JPH07211723A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07211723A JPH07211723A JP6023795A JP2379594A JPH07211723A JP H07211723 A JPH07211723 A JP H07211723A JP 6023795 A JP6023795 A JP 6023795A JP 2379594 A JP2379594 A JP 2379594A JP H07211723 A JPH07211723 A JP H07211723A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造技術において、メッキ用電
極の形成に工夫を施し、基板のダイシング時におけるメ
ッキ金属のダイシングをなくすようにする。 【構成】 基板１の周辺部の外観不良や動作試験上の不
良チップを選択して、その不良チップ部分にメッキレジ
スト層によりチップサイズより、例えば、０．５ｍｍ程
度小さいメッキ用電極用開口を形成する。そして、その
メッキ用電極用開口にメッキ装置によりメッキ金属を析
出させることによって、チップサイズより小さいメッキ
用電極３を形成する。その後、基板１をダイシングスト
リート４に沿って縦横方向に切断して、所定サイズのチ
ップ５を得る。
極の形成に工夫を施し、基板のダイシング時におけるメ
ッキ金属のダイシングをなくすようにする。 【構成】 基板１の周辺部の外観不良や動作試験上の不
良チップを選択して、その不良チップ部分にメッキレジ
スト層によりチップサイズより、例えば、０．５ｍｍ程
度小さいメッキ用電極用開口を形成する。そして、その
メッキ用電極用開口にメッキ装置によりメッキ金属を析
出させることによって、チップサイズより小さいメッキ
用電極３を形成する。その後、基板１をダイシングスト
リート４に沿って縦横方向に切断して、所定サイズのチ
ップ５を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板にメッキを
施す際のメッキ電流の通電のためのメッキ用接続端子を
選択的に形成して、基板を簡易にダイシング可能とした
半導体装置の製造方法に関するものである。
施す際のメッキ電流の通電のためのメッキ用接続端子を
選択的に形成して、基板を簡易にダイシング可能とした
半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体基板（以下、単に基板と
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面（被メッキ面）にメッキレジスト層を形成し、こ
のメッキレジスト層をエッチングして開口を形成するこ
とにより、この開口からパッド部を露出させ、その露出
したパッド部にメッキ装置を用いて金等のメッキを施
し、その施したメッキによってバンプ電極（突起電極）
を形成している。
呼ぶ）にバンプ電極を形成する場合、基板のバンプ電極
形成面（被メッキ面）にメッキレジスト層を形成し、こ
のメッキレジスト層をエッチングして開口を形成するこ
とにより、この開口からパッド部を露出させ、その露出
したパッド部にメッキ装置を用いて金等のメッキを施
し、その施したメッキによってバンプ電極（突起電極）
を形成している。
【０００３】このようなメッキ処理におけるメッキ電流
の通電のため、基板の被メッキ面には、メッキ装置のカ
ソード電極と接触する部分にメッキ用接続端子（以下、
メッキ用電極と呼ぶ）が設けられている。図５はこのよ
うなメッキ用電極を設けた従来の基板の一例を示したも
ので、この基板５１は、オリエンテーションフラット
（以下、単にオリフラと呼ぶ）５２と反対側に対向する
位置に１つのメッキ用電極５３を配置して、さらに、中
心角１２０゜の均等分割位置の２箇所（図示ではオリフ
ラ５２の左右）にメッキ用電極５３，５３をそれぞれ配
置したものである。
の通電のため、基板の被メッキ面には、メッキ装置のカ
ソード電極と接触する部分にメッキ用接続端子（以下、
メッキ用電極と呼ぶ）が設けられている。図５はこのよ
うなメッキ用電極を設けた従来の基板の一例を示したも
ので、この基板５１は、オリエンテーションフラット
（以下、単にオリフラと呼ぶ）５２と反対側に対向する
位置に１つのメッキ用電極５３を配置して、さらに、中
心角１２０゜の均等分割位置の２箇所（図示ではオリフ
ラ５２の左右）にメッキ用電極５３，５３をそれぞれ配
置したものである。
【０００４】図示のように、これら３箇所のメッキ用電
