JPS607760A - Icカ−ドの製造方法 - Google Patents

Icカ−ドの製造方法

Info

Publication number
JPS607760A
JPS607760A JP58116383A JP11638383A JPS607760A JP S607760 A JPS607760 A JP S607760A JP 58116383 A JP58116383 A JP 58116383A JP 11638383 A JP11638383 A JP 11638383A JP S607760 A JPS607760 A JP S607760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
card
lead frame
electrode
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58116383A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamio Saito
斎藤 民雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58116383A priority Critical patent/JPS607760A/ja
Publication of JPS607760A publication Critical patent/JPS607760A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49593Battery in combination with a leadframe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、ICチップを実装しカード状に成形される
ICカードの製造方法に関する。
〔発明の技術的背ガ゛とその問題点〕
現在広く用いられているキャッシュカード。
クレジットカード等は、プラスチックカードに磁気スト
ライプを塗布し、これに記録された情報を読取ることで
本人であるか否かの確認が行なえるようにしたものであ
る。このような磁気記録方式のものでは、第三者によっ
て情報が解読され易い、記憶可能な情報量が少々いとい
った欠点がある。
そこで近年、メモy 、 CPU @の機能を有するI
 C(LSI )をカード状基体に実装した、いわゆる
ICカードが開発され、既に実用段階に達しつつある。
このようなICカードの製造方法として、従来、プリン
ト板の上にICチップを搭載し、ワイヤspンディング
によシブリント板上の電極と接続を行なった後、樹脂に
妖め込んでカード状に成形するという方法が一般にとら
れている。
しかしながら、この方法においてはプリント板の厚さが
少なくとも0,5諭は必要であり、これに樹脂の厚さ0
.3圏、ICチップの厚さ0,3咽およびボンデインダ
ス波−ス0.2 mmを足すと、カード全体の厚さは1
3咽と々る。このl、 3 rnmという厚さは従来の
磁気記録方式のカードに比べてかカリ厚く、複数のカー
ドを携帯する人が増えているという最近の傾向を考える
と、IC’−カードの厚さも1fflII+以下、好ま
しくは0.5咽〜07団程度までんくすることが裏:求
される。
また、ICカードの製造技術は満形化が可能であると同
時に、量産性にすぐれていることも重要な条件の一つで
あることはいうまでもない。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、薄形化が容易でガを産性に富むIC
カードの製造方法を提供することであるO 〔発明の概要〕 この発明は、半導体素子の実装方法の一つとして知られ
ているリードフレーム法をICカードの製造に応用した
ものである。
すなわち、この発明はICチップを搭載するダイア]?
ンディングノぐラド部と、ICチップと外部装置とを接
続するための複数の電極部と、とれらダイボンディング
/Jツド部および電極部の外方にこれらと連結して形成
された支持フレーム部とを少なくとも有する厚さ0.2
 m以下のリードフレームを用意し、このリードフレー
ム」二にICチップを琵載するとともに、ICチップと
電極部とをワイヤがンディングによシ接続しり後、リー
ドフレームのグイポンディングパッド部と電極部の所定
部分とを、搭載したICチップとともに樹脂によシカー
ド状にモールドし、次いでリードフレームの禎1脂部か
ら露出した外方部分を切離して、電極部相互を電気的に
分離独立させる工程を含むことを特徴としている。
なお、この方法は電池内蔵型のICカードの4造にも適
用できる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、リードフレームがICチップの支持
とその接続を11〔ねておシ、リードフレームの厚さは
従来のICカードで用いられていたプリント板に比べ格
段に’if’jtいため、ICカードの薄形化に大きく
寄与することができる。
特にこのリードフレーム+(1通常、半導体素子に用い
られているフレームリードのように夕1部机続ビンを一
体に設ける必要がなくKkjy!的9:’17度を要求
されないので、それ自体の厚さも通常夾求される厚さく
 0.5 nrm )より薄くてよくこのこともICカ
ードの薄形化に寄与する。
また、リードフレーム自体の作製がプリント板に比べ簡
単なこと、およびモールドによってカード状の成形を行
なうことがら、工程数が少なく量産に極めて矯しておシ
、ICカードの製造コストの低減を図ることがn3能で
ある。
〔発明の実施例〕
第1図(=) (b)にリードフレームの471.+7
成を示す。
図において、1はICチップを搭載するダイH?ンディ
ングパッド部であシ、対向する2辺がアーム部2 a 
p 2 bを介して支持フレーム部3に連結されている
。4はICチップと外部装置とを接続するための電極部
であシ、その各一端は支持フレーム部3に連結されてい
る。捷だ、5はループアンテナ部、6はICチップの電
源となる’iIL池を搭載する電池パッド部であシ、ア
ーム部7 a y y bを介して支持フレーム部3に
