド及びその早期硬化剤あるいは誘導体、例
えば、グリコールアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド、トリオキサン、ジメチルヒダントイン、グ
リオキザール及びその類似物、その他アルカリ金
属のボロハイドライド類、ボラン類が適用され
る。PH調整剤としては水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の水
酸化物が使用される。更に、添加剤としてはα−
α′ジピリジル、ポリエチレングリコール、その他
のシアン化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合
物、希土類元素等が挙げられる。また、室Cには
室Bに満たされた無電解めつき液のPHを調整する
ため前記アルカリ金属水酸化物溶液が満たされて
いる。 室Aと室Cの各溶液中には、夫々電極4,5が
浸漬されており、各電極4,5間には第2図に示
すような定電流の方形波交流パルスが印加され
る。この波形のデユーテイは後述のようにめつき
条件により定められる。 〔実施例〕 続いて、本発明の一実施例を無電解銅めつき液
を例にとつて詳細に説明する。 本実施例では電解槽1の各室A、B、Cには
夫々次の組成を有する溶液が満たされる。 室A CuSO4・5H2O 1.0M/ H2SO4 0.1M/ Na2SO4 0.5M/ 室B CuSO4・5H2O 0.04M/ EDTA・4Na・4H2O 0.10M/ HCHO 5ml/ NaOH PHが12.3となる量 α−α′ジピリジル 20mg/ ポリエチレングリコール 5g/ 室C NaOH 1M/ このように構成された電解槽1の室Aと室Cに
浸漬された銅板電極4、白金板電極5に交流定電
流パルスがかけられ、各溶液中のイオンは陽イオ
ン交換膜2及び陰イオン交換膜3を介して移動す
る。かかる各イオンの移動状態を第3図、第4図
を参照し、(1)銅板電極4がプラス、白金板電極5
がマイナスになつた時、(2)銅板電極4がマイナ
ス、白金板電極5がプラスになつた時の2つの場
合に分けて説明する。 (1) 銅板電極4がプラス、白金板電極5がマイナ
スになつたとき。 第3図に示す如く、室AにおけるCu2+、H+、
Na+は銅板電極4がプラスになつているため陽
イオン交換膜2を介して室Bに移動する。ま
た、室CにおけるOH-、SO2- 4、HCOO-、
CO2- 3、CuY2-、Y4-は電極5がマイナスになつ
ているので陰イオン交換膜3を介して室Bに移
動するが、室CにおけるOHの濃度は他のイオ
ンSO2- 4、HCOO-、CO2- 3、CuY2-、Y4-の濃度
に比べて格段に高いので陰イオン交換膜2を介
して室Bに移動するのはほとんどOH-のみで
ある。このとき室B内では、Cu2+が無電解銅
めつき液中に当初から含有されていたEDTA
からのY4-と反応して錯体を形成し、CuY2-錯
イオンとして補捉される。また、OH-とH+と
は互いに反応して消費される。 (2) 銅板電極4がマイナス、白金板電極5がプラ
スになつたとき。 このとき、室BからNa+が陽イオン交換膜2
を介して室Aに移動されるが、室B内における
陽イオンはNa+しか存在せず、従つてNa+は非
常に透過し易いので前記した(1)の場合において
室Aから室Bに陽イオン交換膜2を介して移動
するNa+の移動量よりも大きくなり、この結果
Na+は室Bから室Aに選択的に除去されること
になる。これにより銅板電極4と白金板電極5
間に交流定電流パルスをかけている間にわたり
室BにおけるNa+濃度はEDTA・4Na・4H2O
からNa+が過剰に生じてもほぼ一定に保持され
る。また、イオン交換膜に対するイオンの透過
性は一般的にイオンの価数が大きい程、また、
イオンが嵩高い程小さくなることから、室B内
における陰イオンのうちCuY2-、Y4-はSO2- 4、
HCOO-、CO2- 3に比べて格段に陰イオン交換膜
を透過しにくいものであり、更に、室Bから室
Cへ移動するSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の移動量
は前記(1)の場合において室Cから室Bへ移動す
るときの移動量よりも大きく、従つて、SO2- 4、
HCOO-、CO2- 3は両電極4,5間に交流定電流
パルスを流すことにより陰イオン交換膜3を介
して室Bから選択的に除去されることになる。
一方、室B内においてOH-は前記の如くめつ
き反応やH+との反応の消費されるので、室B
内におけるOH-の濃度はSO2- 4、HCOO、CO2- 3
の濃度よりもかなり低く、従つてOH-は室B
から室Cにほとんど移動されることはない。 以上2つの場合に分けて説明したように、本実
施例によれば銅板電極4と白金板電極5間に交流
定電流パルスをかけることにより陽イオン交換膜
2及び陰イオン交換膜3を介して、めつき反応に
必要なCu2+、OH-を選択的に室Bに補充せしめ