極５３，５３，５３は、基板５１をチップ単体に切断す
るための格子状のダイシングストリート５４と交差して
いる。また、基板５１は、メッキ用電極５３，５３，５
３および突起電極を形成する箇所以外は全て図示しない
レジストで覆われている。
極５３，５３，５３は、基板５１をチップ単体に切断す
るための格子状のダイシングストリート５４と交差して
いる。また、基板５１は、メッキ用電極５３，５３，５
３および突起電極を形成する箇所以外は全て図示しない
レジストで覆われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のメッ
キ用電極５３，５３，５３を有する基板５１の場合、そ
のメッキ工程において、メッキ用電極５３，５３，５３
上には、突起電極と同じ金属が全面に析出する。このた
め、ダイシング時、メッキ用電極５３，５３，５３に析
出した金属もダイシングせざるを得ない。ここで、突起
電極を形成する材料として使用されている金属は、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｂとＳｎの合金，Ｉｎ等であり、こ
れらの金属は全て比較的柔らかい。従って、基板１１を
切断するダイシングブレードにその金属が絡み付いたり
してカッティングの性能が悪くなり、ブレード寿命が短
くなるという問題があった。
キ用電極５３，５３，５３を有する基板５１の場合、そ
のメッキ工程において、メッキ用電極５３，５３，５３
上には、突起電極と同じ金属が全面に析出する。このた
め、ダイシング時、メッキ用電極５３，５３，５３に析
出した金属もダイシングせざるを得ない。ここで、突起
電極を形成する材料として使用されている金属は、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，ＰｂとＳｎの合金，Ｉｎ等であり、こ
れらの金属は全て比較的柔らかい。従って、基板１１を
切断するダイシングブレードにその金属が絡み付いたり
してカッティングの性能が悪くなり、ブレード寿命が短
くなるという問題があった。
【０００６】この問題に対して、メッキ用電極に金属が
析出しないようにするために、例えば、カソード電極部
を囲むダムを設けて、メッキ用電極部にメッキ液がかか
らないようにしたものや、ゴムシート等により完全密栓
構造にして、同様に、メッキ用電極部にメッキ液がかか
らないようにする手法がある。しかしながら、このよう
な対策によっても、（１）メッキ装置のメッキカップが
複雑化する、（２）メッキ液中から気泡が根本的に抜け
ずらい、（３）メッキ用電極部にメッキ液がかかってし
まうことがあり、効果が少ない、（４）メッキ装置が高
価になる、といった問題点があった。
析出しないようにするために、例えば、カソード電極部
を囲むダムを設けて、メッキ用電極部にメッキ液がかか
らないようにしたものや、ゴムシート等により完全密栓
構造にして、同様に、メッキ用電極部にメッキ液がかか
らないようにする手法がある。しかしながら、このよう
な対策によっても、（１）メッキ装置のメッキカップが
複雑化する、（２）メッキ液中から気泡が根本的に抜け
ずらい、（３）メッキ用電極部にメッキ液がかかってし
まうことがあり、効果が少ない、（４）メッキ装置が高
価になる、といった問題点があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、メッキ用電極の
形成に工夫を施し、基板のダイシング時におけるメッキ
金属のダイシングをなくすようにした半導体装置の製造
方法を提供することにある。
形成に工夫を施し、基板のダイシング時におけるメッキ
金属のダイシングをなくすようにした半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべく
本発明は、基板の周辺部の、例えば、外観不良や動作試
験上の不良チップを選択して、その不良チップ部分にメ
ッキレジスト層によりチップサイズより、例えば、０．
５ｍｍ程度小さいメッキ用電極用開口を形成して、その
メッキ用電極用開口にメッキ装置によりメッキ金属を析
出させて、チップサイズより小さいメッキ用電極を形成
した後、基板を縦横方向に切断して、所定サイズのチッ
プを得るようにした半導体装置の製造方法を特徴として
いる。
本発明は、基板の周辺部の、例えば、外観不良や動作試
験上の不良チップを選択して、その不良チップ部分にメ
ッキレジスト層によりチップサイズより、例えば、０．
５ｍｍ程度小さいメッキ用電極用開口を形成して、その
メッキ用電極用開口にメッキ装置によりメッキ金属を析
