JPH0568559B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0568559B2 JPH0568559B2 JP60254799A JP25479985A JPH0568559B2 JP H0568559 B2 JPH0568559 B2 JP H0568559B2 JP 60254799 A JP60254799 A JP 60254799A JP 25479985 A JP25479985 A JP 25479985A JP H0568559 B2 JPH0568559 B2 JP H0568559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- anode
- wafers
- pair
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 49
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、めつき装置、特に半導体装置のペレ
ツト上に設けられる突起電極の形成に使用される
めつき装置に適用して有効な技術に関する。
ツト上に設けられる突起電極の形成に使用される
めつき装置に適用して有効な技術に関する。
[背景技術]
テープキヤリア状態で提供される半導体装置の
製造工程では、所定の回路が形成されたウエハの
パツド上に金(Au)からなるバンプ電極を形成
するためにめつき処理が行なわれる。このめつき
処理工程では、まず被処理物としてのウエハ上に
めつきエリアのみを外部に露出した状態のフオト
レジスト層を形成し、前記ウエハを陰極側として
陽極板と対向状態でめつき液を満たした電解槽中
に位置させる。この状態で、前記陰極と陽極間に
所定値の電流を印加することにより、前記フオト
レジスト層がマスクとなり露出状態の陰極側のウ
エハのめつきエリアに電着作用により金属層が堆
積される。前記金属層が所定の厚さで形成された
段階でウエハを電解槽から取り出し、前記フオト
レジスト層を溶解除去することによつてバンプ電
極を形成するものである。
製造工程では、所定の回路が形成されたウエハの
パツド上に金(Au)からなるバンプ電極を形成
するためにめつき処理が行なわれる。このめつき
処理工程では、まず被処理物としてのウエハ上に
めつきエリアのみを外部に露出した状態のフオト
レジスト層を形成し、前記ウエハを陰極側として
陽極板と対向状態でめつき液を満たした電解槽中
に位置させる。この状態で、前記陰極と陽極間に
所定値の電流を印加することにより、前記フオト
レジスト層がマスクとなり露出状態の陰極側のウ
エハのめつきエリアに電着作用により金属層が堆
積される。前記金属層が所定の厚さで形成された
段階でウエハを電解槽から取り出し、前記フオト
レジスト層を溶解除去することによつてバンプ電
極を形成するものである。
ところで、上記技術によるめつき装置では、め
つき液中の金が陽極板の表面で、化学反応を起こ
してコロイド状態となり、これがめつき液の流れ
によつて陰極側のウエハのめつきエリアに付着す
る可能性がある。
つき液中の金が陽極板の表面で、化学反応を起こ
してコロイド状態となり、これがめつき液の流れ
によつて陰極側のウエハのめつきエリアに付着す
る可能性がある。
このコロイドがめつきエリアに付着すると形成
されるバンプ電極が異常突起となり、該バンプ電
極上にリードの熱圧着を行う際にこの部位に押圧
力が集中して電極破壊を生じる恐れのあることが
本発明者によつて明らかにされた。
されるバンプ電極が異常突起となり、該バンプ電
極上にリードの熱圧着を行う際にこの部位に押圧
力が集中して電極破壊を生じる恐れのあることが
本発明者によつて明らかにされた。
また、上記技術によるめつき装置では、陽極が
陽極板のほぼ全面にわたつて形成されているた
め、これと対向位置にあるウエハ表面では、ウエ
ハの周囲方向にいくにしたがつてウエハ表面が受
ける電流密度が高くなる。したがつて、ウエハの
周囲方向に位置するバンプ電極のみが厚く形成さ
れてしまい、ウエハ上の部位によつて形成される
バンプ電極の大きさが不均一となることも併せて
本発明者によつて明らかにされた。
陽極板のほぼ全面にわたつて形成されているた
め、これと対向位置にあるウエハ表面では、ウエ
ハの周囲方向にいくにしたがつてウエハ表面が受
ける電流密度が高くなる。したがつて、ウエハの
周囲方向に位置するバンプ電極のみが厚く形成さ
れてしまい、ウエハ上の部位によつて形成される
バンプ電極の大きさが不均一となることも併せて
本発明者によつて明らかにされた。
なお、バンプ電極の形成されるテープキヤリア
型の半導体装置の技術として詳しく述べてある例
としては、株式会社工業調査会、1980年1月15日
発行「IC化実装技術」(日本マイクロエレクトロ
ニクス協会編)、P143〜P144がある。
型の半導体装置の技術として詳しく述べてある例
としては、株式会社工業調査会、1980年1月15日
発行「IC化実装技術」(日本マイクロエレクトロ
ニクス協会編)、P143〜P144がある。
[発明の目的]