得るとともに、めつき反応の進行に伴なつて増加
するめつき反応に不要なNa+、SO2- 4、HCOO-、
CO2- 3を室Bから選択的に除去し得るものである。
これより、めつき反応とともに消費される
HCHOとEDTA・4Na・4H2Oとを必要量だけ補
充すれば、室Bにおける無電解銅めつき液の組成
をめつき反応の進行にかかわらずめつき液の建浴
当初の組成と同じに維持することができる。な
お、交流定電流パルスのデユーテイは各成分の濃
度に基づいて設定する。 かかる電解槽1より構成される無電解銅めつき
液の管理装置は第5図に示すようなめつき装置に
組み込まれて使用される。同図において、室B内
で一定の組成に制御されためつき液は循環パイプ
6により無電解銅めつき浴7に送入される。めつ
き浴7内でめつきが行なわれた後、めつき液はポ
ンプ8により一担貯蔵槽9に移送され、貯蔵槽9
から再び室B内に送られて一定の組成に制御され
る。また、室A内の液は循環パイプ10により貯
蔵槽11からポンプ12を介して貯蔵槽13に移
送された後再び室Aに戻るように循環されてい
る。このように循環されている間に、室A内の液
は撹拌されるとともに室Bから陽イオン交換膜2
を介して移動してくるNa+の濃度が希釈され、低
濃度に抑えられる。同様に、室C内の液も循環パ
イプ14により貯蔵槽15からポンプ16を介し
て貯蔵槽17に移送され、その後室C内に戻るよ
うに循環されている。このとき室C内の液は撹拌
されるとともに室Bから陰イオン交換膜3を介し
て移動してくるSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の濃度が
希釈されて低濃度に抑えられる。 かかるように構成されためつき装置を使用し、
次の条件でめつきを行なつたところ、表に示すよ
うな結果が得られた。 (めつき条件) めつき浴操業時間 1時間 めつき欲負荷 1dm2/ めつき速度 2μ/hr. めつき浴容積 50 有効膜面積 8.24dm2 めつき浴温度 75℃ 室Bの温度 50℃
持するための管理装置に関するものである。 〔従来技術〕 一般に、無電解めつき液は金属陽イオン、金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤等を主成分として含有してなるものであり、
時に汎用度の高い無電解銅めつき液を例にとつて
示せば次の組成を有するめつき液が代表的なもの
である。 CuSO4・5H2O(銅イオン供給剤) EDTA・4Na・4H2O(銅イオンの錯化剤) HCHO(還元剤) NaOH(PH調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤) かかる組成を有する無電解銅めつき液において
は、めつきに伴ない次の主反応及び副反応が起こ
つているものと考えられる。 主反応 CuY-2+2HCHO+4OH-→Cu°+Y4-+2HC
OO-+2H2O+H2 副反応 2HCHO+OH-→CH3OH+HCOO-2Cu2++HCHO+5OH-→Cu2
O+HCOO-+3H2O Cu2O+H2O→Cu°+Cu2++2OH-CuY2-+HCOO-+3OH-→C
u°+Y4-+CO2- 3+2H2O ここに、YはEDTA(エチレンジアミン四酢
酸)、Cu°は吸着銅原子を表わす。 前記めつき反応を安定した状態で継続的に維持
するには、めつき液を構成する全ての成分が常に
一定であることが望ましい。しかしながら、前記
めつき反応を進行させつつめつき液の組成を常に
一定に保持するのは非常に難かしい。即ち、前記
めつき反応において、反応消耗成分であるCu2+、
HCHO、OH-は夫々CuSO4・5H2O、HCHO、
NaOHとして補充すればよいか、反応で消耗せ
ず反応とともに増加していくSO2- 4、Na+、及び
HCHOの酸化生成物であるHCOO-、HCOO-の
酸化生成物であるCO2- 3(空気中のCO2ガスの溶解
にもよる)はめつき反応の進行に伴ない蓄積イオ
ンとして蓄積されていき、また、かかる蓄積イオ
ンの増加はめつき品質に悪影響を与えることが一
般に知られている。従つて、めつき液の組成はめ
つき反応の進行に伴なつてその建浴当初から刻々
と変化していき、その結果、比較的短期間でめつ
き液のめつき能の低下を来たし、これに伴ないめ
つき品質も低下していくという欠点があつた。 かかる欠点に対し従来では、めつき液を一定期
間使用した後廃棄し再建浴する方法、または、め
つき液中の前記蓄積イオン量を一定以上に増加さ
せないようにめつき液の比重を管理しながら相当
量の新液補充を行なう方法によつていた。しか
し、前者の方法ではめつき液建浴当初の液組成を
維持するためにめつき液の再建浴を頻繁に行なう
必要があり、コスト高を招来するとともに作業性
も悪く、また、後者の方法によつても補充される
新液には反応消耗成分であるCu2+、HCHO、
OH-と当量のSO2- 4、HCOO-、Na+が含まれてい
るからこれらの組成をめつき液建浴当初と同じに