出させて、チップサイズより小さいメッキ用電極を形成
した後、基板を縦横方向に切断して、所定サイズのチッ
プを得るようにした半導体装置の製造方法を特徴として
いる。
【０００９】
【作用】基板の周辺部の、例えば、不良チップ部分のチ
ップサイズより小さいメッキ用電極用開口にメッキ金属
を析出させたので、その後、基板を縦横方向に切断し
て、所定サイズのチップを得る際、従来のようにメッキ
用電極部に析出されるメッキ金属を切断することがな
い。
ップサイズより小さいメッキ用電極用開口にメッキ金属
を析出させたので、その後、基板を縦横方向に切断し
て、所定サイズのチップを得る際、従来のようにメッキ
用電極部に析出されるメッキ金属を切断することがな
い。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置の製造方法
の実施例を図１乃至図４に基づいて説明する。
の実施例を図１乃至図４に基づいて説明する。
【００１１】先ず、図１は本発明を適用した一例として
のメッキ用電極３を設けた基板１をダイシングストリー
ト４とともに示したもので、図示例において、この基板
１は、オリフラ２に沿った上側位置に１つのメッキ用電
極３を配置して、オリフラ２と反対側に対向する下側位
置に１つのメッキ用電極３を配置するとともに、左右の
２箇所にメッキ用電極３，３をそれぞれ配置したもので
ある。
のメッキ用電極３を設けた基板１をダイシングストリー
ト４とともに示したもので、図示例において、この基板
１は、オリフラ２に沿った上側位置に１つのメッキ用電
極３を配置して、オリフラ２と反対側に対向する下側位
置に１つのメッキ用電極３を配置するとともに、左右の
２箇所にメッキ用電極３，３をそれぞれ配置したもので
ある。
【００１２】図示のように、これら４箇所のメッキ用電
極３，３，３，３は、基板１をチップ５，５，５，…の
単体毎に切断するための縦横方向に延びる格子状のダイ
シングストリート４とは交差しておらず、即ち、チップ
５，５，５，５の内方にそれぞれ設けられている。ま
た、基板１は、メッキ用電極３，３，３，３および突起
電極を形成する箇所以外は全て図示しないレジストで覆
われている。
極３，３，３，３は、基板１をチップ５，５，５，…の
単体毎に切断するための縦横方向に延びる格子状のダイ
シングストリート４とは交差しておらず、即ち、チップ
５，５，５，５の内方にそれぞれ設けられている。ま
た、基板１は、メッキ用電極３，３，３，３および突起
電極を形成する箇所以外は全て図示しないレジストで覆
われている。
【００１３】ここで、これら４箇所のメッキ用電極３，
３，３，３の選択は、基板１の周辺部において、製品と
して使えない外観不良（チップカケ等）や動作試験上の
不良チップを選択したもので、そのチップサイズより周
辺に沿って０．５ｍｍ程度小さいサイズにメッキレジス
トをパターンニングする。
３，３，３の選択は、基板１の周辺部において、製品と
して使えない外観不良（チップカケ等）や動作試験上の
不良チップを選択したもので、そのチップサイズより周
辺に沿って０．５ｍｍ程度小さいサイズにメッキレジス
トをパターンニングする。
【００１４】図２はこのようなメッキ用電極３部分の製
造工程を示すもので、図２（ａ）はチップ５のサイズを
示している。先ず、このようなチップ５およびダイシン
グストリート４を含む基板１の全面に、図２（ｂ）に示
すように、下地金属６を形成する。次に、図２（ｃ）に
示すように、下地金属６の上にメッキレジスト７を形成
する。このメッキレジスト７は、チップ５のサイズより
周辺に沿って０．５ｍｍ程度小さいサイズのメッキ用電
極用開口８を有している。この開口８から露出した下地
金属６がメッキ用電極３である。そして、メッキ装置に
より、図２（ｄ）に示すように、そのメッキ用電極用開
口８に析出金属９を形成する。
造工程を示すもので、図２（ａ）はチップ５のサイズを
示している。先ず、このようなチップ５およびダイシン
グストリート４を含む基板１の全面に、図２（ｂ）に示
すように、下地金属６を形成する。次に、図２（ｃ）に
示すように、下地金属６の上にメッキレジスト７を形成
する。このメッキレジスト７は、チップ５のサイズより
周辺に沿って０．５ｍｍ程度小さいサイズのメッキ用電
極用開口８を有している。この開口８から露出した下地
金属６がメッキ用電極３である。そして、メッキ装置に
より、図２（ｄ）に示すように、そのメッキ用電極用開
口８に析出金属９を形成する。
【００１５】次に、図３は以上のような基板１に突起電
極を形成する場合に用いられる基板用メッキ装置の一例
を示したものである。この基板用メッキ装置では、図示
