JPH0583635B2 - - Google Patents

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JPH0583635B2
JPH0583635B2 JP62134850A JP13485087A JPH0583635B2 JP H0583635 B2 JPH0583635 B2 JP H0583635B2 JP 62134850 A JP62134850 A JP 62134850A JP 13485087 A JP13485087 A JP 13485087A JP H0583635 B2 JPH0583635 B2 JP H0583635B2
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JP
Japan
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chemical nickel
nickel plating
electrodialysis
solution
reducing agent
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JP62134850A
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JPS63303078A (ja
Inventor
Takahisa Yamamoto
Yasutoshi Kobuchi
Ryuji Takeshita
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Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
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Publication date
Application filed by Tokuyama Corp filed Critical Tokuyama Corp
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Publication of JPS63303078A publication Critical patent/JPS63303078A/ja
Publication of JPH0583635B2 publication Critical patent/JPH0583635B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1617Purification and regeneration of coating baths

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は、化孊ニツケルメツキ液の再生のため
の凊理方法に関する。 〔埓来の技術及び発明が解決しようずする問題
点〕 化孊ニツケルメツキは、電極䞍芁、䞍導䜓にも
メツキが぀く、耐食性が良い、均䞀なメツキ床膜
が埗られる等の特城を有しおいる。このため、化
孊ニツケルメツキは、プラスチツク、セラミツ
ク、金属などの玠材に電導性の付䞎、又は耐食
性、耐磚耗性若しくは硬床の向䞊、はんだ付け性
若しくは接着性の改善などの目的で幅広く利甚さ
れおいる。 化孊ニツケルメツキ液は、䞻ずしおニツケル
塩、ニツケルむオンのキレヌト化剀及びニツケル
むオンの還元剀を含んでいる。ニツケル塩からの
ニツケルむオンは、還元剀によ぀お還元されお被
メツキ物の衚面に金属ニツケルずしお析出するず
考えられおいる。䞀方、還元剀自身は酞化されお
酞化生成物ずなり、化孊ニツケルメツキ液䞭に蓄