維持するためには極めて多量の新液を補充しなけ
ればならず、結局この方法によつてもコスト面、
作業性において実用的ではなかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は前記従来の欠点を改良し、無電
解めつき液の組成をめつき反応の進行にかかわら
ず常に、そのめつき液の建浴当初の組成と同じに
維持し、もつて長期にわたりめつき品質の良好な
無電解のめつき液を供給し得る管理装置を提供す
るにある。 〔発明の構成〕 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。第1図は電解槽1の断面図を示し、電解槽1
は陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜3とにより
3室A、B、Cに区画されている。室Aにはめつ
きに使用される金属陽イオン、例えば、銅イオ
ン、コバルトイオン、ニツケルイオン、パラジウ
ムイオン、白金イオン、銀イオン、金イオン等を
解離せしめる金属塩溶液が満たされている。ま
た、室Bには前記金属塩、その金属塩からの金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤としてのアルカリ金属水酸化物、めつき液の
安定性の向上、めつき皮膜の機械的性質の向上、
めつき速度の向上等のために用いられる添加剤を
含有する無電解めつき液が満たされており、錯化
剤としてはエチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、トリエチレンテトラアミン、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、N,N,N′,N′−テトラキス
−2−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミン、クエン酸、酒石酸、1,3−プロパンジア
ミン、アンモニア、ロツシエル塩酸、N−ヒドロ
キシエチルエチレンジアミントリ酢酸のナトリウ
ム塩類(モノー、ジー、及びトリ−ナトリウム塩
類)、ニトリロトリ酢酸及びそのアルカリ塩類、
グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミ
ン等が適する。また、還元剤としては、ホルムア
ルデヒド及びその早期硬化剤あるいは誘導体、例
えば、グリコールアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド、トリオキサン、ジメチルヒダントイン、グ
リオキザール及びその類似物、その他アルカリ金
属のボロハイドライド類、ボラン類が適用され
る。PH調整剤としては水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の水
酸化物が使用される。更に、添加剤としてはα−
α′ジピリジル、ポリエチレングリコール、その他
のシアン化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合
物、希土類元素等が挙げられる。また、室Cには
室Bに満たされた無電解めつき液のPHを調整する
ため前記アルカリ金属水酸化物溶液が満たされて
いる。 室Aと室Cの各溶液中には、夫々電極4,5が
浸漬されており、各電極4,5間には第2図に示
すような定電流の方形波交流パルスが印加され
る。この波形のデユーテイは後述のようにめつき
条件により定められる。 〔実施例〕 続いて、本発明の一実施例を無電解銅めつき液
を例にとつて詳細に説明する。 本実施例では電解槽1の各室A、B、Cには
夫々次の組成を有する溶液が満たされる。 室A CuSO4・5H2O 1.0M/ H2SO4 0.1M/ Na2SO4 0.5M/ 室B CuSO4・5H2O 0.04M/ EDTA・4Na・4H2O 0.10M/ HCHO 5ml/ NaOH PHが12.3となる量 α−α′ジピリジル 20mg/ ポリエチレングリコール 5g/ 室C NaOH 1M/ このように構成された電解槽1の室Aと室Cに
浸漬された銅板電極4、白金板電極5に交流定電
流パルスがかけられ、各溶液中のイオンは陽イオ
ン交換膜2及び陰イオン交換膜3を介して移動す
る。かかる各イオンの移動状態を第3図、第4図
を参照し、(1)銅板電極4がプラス、白金板電極5
がマイナスになつた時、(2)銅板電極4がマイナ
ス、白金板電極5がプラスになつた時の2つの場
合に分けて説明する。 (1) 銅板電極4がプラス、白金板電極5がマイナ
スになつたとき。 第3図に示す如く、室AにおけるCu2+、H+、
Na+は銅板電極4がプラスになつているため陽
イオン交換膜2を介して室Bに移動する。ま
た、室CにおけるOH-、SO2- 4、HCOO-、
CO2- 3、CuY2-、Y4-は電極5がマイナスになつ
ているので陰イオン交換膜3を介して室Bに移
