NL9400766A - Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. - Google Patents

Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. Download PDF

Info

Publication number
NL9400766A
NL9400766A NL9400766A NL9400766A NL9400766A NL 9400766 A NL9400766 A NL 9400766A NL 9400766 A NL9400766 A NL 9400766A NL 9400766 A NL9400766 A NL 9400766A NL 9400766 A NL9400766 A NL 9400766A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor circuit
mold
plastic
spacer element
window
Prior art date
Application number
NL9400766A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Jacobus Kaldenberg
Original Assignee
Euratec Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Euratec Bv filed Critical Euratec Bv
Priority to NL9400766A priority Critical patent/NL9400766A/nl
Priority to DK95201126.0T priority patent/DK0682374T3/da
Priority to DE69501361T priority patent/DE69501361T2/de
Priority to AT95201126T priority patent/ATE162011T1/de
Priority to ES95201126T priority patent/ES2110811T3/es
Priority to EP95201126A priority patent/EP0682374B1/en
Priority to JP7131235A priority patent/JPH07307359A/ja
Priority to SI9530058T priority patent/SI0682374T1/xx
Priority to US08/434,909 priority patent/US5863810A/en
Publication of NL9400766A publication Critical patent/NL9400766A/nl
Priority to GR980400343T priority patent/GR3026168T3/el

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake-ling
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschakeling (chip) omvattende de volgende stappen: a) het bevestigen van de halfgeleiderschakeling op het draagvlak van een zogenaamd geleiderframe (leadframe), b) het aanbrengen van verbindingsdraden tussen de contactvlakken van de halfgeleiderschakeling en geselecteerde delen van het geleiderframe (bonden), c) het met behulp van een spuitgietvorm (mould) aanbrengen van een kunststof omhulling die tenminste de halfgeleiderschakeling, het draagvlak, de verbindingsdraden en een deel van het geleiderframe omvat.
De uitvinding is in het bijzonder gericht op een werkwijze waarmee een omhulling wordt verkregen rond een geïntegreerde halfgeleiderschakeling die opto-elektronische componenten omvat en waarbij de omhulling voorzien moet zijn van een voor straling doorlaatbaar venster. Onder straling wordt hier in brede zin begrepen zowel straling in het zichtbare deel van het spectrum als ook straling in het infrarode danwel ultraviolette deel van het spectrum.
In het Amerikaanse octrooischrift US-5.200.367 wordt enerzijds een beschrijving gegeven van zogenaamde keramische omhullingen en wordt anderzijds een beschrijving gegeven van een kunststof omhulling die als vervanging voor een keramische omhulling kan worden gebruikt. In beide gevallen gaat het om een omhulling die zodanig uitgevoerd is dat de geïntegreerde halfgeleiderschakeling aan die zijde, waar straling op de schakeling moet kunnen invallen, open is. Dit open gedeelte kan dan vervolgens worden afgedekt met een afzonderlijk glasplaatje danwel, indien de halfgeleiderschakeling geen lichtgevoelige componenten bevat, worden afgedekt met een plaatje uit een ander materiaal, zoals een metaalplaat je.
Het is voor de deskundige bekend dat het gebruik van keramische behuizingen leidt tot een kostenverhoging van de uiteindelijke elektronische bouwsteen. Keramische omhullingen worden derhalve nagenoeg uitsluitend gebruikt voor bouwstenen waaraan hoge eisen worden gesteld. Verder heeft het gebruik van een afzonderlijk glazen afdekplaatje een aantal nadelen. Er is een speciale lijm of hechtmiddel nodig om het plaatje aan het resterende deel van de omhulling te bevestigen. Verder is het niet mogelijk om, zonder dat er nadere maatregelen worden getrof- fen, de lichtinval in de halfgeleiderschakeling te beperken tot een bepaald venster dat zich op een bepaalde plaats boven de halfgeleiderschakeling bevindt. Een verder nadeel is gelegen in het feit dat er bij wisselende temperaturen spanningen kunnen ontstaan die ertoe kunnen leiden, dat het glasplaatje los laat of barst, danwel dat de omhulling barsten gaat vertonen of op andere wijze wordt beschadigd.
Een werkwijze waarbij in plaats van een glazen afdekplaatje gebruik wordt gemaakt van een transparante kunsthars die in de open ruimte wordt ingegoten en daarmee deze ruimte geheel opvult is bijvoorbeeld beschreven in de Europese octrooiaanvrage EP-0.400.176. Het nadeel van deze werkwijze is dat geen gebruik wordt gemaakt van standaard (open tooling) basiselementen waardoor de kosten van deze werkwijze relatief hoog zijn.