積する。ずころが、この還元剀の酞化生成物は、
化孊ニツケルメツキのメツキ皮膜の物性及び反応
速床に悪圱響を及がす。このため、化孊ニツケル
メツキ液䞭に含たれる還元剀の酞化生成物の濃床
がある䞀定濃床、䟋えば300〜400以䞊ずな
぀たずきには、化孊ニツケルメツキ液の党郚又は
䞀郚を新液に眮き換える方法が採甚されおいる。 しかしながら、この方法によるず還元剀の酞化
生成物以倖の有甚な成分たで廃棄されるため、化
孊ニツケルメツキ液のコストが高くなるずいう欠
点を有しおいる。 〔発明が解決しようずする問題点〕 本発明者らは、ニツケルメツキ液の還元剀ずし
お次亜リン酞塩を䜿甚する堎合においお、該還元
剀の酞化生成物を含む化孊ニツケルメツキ液から
還元剀の酞化生成物を遞択的に陀去する方法に぀
いお研究を重ねおきた。その結果、驚くべきこず
に、化孊ニツケルメツキ液を特定の拡散定数を有
する陰むオン亀換膜を䜿甚しお電気透析するこず
により、化孊ニツケルメツキ液䞭の有甚な成分は
陀去されるこずなく還元剀の酞化生成物が遞択的
に分離されるこずを芋い出し、本発明を完成させ
るに至぀た。 即ち、本発明は、陜極ず陰極ずの間に陜むオン
亀換膜及び芏定の塩化ナトリりム氎溶液に察す
る25℃における拡散定数が×10-6〜×10-5
cm秒である陰むオン亀換膜を亀互に配列した電
気透析槜の脱塩宀に次亜リン酞塩よりなる還元剀
の酞化生成物を含む化孊ニツケルメツキ液を䟛絊
し、電気透析を行なうこずによ぀お該還元剀の酞
化生成物を該化孊ニツケルメツキ液から遞択的に
分離するこずを特城ずする化孊ニツケルメツキ液
の凊理方法である。 本発明に斌いお、電気透析に䟛される化孊ニツ
ケルメツキ液は、ニツケルむオンの還元に甚いら
れる還元剀の酞化生成物を含んでいる。還元剀ず
しおは、次亜リン酞゜ヌダ、次亜リン酞カリりム
等の次亜リン酞塩が䜿甚される。これらの還元剀
の酞化生成物ずしおは、亜リン酞゜ヌダ、亜リン
酞カリりム等の亜リン酞塩である。 化孊ニツケルメツキ液䞭の他の成分に぀いおは
特に制限されるものではなく、通垞の化孊ニツケ
ルメツキに䜿甚される成分が含たれおいお良い。
䟋えば、ニツケルむオン、ニツケルむオンのキレ
ヌト化剀等である。ニツケルむオンの䟛絊源であ
るニツケル塩ずしおは、硫酞ニツケル、塩化ニツ
ケル及び硝酞ニツケルが挙げられる。たた、ニツ
ケルむオンのキレヌト化剀ずしおは、乳酞、ク゚
ン酞、リンゎ酞、グリコヌル酞、酒石酞、グルコ
ン酞等のオキシカルボン酞グリシン、アラニン
等のアミノ酞等が挙げられる。本発明に斌いお
は、電気透析によ぀お還元剀の酞化生成物ず共に
硫酞むオンも分離するこずが可胜である。埓぀
お、化孊ニツケルメツキ液䞭に蓄積する䞍芁な成
分の陀去の芳点から、䞊蚘したニツケル塩ずしお
硫酞ニツケルを甚いるこずが奜たしい。 䞊蚘した化孊ニツケルメツキ液䞭に含たれる各
成分の濃床は特に制限されるものではなく、通垞
の化孊ニツケルメツキに䜿甚した埌の各成分の濃
床であれば良い。しかし、還元剀の酞化生成物の
濃床は、電気透析による分離効率の点から200
以䞊であるこずが奜たしい。その他の成分
の濃床に぀いおは特に制限されない。通垞、化孊
ニツケルメツキ液䞭には、ニツケルむオンが〜
30、ニツケルむオンのキレヌト化剀が〜
50、たた、還元剀が〜50含たれお
いる。 本発明に斌いお、電気透析による還元剀の酞化
生成物の分離効率を勘案すれば、 〔還元剀の酞化生成物の濃床〕〔ニツケルむオンの
濃床ニツケルむオンのキレヌト化剀の濃床還元剀の
濃床〕 で瀺される匏の倀が、1.5以䞊、奜たしくは2.5
以䞊の化孊ニツケルメツキ液を電気透析の察象ず
するこずが奜たしい。 本発明に斌いおは、䞊蚘した化孊ニツケルメツ
キ液䞭に、化孊ニツケルメツキに通垞䜿甚される
促進剀、安定剀、湿最剀等が含たれおいおも良