動するが、室CにおけるOHの濃度は他のイオ
ンSO2- 4、HCOO-、CO2- 3、CuY2-、Y4-の濃度
に比べて格段に高いので陰イオン交換膜2を介
して室Bに移動するのはほとんどOH-のみで
ある。このとき室B内では、Cu2+が無電解銅
めつき液中に当初から含有されていたEDTA
からのY4-と反応して錯体を形成し、CuY2-錯
イオンとして補捉される。また、OH-とH+と
は互いに反応して消費される。 (2) 銅板電極4がマイナス、白金板電極5がプラ
スになつたとき。 このとき、室BからNa+が陽イオン交換膜2
を介して室Aに移動されるが、室B内における
陽イオンはNa+しか存在せず、従つてNa+は非
常に透過し易いので前記した(1)の場合において
室Aから室Bに陽イオン交換膜2を介して移動
するNa+の移動量よりも大きくなり、この結果
Na+は室Bから室Aに選択的に除去されること
になる。これにより銅板電極4と白金板電極5
間に交流定電流パルスをかけている間にわたり
室BにおけるNa+濃度はEDTA・4Na・4H2O
からNa+が過剰に生じてもほぼ一定に保持され
る。また、イオン交換膜に対するイオンの透過
性は一般的にイオンの価数が大きい程、また、
イオンが嵩高い程小さくなることから、室B内
における陰イオンのうちCuY2-、Y4-はSO2- 4、
HCOO-、CO2- 3に比べて格段に陰イオン交換膜
を透過しにくいものであり、更に、室Bから室
Cへ移動するSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の移動量
は前記(1)の場合において室Cから室Bへ移動す
るときの移動量よりも大きく、従つて、SO2- 4、
HCOO-、CO2- 3は両電極4,5間に交流定電流
パルスを流すことにより陰イオン交換膜3を介
して室Bから選択的に除去されることになる。
一方、室B内においてOH-は前記の如くめつ
き反応やH+との反応の消費されるので、室B
内におけるOH-の濃度はSO2- 4、HCOO、CO2- 3
の濃度よりもかなり低く、従つてOH-は室B
から室Cにほとんど移動されることはない。 以上2つの場合に分けて説明したように、本実
施例によれば銅板電極4と白金板電極5間に交流
定電流パルスをかけることにより陽イオン交換膜
2及び陰イオン交換膜3を介して、めつき反応に
必要なCu2+、OH-を選択的に室Bに補充せしめ
得るとともに、めつき反応の進行に伴なつて増加
するめつき反応に不要なNa+、SO2- 4、HCOO-、
CO2- 3を室Bから選択的に除去し得るものである。
これより、めつき反応とともに消費される
HCHOとEDTA・4Na・4H2Oとを必要量だけ補
充すれば、室Bにおける無電解銅めつき液の組成
をめつき反応の進行にかかわらずめつき液の建浴
当初の組成と同じに維持することができる。な
お、交流定電流パルスのデユーテイは各成分の濃
度に基づいて設定する。 かかる電解槽1より構成される無電解銅めつき
液の管理装置は第5図に示すようなめつき装置に
組み込まれて使用される。同図において、室B内
で一定の組成に制御されためつき液は循環パイプ
6により無電解銅めつき浴7に送入される。めつ
き浴7内でめつきが行なわれた後、めつき液はポ
ンプ8により一担貯蔵槽9に移送され、貯蔵槽9
から再び室B内に送られて一定の組成に制御され
る。また、室A内の液は循環パイプ10により貯
蔵槽11からポンプ12を介して貯蔵槽13に移
送された後再び室Aに戻るように循環されてい
る。このように循環されている間に、室A内の液
は撹拌されるとともに室Bから陽イオン交換膜2
を介して移動してくるNa+の濃度が希釈され、低
濃度に抑えられる。同様に、室C内の液も循環パ
イプ14により貯蔵槽15からポンプ16を介し
て貯蔵槽17に移送され、その後室C内に戻るよ
うに循環されている。このとき室C内の液は撹拌
されるとともに室Bから陰イオン交換膜3を介し
て移動してくるSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の濃度が
希釈されて低濃度に抑えられる。 かかるように構成されためつき装置を使用し、
次の条件でめつきを行なつたところ、表に示すよ
うな結果が得られた。 (めつき条件) めつき浴操業時間 1時間 めつき欲負荷 1dm2/ めつき速度 2μ/hr. めつき浴容積 50 有効膜面積 8.24dm2 めつき浴温度 75℃ 室Bの温度 50℃
本発明は以上説明した通り、無電解めつき液の
組成を常に一定に維持し得、もつて長期にわたり
良好なめつき被膜が得られる無電解めつき液を調
整しうる管理装置を提供し得、その奏する効果は
大である。
組成を常に一定に維持し得、もつて長期にわたり
良好なめつき被膜が得られる無電解めつき液を調
整しうる管理装置を提供し得、その奏する効果は
大である。
図面は本発明の一実施例を示すものであり、第
1図は電解槽の断面図、第2図は交流定電流パル
スの波形図、第3図及び第4図は電極間に交流定