Verder zijn, bijvoorbeeld uit de Japanse octrooiaanvrage JP60193345, werkwijzen bekend waarbij met gebruikmaking van een afzonderlijke spuitgietvorm allereerst op de halfgeleiderschakeling een laag transparante kunststof wordt aangebracht die na uitharding het toekomstige lichtvenster vormt. Vervolgens wordt de bovenzijde van dit licht-venster voorzien van een beschermlaagje en het op deze wijze verkregen halfprodukt wordt in een andere spuitgietvorm ingegoten, zodanig dat de volledige omhulling wordt verkregen. Tenslotte wordt het beschermlaagje van het venster verwijderd. Deze werkwijze heeft het nadeel dat de werkwijze op zichzelf een groot aantal stappen kent, terwijl bovendien twee afzonderlijke spuitgietvormen nodig zijn voor het bereiken van het eindresultaat.
De uitvinding heeft nu ten doel aan te geven op welke wijze met gebruikmaking van standaard spuitgietvormen en een gebruikelijk z.g. "open tooling" geleiderframe een geïntegreerde halfgeleiderschakeling kan worden voorzien van een omhulling met een venster.
Aan deze doelstelling wordt volgens de uitvinding bij een werkwijze van in de aanhef genoemde soort voldaan, doordat tussen de stappen b) en c) de volgende stap wordt uitgevoerd: d) het aanbrengen van een vooraf bepaalde hoeveelheid voor straling transparante kunststof op die zijde van de halfgeleiderschakeling tegenover de zijde die aan het draagvlak is bevestigd, welke kunststof een glastemperatuur Tg heeft die lager is dan de temperatuur die gebruikt wordt voor het uitvoeren van stap c).
De uitvinding zal thans nader worden toegelicht aan de hand van de bijgaande tekeningen.
Figuur 1 toont in een aantal aanzichten 1A...1D een aantal stadia tijdens het uitvoeren van de werkwijze volgens de uitvinding.
Figuur 2 toont in een aantal aanzichten 2A...2D een aantal stadia tijdens het uitvoeren van de werkwijze volgens de uitvinding bij toepassing van een extra afstandselement.
Figuur 3 toont in een aantal aanzichten een soortgelijke werkwijze als geïllustreerd in figuur 2, nu echter met een anders uitgevoerd afstandselement .
Figuur 4 toont een doorsnede door een spuitgietvorm waarmee de uitvinding bij voorkeur kan worden toegepast.
Figuur 5 toont een doorsnede door een omhulling vervaardigd met de in figuur 4 getoonde vorm.
Figuur 6 toont een doorsnede door een anders uitgevoerde omhulling.
In de figuren 1A ... 1D zijn diverse opeenvolgende stadia weergegeven bij toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding.
Bij de fabricage van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen worden in het algemeen een groot aantal van dergelijke schakelingen tegelijkertijd op een enkele grote plak silicium, een zogenaamde wafer, vervaardigd. Is het integratieproces op zichzelf voltooid dan wordt, met behulp van op zichzelf bekende technieken, bijvoorbeeld door snijden of etsen, de wafer verdeeld in de afzonderlijke halfgeleiderschakelingen of chips. (In de Engelstalige literatuur worden ook de termen "die" en "pellet" gebruikt.) Elke chip wordt vervolgens op een metalen framewerk geplaatst, bestaande uit de contactpennen die onderling nog verbonden zijn door middel van verbindingsdelen zodanig, dat ze als geheel een zogenaamd geleiderframe of "lead frame" vormen. Het centrale deel van een dergelijk lead frame bestaat uit een montagevlakje waarop een chip kan worden geplaatst en bevestigd door middel van solderen of een andere op zichzelf bekende werkwijze. Nadat de chip op deze wijze in het centrale deel van een geleiderframe is vastgezet worden aansluitdraadjes aangebracht tussen de diverse contactpennen en de aansluitvlakjes of "pads" op de chip. Het resultaat na afloop van deze bewerking is in figuur 1A schematisch in doorsnede getoond.
