JPS5941830A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents
バンプ電極の形成方法Info
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- JPS5941830A JPS5941830A JP57151325A JP15132582A JPS5941830A JP S5941830 A JPS5941830 A JP S5941830A JP 57151325 A JP57151325 A JP 57151325A JP 15132582 A JP15132582 A JP 15132582A JP S5941830 A JPS5941830 A JP S5941830A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明はメッキ方法に関し、より詳細には半導体装置
等におけるバンプ電極の形成方法に関する。
等におけるバンプ電極の形成方法に関する。
背景技術
ダブルヒートシンクダ、ｆオードに用いられるベレット
１は、第１図に示すように、裏面に薄いカソード電極２
を有し、表面にバンプ状のアノード電極８を有する。な
お、図において、４はＮ＋型基板領域、５はＮ−型カソ
ード領域、６はＰ型カソード領域、７は酸化膜等の絶縁
膜である。そして、前記カソード電極２は金蒸着膜８と
銀メッキ膜１０によって形成され、アノード電極８は下
地に金蒸着膜９を有し、その上に銀のバンプ電極１１を
有している。このアノード電極８はペレット１と一対の
ヒートシンク（図示せず）にて挾持して、その外周にガ
ラスバルブを融着封止する場合の、ベレット１とヒート
シックとの膨張係数差に基づく応力を吸収し、かつペレ
ット１とヒートシンクとを電気的に低抵抗で接触状態に
保持するのに役立つもので、その高さ寸法Ｈは一般に５
０〜６０μｍ程度もある。
１は、第１図に示すように、裏面に薄いカソード電極２
を有し、表面にバンプ状のアノード電極８を有する。な
お、図において、４はＮ＋型基板領域、５はＮ−型カソ
ード領域、６はＰ型カソード領域、７は酸化膜等の絶縁
膜である。そして、前記カソード電極２は金蒸着膜８と
銀メッキ膜１０によって形成され、アノード電極８は下
地に金蒸着膜９を有し、その上に銀のバンプ電極１１を
有している。このアノード電極８はペレット１と一対の
ヒートシンク（図示せず）にて挾持して、その外周にガ
ラスバルブを融着封止する場合の、ベレット１とヒート
シックとの膨張係数差に基づく応力を吸収し、かつペレ
ット１とヒートシンクとを電気的に低抵抗で接触状態に
保持するのに役立つもので、その高さ寸法Ｈは一般に５
０〜６０μｍ程度もある。
ところで、上記のアノード電ＦＭ３は、次のようにして
形成されている。まず、Ｎ＋型基板領域４゜Ｎ−型ベー
ス領域５．Ｐ型カソード領域６．絶縁膜７を有する半導
体基板１８を製作し、表面全面に金蒸着膜９を形成した
のち、周知のフォトエツチング法等によってその不要部
分を除去し、続いて裏面全面に金蒸着膜８を形成する（
第２図）。次に、この半導体基板１３をメッキ液中に浸
漬して、裏面の金蒸着膜８をメッキ電源の負極に接続し
、金蒸着膜８と所定間隙離して対向配置した銀電極板を
メッキ電源の正極に接続して、金蒸着膜８上に銀メッキ
膜１０を形成する。このとき表面の金蒸着膜９上にも銀
メッキ膜が形成されるが、何ら支障はない。さらに、前
記銀メッキ膜１０をメ・ンキ電源の負極に接続して表面
の銀メツキ膜上に銀のバンプ電ＦＭ１１を形成すること
により形成されている（第３図）。
形成されている。まず、Ｎ＋型基板領域４゜Ｎ−型ベー
ス領域５．Ｐ型カソード領域６．絶縁膜７を有する半導
体基板１８を製作し、表面全面に金蒸着膜９を形成した
のち、周知のフォトエツチング法等によってその不要部
分を除去し、続いて裏面全面に金蒸着膜８を形成する（
第２図）。次に、この半導体基板１３をメッキ液中に浸
漬して、裏面の金蒸着膜８をメッキ電源の負極に接続し
、金蒸着膜８と所定間隙離して対向配置した銀電極板を
メッキ電源の正極に接続して、金蒸着膜８上に銀メッキ
膜１０を形成する。このとき表面の金蒸着膜９上にも銀
メッキ膜が形成されるが、何ら支障はない。さらに、前
記銀メッキ膜１０をメ・ンキ電源の負極に接続して表面