電流パルスをかけときの各イオンの移動状態を示
す説明図、第5図は本実施例の管理装置を使用し
ためつき装置の模式図、第6図は本実施例に使用
される交流定電流パルスの波形図である。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換膜、3は
陰イオン交換膜、4は銅板電極、5は白金板電極
である。
1図は電解槽の断面図、第2図は交流定電流パル
スの波形図、第3図及び第4図は電極間に交流定
電流パルスをかけときの各イオンの移動状態を示
す説明図、第5図は本実施例の管理装置を使用し
ためつき装置の模式図、第6図は本実施例に使用
される交流定電流パルスの波形図である。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換膜、3は
陰イオン交換膜、4は銅板電極、5は白金板電極
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とによつて
陽イオン膜側の室、陰イオン膜側の室、及び中間
室の三槽に区分され、かつ、前記陽イオン膜側の
室には金属塩溶液を、前記陰イオン膜側の室には
アルカリ金属水酸化物溶液を、また、中間室には
金属陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、
PH調整剤としてのアルカリ金属の水酸化物を主成
分とする無電解めつき液を満たした電解槽と、 前記陽イオン膜側の室、及び陰イオン膜側の室
に設けられた電極と、 前記電極に交流電流を与える電源とを備え、 前記電極に前記電源により交流電流を与えるこ
とにより、陽イオン膜側の室の金属陽イオン、陰
イオン膜側の室の水酸イオンを中間室に透過せし
め、中間室の金属陽イオンの対陰イオン、還元剤
の酸化生成物イオンを陰イオン膜側の室に透過せ
しめるようにしたことを特徴とする無電解めつき
液の管理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10971183A JPS602669A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めっき液の管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10971183A JPS602669A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めっき液の管理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS602669A JPS602669A (ja) | 1985-01-08 |
JPH0359143B2 true JPH0359143B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=14517276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10971183A Granted JPS602669A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 無電解めっき液の管理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602669A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63303078A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Tokuyama Soda Co Ltd | 化学ニツケルメツキ液の処理方法 |
FR2721309B1 (fr) * | 1994-06-21 | 1996-09-13 | Centre Nat Rech Scient | Procédé et dispositif de diffusion d'ions cuivriques pour le traitement d'un milieu liquide salé. |
CN104411644A (zh) * | 2012-06-27 | 2015-03-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 制备包含阳离子和阴离子的溶液的装置和方法 |
JP6291490B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2018-03-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | カチオンおよびアニオンを含む溶液を調製する装置および方法 |