のように、メッキ槽１１内にカップ１２が設けられてお
り、メッキ槽１１とカップ１２とは液路１３によって連
通されている。液路１３には、メッキ槽１１内に収容さ
れているメッキ液（イオン化された金（Ａｕ）等を含
む）１４をカップ１２内に噴流させるための噴流ポンプ
１５が介在されている。
極を形成する場合に用いられる基板用メッキ装置の一例
を示したものである。この基板用メッキ装置では、図示
のように、メッキ槽１１内にカップ１２が設けられてお
り、メッキ槽１１とカップ１２とは液路１３によって連
通されている。液路１３には、メッキ槽１１内に収容さ
れているメッキ液（イオン化された金（Ａｕ）等を含
む）１４をカップ１２内に噴流させるための噴流ポンプ
１５が介在されている。
【００１６】カップ１２内の底部には、網状のアノード
電極１６が設けられており、このアノード電極１６はア
ノード配線１７を介して図示しない電源装置の陽極に接
続されている。カップ１２の上面の所定の４箇所には、
カソード電極１８，１８，１８，１８がそれぞれ設けら
れており、このカソード電極１８はカソード配線１９を
介して電源装置の陰極に接続されている。
電極１６が設けられており、このアノード電極１６はア
ノード配線１７を介して図示しない電源装置の陽極に接
続されている。カップ１２の上面の所定の４箇所には、
カソード電極１８，１８，１８，１８がそれぞれ設けら
れており、このカソード電極１８はカソード配線１９を
介して電源装置の陰極に接続されている。
【００１７】ところで、これら４箇所のカソード電極１
８，１８，１８，１８は位置調整自在なものとなってい
る。即ち、図４に示すように、カソード電極先端部１８
ａおよびカソード電極基端部１８ｂを除いて絶縁被覆１
８ｃにより被覆されたカソード電極１８は、Ｙ軸ユニッ
ト２３に固定されている。このＹ軸ユニット２３は、ツ
マミ２４の回動操作によりＸ軸ユニット２５に対し矢印
Ｙ方向に位置調節自在に組み付けられている。
８，１８，１８，１８は位置調整自在なものとなってい
る。即ち、図４に示すように、カソード電極先端部１８
ａおよびカソード電極基端部１８ｂを除いて絶縁被覆１
８ｃにより被覆されたカソード電極１８は、Ｙ軸ユニッ
ト２３に固定されている。このＹ軸ユニット２３は、ツ
マミ２４の回動操作によりＸ軸ユニット２５に対し矢印
Ｙ方向に位置調節自在に組み付けられている。
【００１８】さらに、Ｘ軸ユニット２５は、ツマミ２６
の回動操作により馬蹄型台座２７に対し矢印Ｘ方向に位
置調節自在に組み付けられている。また、馬蹄型台座２
７は、カップ２の周壁部上部に移動自在に遊合して、ツ
マミ２８の回動操作によりカップ２に固定自在となって
いる。このようにして、４箇所のカソード電極１８，１
８，１８，１８は、カップ２の周壁部上を自由に時計廻
り、反時計廻りに移動できるとともに、矢印Ｘ−Ｙ方向
にも位置調節自在となっている。
の回動操作により馬蹄型台座２７に対し矢印Ｘ方向に位
置調節自在に組み付けられている。また、馬蹄型台座２
７は、カップ２の周壁部上部に移動自在に遊合して、ツ
マミ２８の回動操作によりカップ２に固定自在となって
いる。このようにして、４箇所のカソード電極１８，１
８，１８，１８は、カップ２の周壁部上を自由に時計廻
り、反時計廻りに移動できるとともに、矢印Ｘ−Ｙ方向
にも位置調節自在となっている。
【００１９】そして、このような４箇所のカソード電極
１８，１８，１８，１８の位置合わせは、メッキ処理に
先立って、図示しないガラス基板に、図１の基板１と同
一マスクを用いてパターンニングを行って、そのガラス
基板をサンプル（またはダミー）として用い、基板１の
メッキ用電極３，３，３，３とカップ２の周壁部上のカ
ソード電極１８，１８，１８，１８との位置合わせを予
め行っておく。
１８，１８，１８，１８の位置合わせは、メッキ処理に
先立って、図示しないガラス基板に、図１の基板１と同
一マスクを用いてパターンニングを行って、そのガラス
基板をサンプル（またはダミー）として用い、基板１の
メッキ用電極３，３，３，３とカップ２の周壁部上のカ
ソード電極１８，１８，１８，１８との位置合わせを予
め行っておく。
【００２０】ここで、ガラス基板をサンプルとして用い
る理由は、ガラス基板は透光性があるため、このガラス
基板を介した目視にて容易に位置合わせができるためで
ある。
る理由は、ガラス基板は透光性があるため、このガラス
基板を介した目視にて容易に位置合わせができるためで
ある。
【００２１】以上の４つのカソード電極１８，１８，１
８，１８のカソード電極先端部１８ａ，１８ａ，１８