の銀メツキ膜上に銀のバンプ電ＦＭ１１を形成すること
により形成されている（第３図）。
」二記バンプ電極１１の形成方法には、従来浸漬メッキ
法といわれる方法が採用されていた。この方法は半導体
基板１８の裏面の銀メッキ膜１０にニッケル等の金属テ
ープを貼り付けたのち、アビニシンワックス等のワック
スによって半導体基板１８をその裏面をもってガラス板
等に固着し、これをメッキ液中に浸漬して半導体基板１
８と電極板とを所定間隔で対向配置して、金属テープを
利用してメッキする方法である。しかしながら、この方
法は金属テープやガラス板等の資材を必要とするのみな
らず、メッキ作業に先立って金属テープの貼り付けやガ
ラス基板への固着が必要であり、またメッキ作業終了後
は、半導体基板１３をガラス板から取り外すために、有
機溶剤によるワ、ソクスの溶解が必要になり、有機溶剤
が必要であるばかりでなく、公害防止のために廃液の処
理も必要で著しく煩雑となり、原価高になるという問題
点があった。
法といわれる方法が採用されていた。この方法は半導体
基板１８の裏面の銀メッキ膜１０にニッケル等の金属テ
ープを貼り付けたのち、アビニシンワックス等のワック
スによって半導体基板１８をその裏面をもってガラス板
等に固着し、これをメッキ液中に浸漬して半導体基板１
８と電極板とを所定間隔で対向配置して、金属テープを
利用してメッキする方法である。しかしながら、この方
法は金属テープやガラス板等の資材を必要とするのみな
らず、メッキ作業に先立って金属テープの貼り付けやガ
ラス基板への固着が必要であり、またメッキ作業終了後
は、半導体基板１３をガラス板から取り外すために、有
機溶剤によるワ、ソクスの溶解が必要になり、有機溶剤
が必要であるばかりでなく、公害防止のために廃液の処
理も必要で著しく煩雑となり、原価高になるという問題
点があった。
そこで、最近では、第４図および第５図に示すようなメ
ッキ装置を使用する。いわゆる噴流メ・ツギ法が採用さ
れている。第４図はメッキ装置の平面図を示し、第５図
は第４図のＶ−ｖ線に沿う断面図を示す。図において、
２０は合成樹脂等の絶縁物よりなる円筒体で、その上端
肩部は面取りされて傾斜面２１となっている。２２は円
筒体２・０の上部に所定寸法Ｇだけ突出して所定間隔で
複数個（図示例は４個）設けられた半導体基板１３の支
持ピン、２３は前記支持ピンの外側に、前記支持ピン２
２の突出寸法Ｇよりも大きい寸法りだけ突出して所定間
隔で複数個（図示例は４個）設けられた半導体基板１８
の位置決め用ピンである。
ッキ装置を使用する。いわゆる噴流メ・ツギ法が採用さ
れている。第４図はメッキ装置の平面図を示し、第５図
は第４図のＶ−ｖ線に沿う断面図を示す。図において、
２０は合成樹脂等の絶縁物よりなる円筒体で、その上端
肩部は面取りされて傾斜面２１となっている。２２は円
筒体２・０の上部に所定寸法Ｇだけ突出して所定間隔で
複数個（図示例は４個）設けられた半導体基板１３の支
持ピン、２３は前記支持ピンの外側に、前記支持ピン２
２の突出寸法Ｇよりも大きい寸法りだけ突出して所定間
隔で複数個（図示例は４個）設けられた半導体基板１８
の位置決め用ピンである。
２４は円筒体２０内に配置された電極、２５は半導体基
板１３の押え治具を兼ねる電極で、前記電極２４がメッ
キ電源２６の正極に、まだ電極２５がメッキ電源２６の
負極に接続される。
板１３の押え治具を兼ねる電極で、前記電極２４がメッ
キ電源２６の正極に、まだ電極２５がメッキ電源２６の
負極に接続される。
次に、このメッキ装置を用いた噴流メッキ方法について
説明する。まず、第５図に二点鎖線で示すように、第８
図においてバンプ電１ｉｉｉｔｉが未だ形成されていな
い状態の半導体基板１３を、その表面すなわち金蒸着膜
９側を下側に向けて支持ピン２２の上に載置する。そし
て、この半導体基板１３の裏面上に電極２５を載置して
、半導体基板１３を押圧して水平状態に保持するととも
に、半導体基板１３のカソード電極２と電ｆＭ２５との
電気的接続を良好にする。この状態で、円筒体２゜の下
方からメッキ液２７を噴き上げると、メッキ液２７は半
導体基板１３の下面すなわち表面に衝突し放射方向に流
れ広がって、円筒体２０の上端面と半導体基板１８の下
面との隙間を通って四方に溢流する。したがって、メッ
キ電源２６により電極２４．２５間に通電すると、電流