In figuur 1A zijn de onderdelen van het geleiderframe aangeduid met 10a, 10b en 10c. De contactpennen worden gevormd door de delen 10a en 10c, terwijl het centrale montagevlak van het geleiderframe aangeduid is met 10b. Op dit montagevlak 10b (Engels: die pad) is de chip 12 vastgezet op een op zich bekende wijze, die binnen het kader van de uitvinding geen rol speelt. Verder zijn tussen de aansluitpennen 10a en 10c enerzijds en de chip 12 anderzijds verbindingsdraadjes of "bonding wires" 14a en 14b aangebracht. Al deze technieken zijn op zichzelf bekend en behoeven geen nadere toelichting.
De eerstvolgende stap in de werkwijze is geïllustreerd in figuur 1B. In deze stap wordt met behulp van op zich bekende doseermiddelen een kleine hoeveelheid van een geschikte transparante hars 16 aangebracht op het bovenoppervlak van de chip 12. De consistentie van de hars 16 is zodanig, dat deze als een enigszins bollende laag op de chip 12 blijft liggen. Na het opbrengen van de laag 16 wordt deze althans gedeeltelijk uitgehard voordat de volgende stap van de werkwijze wordt uitgevoerd.
Voor het uitvoeren van de volgende werkwijzestap wordt het nu verkregen halffabrikaat aangebracht in een op zichzelf bekende spuitgiet-vorm of "mould" waarmee een omhulling om het halffabrikaat kan worden aangebracht. De hars die wordt gebruikt voor de omhulling wordt verwerkt bij een temperatuur die hoger is dan de glastemperatuur Tg van de transparante hars 16, zodat tijdens het spuitgietproces deze hars 16 althans enigszins zal verweken. Het resultaat daarvan is dat de bovenzijde van de laag 16 tegen de wand van de vorm vlakgedrukt wordt, terwijl tegelijkertijd de resterende vrije ruimte in de vorm wordt gevuld met de omhul-lingshars 18. Na het althans gedeeltelijk uitharden van de nu ingekap-selde halfgeleiderschakeling en het verwijderen daarvan uit de vorm ontstaat het produkt dat in doorsnede in figuur 1C is getoond. De mate van uitharding van de hars 16 en ook het volume van de hars zijn van invloed op de diameter D van het uiteindelijk gerealiseerde venster (zie figuur 1D).
De daaropvolgende stappen om te komen tot een bruikbaar eindresultaat zijn op zichzelf bekend. Om te beginnen moeten de nog aanwezige verbindingsdelen tussen de afzonderlijke contactpennen 10a, 10c, enz., worden weggenomen, zodat deze pennen elektrisch gezien geen kortsluiting meer met elkaar maken en daarna, of eventueel tegelijkertijd, moeten deze pennen in de gewenste vorm worden gebogen, bijvoorbeeld loodrecht naar beneden zoals in figuur 1D is getoond.
Voor de kwaliteit van de uiteindelijk gerealiseerde omhulling met venster (gevormd door het transparante deel 16 van de omhulling) moet de hars, waaruit het gedeelte 16 wordt gevormd, voldoen aan een aantal eisen: 1) De hars moet zo goed mogelijk transparant zijn voor de straling die door het venster 16 moet worden doorgelaten, welke straling kan liggen zowel in het zichtbare deel van het spectrum als ook in het ultraviolette of infrarode deel van het spectrum.
2) De hars moet een glastemperatuur Tg hebben die ligt onder de temperatuur waarbij de hars 18 in de spuitgietvorm wordt verwerkt, zodat door de, als gevolg daarvan optredende verweking van de transparante hars, deze tijdens het spuitgietproces zijn uiteindelijke gewenste vorm kan aannemen.
Om over het gehele oppervlak van de chip een venster met een zelfde optische weglengte te verschaffen moeten het bovenvlak van de chip 12 en het bovenvlak van het venster 16 zo goed mogelijk evenwijdig aan elkaar lopen. De kwaliteit van het uiteindelijke produkt wordt dus mede bepaald door de mate waarin het bovenvlak van de chip 12 evenwijdig loopt aan het bovenvlak van het venster 16, met andere woorden de mate waarin de hoogte van het venster 16 boven de chip 12 constant is. In dat verband wordt volgens de uitvinding voorgesteld om de chip 12 in het bijzonder tijdens het aanbrengen van de omhullingshars 18 te fixeren door voor het uitvoeren van deze stap onder het montagevlak 10b een afstandselement 20 aan te brengen. Het gebruik van dit afstandselement is in detail geïllustreerd in figuur 2.
