JPS5990184A - デ−タカ−ドおよびその製造方法 - Google Patents
デ−タカ−ドおよびその製造方法Info
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- JPS5990184A JPS5990184A JP58177200A JP17720083A JPS5990184A JP S5990184 A JPS5990184 A JP S5990184A JP 58177200 A JP58177200 A JP 58177200A JP 17720083 A JP17720083 A JP 17720083A JP S5990184 A JPS5990184 A JP S5990184A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は下側被覆箔、」二側被覆箔およびこれら両被覆
箔間に設りられたカード本体を具え、該カード本体に少
くとも1個の半導体素子を設は該半導体素子を、片側又
は両側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接続
するようにしたデータカードに関するものである。
箔間に設りられたカード本体を具え、該カード本体に少
くとも1個の半導体素子を設は該半導体素子を、片側又
は両側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接続
するようにしたデータカードに関するものである。
この種のデータカードは西ドイツ国特許公開公報第21
)20012号から既知である。かかる既知のデータカ
ードでは被N箔を半導体素子のキャリア本体として用い
、この半導休所子をキャリア本体上に設けた導体トラッ
クに直接接触技術(フリップデツプ技術)により固着す
る。しかしかかる直接接触は信頼性に乏しい。この直接
接触の代りに半導体チップの接続に用いらt]るワイヤ
接続□体を使用する場合には、所望のスペースのために
国際標準厚さが0゜’/、8mmのデータカードを得る
のが困難であった。
)20012号から既知である。かかる既知のデータカ
ードでは被N箔を半導体素子のキャリア本体として用い
、この半導休所子をキャリア本体上に設けた導体トラッ
クに直接接触技術(フリップデツプ技術)により固着す
る。しかしかかる直接接触は信頼性に乏しい。この直接
接触の代りに半導体チップの接続に用いらt]るワイヤ
接続□体を使用する場合には、所望のスペースのために
国際標準厚さが0゜’/、8mmのデータカードを得る
のが困難であった。
本発明の目的は、データカードの半導体チップと関連す
る導体トラックとの間の接続を、すでに・試験され、満
足な特性を呈するワイヤ接続技術によって行い得、しか
もデータカードの厚さが約0.76關の標準値を越えな
いようにしたデータカードおよびその製造方法を提供せ
んとするにある。
る導体トラックとの間の接続を、すでに・試験され、満
足な特性を呈するワイヤ接続技術によって行い得、しか
もデータカードの厚さが約0.76關の標準値を越えな
いようにしたデータカードおよびその製造方法を提供せ
んとするにある。
本発明は下側被覆箔、上側被覆箔およびこれら両被覆箔
間に設けられたカード本体を具え、該カード本体に少く
とも]−個の半導体素子を設け、該半導体素子を、片側
又は両側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接
続するようにしたデータカードにおいて、 a)該キャリア本体を、片側面又は両面に導体トラック
を支持し、内部に半導体チップによりfll/I吃され
る半導体素子を配設した少くとも1個の貫通孔を設けた
箔とし、 b)前記半導体チップの接触表面を、前記キャリア本体
に設けた導体トラックにワイヤ接続体を経て接続し、 C)ギヤリア本体によってそのワイヤ接続体に接続され
た側にフレームを支持し、該フレーム(こよって前記半
導体チップおよびワイヤ接続体を囲むと共にフレームの
厚さを適宜定めてキャリア本体の下側からフレームの上
側までの距離がカード本体の厚さにほぼ等しくなるよう
にし1(’t ) 前Eフレームの内側のスペースに
フレームの上側面で規制される位置まで被覆材を充填し
1該被覆材によって前記半導体チップおよびワイヤ接系
喜;体を密封するようにしたことを特徴とする。
間に設けられたカード本体を具え、該カード本体に少く
とも]−個の半導体素子を設け、該半導体素子を、片側
又は両側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接
