JPS636860A - フリップチップ用バンプ形成方法 - Google Patents
フリップチップ用バンプ形成方法Info
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- JPS636860A JPS636860A JP61149582A JP14958286A JPS636860A JP S636860 A JPS636860 A JP S636860A JP 61149582 A JP61149582 A JP 61149582A JP 14958286 A JP14958286 A JP 14958286A JP S636860 A JPS636860 A JP S636860A
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- Japan
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- wafer
- plating
- current film
- jig
- bumps
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分！？）
この発明はメッキ手段によるフリップチップ用ハンダバ
ンプの形成方法に関するものである。
ンプの形成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、この踵のハンダバンプの形成に関してハンダメッ
キにる方法が例えば特開昭５８−９２２２９号公報に開
示されている。
キにる方法が例えば特開昭５８−９２２２９号公報に開
示されている。
以下はハンダメッキによるハンダバンプ形成の一例を説
明する。第３ＦｙＪの如（Ｓｉウェハー（１）上に形成
された下地電極（２）を覆って導電物質によるカレント
フィルム（３１が形成され、このカレントフィルム（３
）の上記下地電極（２）と対応する部分がハンダメッキ
する部分（５）となり、この部分のレジスト（４）が除
去されてメッキ時に電流が流れるように露出されている
。
明する。第３ＦｙＪの如（Ｓｉウェハー（１）上に形成
された下地電極（２）を覆って導電物質によるカレント
フィルム（３１が形成され、このカレントフィルム（３
）の上記下地電極（２）と対応する部分がハンダメッキ
する部分（５）となり、この部分のレジスト（４）が除
去されてメッキ時に電流が流れるように露出されている
。
次に第４図により、上記カレントフィルム（３）に電流
を流すための治具に対するウェハーの支持例を示す。Ｓ
ｉウェハー（１）は治具（６）に常法の如くセットされ
るが電流を流すためのレジスト（４）の４＃Ｊ趙部分（
８）を図の如く形成し、第５図に拡大して示すように上
記治具（６）の金具（７）をカレントフィルム（３）と
接続させろ。以上の如きウェハーは、第６図に示すよう
に陰極（ｌ横側に８１ウニ八−（１）を接続してメッキ
浴（１１）に浸漬し陽極（９）との間に電流を流すと、
上記カレントフィルム（３）の上記メッキｇ （５１に
メッキが析出し、ハンダメッキバンプｆｌａが形成され
るのである。
を流すための治具に対するウェハーの支持例を示す。Ｓ
ｉウェハー（１）は治具（６）に常法の如くセットされ
るが電流を流すためのレジスト（４）の４＃Ｊ趙部分（
８）を図の如く形成し、第５図に拡大して示すように上
記治具（６）の金具（７）をカレントフィルム（３）と
接続させろ。以上の如きウェハーは、第６図に示すよう
に陰極（ｌ横側に８１ウニ八−（１）を接続してメッキ
浴（１１）に浸漬し陽極（９）との間に電流を流すと、
上記カレントフィルム（３）の上記メッキｇ （５１に
メッキが析出し、ハンダメッキバンプｆｌａが形成され
るのである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ハンダバンプ形成に際して上記の如き治
具（６）を用いろと、第８図に説明図として示すように
電気力線（１１の流れが８１ウエハー（１）の端部に囲
り込む部分でそのｖｉ度が高（、即ちその部分でハンダ
メッキの析出量が多くなり、その結果Ｓｉウェハー（１
１の周囲部分でのハンダバンプ（１２ａ）が大きく生長
しＩＣチップ中心部のハンダバンプｆ１．５の大きさに
対して不均一になるという問題点があった（第９図）。
具（６）を用いろと、第８図に説明図として示すように
電気力線（１１の流れが８１ウエハー（１）の端部に囲
り込む部分でそのｖｉ度が高（、即ちその部分でハンダ
メッキの析出量が多くなり、その結果Ｓｉウェハー（１
１の周囲部分でのハンダバンプ（１２ａ）が大きく生長
しＩＣチップ中心部のハンダバンプｆ１．５の大きさに
対して不均一になるという問題点があった（第９図）。
この発明は従来技術におけるかかるバンプの不均一とな
る欠点を解決し、Ｓｉウェハー上に均一な大きさのバン
プを形成することのできるフリップチップ用ハンダバン
プの形成方法を提供するものである。
る欠点を解決し、Ｓｉウェハー上に均一な大きさのバン
プを形成することのできるフリップチップ用ハンダバン
プの形成方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記問題点を解決するために、ハンダバンプ