In de figuren 2A ... 2D is, op dezelfde wijze als in figuur 1, een reeks van deelsituaties getoond die zich voordoen tijdens een werkwijze volgens de uitvinding, waarbij gebruik wordt gemaakt van een afzonderlijk afstandselement 20. De situatie in figuur 2A is in feite vergelijkbaar met de situatie van figuur 1A met het verschil, dat nu een afstandselement 20 met op zich bekende technieken, zoals solderen, lijmen, en dergelijke, is aangebracht tegen de onderzijde van de montageplaat 10b.
Vervolgens wordt een afgepaste hoeveelheid transparante hars 16 opgebracht op het bovenoppervlak van de chip 12 en deze transparante hars wordt gedeeltelijk uitgehard met als resultaat het halfprodukt dat in figuur 2B in doorsnede is getoond. De in figuur 2B toegepaste hoeveelheid transparante hars 16 is groter dan werd gebruikt in figuur 1B met als resultaat dat niet alleen de chip 12 maar ook ten minste een deel van het montagevlak 10b met hars wordt bedekt.
Daarna wordt dit halfprodukt ingebracht in een spuitgietvorm en wordt bij een vooraf bepaalde relatief hoge temperatuur de omhullende hars 18 ingebracht. Tijdens dit proces zal er door de bovenzijde van de vorm (gezien in de situatie van figuur 2C) druk worden uitgeoefend in neerwaartse richting op het aanvankelijk overmatige deel van de transparante hars 16. Als gevolg van de aanwezigheid van het afstandselement 20, dat rust tegen de onderzijde van de vorm, treedt er ondanks deze druk geen verplaatsing op van de chip, in tegendeel, de chip wordt als het ware stevig op zijn plaats gefixeerd. Als er van uitgegaan wordt dat de binnenwanden van de vorm 30 evenwijdig lopen en het afstandselement 20 overal dezelfde dikte heeft, dan is het uiteindelijke resultaat een omhulde chip waarin de bovenzijde van de chip 12 evenwijdig loopt aan de bovenzijde van de behuizing en derhalve het venster 16 overal eenzelfde dikte heeft. Omdat een grotere hoeveelheid hars werd opgebracht is ook de diameter D van het gerealiseerde venster groter dan in figuur 1D.
Het zal duidelijk zijn dat door het kiezen van geschikte afmetingen van het afstandselement 20 de dikte van het transparante venster 16 op een nauwkeurige wijze vooraf kan worden bepaald. Omdat verder de omstandigheden tijdens het spuitgietproces goed reproduceerbaar zijn is het ook mogelijk om empirisch dat volume aan transparante hars vast te stellen dat voor het bereiken van de situatie van figuur 2B op de bovenzijde van de chip 12 moet worden aangebracht om uiteindelijk, na het vervorm-proces in de spuitgietvorm, een venster 16 te realiseren van nauwkeurig bepaalde afmetingen.
In de figuren 3A ... 3D is weer op dezelfde wijze als in figuur 1 en figuur 2 een reeks van deelsituaties getoond die zich voordoen tijdens een werkwijze volgens de uitvinding, waarbij nu het gebruikte afstandselement 20' enigszins anders uitgevoerd is. Zoals blijkt uit de diverse deelfiguren is het afstandselement 20' uitgevoerd als een relatief dun plat plaatje met een aantal pootjes of ribben die de eigenlijke afstand bepalende delen vormen. Het resultaat van het gebruik van een dergelijk afstandselement 20' is dat nagenoeg het gehele afstandselement wordt ingebed in de omhullingshars. Daarmee wordt een hechtere verbinding tussen de hars en het afstandselement 20' gerealiseerd.
Om de flexibiliteit van de werkwijze verder te illustreren is in figuur 3B een relatief kleine hoeveelheid hars opgebracht, waarmee slechts een deel van het oppervlak van de chip 12 wordt bedekt. Het zal duidelijk zijn dat in het eindresultaat, geïllustreerd in figuur 3D de diameter van het venster D kleiner zal zijn dan de vensters geïllustreerd in de figuren 1D en 2D
Het verdient volgens de uitvinding de voorkeur om het afstandselement 20 te vervaardigen uit een goed warmtegeleidend materiaal dat bij voorkeur ongeveer dezelfde uitzettingscoëfficiënt heeft als de omhul-lingshars 18.
Een afstandselement uit metaal zoals messing heeft het bijkomende voordeel, dat daarmee een afschermende werking wordt bereikt.
Het bovenoppervlak van het venster 16 aan de buitenzijde van de behuizing, moet bij voorkeur zeer glad zijn om de invallende straling zo min mogelijk te verstrooien. Een hoge mate van gladheid kan worden bereikt door plaatselijk de binnenwand van de vorm 30 te bewerken.
In figuur 4 is een doorsnede getoond door een vorm 30, omvattende een onderste helft 30b en een bovenste helft 30a. Een deel van de binnenwand van het bovenste deel 30a, ruwweg aangeduid met de afstandsmaat 34a, komt tijdens het fabricageproces in aanraking met de transparante hars 16. Wordt dit betreffende deel 34a door middel van polijsten of op een andere geschikte wijze glad gemaakt, dan zullen ook de produkten die met een dergelijke vorm worden vervaardigd aan de bovenzijde van het venster 16 een glad oppervlak vertonen. Bij voorkeur wordt de vorm zodanig bewerkt, dat de bovenzijde van het venster 16 een oppervlakteruw-heid Ra heeft, die beter is dan 0,2.
Om het gladde oppervlak van het venster 16 zoveel mogelijk tegen uitwendige invloeden te beschermen verdient het de voorkeur om op de bovenzijde van de omhulling een aantal uitstekende delen aan te brengen waardoor de kans op krassen of andere beschadigingen van het oppervlak van het venster 16 worden verminderd. Daartoe is de vorm, die geïllustreerd is in figuur 4, voorzien van een aantal uitsparingen 32a, 32b, ..., die ervoor zorgen dat het uiteindelijke produkt, dat schematisch geïllustreerd is in figuur 5, voorzien is van naar buiten uitstekende delen 36a, 36b, .... In figuur 5 is verder aangegeven dat het schematisch aangeduide oppervlak 34b, waartoe in elk geval de bovenzijde van het venster 16 behoort, een zeer kleine ruwheid heeft binnen de boven aangegeven grenzen als gevolg van de voorbehandeling van het deel 34a van de binnenwand van de vorm 30.
Figuur 6 toont een verdere uitvoeringsvorm van een omhulling die met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding kan worden vervaardigd. Het verschil tussen figuur 1D en figuur 6 is gelegen in het feit dat het bovenvlak van het venster 17 een concave vorm heeft, waardoor een lenswerking wordt bereikt en de invallende straling meer of minder wordt gericht op een bepaald deel van de chip 12. Het zal ook zonder verdere figuur duidelijk zijn dat de binnenwand van het bovendeel 30a van de spuitgietvorm 30 voorzien moet zijn van een convexe uitsparing van zodanige vorm dat daarmee de gewenste concave welving van het venster 16 wordt verkregen.
Indien gewenst is ook de inverse situatie mogelijk, waarbij als resultaat een convex gewelfd oppervlak van het venster 16 wordt gerealiseerd.
Het zal duidelijk zijn dat de montage ook zodanig uitgevoerd kan zijn dat slechts een deel van het venster een concaaf of convex oppervlak heeft, terwijl het resterende deel vlak is.
Geschikte harsen voor het vervaardigen van het venster 16 zijn in de handel verkrijgbaar. Als voorbeeld wordt genoemd het produkt Amicon
Me 45 W, een glasheldere tweecomponentenhars, die uithardt bij kamertemperatuur. Deze hars wordt o.a. geleverd door de firma Grace in Westerlo. Een andere hars is Hysol EPR 250-1, een optisch heldere vloeibare epoxy die straling tot in het ultraviolette deel van het spectrum doorlaat. Deze hars, die geleverd wordt door The Dexter Corporation, Californië, U.S.A., is in het bijzonder geschikt indiende chip bijvoorbeeld via ÜV-straling moet worden geprogrammeerd, zoals bij sommige typen EPROMs het geval is.
Hoewel in de diverse figuren de uiteindelijk gerealiseerde component (zie figuur 1D, 2D, 3D, 5 en 6) bestemd is voor insteekmontage zal duidelijk zijn dat door een andere nabewerking van de uitstekende ge-leiderpennen ook zogenaamde SMD-componenten, componenten die geschikt zijn voor oppervlaktemontage, kunnen worden gerealiseerd.

Claims (9)

1. Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleider-schakeling (die) omvattende de volgende stappen: a) het bevestigen van de halfgeleiderschakeling op het draagvlak van een zogenaamd geleiderframe (leadframe), b) het aanbrengen van verbindingsdraden tussen de contactvlakken van de halfgeleiderschakeling en geselecteerde delen van het geleiderframe (bonden), c) het met behulp van een spuitgietvorm (mould) aanbrengen van een kunststof omhulling die tenminste de halfgeleiderschakeling, het draagvlak, de verbindingsdraden en een deel van het geleiderframe omvat, met het kenmerk, dat tussen de stappen b) en c) de volgende stap wordt uitgevoerd: d) het aanbrengen van een vooraf bepaalde hoeveelheid voor straling transparante kunststof op die zijde van de halfgeleiderschakeling tegenover de zijde die aan het draagvlak is bevestigd, welke kunststof een glastemperatuur heeft die lager is dan de temperatuur die gebruikt wordt voor het uitvoeren van stap c).
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat voorafgaand aan stap c) een afstandselement wordt aangebracht tegen de vrije zijde van het draagvlak.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het afstandselement bestaat uit een plaatvormig element, waarvan de dikte correspondeert met de gewenste afstand.
4. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het genoemde afstandselement in zijn algemeenheid bestaat uit een vlak element met plaatselijk uitstekende delen die de gewenste afstand bepalen.
5. Werkwijze volgens een der conclusies 2-4, met het kenmerk, dat het afstandselement is vervaardigd uit een goed warmtegeleidend materiaal.
6. Werkwijze volgens een der conclusies 2-5, met het kenmerk, dat het afstandselement is vervaardigd uit een metaal.
7. Spuitgietvorm voor toepassing bij een werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, bestaande uit twee of meer losneembare delen die tezamen een ruimte definiëren die overeenstemd met de gewenste uitwendige vorm van de kunststof omhulling, met het kenmerk, dat het deel van de binnenwand van de vorm, dat in contact komt met de in stap d) opgebrachte transparante kunststof glad is afgewerkt met een oppervlakte-ruwheid Ra beter dan o,2.
8. Spuitgietvorm volgens conclusie 5) met het kenmerk, dat het betreffende deel van de binnenwand van de vorm bovendien althans gedeeltelijk is voorzien van een concaaf of convex gewelfd oppervlak.
9. Spuitgietvorm volgens conclusie 5) of 6), met het kenmerk, dat in het resterende deel van de betreffende binnenwand uitsparingen zijn aangebracht die er na afloop van het spuitgietproces voor zorgen dat de omhulling aan het oppervlak naast de transparante kunststof voorzien is van naar buiten uitstekende delen.
NL9400766A 1994-05-09 1994-05-09 Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. NL9400766A (nl)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9400766A NL9400766A (nl) 1994-05-09 1994-05-09 Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
DK95201126.0T DK0682374T3 (da) 1994-05-09 1995-05-02 Fremgangsmåde til indkapsling af et integreret kredsløb
DE69501361T DE69501361T2 (de) 1994-05-09 1995-05-02 Verfahren zur Einkapselung einer integrierten Schaltung
AT95201126T ATE162011T1 (de) 1994-05-09 1995-05-02 Verfahren zur einkapselung einer integrierten schaltung
ES95201126T ES2110811T3 (es) 1994-05-09 1995-05-02 Metodo para encapsular un circuito integrado.