本発明の目的は、被処理物の全域にわたつて均
一な厚さの金属層を形成することのできる技術を
提供することにある。
一な厚さの金属層を形成することのできる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
[発明の概要]
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、陰極としての被処理物と陽極板とが
対向状態で位置される電解槽を有し、被処理物か
ら陽極板方向へのめつき液の液流生成手段を有す
るめつき装置とすることによつて、陽極部に形成
されたコロイドが液流によつて被処理物とは反対
方向に流されるため、前記コロイドが被処理物の
めつきエリアに付着することを防止でき、異常突
起の形成を防止して被処理物の全域にわたつて均
一な厚さの金属層を形成することができる。
対向状態で位置される電解槽を有し、被処理物か
ら陽極板方向へのめつき液の液流生成手段を有す
るめつき装置とすることによつて、陽極部に形成
されたコロイドが液流によつて被処理物とは反対
方向に流されるため、前記コロイドが被処理物の
めつきエリアに付着することを防止でき、異常突
起の形成を防止して被処理物の全域にわたつて均
一な厚さの金属層を形成することができる。
[実施例]
第1図は、本発明の一実施例であるめつき装置
を示す概略図である。
を示す概略図である。
本実施例のめつき装置1は、テープキヤリア状
態で提供される半導体装置の、ペレツト上に金か
らなるバンプ電極を形成するためのものである。
このバンプ電極はペレツトに分割前のウエハの状
態で形成されるため、本実施例の被処理物はウエ
ハ4a,4bである。
態で提供される半導体装置の、ペレツト上に金か
らなるバンプ電極を形成するためのものである。
このバンプ電極はペレツトに分割前のウエハの状
態で形成されるため、本実施例の被処理物はウエ
ハ4a,4bである。
めつき装置1は電解液であるめつき液2が満た
される電解槽3を有しており、この電解槽3のほ
ぼ中央には両面にウエハ4a,4bが取付けられ
た治具板5が立設状態で位置されている。ここ
で、両ウエハ4a,4bは導電材料からなるスト
ツパ6a,6bにより治具板5に固定されてお
り、前記ウエハ4a,4bの表面の図示しないパ
ツドがストツパ6a,6bを介して外部と電気的
導通が図られており、電解槽3内でウエハ4a,
4bが陰極を形成するように直流電流が印加され
る構造となつている。ここでウエハ4a,4bの
表面には図示しない所定の回路が形成されてお
り、さらにその上層にフオトレジスト層が形成さ
れた状態となつている。このフオトレジスト層は
めつきエリアであるアルミニウムおよびめつき下
地金属からなるパツドの表面のみを除外してウエ
ハ4a,4bのほぼ全面にわたつて形成されてい
るものである。
される電解槽3を有しており、この電解槽3のほ
ぼ中央には両面にウエハ4a,4bが取付けられ
た治具板5が立設状態で位置されている。ここ
で、両ウエハ4a,4bは導電材料からなるスト
ツパ6a,6bにより治具板5に固定されてお
り、前記ウエハ4a,4bの表面の図示しないパ
ツドがストツパ6a,6bを介して外部と電気的
導通が図られており、電解槽3内でウエハ4a,
4bが陰極を形成するように直流電流が印加され
る構造となつている。ここでウエハ4a,4bの
表面には図示しない所定の回路が形成されてお
り、さらにその上層にフオトレジスト層が形成さ
れた状態となつている。このフオトレジスト層は
めつきエリアであるアルミニウムおよびめつき下
地金属からなるパツドの表面のみを除外してウエ
ハ4a,4bのほぼ全面にわたつて形成されてい
るものである。
前記電解槽3内には治具板5上の両ウエハ面に
対して所定間隔を経た対向位置に陽極板7a,7
bが各々立設されている。
対して所定間隔を経た対向位置に陽極板7a,7
bが各々立設されている。
この陽極板7a,7bは網目状の陽極部8a,
8bを有しており、この陽極部8a,8bは前記
ウエハ4a,4bと対向部位に、ウエハ4a,4
bとほぼ同形の円形形状で形成されている。ま
た、陽極部8a,8bには二点鎖線で示されるフ
イルター9a,9bを取付けてもよい。
8bを有しており、この陽極部8a,8bは前記
ウエハ4a,4bと対向部位に、ウエハ4a,4
bとほぼ同形の円形形状で形成されている。ま
た、陽極部8a,8bには二点鎖線で示されるフ
イルター9a,9bを取付けてもよい。
陽極板7a,7bには陽極部8a,8bの周囲
から垂直に治具板5の方向に円筒状の遮へい筒1
0a,10bが延設されており、この遮へい筒1
0a,10bの内径もウエハ4a,4bの径とほ
ぼ同じ形成されている。なお、前記遮へい筒10
a,10bの先端部分とウエハ4a,4bとの間
にはめつき液2の流通可能な隙間が形成されてい
る。このように陽極部7a,7bをウエハ4a,
4bの対向位置に、ウエハ4a,4bと同形で形
成し、さらにこの陽極部8a,8bの周囲に遮へ
い筒10a,10bを設けることにより、陽極部
8a,8bからの電流は陽極板7a,7bに対し
てほぼ垂直方向に均一な電流密度を維持しながら