が電極２４からメッキ液２７および半導体基板１３を通
って電極２５に流れて、半導体基板１３の表面の銀メツ
キ膜上に銀のバンプ電極１１が形成される。
説明する。まず、第５図に二点鎖線で示すように、第８
図においてバンプ電１ｉｉｉｔｉが未だ形成されていな
い状態の半導体基板１３を、その表面すなわち金蒸着膜
９側を下側に向けて支持ピン２２の上に載置する。そし
て、この半導体基板１３の裏面上に電極２５を載置して
、半導体基板１３を押圧して水平状態に保持するととも
に、半導体基板１３のカソード電極２と電ｆＭ２５との
電気的接続を良好にする。この状態で、円筒体２゜の下
方からメッキ液２７を噴き上げると、メッキ液２７は半
導体基板１３の下面すなわち表面に衝突し放射方向に流
れ広がって、円筒体２０の上端面と半導体基板１８の下
面との隙間を通って四方に溢流する。したがって、メッ
キ電源２６により電極２４．２５間に通電すると、電流
が電極２４からメッキ液２７および半導体基板１３を通
って電極２５に流れて、半導体基板１３の表面の銀メツ
キ膜上に銀のバンプ電極１１が形成される。
上記の噴流メッキ法によれば、浸漬メッキ法に比較して
、金属テープ、ガラス板、ワックス、有機溶剤等の諸資
材が一切不要で、資材費を著しく節減できるのみならず
、それらを用いる処理も不要になるため加工費も著しく
節減できるという利点がある。
、金属テープ、ガラス板、ワックス、有機溶剤等の諸資
材が一切不要で、資材費を著しく節減できるのみならず
、それらを用いる処理も不要になるため加工費も著しく
節減できるという利点がある。
しかしながら、上記の噴流メッキ法では、半導体基板１
８の位置決めピン２８の存在によって、次のような不都
合な点があった。すなわち、円筒体２０の上端面と半導
体基板１３の下面との隙間を通って溢流したメッキ液２
７が、前記位置決めピン２８に衝突し流れが乱れてメッ
キ液面が上下動しやすく、しかもメッキ液２７が位置決
めピン２３を伝って半導体基板１８の側面を濡らし、甚
しい場合は半導体基板１８の裏面にまで廻り込みやすい
。もしこのような状態になると、メッキ電流が半導体基
板１３の周縁部へ集中するようになり、第６図に示すよ
うに、半導体基板１８の周縁部のバンプ電ｔｉｌｌａが
非常に厚く大きくなり、これに伴って周縁部近傍のバン
プ電１ｉｔ１ｂが薄く小さくなる。このため、周縁部の
ベレットが不良になることはもちろん、周縁部近傍のバ
ンプ電％ １ ｔ ｂをはじめ他のバンプ電極の成長速
度が小さくなって、メッキ時間が長くなり、周縁部近傍
のバンプ電１ｉｔｔｂを正常な高さ寸法まで成長させよ
うとすると、周縁部のバンプ電１’Ｍ１１ａはますます
犬＾くなって、周縁部近傍のバンプ電１ｌｌｂと連絡し
てしまい、周縁部近傍のペレットをも不良にすることに
なる。さらには、半導体基板１３の裏面にまでバンプ電
極１１ａが廻り込んで形成されると、半導体基板１３を
ダイシングマシンで切断分離してペレノタイズする工程
で、半導体基板１３の中央部がダイシングステージから
浮き上を強くして無理に吸着すると、半導体基板１３が
湾曲して、ダイシング時に半導体基板１３に水平方向の
クラックが生じ、半導体基板１３が破損して飛び散ると
いった問題点があった。
８の位置決めピン２８の存在によって、次のような不都
合な点があった。すなわち、円筒体２０の上端面と半導
体基板１３の下面との隙間を通って溢流したメッキ液２
７が、前記位置決めピン２８に衝突し流れが乱れてメッ
キ液面が上下動しやすく、しかもメッキ液２７が位置決
めピン２３を伝って半導体基板１８の側面を濡らし、甚
しい場合は半導体基板１８の裏面にまで廻り込みやすい
。もしこのような状態になると、メッキ電流が半導体基
板１３の周縁部へ集中するようになり、第６図に示すよ
うに、半導体基板１８の周縁部のバンプ電ｔｉｌｌａが
非常に厚く大きくなり、これに伴って周縁部近傍のバン
プ電１ｉｔ１ｂが薄く小さくなる。このため、周縁部の
ベレットが不良になることはもちろん、周縁部近傍のバ
ンプ電％ １ ｔ ｂをはじめ他のバンプ電極の成長速
度が小さくなって、メッキ時間が長くなり、周縁部近傍
のバンプ電１ｉｔｔｂを正常な高さ寸法まで成長させよ
うとすると、周縁部のバンプ電１’Ｍ１１ａはますます
犬＾くなって、周縁部近傍のバンプ電１ｌｌｂと連絡し
てしまい、周縁部近傍のペレットをも不良にすることに