続するようにしたデータカードにおいて、 a)該キャリア本体を、片側面又は両面に導体トラック
を支持し、内部に半導体チップによりfll/I吃され
る半導体素子を配設した少くとも1個の貫通孔を設けた
箔とし、 b)前記半導体チップの接触表面を、前記キャリア本体
に設けた導体トラックにワイヤ接続体を経て接続し、 C)ギヤリア本体によってそのワイヤ接続体に接続され
た側にフレームを支持し、該フレーム(こよって前記半
導体チップおよびワイヤ接続体を囲むと共にフレームの
厚さを適宜定めてキャリア本体の下側からフレームの上
側までの距離がカード本体の厚さにほぼ等しくなるよう
にし1(’t ) 前Eフレームの内側のスペースに
フレームの上側面で規制される位置まで被覆材を充填し
1該被覆材によって前記半導体チップおよびワイヤ接系
喜;体を密封するようにしたことを特徴とする。
かようにして構成したデータカードの利点は、試験した
接続技術を用いてデータカードを製造することができる
と共に耐荷数件を有し、半導体チップおよび導体トラッ
ク間のワイヤ接続体も耐破壊性を有し、しかもデータカ
ードの15fさが標準厚さを越えない点である。
接続技術を用いてデータカードを製造することができる
と共に耐荷数件を有し、半導体チップおよび導体トラッ
ク間のワイヤ接続体も耐破壊性を有し、しかもデータカ
ードの15fさが標準厚さを越えない点である。
貫通孔により構成されるキャリア本体の下側面の部分は
半導体チップを支持する補助筒で被覆するのが好適であ
る。
半導体チップを支持する補助筒で被覆するのが好適であ
る。
7レームはエポキシガラス又はPvCより成るリングの
形状とするのが好適である。又フレームにより形成され
たスペースにはエポキシ樹脂又はシリコンゴムの被覆材
を充填するのが好適である。
形状とするのが好適である。又フレームにより形成され
たスペースにはエポキシ樹脂又はシリコンゴムの被覆材
を充填するのが好適である。
又、本発明データカードを製造する方法は先ず最初ギヤ
リア本体の下側に箔を被覆し、次いでキャリア本体の貫
通孔内で前記箔に半導体チップを!IA着し、11ヒ記
半導体チップおよび導体トラック間にワイヤ接続体を設
け、更にフレームをキャリア本体上に股り、フレームの
内側のスペースに被覆材を充填し、最後に前記箔をキャ
リア本体の下側面から除失することを特徴とする。
リア本体の下側に箔を被覆し、次いでキャリア本体の貫
通孔内で前記箔に半導体チップを!IA着し、11ヒ記
半導体チップおよび導体トラック間にワイヤ接続体を設
け、更にフレームをキャリア本体上に股り、フレームの
内側のスペースに被覆材を充填し、最後に前記箔をキャ
リア本体の下側面から除失することを特徴とする。
図mjにつき本発明を説明する。
図面は寸法通りに示さず、線図的に示し、特に垂直方向
の寸法を拡大して示す。
の寸法を拡大して示す。
データカードには複数個の半導イFチップを設ける。キ
ャリア本体には半導体チップの各々に対して個別のぼ通
孔を設けると共に各半導体チップおよびそのワイヤ接続
体を個別のフレームで囲み、且つ個別の被覆イオにより
カプセル封止する。
ャリア本体には半導体チップの各々に対して個別のぼ通
孔を設けると共に各半導体チップおよびそのワイヤ接続
体を個別のフレームで囲み、且つ個別の被覆イオにより
カプセル封止する。
説明の便宜上図面には1個の半導体チップ5のみを示す
。
。
第1図に断面で示す本発明データカードは主としてカー
ド本体3を具え、このカード本体を上側□、ym箔1お
よび下側被覆箔2により被覆する。カード本俸8にはキ
ャリア本体4.を収納するための凹所]4を設ける。キ
ャリア本俸街には貫通孔10を設け、この貫通孔10内
に半導体チップ5を挿入しその下側面をキャリア本体へ
の下側面と同一面に位置させるようにする。キャリア本
体舎にはそのト下両面に導体トラック11および12を
設け、これら導体トラック11および]2を適当な手段
でイ目互接続すると共に接点面13に接続し、これら接
点面18はデータカードの下011被覆箔2にあけた開
口を経て接触し得るようにしこれによりデータカードに
含まれる半導体チップへの接続を行うようにする。
ド本体3を具え、このカード本体を上側□、ym箔1お
よび下側被覆箔2により被覆する。カード本俸8にはキ
ャリア本体4.を収納するための凹所]4を設ける。キ
ャリア本俸街には貫通孔10を設け、この貫通孔10内
に半導体チップ5を挿入しその下側面をキャリア本体へ
の下側面と同一面に位置させるようにする。キャリア本
体舎にはそのト下両面に導体トラック11および12を
設け、これら導体トラック11および]2を適当な手段