い。 促進剀ずしおは、PHの緩衝䜜甚を䞎えるず共に
ニツケルの析出を促進させるものが甚いられる。
具䜓的には、酢酞、ギ酞、プロピオン酞、マロン
酞、コハク酞、アゞピン酞等のモノカルボン酞及
びゞカルボン酞䞊びにその塩類等がある。安定剀
ずしおは、メツキ济の分解を防ぎ、光沢を付䞎す
るものが甚いられ、具䜓的には、チオ尿玠やその
誘導䜓等の硫黄化合物、又は硝酞鉛等の重金属塩
類等がある。湿最剀ずしおは、メツキ面ず溶液の
挏れ性改善ずピツト防止のために䜿甚される界面
掻性剀等が甚いられる。 本発明に甚いる電気透析槜は、陜極ず陰極間に
陜むオン亀換膜ず前蚘した特定の陰むオン亀換膜
が亀互に配列された構造であれば、公知の電気透
析槜が特に制限なく採甚される。䟋えば、陜極及
び陰極間に陜むオン亀換膜ず陰むオン亀換膜をそ
れぞれ宀枠を介しお亀互に配列し、これらの䞡む
オン亀換膜ず宀枠によ぀お脱塩宀ず濃瞮宀ずを圢
成させた構造よりなるフむルタヌプレス型やナニ
ツトセル型等の電気透析槜である。かかる電気透
析槜に甚いる膜数あるいは脱塩宀及び濃瞮宀の流
路間隔膜間隔等は、凊理するメツキ液の皮類
や凊理量により適宜遞定される。 本発明に甚いる陜むオン亀換膜は、公知のもの
が制限されず甚い埗るが、陜むオン亀換基ずし
お、スルホン酞基又はカルボン酞基等を有し、む
オン亀換容量が1.0〜3.0meg−也燥暹脂及び
膜抵抗が0.1〜4.0Ω・cm2である膜が奜適である。
たた、陰むオン亀換基局を膜衚面の少なくずも䞀
方に有する陜むオン亀換膜が奜たしい。䞊蚘の陰
むオン亀換基局の亀換基ずしおは、第玚アミノ
基、第玚アミノ基、第玚アミノ基、第玚ア
ンモニりム塩基等が挙げられ、その存圚量は0.5
×10-4〜×10-3megcm2の範囲であるこずが奜
たしい。 䞀方、陰むオン亀換膜ずしおは、第玚アミノ
基、第玚アミノ基、第玚アミノ基、第玚ア
ンモニりム塩基、又は第玚ピリゞりム塩基等の
いわゆるオニりム塩基を有し、むオン亀換容量が
1.0〜4.0meg−也燥暹脂及び膜抵抗が0.1〜
4.0Ω・cm2である陰むオン亀換膜であるこずが望
たしい。たた、陰むオン亀換膜は4N−NaCl氎溶
液に察する25℃に斌ける拡散定数が×10-6〜
×10-5cmsec、奜たしくは×10-6〜×10-5
cmsecであるこずが、還元剀の次亜硫酞塩に察
するその酞化生成物である亜硫酞塩の陰むオン亀
換膜における分離効率を䞊げ、ニツケルメツキ液
に含有される亜リン酞塩を遞択的に陀去するため
に必芁である。 䞊蚘の陰むオン亀換膜は、䞀般にハロアルキル
スチレン類やビニルピリゞン類を重合しお埗たも
のが奜たしく、公知の補造方法により特に制限な
く埗るこずができる。 その代衚的な補造方法を䟋瀺するず、  ハロアルキルスチレン類モノマヌ、架橋剀、
埮粉末の熱可塑性高分子物質及びラゞカル重合
開始剀からなるペヌスト状混合物を垃状物等の
基材に塗垃し、次いで加熱重合しお膜ずしたの
ち、䟋えば、トリメチルアミン、トリ゚チルア
ミン等ず反応させる方法。  ビニルビリゞン類モノマヌず架橋剀にスチレ
ン−ブタゞ゚ンゎム等を加えお粘皠にしたもの
にラゞカル重合開始剀を加え、ポリ塩化ビニル
等の垃に塗垃し、次いで、加熱重合しお膜状物
ずしたのち、䟋えば、ペり化メル−−ヘキサ
ン等のアルキルハラむド混合溶液によ぀おアル
キル化凊理する方法。 等が採甚される。 前蚘した化孊ニツケルメツキ液は、電気透析局
の脱塩宀に䟛絊され、電気透析が行なわれる。電
気透析の運転条件は、通垞の条件、䟋えば、電流
密床0.1〜10Am2が採甚される。䟛絊される
化孊ニツケルメツキ液の液枩が高くなるず電気透
析槜䞭で金属ニツケルの析出反応が起こり、むオ
ン亀換膜にニツケルが付着しお電気透析の効率が
䜎䞋する。そのため、化孊ニツケルメツキ液の液