なる。さらには、半導体基板１３の裏面にまでバンプ電
極１１ａが廻り込んで形成されると、半導体基板１３を
ダイシングマシンで切断分離してペレノタイズする工程
で、半導体基板１３の中央部がダイシングステージから
浮き上を強くして無理に吸着すると、半導体基板１３が
湾曲して、ダイシング時に半導体基板１３に水平方向の
クラックが生じ、半導体基板１３が破損して飛び散ると
いった問題点があった。
発明の開示
この発明は上記の噴流メッキ法によるバンプ電極の形成
方法において、メッキ液が半導体基板等の側面および裏
面に廻り込まず、バンプ電極の高さおよび大きさを均斉
化できる形成方法を提供することを目的とする。
方法において、メッキ液が半導体基板等の側面および裏
面に廻り込まず、バンプ電極の高さおよび大きさを均斉
化できる形成方法を提供することを目的とする。
この発明は上記目的達成のために、基板の上面を電極兼
用の吸着治具で吸着し、しかもこの基板の下面を少なく
とも位置決めピンを有しないメッキ装置の上面から所定
寸法だけ離隔させた状態でメッキすることを特徴とする
。
用の吸着治具で吸着し、しかもこの基板の下面を少なく
とも位置決めピンを有しないメッキ装置の上面から所定
寸法だけ離隔させた状態でメッキすることを特徴とする
。
そして、上記のような位置決めピンを用いない構成によ
って、メッキ液が基板の側面および裏面に廻り込むこと
を防止し、もって前記の問題点のない均斉な高さおよび
大きさのバンプ電極を形成できるという作用効果を奏す
るものである。
って、メッキ液が基板の側面および裏面に廻り込むこと
を防止し、もって前記の問題点のない均斉な高さおよび
大きさのバンプ電極を形成できるという作用効果を奏す
るものである。
全面を実施するための最良の形態
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第７図はこの発明に係るバンプ電極の形成方法について
説明するためのメッキ装着の断面図である。図において
、３ｏは絶縁物よりなる円筒体で、」二端肩部は面取り
されて傾斜面３１となっている。
説明するためのメッキ装着の断面図である。図において
、３ｏは絶縁物よりなる円筒体で、」二端肩部は面取り
されて傾斜面３１となっている。
そして、この円筒体８ｏの上面には、第５図に示す従来
のメノギ装置と異なって、半導体基板１・８の位置決め
ピン２３はもちろん支持ピン２２も存在していないこと
に注目されたい。３２は前記円筒体３０の中心部に配置
されたメッキ電極、３８は下面に真空吸引孔３８ａを有
する電極兼用の吸着治具で、３４はメッキ電源である。
のメノギ装置と異なって、半導体基板１・８の位置決め
ピン２３はもちろん支持ピン２２も存在していないこと
に注目されたい。３２は前記円筒体３０の中心部に配置
されたメッキ電極、３８は下面に真空吸引孔３８ａを有
する電極兼用の吸着治具で、３４はメッキ電源である。
上記吸着治具３３はレバー（図示せず）等によって移動
可能 １゜に支持されている。
１次に、このメッキ装置を用いたバンプ電
極の形 ｊ成力法について説明する。まず、図示しな
いレノ〈−等を操作して、吸着治具８８を図示しない定
位 １置に移動させて半導体基板１８を吸着させた
のち、レバー等を操作して吸着治具３３を図示する位置
に移動させる。すなわち、半導体基板１３の下面（表面
）が円筒体８ｏの上端から寸法Ｇだけ離隔するように保
持する。この状態で、円筒体３ｏの下方からメッキ液３
５を噴き上げると、メッキ液３５は半導体基板１８の下
面に衝突しかつ案内されて放射方向に流れ広がって、円
筒体３ｏの上面と半導体基板１３との隙間を通って四方
から溢流する。このとき、第５図に示すような支持ピン
２２や位置決めピン２３が存在しないので、溢流したメ
ッキ液３５の乱れに′よる液面の」二下動かなくなり、
しかも位置決めピン２３を伝ってメッキ液３５が半導体
基板１３の側面および裏面まで廻り込むことがなくなる
。このため、半導体基板１３の周瞭部へのメッキ電流の
集中が起らなくなり、これで伴って周縁部のバンプ電極
の異常成長や周縁部１傍のバンプ電極の成長速度低下も
起らなくなり、ト導体基板１８の表面全面に均斉な高さ
および大賢さのバンプ電極１１が形成される。このため
、バンプ電ＦＭｌｌの形成に要するメッキ時間は短くて