形成に際して、上述したＳｉウェハーの周囲に沿って略
リング状にレジストを除去しこの部分でカレントフィル
ムを露出させバンプメタルのメッキを行うようにしたも
のである。
形成に際して、上述したＳｉウェハーの周囲に沿って略
リング状にレジストを除去しこの部分でカレントフィル
ムを露出させバンプメタルのメッキを行うようにしたも
のである。
（作 用）
この発明おいては以上のように、ハンダバンプのメッキ
による形成に際して、Ｓｌウェハーの周囲に沿って略リ
ング状にカレントフィルムを露出させろことにより、上
述の囲り込む電気力線の密度増によるメッキをこの部分
に析出させ不均一な大きさのバンプ形成を回避するよう
にしたものである。
による形成に際して、Ｓｌウェハーの周囲に沿って略リ
ング状にカレントフィルムを露出させろことにより、上
述の囲り込む電気力線の密度増によるメッキをこの部分
に析出させ不均一な大きさのバンプ形成を回避するよう
にしたものである。
（実 施 例）
第１図にこの発明の一実施例によるハンダバンプ形成方
法を示す。上記と同様に治具（６）によりＳ１ウエハー
１１）を支持しメッキを行う。この場合Ｓｉウェハ−（
１）の周囲部においてレジストを略環状に全て除去し、
カレントフィルム（３）の露出部（３ａ）を設は治具（
６）の金具（７）をカレントフィルム（３）と接続させ
る。このようなウェハーの支持状態において以下常法の
如くＳｌウェハーへのメッキ作業を行うことにより、ウ
ェハー（１）の周囲部分に囲り込んでくる上述した電気
力線に起因するメッキを上記露出部（３ａ）上に析出さ
せ得ろ。この結果、第２図に示すようにＳｉウェハー（
１）上には概ね均一な大きさのバンプ（１７５を形成す
ることができる。
法を示す。上記と同様に治具（６）によりＳ１ウエハー
１１）を支持しメッキを行う。この場合Ｓｉウェハ−（
１）の周囲部においてレジストを略環状に全て除去し、
カレントフィルム（３）の露出部（３ａ）を設は治具（
６）の金具（７）をカレントフィルム（３）と接続させ
る。このようなウェハーの支持状態において以下常法の
如くＳｌウェハーへのメッキ作業を行うことにより、ウ
ェハー（１）の周囲部分に囲り込んでくる上述した電気
力線に起因するメッキを上記露出部（３ａ）上に析出さ
せ得ろ。この結果、第２図に示すようにＳｉウェハー（
１）上には概ね均一な大きさのバンプ（１７５を形成す
ることができる。
（発明の効果）
以上説明したようにこの発明によれば、Ｓｉウェハーの
周囲にカレン（・フィルムを環状に露出させたことによ
り、該ウェハー周辺でのメッキの囲り込みを防止するこ
とができ、これによりウェハー全面に均一な大きさのハ
ンダバンプの形成を可能とし著しく製品歩留りを向上さ
せ得ろ。
周囲にカレン（・フィルムを環状に露出させたことによ
り、該ウェハー周辺でのメッキの囲り込みを防止するこ
とができ、これによりウェハー全面に均一な大きさのハ
ンダバンプの形成を可能とし著しく製品歩留りを向上さ
せ得ろ。
第１図はこの発明におけるハンダバンプ形成方法を実施
するためのバンプ形成前のウェハー支持平面図、第２図
は同バ〉ブ形成後のウェハー平面図、第３図は従来のハ
ンダバンブ形成方法におけろバンプ形成的のウェハー断
面図、第４図は同治具への支持平面部、第５図は同要部
の断面図、第６図は同メッキ時の説明図、第７図は同メ
ッキ後のウェハーの断面図、第８図は同メッキ時の電気
力線の流れ説明図、第９図は同ウェハーの不均一ハンダ
バンブ生長の説明図である。 （１）−Ｓ ｉウェハ−１（３）・カレントフィルム、
（３ａ）・・・露出部、（６）・・・治具、（７）・金
具、（＋１． （１２ａ）・・・ハンダバンプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 妊使１／ｌ ｒＹンプ形族泊めδシ久バーのｒ口冶刀第
３図 ｓレフニハーｉ洛具り＝支袴しな工■肥
第 ５ 因業４図 ＳＩ／フヱハー０メ・ンキ言乏！！月原り第６図 バンブ形ルｌ友のふバｌバー／）オ午！Ｚ第７図
するためのバンプ形成前のウェハー支持平面図、第２図
は同バ〉ブ形成後のウェハー平面図、第３図は従来のハ
ンダバンブ形成方法におけろバンプ形成的のウェハー断
面図、第４図は同治具への支持平面部、第５図は同要部
の断面図、第６図は同メッキ時の説明図、第７図は同メ
ッキ後のウェハーの断面図、第８図は同メッキ時の電気
力線の流れ説明図、第９図は同ウェハーの不均一ハンダ
バンブ生長の説明図である。 （１）−Ｓ ｉウェハ−１（３）・カレントフィルム、
（３ａ）・・・露出部、（６）・・・治具、（７）・金
具、（＋１． （１２ａ）・・・ハンダバンプ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 妊使１／ｌ ｒＹンプ形族泊めδシ久バーのｒ口冶刀第
３図 ｓレフニハーｉ洛具り＝支袴しな工■肥
第 ５ 因業４図 ＳＩ／フヱハー０メ・ンキ言乏！！月原り第６図 バンブ形ルｌ友のふバｌバー／）オ午！Ｚ第７図
Claims (1)
- Ｓｉウェハー上に形成したカレントフィルムのレジスト
を塗布しない露出部分に電気メッキ法によりハンダバン
プを形成する方法において、上記Ｓｉウェハーの周囲に