でイ目互接続すると共に接点面13に接続し、これら接
点面18はデータカードの下011被覆箔2にあけた開
口を経て接触し得るようにしこれによりデータカードに
含まれる半導体チップへの接続を行うようにする。
半導体チップ5の接点面は、キャリア本体4の」二側に
設けた導体トラック1 ]、に、例えば超音波圧着法を
用いてワイヤ接続体7によって接続する。
設けた導体トラック1 ]、に、例えば超音波圧着法を
用いてワイヤ接続体7によって接続する。
ワイヤ接続体7の弧の形状を充分に平坦にしてこれらワ
イヤ接続体の最高位置が被覆材9の上面よりも下側に位
置し得るようにする。
イヤ接続体の最高位置が被覆材9の上面よりも下側に位
置し得るようにする。
キャリア本体の貫通孔10に設けた半導体装置プ5およ
びワイヤ接続体7を信頼し得るように保持するためには
半導体チップ5およびワイヤ接続体7をキャリア本体4
の上側で環状フレーム8により囲み、フレーム8の高さ
を適宜選定してカード本体の高さと被覆箔1および2の
厚さとによって決まるカード全体の厚さが釣り、76關
の値を越えないようにする。フレーム8の内側に形成さ
れたスペースにはエポキシ樹脂又はシリコンゴムより成
る被覆材9を充填する。
びワイヤ接続体7を信頼し得るように保持するためには
半導体チップ5およびワイヤ接続体7をキャリア本体4
の上側で環状フレーム8により囲み、フレーム8の高さ
を適宜選定してカード本体の高さと被覆箔1および2の
厚さとによって決まるカード全体の厚さが釣り、76關
の値を越えないようにする。フレーム8の内側に形成さ
れたスペースにはエポキシ樹脂又はシリコンゴムより成
る被覆材9を充填する。
半導体チップ5の1個をメモリチップとし、その記憶デ
ータを例えば紫外線により照射して消去し得るようにす
る場合には上側被覆箔lに適当な窓16を設ける。2個
の被覆箔Jおよび2は二連形態とすることができ、この
場合には下側箔部分l又は2により圧痕等を支持し、次
いでこれを上層箔部分1aおよび2aによりそれぞれ保
護する。
ータを例えば紫外線により照射して消去し得るようにす
る場合には上側被覆箔lに適当な窓16を設ける。2個
の被覆箔Jおよび2は二連形態とすることができ、この
場合には下側箔部分l又は2により圧痕等を支持し、次
いでこれを上層箔部分1aおよび2aによりそれぞれ保
護する。
かようにして構成したデータカードは次に示すように製
造するのが好適である。
造するのが好適である。
ガラスファイバーで補強されたエポキシ樹脂の箔片によ
り構成され、厚さがQ、l+nsのキャリア本・体4を
先ず最初設け、その両面に金製の導体トラック11.1
2および接点面18を設ける。次いでこのキャリア本体
傷に半導体チップ5を収納するための貫通孔10をあけ
る。このキャリア本体への裏面に自己接着箔6を被着し
、これにキャリア本体4の貫通孔10内で半導体チップ
5を接着する。更に半導体チップの製造に通常用いられ
る超音波ワ・rヤ圧着機を使用して半導体チップ5の接
点[「nとキャリア本体4の上側の導1;トドラック1
1との間にワイヤ接続体7を設ける。この際ワイヤ接続
体7の弧はできるだけ平坦な形状とする。次いでガラス
ファイバーで補強されたエポキシ樹脂より吃り、高さが
約0.8鰭の打抜きリング(フレーム)8を、このキャ
リア本体4に適宜li!11着してこれにより半導体チ
ップ5およびワイヤ接続体7を囲むようにする。
り構成され、厚さがQ、l+nsのキャリア本・体4を
先ず最初設け、その両面に金製の導体トラック11.1
2および接点面18を設ける。次いでこのキャリア本体
傷に半導体チップ5を収納するための貫通孔10をあけ
る。このキャリア本体への裏面に自己接着箔6を被着し
、これにキャリア本体4の貫通孔10内で半導体チップ
5を接着する。更に半導体チップの製造に通常用いられ
る超音波ワ・rヤ圧着機を使用して半導体チップ5の接
点[「nとキャリア本体4の上側の導1;トドラック1
1との間にワイヤ接続体7を設ける。この際ワイヤ接続
体7の弧はできるだけ平坦な形状とする。次いでガラス
ファイバーで補強されたエポキシ樹脂より吃り、高さが
約0.8鰭の打抜きリング(フレーム)8を、このキャ
リア本体4に適宜li!11着してこれにより半導体チ
ップ5およびワイヤ接続体7を囲むようにする。
その後環状フレーム8により囲まれた半導体チップ6お
よびワイヤ接続体7上のスペースに、酸化珪素5i02
を含有するエポキシ樹脂の被覆材9を充填し、次いでこ
の被覆材9を熱処理により硬化させる。更にフレーム8
の上面および被覆材9の上面を適宜研摩してキャリア本
体4+の下側とフレーム8の上側との間の距離が約0.