CN104591351B (zh) * | 2015-02-13 | 2016-05-18 | 中新环科(天津)科技有限公司 | 一种处理化工生产废水的离子膜电解槽装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4289597A (en) * | 1979-03-05 | 1981-09-15 | Electrochem International, Inc. | Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products |
JPS58109710A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | 有限会社新城製作所 | ピアスナツト |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10971183A patent/JPS602669A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4289597A (en) * | 1979-03-05 | 1981-09-15 | Electrochem International, Inc. | Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products |
JPS58109710A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | 有限会社新城製作所 | ピアスナツト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS602669A (ja) | 1985-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3455709B2 (ja) | めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体 | |
US4428802A (en) | Palladium-nickel alloy electroplating and solutions therefor | |
JP4091518B2 (ja) | 金属の無電解析出法 | |
JP5416330B2 (ja) | 金めっき液用亜硫酸金塩水溶液の製造方法 | |
US4780342A (en) | Electroless nickel plating composition and method for its preparation and use | |
US5935306A (en) | Electroless gold plating bath | |
EP0221265B1 (en) | Process for determining the plating activity of an electroless plating bath | |
JPH0359143B2 (ja) | ||
JP2005501964A (ja) | 無電解ニッケル鍍金溶液およびその使用法 | |
US3661596A (en) | Stabilized, chemical nickel plating bath | |
JP7352515B2 (ja) | 電解金合金めっき浴及び電解金合金めっき方法 | |
EP0267767A2 (en) | Copper bath for electroless plating having excess countercation and process using same | |
US2883288A (en) | Silver plating bath | |
US3261711A (en) | Electroless plating | |
US4468296A (en) | Process for electroplating palladium | |
US5944879A (en) | Nickel hypophosphite solutions containing increased nickel concentration | |
JP2013224496A (ja) | 金めっき液用亜硫酸金塩水溶液 | |
JPS602668A (ja) | 無電解めつき装置 | |
US3919100A (en) | Alkaline etchant compositions | |
JPH0144790B2 (ja) | ||
JPS5854200B2 (ja) | 電気メツキ浴における金属イオンの供給方法 | |
JP3135699B2 (ja) | 無電解金めっき液の濃縮保存液 | |
JPS6120629B2 (ja) | ||
US20230407507A1 (en) | Electroplating solutions | |
GB2086940A (en) | Composition and Process for High Speed Electrodeposition of Silver |