連結されるとともに、リード部8によってグイポンディ
ングパッドIと接続されている。このリードフレームの
厚さは0.2 M以下、好ましくは0.05咽程度であ
る。
このように構成されたリードフレームのグイポンディン
グパッド部1上に、第2図に示すようにICチップ9を
搭載するとともに、ワイヤ10をデンディングすること
によって、ICチップ9と電極部4およびループアンテ
ナ部5とを接続する。
次に、第3図に示すように例えばインジェクション法に
よシ、リードフレームの第1図(a)の2点鎖線で囲ま
れる領域を樹脂によってカード状にモールドする。すな
わち、支持フレーム3とこれに連なる電極部4、アーム
部2IL、2b。
7a 、7bの各一部がモールド樹脂部10より露出す
るようにモールドを行安う。また、この場合、カード表
面側においては電池ノ4ツド部6の上部に電池収納孔1
2が形成され、またカード裏面側においては電極部4の
表面の一部が露出するようにモールドする。
そして最後に、リードフレームのモールド樹脂部11よ
り外方部分を第1図の2点鎖線に沿って切断する。これ
により電極部4は相互に電気的に分向トされる。このよ
うにして、第4図に示すように内部にICチップを実装
し、表面の一部に電池収納孔12を有し、また裏面よシ
ミ極部4の一部が露出して外部装置(例えばカードリー
ダ)と接続可能なXCカードが得られる。
こうして得られるICカード(才、厚さがリードフレー
ムとモールド樹脂部との合計厚さとなり、14以下、例
えば0.7柵程度まで薄くすることは容易である。
また、この方法は工程がリードフレーム作製。
ワイヤデンディング、モールド、切断の4工程で済み、
極めて量産性に富んだ方法といえる。
なお、この発明の他の実施例として、第1図に示したリ
ードフレームを羊位フレームとして多数個一体に形成し
たリードフレーム集合体を用いれば、さらに量産性を向
上させることができる。まだ、鎖4図(b)では電極部
4およびその相互間の部分がモールド樹脂部11の表面
よシ低くなっているが、電極部4の上に導体で肉付けを
行なうとともに、電極部4の相互間に絶縁体を被着し、
ICカード全体を均一な肉厚にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図はこの発明の一実施例に係る製造工程を
説明するだめの図で、第1図(a) (b)はリードフ
レームの平面図および断面図、第2図はICチップ搭載
およびワイヤがンディング工程を示す平面図、第3 I
ll (a) (b) (c)はモールド工程における
平面図とlij ’i?ij図および裏面図、第4図(
a) (b)はICカードの表裏両面から見た余1視図
である。 1・・・ダイビンディングパッド部、3・・・支持フレ
ーム部、4・・・電極部、5・・・ループアンテナ部、
6・・・電池パッド部、8・・・リード部、9・・・I
Cチップ、10・・・ボンディングワイヤ、11・・・
モールド樹脂部、12・・・電池収納孔。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 (b) 第2図 第3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ICチップを実装してカード状に成形されるIC
    カードの製造に際し、ICチップを搭載するメイポンデ
    イングパッド部と、ICチップと外部装置とを接続する
    ための複数の電極部と、これらダイポンプイングツぐラ
    ド部および電極部の外方にこれらと連結して形成された
    支持フレーム部とを少なくとも有する厚さ0,2叫以下
    のリードフレーム上にICチップを搭載するとともに、
    このICチップと前記電極部とをワイヤボンディングに
    よ多接続した後、前記リードフレームのダイポンディン
    グパッド部と電極部の所定部分とを前記ICチップとと
    もに樹脂によシカード状にモールドし、次いで前記リー
    ドフレームの樹脂部外方部分を切離して前記電極部相互
    を電気的に分離することを特徴とするICカードの製造
    方法。
  2. (2) リードフレームはICチップの電源となる電池
    を搭載する電池ノクツド部およびこれとダイぎンディン
    グパッド部とを接続するリード部を有するものであシ、
    前記モールドは上記電池・ぐツ・・ド上に電池収納孔が
    形成されるように行なわれることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載のICカードの製造方法。
  3. (3) 前記モールドは前記電極部の表面の一部が露出
    するように行なわれることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のICカードの製造方法。
  4. (4)リードフレームはICチップと外部装置との送受
    信または外部装置からの電力供給を無線で行なうだめの
    アンテナ部を有するものであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のICカードの製造方法。
JP58116383A 1983-06-28 1983-06-28 Icカ−ドの製造方法 Pending JPS607760A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58116383A JPS607760A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 Icカ−ドの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58116383A JPS607760A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 Icカ−ドの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS607760A true JPS607760A (ja) 1985-01-16