Φ4開となるようにする。
よびワイヤ接続体7上のスペースに、酸化珪素5i02
を含有するエポキシ樹脂の被覆材9を充填し、次いでこ
の被覆材9を熱処理により硬化させる。更にフレーム8
の上面および被覆材9の上面を適宜研摩してキャリア本
体4+の下側とフレーム8の上側との間の距離が約0.
Φ4開となるようにする。
最後に、今まで半導体チップ5を支持I7ていた自己接
着箔6を剥離し、キャリア本体Φおよび半導体チップ5
を具える全体を、PvCより成るカード本体8の凹所1
4(第1図参照)内に挿入すると共にこれら部品を同様
にPVCより成る上側被覆箔lと下側被覆箔2との間に
加圧および加熱下で田接し、次いで加圧下で適宜冷却し
て最終データカードの標準厚さが9.7(1mとなるよ
うにする。その後、キャリア本体4の下側の接点面18
の上側に位置する下側被覆箔2の部分に開口を形成する
。
着箔6を剥離し、キャリア本体Φおよび半導体チップ5
を具える全体を、PvCより成るカード本体8の凹所1
4(第1図参照)内に挿入すると共にこれら部品を同様
にPVCより成る上側被覆箔lと下側被覆箔2との間に
加圧および加熱下で田接し、次いで加圧下で適宜冷却し
て最終データカードの標準厚さが9.7(1mとなるよ
うにする。その後、キャリア本体4の下側の接点面18
の上側に位置する下側被覆箔2の部分に開口を形成する
。
第1図は本発明データカードの1例の構成を示す断面図
、 第2図は第1図の断面の部分拡大図である。 ■・・・上側被覆箔 1a 、 2a・・・上層
箔部分2・・・下側被覆箔 861.カード本体
4・・・ギヤリア本体 5・・・半導体チップ6・
・・自己接着箔 7・・・ワイヤ接続体8・・・
フレーム(リング) 9・・・被覆材 10・・・貫通孔11・・・
上側導体トラック 12・・・下側導体トラック 18・・・接点面 14・・・凹所。 %J 出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン
、 第2図は第1図の断面の部分拡大図である。 ■・・・上側被覆箔 1a 、 2a・・・上層
箔部分2・・・下側被覆箔 861.カード本体
4・・・ギヤリア本体 5・・・半導体チップ6・
・・自己接着箔 7・・・ワイヤ接続体8・・・
フレーム(リング) 9・・・被覆材 10・・・貫通孔11・・・
上側導体トラック 12・・・下側導体トラック 18・・・接点面 14・・・凹所。 %J 出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下側被覆箔、上側被覆箔およびこれら両被覆箔間に
設けられたカード本体を具え、該カード本体に少くとも
1個の半導体素子を設け、該半導体素子を、片側又は両
側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接続する
ようにしたデータカードにおいて、 a)該キャリア本体(4)を、片側面又見両面に導体ト
ラック(11,12)を支持し、内部に半導体チップ(
6)により構成される半導体素子を配設した少くとも1
個の貫通孔(10)を設けた箔とし、 b)前記半導体チップ(5)の接触表面を、前記キャリ
ア本体(4)に設けた導体トラック(11)にワイヤ接
続体(7)を経て接続し1 C〕キャリア本体(4)によってそのワイヤ接続体(7
)に接続された側にフレーム(8)を支持し、該フレー
ム(8)によって前記半導体チップおよびワイヤ接続体
を囲むと共にフレーム(8)の厚さを適宜定めてキャリ
ア本体(Φ)の下側からフレーム(8)の上側までの距
離がカード本体(8)の厚さにほぼ等しくなるようにし
、 d) 前記フレーム(8)の内側のスペースにフレー
ムの上側面で規制される位置まで被覆材(9)を充填し
、該被覆材によって前記半導体チップ(5)およびワイ
ヤ接続体(7)。 を密封するようにしたことを特徴とするデータカード。 2 前記貫通孔(10)は、キャリア本体(4)の下側
表面において半導体チップ(5)を支持する補助苗(6
)によって被覆するようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のデータカード。 & フレーム(8)をリングの形状としたことを特徴と
する特許請求の範囲第1項又は第2項記載のデータカー
ド。 今 上側被覆箔(1)にはその半導体チップ(5)に対
向する個所に放射線透過部分(16)を設けたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項の何れかに記