陰極側のウエハ4a,4bに印加されることにな
る。このため、ウエハ4a,4bの全面にわたつ
て均一なバンプ電極を形成することが可能とな
る。
から垂直に治具板5の方向に円筒状の遮へい筒1
0a,10bが延設されており、この遮へい筒1
0a,10bの内径もウエハ4a,4bの径とほ
ぼ同じ形成されている。なお、前記遮へい筒10
a,10bの先端部分とウエハ4a,4bとの間
にはめつき液2の流通可能な隙間が形成されてい
る。このように陽極部7a,7bをウエハ4a,
4bの対向位置に、ウエハ4a,4bと同形で形
成し、さらにこの陽極部8a,8bの周囲に遮へ
い筒10a,10bを設けることにより、陽極部
8a,8bからの電流は陽極板7a,7bに対し
てほぼ垂直方向に均一な電流密度を維持しながら
陰極側のウエハ4a,4bに印加されることにな
る。このため、ウエハ4a,4bの全面にわたつ
て均一なバンプ電極を形成することが可能とな
る。
電解槽3の治具板5と陽極板7a,7bで仕切
られた部分には流入口11a,11bが槽内に向
かつて開口されており、一方陽極板7a,7bと
槽壁12a,12bとで仕切られた部分には、流
出口13a,13bが開口されている。前記流入
口11a,11bと流出口13a,13bとは流
通管14a,14bにより連通されており、該流
通管14の途中部分にはポンプ15が介装されて
いる。なお、図示しないが、ポンプ15以外にも
フイルターもしくは流量計等を流通管14に介装
してもよい。
られた部分には流入口11a,11bが槽内に向
かつて開口されており、一方陽極板7a,7bと
槽壁12a,12bとで仕切られた部分には、流
出口13a,13bが開口されている。前記流入
口11a,11bと流出口13a,13bとは流
通管14a,14bにより連通されており、該流
通管14の途中部分にはポンプ15が介装されて
いる。なお、図示しないが、ポンプ15以外にも
フイルターもしくは流量計等を流通管14に介装
してもよい。
以下、本実施例の作用について説明する。
治具板5に固定された状態でウエハ4a,4b
が液中に位置されると、陽極部8a,8bおよび
陰極であるウエハ4a,4bに所定値の電流が印
加され、電解作用により、ウエハ上のめつきエリ
ア金属層が徐々に堆積されめつき処理が開始され
る。またこれと同時にポンプ15が始動して流出
口13a,13bから流通管14a,14bを経
てめつき液2を流入口11aより電解槽3内に流
入される。流入口11aより電解槽3内に流入さ
れためつき液2は陽極板7a,7bと治具板5に
仕切られた部分を通過し、遮へい筒10a,10
bの先端とウエハ4a,4bの隙間を通過して遮
へい筒10a,10bの内部に流入する。さら
に、めつき液2は遮へい筒10a,10bの内部
より陽極部7a,7bに流れるが、ここで陽極部
8a,8bは液流の通過が可能な網目状に形成さ
れているため、めつき液2は陽極部8a,8bを
通過して陽極板7a,7bと槽壁12a,12b
に囲まれた部分に流れ込む。そして再度めつき液
2は流出口13a,13bを経てポンプ15に送
られる。
が液中に位置されると、陽極部8a,8bおよび
陰極であるウエハ4a,4bに所定値の電流が印
加され、電解作用により、ウエハ上のめつきエリ
ア金属層が徐々に堆積されめつき処理が開始され
る。またこれと同時にポンプ15が始動して流出
口13a,13bから流通管14a,14bを経
てめつき液2を流入口11aより電解槽3内に流
入される。流入口11aより電解槽3内に流入さ
れためつき液2は陽極板7a,7bと治具板5に
仕切られた部分を通過し、遮へい筒10a,10
bの先端とウエハ4a,4bの隙間を通過して遮
へい筒10a,10bの内部に流入する。さら
に、めつき液2は遮へい筒10a,10bの内部
より陽極部7a,7bに流れるが、ここで陽極部
8a,8bは液流の通過が可能な網目状に形成さ
れているため、めつき液2は陽極部8a,8bを
通過して陽極板7a,7bと槽壁12a,12b
に囲まれた部分に流れ込む。そして再度めつき液
2は流出口13a,13bを経てポンプ15に送
られる。
以上のように、遮へい筒10a,10bの内部
では液流はウエハ4a,4bから陽極部8a,8
bの方向に進行するため、陽極部8a,8bで発
生したコロイドはウエハ4a,4bとは反対方向
に流れ、フイルター9a,9bに付着して液流か
らは除去される。このため、ウエハ4a,4bの
めつきエリアに前記コロイドが付着することがな
く、バンプ電極の異常突起の形成を防止できる。
では液流はウエハ4a,4bから陽極部8a,8
bの方向に進行するため、陽極部8a,8bで発
生したコロイドはウエハ4a,4bとは反対方向
に流れ、フイルター9a,9bに付着して液流か
らは除去される。このため、ウエハ4a,4bの
めつきエリアに前記コロイドが付着することがな
く、バンプ電極の異常突起の形成を防止できる。
[効果]
(1) 陰極としての被処理物と陽極板とが対向状態
で位置される電解槽を有し、被処理物から陽極
板方向へのめつき液の液流生成手段を有するめ
つき装置とすることによつて、陽極部に形成さ