枩は60℃劂䜕に保持するこずが奜たしい。 以䞋、図に基づいお本発明の化孊ニツケルメ
ツキ液の凊理工皋を説明する。 化孊ニツケルメツキが行なわれるニツケルメツ
キ济䞭のニツケルメツキ液は、通垞はバむパ
スにより埪環されおいる。化孊ニツケルメツキ
液䞭の還元剀の酞化生成物の濃床がある䞀定の
倀、䟋えば、300以䞊にな぀た時に、化孊
ニツケルメツキ液は冷华噚を経由しお電気透
析槜の脱塩宀に䟛絊される。電気透析によ぀お
還元剀の酞化生成物が分離された化孊ニツケルメ
ツキ液は、調補槜に䟛絊されお化孊ニツケルメ
ツキ液に必芁な成分が補充されお埌、加熱噚で
昇枩されおニツケルメツキ济に䟛絊される。電
気透析によ぀お還元剀の酞化生成物の濃床がある
䞀定の倀、䟋えば、150以䞋にな぀た時に
化孊ニツケルメツキ液は、電気透析槜ぞの䟛
絊がストツプされ、再びバむパスを通しお埪環
される。 化孊ニツケルメツキ液の凊理方法ずしおは、䞊
蚘の方法の他にメツキ埌の化孊ニツケルメツキ液
をバツチで電気透析する方法も採甚するこずがで
きる。 以䞊のようにしお再生凊理を行なうこずによ
り、化孊ニツケルメツキ液を再利甚するこずがで
きる。 〔効果〕 以䞊に説明したように、本発明の方法は化孊ニ
ツケルメツキ液䞭に蓄積しおメツキ反応に悪圱響
を及がす次亜リン酞塩よりなる還元剀の酞化生成
物を遞択的に化孊ニツケルメツキ液から分離する
こずができる。その際に、化孊ニツケルメツキ液
䞭に、ニツケルむオン、ニツケルむオンのキレヌ
ト化剀及び還元剀等のように化孊ニツケルメツキ
に必芁な成分が含たれおいおも、これらの成分が
陀去される量はわずかである。たた、ニツケルむ
オンの䟛絊源ずしお硫酞ニツケルを甚いた堎合に
は、硫酞ニツケルからの硫酞むオンも遞択的に陀
去するこずができるため、化孊ニツケルメツキに
ず぀お䞍芁な硫酞むオンの蓄積をも防止するこず
ができる。 以䞊に述べたように、本発明によれば、化孊ニ
ツケルメツキに必芁な成分をそのたた残し、䞍芁
な成分を遞択的に陀去するこずができる。埓぀
お、本発明は、化孊ニツケルメツキ液を新液に曎
新するこずによ぀お化孊ニツケルメツキに必芁な
成分たで廃棄するずいうこずなく、連続しお長時
間にわたり安定した化孊ニツケルメツキ液を可胜
にするものである。 〔実斜䟋〕 以䞋に、実斜䟋を揚げるが、本発明はこれら実
斜䟋に限定されるものではない。 尚、以䞋の実斜䟋に斌ける化孊ニツケルメツキ
液の分析は次の方法を甚いた。 ニツケルむオン゚チレンゞアミン酢酞ナト
リりムによるキレヌト滎定法及び高呚波プラ
ズマ発光分光分析法 次亜リン酞ナトリりム 次亜リン酞ナトリりム 亜リン酞ナトリりムチオ硫酞ナトリりムによるペり玠
還元滎定法 さらに、拡散定数の枬定は以䞋の方法により行
な぀た。たた、実斜䟋䞭、「郚」は「重量郚」の
意味である。 拡散定数の枬定方法 アクリル補の二宀拡散セルを甚い、䞀方に玔氎
を他方に4.0N−NaCl氎溶液を蚘した。25℃で䞡
宀を1.500rpmで攪拌しお玔氎䞭に拡散しおきた
塩の量を分析しおNaClの拡散量を求め、次匏に
より拡散定数を求めた。 ΎΔC・・ 拡散係数cm2sec Ύ膜厚cm 拡散量eq ΔC濃床差eqcm2 膜面積cm2 透析時間sec 参考䟋  陜むオン亀換膜の補造 NNN′N′−テトラメチル−・− ヘキサンゞアミン 17.3 クロルメチルスチレン 30.6 をメタノヌル100ml䞭で宀枩にお24時間反応さ
せ、第玚アンモニりム基ずビニルベンゞル基を
有する化合物を埗た。 䞊蚘化合物2000ppmを含む1.0N−NaCl溶液に
ネオセプタCM埳山曹達(æ ª)補陜むオン亀換膜
を25℃で時間浞挬し、次いで窒玠雰囲気䞋、重
合開始剀ずしお過硫酞カリりム及び亜硫酞ナトリ
りムをそれぞれ2000ppm加え、液を攪拌した。10
時間凊理を行な぀た埌、0.5N−NaOH溶液䞭で