Family

ID=14685648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58116383A Pending JPS607760A (ja) 1983-06-28 1983-06-28 Icカ−ドの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS607760A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6233477U (ja) * 1985-08-12 1987-02-27
JPS62169696A (ja) * 1986-01-20 1987-07-25 株式会社アイテイテイキャノン Icカード
JPS63154398A (ja) * 1986-12-19 1988-06-27 大日本印刷株式会社 Icカ−ドの製造方法
JPH01310572A (ja) * 1988-06-08 1989-12-14 Nec Corp マイクロ波集積回路
JPH0288298A (ja) * 1988-09-27 1990-03-28 Matsushita Electron Corp Icカード
JPH03259300A (ja) * 1990-03-09 1991-11-19 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 電子発音装置
JPH06312594A (ja) * 1993-11-11 1994-11-08 Ibiden Co Ltd Icカード
EP0734063A3 (fr) * 1991-02-19 1997-01-29 Gemplus Card Int Micromodule de circuit intégré obtenu par un procédé d'assemblage en continu de bandes à motifs
EP1085597A2 (en) * 1999-09-15 2001-03-21 Lucent Technologies Inc. Antenna package for a wireless communications device
EP1221738A2 (en) * 2000-12-27 2002-07-10 The Furukawa Electric Co., Ltd. Small antenna and manufacturing method thereof
JP2002319813A (ja) * 2000-07-24 2002-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The チップアンテナ及びその製造方法
WO2006061345A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-15 Siemens Aktiengesellschaft Sende- und/oder empfangseinrichtung mit leadframeantenne
US7230321B2 (en) * 2003-10-13 2007-06-12 Mccain Joseph Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
JP2008543092A (ja) * 2005-06-03 2008-11-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ミリメートル波アプリケーションのためのアンテナを集積回路チップと共にパッケージングするための装置及び方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6233477U (ja) * 1985-08-12 1987-02-27
JPH0524552Y2 (ja) * 1985-08-12 1993-06-22
JPS62169696A (ja) * 1986-01-20 1987-07-25 株式会社アイテイテイキャノン Icカード
JPS63154398A (ja) * 1986-12-19 1988-06-27 大日本印刷株式会社 Icカ−ドの製造方法
JPH01310572A (ja) * 1988-06-08 1989-12-14 Nec Corp マイクロ波集積回路
JPH0288298A (ja) * 1988-09-27 1990-03-28 Matsushita Electron Corp Icカード
JPH03259300A (ja) * 1990-03-09 1991-11-19 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 電子発音装置
EP0734063A3 (fr) * 1991-02-19 1997-01-29 Gemplus Card Int Micromodule de circuit intégré obtenu par un procédé d'assemblage en continu de bandes à motifs
JPH06312594A (ja) * 1993-11-11 1994-11-08 Ibiden Co Ltd Icカード
EP1085597A2 (en) * 1999-09-15 2001-03-21 Lucent Technologies Inc. Antenna package for a wireless communications device
EP1085597A3 (en) * 1999-09-15 2004-03-10 Lucent Technologies Inc. Antenna package for a wireless communications device
JP2002319813A (ja) * 2000-07-24 2002-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The チップアンテナ及びその製造方法
EP1221738A2 (en) * 2000-12-27 2002-07-10 The Furukawa Electric Co., Ltd. Small antenna and manufacturing method thereof
EP1221738A3 (en) * 2000-12-27 2002-10-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. Small antenna and manufacturing method thereof
US7230321B2 (en) * 2003-10-13 2007-06-12 Mccain Joseph Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
WO2006061345A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-15 Siemens Aktiengesellschaft Sende- und/oder empfangseinrichtung mit leadframeantenne
JP2008543092A (ja) * 2005-06-03 2008-11-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ミリメートル波アプリケーションのためのアンテナを集積回路チップと共にパッケージングするための装置及び方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1639644B1 (en) Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor
JP3748512B2 (ja) ループアンテナを備えたチップカードと結合されるマイクロモジュール
US6085412A (en) Method for manufacturing card type memory device
JPS607760A (ja) Icカ−ドの製造方法
JPH022100A (ja) Icカードの構造
JPS59227143A (ja) 集積回路パツケ−ジ
US5877941A (en) IC card and method of fabricating the same
JPH1145959A (ja) チップオンボードパッケージ用印刷回路基板及びそれを用いたチップオンボードパッケージ
JPS62259461A (ja) チツプを支持するパツケ−ジ及びその製造方法
KR102014621B1 (ko) 상호접속 구역들을 포함하는 단일 측면형 전자 모듈을 제조하기 위한 방법
JPH0387299A (ja) Icカード
JPH1154693A (ja) 半導体装置
JPH0655554B2 (ja) Icカードおよびその製造方法
JP2904785B2 (ja) カード内蔵用icモジユール
JPS6283196A (ja) Icカ−ド
JP3170519B2 (ja) メモリカード
JP3485736B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH0439026Y2 (ja)
JP2664730B2 (ja) Icカードおよびicモジュール
JPH01210394A (ja) 集積回路装置
JP2510520B2 (ja) Icカ−ドおよびicカ−ド用icモジユ−ル
JP2008097073A (ja) Icカードモジュール、その製造方法及びicカード
JPH104122A (ja) 半導体装置
JPH084310Y2 (ja) Icカード
JPH09116252A (ja) 集積回路装置の実装構造