れたコロイドが液流によつて被処理物とは反対
方向に流されるため、前記コロイドが被処理物
のめつきエリアに付着することを防止でき、異
常突起の形成を防止して被処理物の全域にわた
つて均一な厚さの金属層を形成することができ
る。
で位置される電解槽を有し、被処理物から陽極
板方向へのめつき液の液流生成手段を有するめ
つき装置とすることによつて、陽極部に形成さ
れたコロイドが液流によつて被処理物とは反対
方向に流されるため、前記コロイドが被処理物
のめつきエリアに付着することを防止でき、異
常突起の形成を防止して被処理物の全域にわた
つて均一な厚さの金属層を形成することができ
る。
(2) 陽極板の陽極部から被処理物方向に被処理物
とほぼ同形の内径を有する遮へい筒を設けるこ
とによつて、陽極部からの電流が陽極板に対し
てほぼ垂直方向に均一な電流密度を維持しなが
ら陰極側の被処理物に印加されるため、被処理
物上の位置にかかわらず均一な金属層を形成す
ることができる。
とほぼ同形の内径を有する遮へい筒を設けるこ
とによつて、陽極部からの電流が陽極板に対し
てほぼ垂直方向に均一な電流密度を維持しなが
ら陰極側の被処理物に印加されるため、被処理
物上の位置にかかわらず均一な金属層を形成す
ることができる。
(3) 前記(1)および(2)により、信頼性の高いめつき
処理を行うことができる。
処理を行うことができる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
たとえば、実施例では治具板の両面にウエハが
装着された場合について説明したが、片面のみ装
着するものであつてもよい。
装着された場合について説明したが、片面のみ装
着するものであつてもよい。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその利用分野である、テープキヤリア
型半導体装置のペレツト上のバンプ電極を形成す
るめつき装置に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、いわゆる面
付け実装を行なうペレツトの半田等からなるバン
プ電極の形成、あるいはその他の金属層を形成す
るためのめつき装置に適用しても有効な技術であ
る。
れた発明をその利用分野である、テープキヤリア
型半導体装置のペレツト上のバンプ電極を形成す
るめつき装置に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、いわゆる面
付け実装を行なうペレツトの半田等からなるバン
プ電極の形成、あるいはその他の金属層を形成す
るためのめつき装置に適用しても有効な技術であ
る。
第1図は、本発明の一実施例であるめつき装置
を示す概略図である。 1……めつき装置、2……めつき液、3……電
解層、4a,4b……ウエハ、5……治具板、6
a,6b……ストツパ、7a,7b……陽極板、
8a,8b……陽極部、9a,9b……フイルタ
ー、10a,10b……遮へい筒、11a,11
b……流入口、12a,12b……槽壁、13
a,13b……流出口、14a,14b……流通
管、15……ポンプ。
を示す概略図である。 1……めつき装置、2……めつき液、3……電
解層、4a,4b……ウエハ、5……治具板、6
a,6b……ストツパ、7a,7b……陽極板、
8a,8b……陽極部、9a,9b……フイルタ
ー、10a,10b……遮へい筒、11a,11
b……流入口、12a,12b……槽壁、13
a,13b……流出口、14a,14b……流通
管、15……ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 底部中央に位置してめつき液流入口を有し、
その底部角部近傍位置してめつき液流出口を有し
て成る電解槽と、その電解槽内であつて、前記め
つき液流入口から流入されためつき液を貯める内
部槽部分とめつき液流出口へ流出するためのめつ
き液を貯める外部槽部分とを仕切るための互いに
離間して設けられた一対の陽極板と、その一対の
陽極板それぞれに、互いに内部槽部分内に対向し
て延設された遮へい筒とを有し、その対向する遮
へい筒間であつて、めつき処理されるべき陰極と
しての被処理物の面がその遮へい筒側に向けられ
るように被処理物用治具板が位置するように構成
され、かつ前記一対の陽極板のそれぞれには前記
遮へい筒内から前記外部槽部分へめつきを通過さ
せる網目状部分が設けられて成ることを特徴とす
るめつき装置。 2 めつき液が通過する前記陽極板の編目状部分
にはフイルタが設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のめつき装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25479985A JPS62116800A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | めつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25479985A JPS62116800A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | めつき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62116800A JPS62116800A (ja) | 1987-05-28 |