時間凊理し、衚面に陰むオン亀換基局を陜むオ
ン亀換膜を埗た。むオン亀換容量は2.2meq
−也燥暹脂、膜抵抗は20Ω・cm2であり、陰むオン
亀換基の存圚量は、片面で×10-4eqcm2であ぀
た。 陜むオン亀換膜の補造 スチレン100郚、ゞビニルベンれン玄55
20郚、ゞブチルフタレヌト10郚、ベンゟむルパヌ
オキサむド郚、ポリ塩化ビニル埮粉末40郚の混
合溶液をテビロン垃に塗垃し加熱重合しお高分子
膜状物を埗た。 高分子膜状物をクロルスルホン酞硫酞
の液に40℃時間浞挬しおスルホニルクロラむ
ドスルホン酞6040の膜を埗た。 この膜を分子量玄30000のポリ゚チレンむシン
を重量含む氎溶液䞭に宀枩で10時間浞挬し、
次いで0.5N−NaOHに時間浞挬した。膜衚局
郚にスルホニルクロラむドずポリ゚チレンむミン
を化孊的に結合したスルホン酞アミド基ずスルホ
ン酞基、内郚にスルホン酞基を有する陜むオン亀
換膜を埗た。むオン亀換容量は1.9meq也燥
暹脂、膜抵抗は2.3Ω・cm2であり、陰むオン亀換
基の存圚量は×10-3eqcm2であ぀た。 参考䟋  陰むオン亀換膜の補造 −ビニルピリゞン 100郚 ビスビニルプニル゚タン 郚 埮粉末ポリ塩化ビニル 12郚 アゟビスむ゜ブチロニトリル 郚 からなるモノマヌ組成物を、ポリ塩化ビニル補
の平織垃に塗垃し、䞡面をポリ゚ステル補のシヌ
トでおおい、70℃で時間重合した。次いで、こ
の膜をペり化メチルず−ヘキサンの混合溶液
30℃䞭に日間浞挬しお陰むオン亀換基を導
入した。埗られた陰むオン亀換膜のむオン
亀換容量は3.0meq也燥暹脂、膜抵抗は
1.0Ω・cm2、拡散定数は3.0×10-5cmsecであ぀
た。 陰むオン亀換膜の補造 クロルメチルスチレン 100郚 ゞビニルベンれン 郚 ニトリル−ブタゞ゚ンゎム 郚 ベンゟむルパヌオキサむド 郚 からなるモノマヌ組成物を、ポリ塩化ビニル補
の平織垃に塗垃し、䞡面をポバヌル補のシヌトで
おおい、70℃で時間、次いで80℃で時間重合
した。次に、この膜をトリメチルアミンずアセト
ン氎溶液の混合溶液30℃䞭に日間浞挬しお
陰むオン亀換基を導入した。埗られた陰むオン亀
換膜のむオン亀換容量は2.1meq也燥
暹脂、膜抵抗は1.3Ω・cm2拡散定数は0.9×10-5
cmsecであ぀た。 実斜䟋  衚−に瀺した組成の化孊ニツケルメツキ液
PH4.5を調補し、化孊ニツケルメツキを12タ
ヌン行な぀た。尚、タヌンずは、化孊ニツケル
メツキ液䞭の圓初の金属むオンがすべお金属ずし
お析出する迄メツキを行なうこずを蚀う。即ち、
メツキ前のニツケルむオン濃床がである
化孊ニツケルメツキ液が200あるずきは、Kg
のニツケルを析出させるたでメツキを行なうこず
をタヌンず呌ぶ。 各タヌンのメツキ䞭には、化孊ニツケルメツキ
液䞭のニツケルむオン濃床がほが䞀定ずなるよう
に硫酞ニツケルを補充し、PHがほが䞀定ずなるよ
うに苛性゜ヌダを加えた。たた、硫酞ニツケルの
補充量に応じお次亜リン酞塩ナトリりム、ク゚ン
酞ナトリりム及び酢酞ナトリりムを補充した。各
タヌンのメツキ終了盎埌の化孊ニツケルメツキ液
の分析倀を衚−に瀺した。 タヌン目のメツキの埌に還元剀の酞化生成物
である亜リン酞ナトリりムが360怜出され
たニツケルむオン、キレヌト化剀及び還元剀の
濃床の合蚈に察する還元剀の酞化生成物の濃床の
割合は6.0ので、このメツキ液を図のフロヌ
シヌトに埓぀お電気透析槜に䟛絊し、電気透析を
行な぀た。 陜むオン亀換膜ずしおは参考䟋で埗た陜むオ
ン亀換膜を、陰むオン亀換膜ずしおは、参
考䟋で埗た陰むオン亀換膜を甚いた。こ
れらの䞡むオン亀換膜を10察配した電気透析槜
TS−型埳山曹達(æ ª)補、有効膜面積2dm2察
を甚いた。電気透析は枩床35℃、平均電流密床
3Am2、膜面速床0.1〜0.3cmsecで行な぀た。 電気透析埌の化孊ニツケルメツキ液は調補槜