載のデータカード。 5 厚さを約0゜76門としたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項乃至第4項の何れかに記載のデータカー
ド。 6、 キャリア本体(4)をエポキシガラス又はPVC
により形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
乃至第5項の何れかに記載のデータカード。 7、 フレーム(8)をエポキシガラス又はPVOによ
り形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至
第6項の何れかに記載のデータカード。 8 被覆材(9)をエポキシ樹脂又はシリコンゴムとし
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項の
何れかに記載のデ・−タカード。 9 下側被覆箔、上側被社゛1箔およびこれら両被覆箔
間に設けられたカード本体を具え、該カード本体に少く
とも1個の半導体素子を設け、該半導体素子を、片側又
は両側に導体トラックが設けられたキャリア本体に接続
するようにし、この際キャリア本体を、片側面又は両面
に導体トラックを玄持し、内部に半導体チップにより構
成される半導体稟子を配設した少くとも1個の貫通孔を
設けた箔とし、前記半導体デツプの接触表面を、前記キ
ャリア本体に設けた導体トラックにワイヤ接続体を経て
接続し、キャリア本体は、そのワイヤ接続体を囲むと共
にフレームの厚さを適宜定めてキャリア本体の下側から
フレームの上側までの距離がカード本体の厚さにほぼ等
しくなるようにし、前記フレームの内側のスペースにフ
レームの上側面で規制される位置まで被覆材を充填し、
該被覆材によって前記半導体チップおよびワイヤ接続体
を密封するようにし、前記貫通孔はキャリア本体の下側
表面において半導体チップを支持する補助筒によって被
覆するようにしたデータカードを製造するに当り、先ず
最初キャリア本体(舎)の下側に箔(6)を被覆し、次
いでギヤリア本体の貫通孔(10)内で前記箔(6)に
半導体チップ(5)を固着し、前記半導体チップ(5)
および導体トラック(11)間にワイヤ接続体(7)を
設け、更にフレーム(8)をキャリア本体(4)上に設
け、フレーム(8)の内側のスペースに被N利(9)を
充填し、最後に前記箔(6)をキャリア本体(4,)の
下側面から除去することを特徴とするデータカードの製
造方・法。 10 箔(6)として自己接着箔を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第9項記載のデータカードの製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32356501 | 1982-09-27 | ||
DE19823235650 DE3235650A1 (de) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990184A true JPS5990184A (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=6174219
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58177200A Pending JPS5990184A (ja) | 1982-09-27 | 1983-09-27 | デ−タカ−ドおよびその製造方法 |
JP1991072506U Pending JPH0489382U (ja) | 1982-09-27 | 1991-08-16 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991072506U Pending JPH0489382U (ja) | 1982-09-27 | 1991-08-16 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4649418A (ja) |
EP (1) | EP0107061B1 (ja) |
JP (2) | JPS5990184A (ja) |
CA (1) | CA1203634A (ja) |
DE (2) | DE3235650A1 (ja) |
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