略環状にカレントフィルムの露出部を設けたバンプメタ
ルをメッキすることを特徴とするフリップチップ用ハン
ダバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149582A JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149582A JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636860A true JPS636860A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0580141B2 JPH0580141B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=15478348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149582A Granted JPS636860A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | フリップチップ用バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636860A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049018A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-13 | Asahi Optical Co Ltd | ファインダ装置およびファインダ装置を備えたカメラ |
| US5914274A (en) * | 1996-03-21 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| JP2006066437A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び当該製造方法に使用される製造装置 |
| JP2007048802A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tdk Corp | 配線板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817638A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | バンプ形成装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149582A patent/JPS636860A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817638A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | バンプ形成装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049018A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-13 | Asahi Optical Co Ltd | ファインダ装置およびファインダ装置を備えたカメラ |
| JPH0636087B2 (ja) * | 1990-04-26 | 1994-05-11 | 旭光学工業株式会社 | ファインダ装置およびファインダ装置を備えたカメラ |
| US5914274A (en) * | 1996-03-21 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| US6042953A (en) * | 1996-03-21 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate on which bumps are formed and method of forming the same |
| JP2006066437A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び当該製造方法に使用される製造装置 |
| JP4493442B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-06-30 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及び当該製造方法に使用される製造装置 |
| JP2007048802A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Tdk Corp | 配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580141B2 (ja) | 1993-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |