JPS5828829A - 半導体ウエハ−のメツキ装置 - Google Patents
半導体ウエハ−のメツキ装置Info
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- JPS5828829A JPS5828829A JP12717981A JP12717981A JPS5828829A JP S5828829 A JPS5828829 A JP S5828829A JP 12717981 A JP12717981 A JP 12717981A JP 12717981 A JP12717981 A JP 12717981A JP S5828829 A JPS5828829 A JP S5828829A
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- semiconductor wafer
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- plated
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハー表面に配線材料としての金属を
電解メッキ形成する半導体ウエハーのメッキ装置に関す
るものである。
電解メッキ形成する半導体ウエハーのメッキ装置に関す
るものである。
半導体ウエハー表面に、配線材料としての例えば金又は
銅等を電解メッキを形成する工程は、例えばビームリー
ド型１Ｃ，パンプ型１Ｃの製造工程で行われている。
銅等を電解メッキを形成する工程は、例えばビームリー
ド型１Ｃ，パンプ型１Ｃの製造工程で行われている。
半導体ウエハーに対する従来のメッキ装置の構造を第１
図に示す。図中１１はテフロン等よりなるメッキ部本体
、１２はメッキ時の負（−）電極となるいわゆるカソー
ド電極部、１２ａはカソード電極部１２と導通させた半
導体ウエハーの支持部で、メッキ用マスク材（通常ホト
レジスト）を通じて半導体ウエハー表面（メッキ面）へ
メッキ電流を供給する必要から針状に形成されている。
図に示す。図中１１はテフロン等よりなるメッキ部本体
、１２はメッキ時の負（−）電極となるいわゆるカソー
ド電極部、１２ａはカソード電極部１２と導通させた半
導体ウエハーの支持部で、メッキ用マスク材（通常ホト
レジスト）を通じて半導体ウエハー表面（メッキ面）へ
メッキ電流を供給する必要から針状に形成されている。
なお、支持部１２ａはメッキ部本体１１の開口径に、一
定間隔を置いて３〜４個所に設けられたものである。１
３はメッキ時の正（＋）電極となるいわゆるアノード電
極部で、半導体ウエハー１５の被メッキ面と対面してメ
ッキ部本体１１内に配接された網状体１３ａを有してい
る。１４は支持部１２ａ上に半導体ウエハーを圧接して
カソード電極１２に半導体ウエハーを導通させる押えば
ね、１５はメッキ配線を形成しようとする被メッキ部分
を有する半導体ウエハー、１６はメッキ液の流れ状況を
示す。
定間隔を置いて３〜４個所に設けられたものである。１
３はメッキ時の正（＋）電極となるいわゆるアノード電
極部で、半導体ウエハー１５の被メッキ面と対面してメ
ッキ部本体１１内に配接された網状体１３ａを有してい
る。１４は支持部１２ａ上に半導体ウエハーを圧接して
カソード電極１２に半導体ウエハーを導通させる押えば
ね、１５はメッキ配線を形成しようとする被メッキ部分
を有する半導体ウエハー、１６はメッキ液の流れ状況を
示す。
上記メッキ装置を用いて、半導体ウエハー１５の表面被
メッキ部分にメッキ配線を形成しようとEndpage:1 するときには以下にのべるような欠点があった。
メッキ部分にメッキ配線を形成しようとEndpage:1 するときには以下にのべるような欠点があった。
すなわち、
（１）ウエハーの裏面側にメッキ液が廻り込み、正常な
メッキが防げられ、不用なメッキ金属がウエハーの裏面
に付着する。
メッキが防げられ、不用なメッキ金属がウエハーの裏面
に付着する。
（２）カソード電極とウエハーのメッキ面との接触不良
が生じ易く、かつ電極の劣化がはげしい。これは、ウエ
ハーが、メッキ液中で電極を兼ねる針状の支持体上に支
えられてカソード電極と、ウエハーのメッキ面との節食
が行なわれるほか、支持体にメッキ金属が付着し、また
支持体がメッキマスク材であるホトレジストで汚される
などの理由による。
が生じ易く、かつ電極の劣化がはげしい。これは、ウエ
ハーが、メッキ液中で電極を兼ねる針状の支持体上に支
えられてカソード電極と、ウエハーのメッキ面との節食
が行なわれるほか、支持体にメッキ金属が付着し、また
支持体がメッキマスク材であるホトレジストで汚される
などの理由による。
（３）さらに劣化したしたカソード電極からはメッキ電
流の一部が漏れ電流となる。
流の一部が漏れ電流となる。
いじょう（１）〜（３）の理由によって従来装置では半
導体ウエハー表面の被メッキ面へ正常なメッキが行なわ
ないという欠点があった。
導体ウエハー表面の被メッキ面へ正常なメッキが行なわ
ないという欠点があった。
本発明は上記問題点を解消するもので、アノード電極部
の網状体を設置したメッキ部本体の開口縁に半導体ウエ
ハーの支持部を設け、該支持部上に載置された半導体ウ
エハーの非メッキ面となる上面にカソード電極を設置し
、該カソード電極にばね材を用いて半導体ウエハーを支
持部上に圧下させるようにしたことを特徴とするもので
ある。
の網状体を設置したメッキ部本体の開口縁に半導体ウエ
ハーの支持部を設け、該支持部上に載置された半導体ウ
エハーの非メッキ面となる上面にカソード電極を設置し
、該カソード電極にばね材を用いて半導体ウエハーを支
持部上に圧下させるようにしたことを特徴とするもので
ある。
以下本発明の実施例を第２図によって説明する。
第２図において、２１はテフロン等よりなるメッキ部本
体、２３はメッキ時の正（＋）電極となるアノード電極
部で、半導体ウエハーの被メッキ面に対向させて本体２
１内に設置された網状体２３ａを有している点は従来と
同じである。本体２１の上部に、本体２１の内周面より
外周面に向けて下傾する傾斜上の排液孔２１ａを開口し
、本体１の開口縁には、一定間隔を置いて３〜４個所に
ウエハー支持部２７を設ける。２５はメッキ配線を形成
しようとする半導体ウエハーで、被メッキ部分を網２３
ａに向き合わせて半導体ウエハー２５を支持部２７上に
載置する。本発明においては、半導体ウエハー２５の上
面（非メッキ面）上にメッキ時の負（−）電極となるカ
ソード電極２２を設置するものである。このカソード電
極２２は第１図に示すウエハー押えばね１４の機能をも
兼ねるもので、ばね材からなり、半導体ウエハー２５の
上面を押圧してこれを支持部２７，２７…上に圧着させ
る。
体、２３はメッキ時の正（＋）電極となるアノード電極
部で、半導体ウエハーの被メッキ面に対向させて本体２
１内に設置された網状体２３ａを有している点は従来と
同じである。本体２１の上部に、本体２１の内周面より
外周面に向けて下傾する傾斜上の排液孔２１ａを開口し
、本体１の開口縁には、一定間隔を置いて３〜４個所に
ウエハー支持部２７を設ける。２５はメッキ配線を形成
しようとする半導体ウエハーで、被メッキ部分を網２３
ａに向き合わせて半導体ウエハー２５を支持部２７上に
載置する。本発明においては、半導体ウエハー２５の上
面（非メッキ面）上にメッキ時の負（−）電極となるカ
ソード電極２２を設置するものである。このカソード電
極２２は第１図に示すウエハー押えばね１４の機能をも
兼ねるもので、ばね材からなり、半導体ウエハー２５の
上面を押圧してこれを支持部２７，２７…上に圧着させ
る。
図中２６はメッキ液の流れの方向を示すものである。す
なわち、メッキ液はメッキ部本体２１の下部流入口２８
より本体２１内に直流し、上部に開口された排液孔２１
ａより外部へ流出する。
なわち、メッキ液はメッキ部本体２１の下部流入口２８
より本体２１内に直流し、上部に開口された排液孔２１
ａより外部へ流出する。
電極間に通電し、半導体ウエハー２５の下面（被メッキ
面）にメッキ処理を施す場合において、本発明によれば
、メッキ液がウエハー２５に近接してその直下の排液孔
２１ａの傾斜面に沿って流出するため、液の表面張力、
粘性、メッキ液の流量によって従来問題となっていたウ
エハーの上面（非メッキ面）へのメッキ液の廻り込みが
なくなり。非メッキ面にメッキ金属が付着せず、正常な
メッキ処理が可能となる。また、カソード電極を半導体
ウエハーの上方、すなわち、メッキ液外に設置したため
、カソード電極がメッキ液中で半導体ウエハーに接触す
ることによって生ずる問題点、たとえば接触不良、電極
の劣化などの欠点を解消することができるばかりではな
く、カソード電極と、ウエハーとを面接触させることが
可能となり、確実な接触によってメッキ処理を行なうこ
とができ、またメッキ電流の漏れをなくすることができ
る。
面）にメッキ処理を施す場合において、本発明によれば
、メッキ液がウエハー２５に近接してその直下の排液孔
２１ａの傾斜面に沿って流出するため、液の表面張力、
粘性、メッキ液の流量によって従来問題となっていたウ
エハーの上面（非メッキ面）へのメッキ液の廻り込みが
なくなり。非メッキ面にメッキ金属が付着せず、正常な
メッキ処理が可能となる。また、カソード電極を半導体
ウエハーの上方、すなわち、メッキ液外に設置したため
、カソード電極がメッキ液中で半導体ウエハーに接触す
ることによって生ずる問題点、たとえば接触不良、電極
の劣化などの欠点を解消することができるばかりではな