JPH0568559B2 true JPH0568559B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=17270052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25479985A Granted JPS62116800A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | めつき装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62116800A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7098220B1 (ja) * | 2022-04-14 | 2022-07-11 | 株式会社日立パワーソリューションズ | めっき装置およびめっき方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55119199A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Ngk Insulators Ltd | Surface treatment apparatus for metal, etc. |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25479985A patent/JPS62116800A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55119199A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-12 | Ngk Insulators Ltd | Surface treatment apparatus for metal, etc. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62116800A (ja) | 1987-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2873954B2 (ja) | チップサイズ半導体パッケージの製造方法 | |
JP4112615B2 (ja) | C4マイクロバンプ、tabマイクロバンプおよび超大規模相互接続の電解めっき用たわみ性連続カソード接点回路 | |
JP3352352B2 (ja) | めっき装置、めっき方法およびバンプの形成方法 | |
KR100329454B1 (ko) | 기판상에재료층을증착하는공정및도금시스템 | |
KR20010014064A (ko) | 단일 반도체 기판의 페이스업 처리용 전기화학 증착 셀 | |
JPS58182823A (ja) | 半導体ウエハ−のメツキ装置 | |
JPH0568559B2 (ja) | ||
US20060163058A1 (en) | Apparatus for plating a semiconductor wafer and plating solution bath used therein | |
JP2882416B2 (ja) | 電解めっきによる金属素子の形成方法 | |
JP3980809B2 (ja) | 電解処理装置 | |
US20240218519A1 (en) | Electroless plating with a floating potential | |
JPH11163015A (ja) | メッキ装置 | |
JPS5828829A (ja) | 半導体ウエハ−のメツキ装置 | |
JP2002343851A (ja) | めっき用ウェハ治具 | |
KR100454505B1 (ko) | 경사형 전극링을 갖는 전기 도금 장치 | |
JPH02217429A (ja) | メッキ方法および装置 | |
JP3152713B2 (ja) | 半導体装置の電解メッキ方法 | |
JP2007231315A (ja) | めっき装置およびめっき方法 | |
JPH0580141B2 (ja) | ||
JPH01166542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0744025Y2 (ja) | リードの半田メッキ装置 | |
JPS6241320B2 (ja) | ||
JP2005330567A (ja) | 基板めっき方法及び基板めっき装置 | |
JPS5934240B2 (ja) | めつき装置 | |
JPH087642Y2 (ja) | リードの半田メッキ装置 |