EP95201126A EP0682374B1 (en) 1994-05-09 1995-05-02 Method for encapsulating an integrated circuit
JP7131235A JPH07307359A (ja) 1994-05-09 1995-05-02 集積回路のカプセル封止方法
SI9530058T SI0682374T1 (en) 1994-05-09 1995-05-02 Method for encapsulating an integrated circuit
US08/434,909 US5863810A (en) 1994-05-09 1995-05-03 Method for encapsulating an integrated circuit having a window
GR980400343T GR3026168T3 (en) 1994-05-09 1998-02-18 Method for encapsulating an integrated circuit.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL9400766 1994-05-09
NL9400766A NL9400766A (nl) 1994-05-09 1994-05-09 Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9400766A true NL9400766A (nl) 1995-12-01

Family

ID=19864175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9400766A NL9400766A (nl) 1994-05-09 1994-05-09 Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US5863810A (nl)
EP (1) EP0682374B1 (nl)
JP (1) JPH07307359A (nl)
AT (1) ATE162011T1 (nl)
DE (1) DE69501361T2 (nl)
DK (1) DK0682374T3 (nl)
ES (1) ES2110811T3 (nl)
GR (1) GR3026168T3 (nl)
NL (1) NL9400766A (nl)
SI (1) SI0682374T1 (nl)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59402033D1 (de) * 1993-09-30 1997-04-17 Siemens Ag Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
US5866953A (en) * 1996-05-24 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Packaged die on PCB with heat sink encapsulant
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
CN1264228C (zh) * 1996-06-26 2006-07-12 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
JP3012816B2 (ja) * 1996-10-22 2000-02-28 松下電子工業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3189115B2 (ja) * 1996-12-27 2001-07-16 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法
WO1999000852A1 (fr) * 1997-06-27 1999-01-07 Iwasaki Electric Co., Ltd. Diode electroluminescente de type reflechissante
JP2001518692A (ja) * 1997-07-29 2001-10-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 光電素子
JP2000114304A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング方法
US6140141A (en) * 1998-12-23 2000-10-31 Sun Microsystems, Inc. Method for cooling backside optically probed integrated circuits
FR2798226B1 (fr) * 1999-09-02 2002-04-05 St Microelectronics Sa Procede de mise en boitier d'une puce de semi-conducteur contenant des capteurs et boitier obtenu
SG106050A1 (en) * 2000-03-13 2004-09-30 Megic Corp Method of manufacture and identification of semiconductor chip marked for identification with internal marking indicia and protection thereof by non-black layer and device produced thereby
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
US6379988B1 (en) 2000-05-16 2002-04-30 Sandia Corporation Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices
US6531341B1 (en) 2000-05-16 2003-03-11 Sandia Corporation Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window
FR2819103B1 (fr) * 2000-12-29 2003-12-12 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a pastille transparente et son procede de fabrication
AU2002351024A1 (en) * 2001-11-23 2003-06-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit
FR2835653B1 (fr) 2002-02-06 2005-04-15 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur optique
JP2003243577A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6835592B2 (en) * 2002-05-24 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Methods for molding a semiconductor die package with enhanced thermal conductivity
JP4190269B2 (ja) 2002-07-09 2008-12-03 新光電気工業株式会社 素子内蔵基板製造方法およびその装置
DE10254648A1 (de) * 2002-11-22 2004-06-09 Infineon Technologies Ag Trägerstruktur für einen Chip und Verfahren zum Herstellen derselben
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
WO2004105117A2 (de) * 2003-05-19 2004-12-02 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Herstellen eines in kunststoff eingekapselten optoelektronischen bauelementes und zugehoerige verfahren
US20050009239A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-13 Wolff Larry Lee Optoelectronic packaging with embedded window
US7179688B2 (en) * 2003-10-16 2007-02-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method
US20050146057A1 (en) * 2003-12-31 2005-07-07 Khor Ah L. Micro lead frame package having transparent encapsulant
US7064424B2 (en) * 2004-05-06 2006-06-20 Wilson Robert E Optical surface mount technology package
US20060043612A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Stats Chippac Ltd. Wire sweep resistant semiconductor package and manufacturing method thereof
US7015587B1 (en) * 2004-09-07 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Stacked die package for semiconductor devices
US7273767B2 (en) * 2004-12-31 2007-09-25 Carsem (M) Sdn. Bhd. Method of manufacturing a cavity package
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
TWI313501B (en) * 2006-03-22 2009-08-11 Ind Tech Res Inst A process for manufacture plastic package of mems devices and the structure for the same
US20070292982A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-20 Jeffery Gail Holloway Method for Manufacturing Transparent Windows in Molded Semiconductor Packages
WO2008082565A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Tessera, Inc. Microelectronic devices and methods of manufacturing such devices
JP5388673B2 (ja) * 2008-05-07 2014-01-15 パナソニック株式会社 電子部品
EP2154713B1 (en) * 2008-08-11 2013-01-02 Sensirion AG Method for manufacturing a sensor device with a stress relief layer
US9366593B2 (en) * 2013-09-27 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Pressure sensor package with integrated sealing