ａ，１８ａに基板１が載置されている。この基板１は、
既に説明したように、突起電極形成面（図３において下
面）に形成された前記メッキレジスト７に図示しない開
口が形成されていることにより、その開口からパッド部
が露出され、さらに、カソード電極１８，１８，１８，
１８と接触する部分にメッキ用電極３，３，３，３がそ
れぞれ設けられた構造となっている。また、この基板１
は、図示のように、メッキ槽１１に取り付けられた上蓋
２１の下面に設けられた板バネ２２によって押え付けら
れている。
８，１８のカソード電極先端部１８ａ，１８ａ，１８
ａ，１８ａに基板１が載置されている。この基板１は、
既に説明したように、突起電極形成面（図３において下
面）に形成された前記メッキレジスト７に図示しない開
口が形成されていることにより、その開口からパッド部
が露出され、さらに、カソード電極１８，１８，１８，
１８と接触する部分にメッキ用電極３，３，３，３がそ
れぞれ設けられた構造となっている。また、この基板１
は、図示のように、メッキ槽１１に取り付けられた上蓋
２１の下面に設けられた板バネ２２によって押え付けら
れている。
【００２２】そして、この基板用メッキ装置の噴流ポン
プ１５が駆動すると、メッキ槽１１内に収容されている
メッキ液１４が、アノード電極１６を通過してカップ１
２内に噴流されて、基板１の下面に噴き付けられる。こ
のとき、アノード電極１６とカソード電極１８との間に
メッキ電流を流すと、基板１の下面に露出したパッド部
およびメッキ用電極用開口８，８，８，８部分に、例え
ば、金メッキが施され、その施された金メッキによって
突起電極およびメッキ用電極３，３，３，３が形成され
る。なお、基板１の下面に噴き付けられたメッキ液１４
は、図３において矢印で示すように、カップ１２の上端
部から外側にオーバーフローして流れ落ち、メッキ槽１
１内に回収される。
プ１５が駆動すると、メッキ槽１１内に収容されている
メッキ液１４が、アノード電極１６を通過してカップ１
２内に噴流されて、基板１の下面に噴き付けられる。こ
のとき、アノード電極１６とカソード電極１８との間に
メッキ電流を流すと、基板１の下面に露出したパッド部
およびメッキ用電極用開口８，８，８，８部分に、例え
ば、金メッキが施され、その施された金メッキによって
突起電極およびメッキ用電極３，３，３，３が形成され
る。なお、基板１の下面に噴き付けられたメッキ液１４
は、図３において矢印で示すように、カップ１２の上端
部から外側にオーバーフローして流れ落ち、メッキ槽１
１内に回収される。
【００２３】この場合、メッキ液１４が、カップ１２の
上端部から外側にオーバーフローして流れ落ちるように
しているのは、基板１の下面に常に新しいメッキ液１４
を供給するとともに、基板１の下面に接触しているメッ
キ液１４中の気泡を除去してメッキ不良が発生するのを
防止するためである。
上端部から外側にオーバーフローして流れ落ちるように
しているのは、基板１の下面に常に新しいメッキ液１４
を供給するとともに、基板１の下面に接触しているメッ
キ液１４中の気泡を除去してメッキ不良が発生するのを
防止するためである。
【００２４】以上の通り、特に、基板１の周辺部の不良
チップを選択して、チップサイズより０．５ｍｍ程度小
さいメッキ用電極用開口８，８，８，８にメッキ金属を
析出させ（析出金属９参照）、チップサイズより小さい
メッキ用電極３を形成して、基板１をダイシングストリ
ート４に沿って縦横方向に切断することにより、所定サ
イズのチップ５を得るため、従来のようにメッキ用電極
部に析出されるメッキ金属を切断することがなくなる。
チップを選択して、チップサイズより０．５ｍｍ程度小
さいメッキ用電極用開口８，８，８，８にメッキ金属を
析出させ（析出金属９参照）、チップサイズより小さい
メッキ用電極３を形成して、基板１をダイシングストリ
ート４に沿って縦横方向に切断することにより、所定サ
イズのチップ５を得るため、従来のようにメッキ用電極
部に析出されるメッキ金属を切断することがなくなる。
【００２５】従って、基板１を切断するブレードの長寿
命化を図ることができる。また、メッキ金属の無駄も省
くことができる。
命化を図ることができる。また、メッキ金属の無駄も省
くことができる。
【００２６】なお、以上の実施例においては、４箇所に
設けたメッキ用電極としたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、従来のように３箇所であってもよい。
また、メッキ金属の種類等も任意であり、その他、具体