すむし、メッキ液の疲労やむだも激減する。また、上記
実施例のように、位置決′めピン２８のみならず支持ピ
ン２２をも無くした場合は、従来この支持ピン２２０当
接部分におけるバンプ電極１１の高さが他の部分のバン
プ電極１１より１０μｍ程度低くなっていた現象をもな
くすことができるという利点がある。
可能 １゜に支持されている。
１次に、このメッキ装置を用いたバンプ電
極の形 ｊ成力法について説明する。まず、図示しな
いレノ〈−等を操作して、吸着治具８８を図示しない定
位 １置に移動させて半導体基板１８を吸着させた
のち、レバー等を操作して吸着治具３３を図示する位置
に移動させる。すなわち、半導体基板１３の下面（表面
）が円筒体８ｏの上端から寸法Ｇだけ離隔するように保
持する。この状態で、円筒体３ｏの下方からメッキ液３
５を噴き上げると、メッキ液３５は半導体基板１８の下
面に衝突しかつ案内されて放射方向に流れ広がって、円
筒体３ｏの上面と半導体基板１３との隙間を通って四方
から溢流する。このとき、第５図に示すような支持ピン
２２や位置決めピン２３が存在しないので、溢流したメ
ッキ液３５の乱れに′よる液面の」二下動かなくなり、
しかも位置決めピン２３を伝ってメッキ液３５が半導体
基板１３の側面および裏面まで廻り込むことがなくなる
。このため、半導体基板１３の周瞭部へのメッキ電流の
集中が起らなくなり、これで伴って周縁部のバンプ電極
の異常成長や周縁部１傍のバンプ電極の成長速度低下も
起らなくなり、ト導体基板１８の表面全面に均斉な高さ
および大賢さのバンプ電極１１が形成される。このため
、バンプ電ＦＭｌｌの形成に要するメッキ時間は短くて
すむし、メッキ液の疲労やむだも激減する。また、上記
実施例のように、位置決′めピン２８のみならず支持ピ
ン２２をも無くした場合は、従来この支持ピン２２０当
接部分におけるバンプ電極１１の高さが他の部分のバン
プ電極１１より１０μｍ程度低くなっていた現象をもな
くすことができるという利点がある。
なお、上記実施例はＤＨＤのバンプ電極を形成する場合
について説明したが、フェースダウンボンティング（Ｆ
ＤＢ ）半導体装置や、ビームリード（ＢＬ）半導体装
置のビームリード等を形成する場合にも実施できる。さ
らには半導体装置のバンプ電極のみならず、他の電子回
路基板等のバンプ電極を形成する場合にも実施できる。
について説明したが、フェースダウンボンティング（Ｆ
ＤＢ ）半導体装置や、ビームリード（ＢＬ）半導体装
置のビームリード等を形成する場合にも実施できる。さ
らには半導体装置のバンプ電極のみならず、他の電子回
路基板等のバンプ電極を形成する場合にも実施できる。
第１図はダブルヒートシンクダイオード用ノベレソトの
断面図、第２図および第３図はバンプ電極の形成工程に
ついて説明するだめの各段階の半導体基板の断面図、第
４図および第５図はこの発明の背景となる噴流メッキ法
によるバンプシ公の形成方法について説明するためのメ
ッキ装置を示し、第４図は平面図、第５図は第４図の■
−■線に沿う断面図、第６図は従来の噴流メッキ法によ
るバンプ電極の形成方法において生じる不良状態を示す
半導体基板の断面図、第７図はこの発明の噴流メッキ法
によるバンプ電極の形成方法について説明するためのメ
ッキ装置の断面図である。 １１・・・・・・バンプ電極、 １８・・・・・・半導体基板、 ３０・・・・・・メッキ装置（円筒体）、３８・・・・
・・電極兼吸着治具。 第１図 第２図 ３ 第４図
断面図、第２図および第３図はバンプ電極の形成工程に
ついて説明するだめの各段階の半導体基板の断面図、第
４図および第５図はこの発明の背景となる噴流メッキ法
によるバンプシ公の形成方法について説明するためのメ
ッキ装置を示し、第４図は平面図、第５図は第４図の■
−■線に沿う断面図、第６図は従来の噴流メッキ法によ
るバンプ電極の形成方法において生じる不良状態を示す
半導体基板の断面図、第７図はこの発明の噴流メッキ法
によるバンプ電極の形成方法について説明するためのメ
ッキ装置の断面図である。 １１・・・・・・バンプ電極、 １８・・・・・・半導体基板、 ３０・・・・・・メッキ装置（円筒体）、３８・・・・
・・電極兼吸着治具。 第１図 第２図 ３ 第４図
Claims (1)
- 基板の一生面に噴流メッキ法によってバンプ電極を形成
する際に、基板の他主面を電極兼用の吸着治具で吸着し
てこの基板の一生面を上端に少なくとも位置決めピンを
有しないメッキ装置の上面から所定寸法だけ離隔させた
状態でメッキすることを特徴とするバンプ電極の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151325A JPS5941830A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | バンプ電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151325A JPS5941830A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | バンプ電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941830A true JPS5941830A (ja) | 1984-03-08 |
Family
ID=15516141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151325A Pending JPS5941830A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | バンプ電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941830A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216345A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS6439045A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Sanyo Electric Co | Formation of projecting electrode |
| DE10027931C1 (de) * | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739438B2 (ja) * | 1976-09-07 | 1982-08-21 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151325A patent/JPS5941830A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739438B2 (ja) * | 1976-09-07 | 1982-08-21 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216345A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Kansai Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS6439045A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Sanyo Electric Co | Formation of projecting electrode |
| DE10027931C1 (de) * | 2000-05-31 | 2002-01-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur rückseitigen elektrischen Kontaktierung eines Halbleitersubstrats während seiner Bearbeitung |
| US6746880B2 (en) | 2000-05-31 | 2004-06-08 | Infineon Technologies Ag | Method for making electrical contact with a rear side of a semiconductor substrate during its processing |
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