に䟛絊され、薬液補絊及び昇枩の埌にニツケルメ
ツキ济に䟛絊され再䜿甚された。 メツキ回数が〜タヌンにわた぀お䞊蚘の電
気透析を連続しお行な぀た。その埌の〜12タヌ
ンに぀いおは、化孊ニツケルメツキ液の電気透析
槜ぞの䟛絊をやめ、バむパスにより埪環を行な
぀た。
【衚】
【衚】 実斜䟋  衚−に瀺す組成の化孊ニツケルメツキ液PH
6.0を調補し、化孊ニツケルメツキをタヌ
ン行な぀た。化孊ニツケルメツキ液䞭のニツケル
むオン濃床ずPHがほが䞀定ずなるように、各メツ
キ䞭に硫酞ニツケルず苛性゜ヌダを補充し、た
た、硫酞ニツケルの補充量に応じお次亜リン酞ナ
トリりム、グリシン及びク゚ン酞ナトリりムを補
充した。 タヌン目のメツキ埌に還元剀の酞化生成物で
ある亜リン酞ナトリりムが512怜出された
ニツケルむオン、キレヌト化剀及び還元剀の濃
床の合蚈に察する還元剀の酞化生成物の濃床の割
合は5.5ので、このメツキ液をバツチで電気透
析にかけ、亜リン酞ナトリりムを陀去した。 参考䟋の陜むオン亀換膜及び参考䟋
の陰むオン亀換膜を甚いた他は、実斜䟋−
ず同様の電気透析槜を甚いお電気透析を行な぀
た。電気透析は、枩床32〜37℃、平均電流密床
3Am2、膜面速床〜cmsecで時間行な
぀た。 その結果、衚−に瀺す化孊ニツケルメツキ液
が埗られた。この化孊ニツケルメツキ液は、薬液
補充の埌に再䜿甚した。
【衚】
【衚】 実斜䟋  衚−及び衚−に瀺した組成の化孊ニツケル
メツキ液をバツチで電気透析を行な぀おホり酞む
オンを陀去し、再生回収した。 実斜䟋−ず同じ電気透析槜を甚いお、電気透
析を行な぀た。電気透析は、枩床35℃、平均電流
密床3Am2、膜面速床〜cmsecで時間
行な぀た。 その結果、衚−及び衚−に瀺した組成の化
孊ニツケルメツキ液が埗られた。この化孊ニツケ
ルメツキ液は薬液補充を行な぀た埌に再䜿甚し
た。
【衚】
【衚】 比范䟋  実斜䟋においお䜿甚する陰むオン亀換膜を、
むオン亀換容量1.5meq也燥暹脂、膜抵抗
3.0Ω・cm2、拡散定数0.7×10-6cmsecの陰むオン
亀換膜に代えた以倖は、実斜䟋ず同様な条件に
よ぀お、亜リン酞゜ヌダの濃床が360に達
したメツキ回数タヌンのニツケルメツキ液に぀
き、メツキ回数およびタヌンに該圓する凊理
を行぀た。その結果を衚−に瀺す。
【衚】 比范䟋  実斜䟋においお䜿甚する陰むオン亀換膜を、
むオン亀換容量3.5meq也燥暹脂、膜抵抗は
0.7Ω・cm2、拡散定数は×10-5cmsecの陰むオ
ン亀換膜に代えた以倖は、実斜䟋ず同様な条件
によ぀お、亜リン酞゜ヌダの濃床が360に
達したメツキ回数タヌンのニツケルメツキ液に
぀き、メツキ回数およびタヌンに該圓する凊
理を行぀た。その結果を衚−に瀺す。
【衚】 【図面の簡単な説明】
図は、本発明の方法を実斜するための工皋を
瀺す抂略図である。 図䞭、はニツケルメツキ济、は冷华噚、
は電気透析槜、は調補槜、は加熱噚、は化
孊ニツケルメツキ液、はバむパスを倫々瀺す。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  陜極ず陰極ずの間に陜むオン亀換膜及び芏
    定の塩化ナトリりム氎溶液に察する25℃における
    拡散定数が×10-6〜×10-5cm秒である陰む
    オン亀換膜を亀互に配列した電気透析槜の脱塩宀
    に次亜リン酞塩よりなる還元剀の酞化生成物を含
    む化孊ニツケルメツキ液を䟛絊し、電気透析を行
    うこずによ぀お該還元剀の酞化生成物を該化孊ニ
    ツケルメツキ液から遞択的に分離するこずを特城
    ずする化孊ニツケルメツキ液の凊理方法。
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