的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは
勿論である。
設けたメッキ用電極としたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、従来のように３箇所であってもよい。
また、メッキ金属の種類等も任意であり、その他、具体
的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは
勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体装置
の製造方法によれば、基板の周辺部のチップサイズより
小さいメッキ用電極用開口にメッキ金属を析出させた
後、基板を縦横方向に切断して、所定サイズのチップを
得るようにしたため、従来のようにメッキ用電極部に析
出されるメッキ金属を切断することがなくなり、従っ
て、基板を切断するブレードの長寿命化が図れ、また、
メッキ金属の無駄も省ける。
の製造方法によれば、基板の周辺部のチップサイズより
小さいメッキ用電極用開口にメッキ金属を析出させた
後、基板を縦横方向に切断して、所定サイズのチップを
得るようにしたため、従来のようにメッキ用電極部に析
出されるメッキ金属を切断することがなくなり、従っ
て、基板を切断するブレードの長寿命化が図れ、また、
メッキ金属の無駄も省ける。
【図１】本発明を適用した一例としてのメッキ用電極を
設けた基板をダイシングストリートとともに示した概略
平面図である。
設けた基板をダイシングストリートとともに示した概略
平面図である。
【図２】本発明に係るメッキ用電極部分の製造工程を示
すもので、（ａ）はチップサイズを示す平面図、（ｂ）
は下地金属の形成を示す平面図、（ｃ）はレジストの形
成を示す平面図、（ｄ）は析出金属の形成を示す平面図
である。
すもので、（ａ）はチップサイズを示す平面図、（ｂ）
は下地金属の形成を示す平面図、（ｃ）はレジストの形
成を示す平面図、（ｄ）は析出金属の形成を示す平面図
である。
【図３】本発明に使用する一例としての基板用メッキ装
置を示した縦断側面図である。
置を示した縦断側面図である。
【図４】図３の基板用メッキ装置における位置調整自在
なカソード電極部分の構成を示す拡大斜視図である。
なカソード電極部分の構成を示す拡大斜視図である。
【図５】メッキ用電極を設けた従来の基板の一例をダイ
シングストリートとともに示した概略平面図である。
シングストリートとともに示した概略平面図である。
１ 基板 ２ オリフラ ３ メッキ用電極 ４ ダイシングストリート ５ チップ ６ 下地金属 ７ レジスト ８ メッキ用電極用開口 ９ 析出金属 １１ メッキ槽 １２ カップ １３ 液路 １４ メッキ液 １５ 噴流ポンプ １６ アノード電極 １８ カソード電極 ２１ 上蓋 ２２ 板バネ ２３ Ｙ軸ユニット ２５ Ｘ軸ユニット ２７ 馬蹄型台座
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の周辺部に設けたメッキ用接続端子
にメッキ装置のカソード電極を接触させて、基板に形成
したメッキレジスト層の開口と前記メッキ用接続端子に
メッキ電流の通電によりメッキ金属を析出させた後、 基板を縦横方向に切断して、所定サイズのチップを得る
ようにする半導体装置の製造方法であって、 前記基板の周辺部に前記メッキレジスト層により前記チ
ップサイズより小さいメッキ用接続端子用開口を形成
し、 このメッキ用接続端子用開口に前記メッキ装置により前
記メッキ金属を析出させた後、 前記基板を縦横方向に切断するようにしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023795A JPH07211723A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023795A JPH07211723A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211723A true JPH07211723A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12120266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6023795A Pending JPH07211723A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211723A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295209A (ja) * | 2006-06-26 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US20140187123A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Saint-Gobain Abrasifs | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US20140187124A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Saint-Gobain Abrasifs | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9102039B2 (en) | 2012-12-31 | 2015-08-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9254553B2 (en) | 2010-09-03 | 2016-02-09 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of forming |
| US9833877B2 (en) | 2013-03-31 | 2017-12-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
-
1994
- 1994-01-25 JP JP6023795A patent/JPH07211723A/ja active Pending
Cited By (12)
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| US9676077B2 (en) | 2010-09-03 | 2017-06-13 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of forming |
| US10377017B2 (en) | 2010-09-03 | 2019-08-13 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of forming |
| US20140187123A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Saint-Gobain Abrasifs | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US20140187124A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Saint-Gobain Abrasifs | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9102039B2 (en) | 2012-12-31 | 2015-08-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9266219B2 (en) * | 2012-12-31 | 2016-02-23 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9278431B2 (en) * | 2012-12-31 | 2016-03-08 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US10377016B2 (en) | 2012-12-31 | 2019-08-13 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US9833877B2 (en) | 2013-03-31 | 2017-12-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
| US10946499B2 (en) | 2013-03-31 | 2021-03-16 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Bonded abrasive article and method of grinding |
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