く、カソード電極と、ウエハーとを面接触させることが
可能となり、確実な接触によってメッキ処理を行なうこ
とができ、またメッキ電流の漏れをなくすることができ
る。
本発明において、半導体ウエハーの被メッキ面の裏側よ
りカソード電極を取り出す場合に、通常半導体ウエハー
の非メッキ面（裏面）は接触領域となるため、半導体ウ
エハーをチップ上に固形化する部分を活用し、メッキ工
程以前のウエハー製造工程でウエハーの被メッキ面（表
面）からウエハーの裏面に至るメッキ専用の電流経路の
精製をＩＣ回路に設置を取る製造手法に準じて行なえば
、簡単に半導体ウエハーの裏面よりカソード電極を取り
出すことができる。
りカソード電極を取り出す場合に、通常半導体ウエハー
の非メッキ面（裏面）は接触領域となるため、半導体ウ
エハーをチップ上に固形化する部分を活用し、メッキ工
程以前のウエハー製造工程でウエハーの被メッキ面（表
面）からウエハーの裏面に至るメッキ専用の電流経路の
精製をＩＣ回路に設置を取る製造手法に準じて行なえば
、簡単に半導体ウエハーの裏面よりカソード電極を取り
出すことができる。
以上のように本発明によれば半導体ウエハーの表面に配
線材料としての金属を性能よく電解メッキ形成をするこ
とができる効果を有するものである。
線材料としての金属を性能よく電解メッキ形成をするこ
とができる効果を有するものである。
Endpage:2
第１図は従来の半導体メッキ装置の縦断面図、第２図は
本発明装置の一実施例を示す縦断面図である。 ２１…メッキ部本体 ２２…カソード電極部 ２２ａ…網状体 ２３…アノード電極部 ２５…半導体ウエハー ２７…ウエハー支持部 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅野中 Endpage:3
本発明装置の一実施例を示す縦断面図である。 ２１…メッキ部本体 ２２…カソード電極部 ２２ａ…網状体 ２３…アノード電極部 ２５…半導体ウエハー ２７…ウエハー支持部 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅野中 Endpage:3
Claims (1)
- （１）アノード電極部の網状体を設置したメッキ部本体
の開口縁に半導体ウエハーの支持部を設け、該支持部上
に載置された半導体ウエハーの非メッキ面となる上面に
カソード電極を設置し、該カソード電極にばね材を用い
て半導体ウエハーを支持部上に圧下させるようにしたこ
とを特徴とする半導体ウエハーのメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717981A JPS5828829A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717981A JPS5828829A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828829A true JPS5828829A (ja) | 1983-02-19 |
Family
ID=14953621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12717981A Pending JPS5828829A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 半導体ウエハ−のメツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828829A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906346A (en) * | 1987-02-23 | 1990-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Electroplating apparatus for producing humps on chip components |
-
1981
- 1981-08-13 JP JP12717981A patent/JPS5828829A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906346A (en) * | 1987-02-23 | 1990-03-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Electroplating apparatus for producing humps on chip components |
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