EP3121853B1 (en) * 2015-07-23 2022-01-19 ams AG Method of producing an optical sensor at wafer-level and optical sensor
US20230298990A1 (en) * 2020-10-19 2023-09-21 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60193345A (ja) * 1984-03-15 1985-10-01 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPS6136957A (ja) * 1984-07-30 1986-02-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体集積回路
JPS62265771A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Seiko Instr & Electronics Ltd 光電変換素子の封止法
JPS6378557A (ja) * 1986-09-22 1988-04-08 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
EP0400176A1 (de) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US5200367A (en) * 1990-11-13 1993-04-06 Gold Star Electron Co., Ltd. Method for assembling packages of semi-conductor elements

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE143839C (nl) *
US3778685A (en) * 1972-03-27 1973-12-11 Nasa Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same
JPS58106851A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Nec Corp 半導体装置
DE3235650A1 (de) * 1982-09-27 1984-03-29 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung
JPS60193364A (ja) * 1984-03-15 1985-10-01 Matsushita Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH067587B2 (ja) * 1986-09-01 1994-01-26 三菱電機株式会社 固体撮像装置
US5045918A (en) * 1986-12-19 1991-09-03 North American Philips Corp. Semiconductor device with reduced packaging stress
JPS63213373A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Mitsubishi Electric Corp 光半導体デバイス
US4942140A (en) * 1987-03-25 1990-07-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of packaging semiconductor device
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH01215068A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Fuji Electric Co Ltd 光センサ組み込み半導体装置
US4881885A (en) * 1988-04-15 1989-11-21 International Business Machines Corporation Dam for lead encapsulation
JPH02229453A (ja) * 1988-11-25 1990-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0311757A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2656356B2 (ja) * 1989-09-13 1997-09-24 株式会社東芝 多重モールド型半導体装置及びその製造方法
US5331205A (en) * 1992-02-21 1994-07-19 Motorola, Inc. Molded plastic package with wire protection
US5534725A (en) * 1992-06-16 1996-07-09 Goldstar Electron Co., Ltd. Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
US5379186A (en) * 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
US5585600A (en) * 1993-09-02 1996-12-17 International Business Machines Corporation Encapsulated semiconductor chip module and method of forming the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60193345A (ja) * 1984-03-15 1985-10-01 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPS6136957A (ja) * 1984-07-30 1986-02-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体集積回路
JPS62265771A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Seiko Instr & Electronics Ltd 光電変換素子の封止法
JPS6378557A (ja) * 1986-09-22 1988-04-08 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
EP0400176A1 (de) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US5200367A (en) * 1990-11-13 1993-04-06 Gold Star Electron Co., Ltd. Method for assembling packages of semi-conductor elements

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 192 (E - 417) 5 July 1986 (1986-07-05) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 35 (E - 380) 12 February 1986 (1986-02-12) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 12, no. 150 (E - 606) 10 May 1988 (1988-05-10) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 12, no. 314 (E - 649) 25 August 1988 (1988-08-25) *

Also Published As

Publication number Publication date
DK0682374T3 (da) 1998-05-04
JPH07307359A (ja) 1995-11-21
ES2110811T3 (es) 1998-02-16
DE69501361T2 (de) 1998-05-07
SI0682374T1 (en) 1998-06-30
EP0682374B1 (en) 1998-01-07
GR3026168T3 (en) 1998-05-29
DE69501361D1 (de) 1998-02-12
EP0682374A1 (en) 1995-11-15
ATE162011T1 (de) 1998-01-15
US5863810A (en) 1999-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL9400766A (nl) Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL1003315C2 (nl) Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
US6680491B2 (en) Optical electronic apparatus and method for producing the same
US5436492A (en) Charge-coupled device image sensor
US6906459B2 (en) Light emitting diode
US20020001869A1 (en) Semiconductor package having light sensitive chips
US7413688B2 (en) Fabrication of optical devices and assemblies
JP2004532533A (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造法
JP3173586B2 (ja) 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法
EP2290716B1 (en) LED module
NL1019042C2 (nl) Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp.
CN108886077B (zh) 用于制造光电子照明装置的方法和光电子照明装置
CN101093263B (zh) 光波导及其制造方法以及光通信模块
US20050266602A1 (en) Encapsulated chip and method of fabrication thereof
WO2006092725A1 (en) Packaging integrated circuits
US7473889B2 (en) Optical integrated circuit package
JP2573080B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
US20050266592A1 (en) Method of fabricating an encapsulated chip and chip produced thereby
NL1011445C2 (nl) Werkwijze en inrichting voor het inkapselen van chips die gevoelig zijn voor invloeden van buitenaf.
JP2620685B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
EP1791010A2 (en) Light-emitting unit and method of producing the same
JPH05291546A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0629431A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP2006269840A (ja) 半導体装置およびそのための樹脂パッケージ
JP2006523012A (ja) チップをハウジング内に固定するための方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed