JPH1174751A - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な貴金属を用いることなく安価に構成す
ることができ、かつＱが大きく、比抵抗が小さく、従っ
て共振子や帯域フィルタなどに応用した場合に良好な特
性を得ることが可能なＩＤＴ電極を備えた、ラブ波を利
用した弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 表面波基板１上に、アルミニウム層３ｃ
及びタングステン層３ｄを積層してなる積層金属膜３ｅ
によりＩＤＴ電極を構成してなる弾性表面波装置１。
ることができ、かつＱが大きく、比抵抗が小さく、従っ
て共振子や帯域フィルタなどに応用した場合に良好な特
性を得ることが可能なＩＤＴ電極を備えた、ラブ波を利
用した弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 表面波基板１上に、アルミニウム層３ｃ
及びタングステン層３ｄを積層してなる積層金属膜３ｅ
によりＩＤＴ電極を構成してなる弾性表面波装置１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波基板上にイ
ンターデジタル電極（以下、ＩＤＴ電極）を形成してな
る弾性表面波装置に関し、より詳細には、ラブ波を利用
した弾性表面波装置に関する。
ンターデジタル電極（以下、ＩＤＴ電極）を形成してな
る弾性表面波装置に関し、より詳細には、ラブ波を利用
した弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ラブ波を利用した弾性表面波装置
が種々提案されている。例えば、信学技法ＵＳ８２−３
５（１９８２）、第７頁〜第１４頁には、回転Ｙカット
Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、音速の遅い薄膜層を設
け疑似弾性表面波を伝搬減衰のないラブ波型の表面波と
した弾性表面波装置が開示されている。
が種々提案されている。例えば、信学技法ＵＳ８２−３
５（１９８２）、第７頁〜第１４頁には、回転Ｙカット
Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、音速の遅い薄膜層を設
け疑似弾性表面波を伝搬減衰のないラブ波型の表面波と
した弾性表面波装置が開示されている。
【０００３】また、信学技法ＵＳ８６−３７（１９８
６）、第３１頁〜第３８頁には、回転ＹカットＸ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 基板においては、基板上に一様な薄膜では
なく、金属ストリップを周期的に形成することによりラ
ブ波が励振されることが述べられている。
６）、第３１頁〜第３８頁には、回転ＹカットＸ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 基板においては、基板上に一様な薄膜では
なく、金属ストリップを周期的に形成することによりラ
ブ波が励振されることが述べられている。
【０００４】他方、特開昭６３−２６０２１３号公報に
は、同じく回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、金、銀、白金などの重金属によりＩＤＴ電極を形成
することにより、ラブ波を利用した弾性表面波装置を構
成し得る旨が開示されている。
は、同じく回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、金、銀、白金などの重金属によりＩＤＴ電極を形成
することにより、ラブ波を利用した弾性表面波装置を構
成し得る旨が開示されている。
【０００５】また、特開平８−１２５４８５号公報に
は、ラブ波を利用した弾性表面波装置として、表面波基
板上に、タングステンまたはタンタルからなるＩＤＴ電
極を形成してなる構造が開示されている。
は、ラブ波を利用した弾性表面波装置として、表面波基
板上に、タングステンまたはタンタルからなるＩＤＴ電
極を形成してなる構造が開示されている。
【０００６】さらに、特開平８−２５０９６６号公報に
は、ラブ波を利用した弾性表面波装置として、表面波基
板上にＴａ／Ａｌの２層構造からなるＩＤＴ電極を形成
した弾性表面波装置が開示されている。
は、ラブ波を利用した弾性表面波装置として、表面波基
板上にＴａ／Ａｌの２層構造からなるＩＤＴ電極を形成
した弾性表面波装置が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】信学技法ＵＳ８２−３
５、第７頁〜第１４頁、信学技法ＵＳ８６−３７、第３
１頁〜第３８頁及び特開昭６３−２６０２１３号公報に
記載の弾性表面波装置では、何れにおいても、金、銀ま
たは白金などの重金属によりＩＤＴ電極を形成し得る旨
述べられているものの、実際に実験に供されているの
は、金よりなるＩＤＴ電極である。ラブ波を励振するに
は、質量の大きな上記重金属を用いることが必要である
とされているが、コストが高くつくという問題があっ
た。
５、第７頁〜第１４頁、信学技法ＵＳ８６−３７、第３
１頁〜第３８頁及び特開昭６３−２６０２１３号公報に
記載の弾性表面波装置では、何れにおいても、金、銀ま
たは白金などの重金属によりＩＤＴ電極を形成し得る旨
述べられているものの、実際に実験に供されているの
は、金よりなるＩＤＴ電極である。ラブ波を励振するに
は、質量の大きな上記重金属を用いることが必要である
とされているが、コストが高くつくという問題があっ
た。
【０００８】他方、特開平８−１２５４８５号公報にお
いては、金に比べて安価なＴａまたはＷによりＩＤＴ電
極を形成しているが、Ｑが低く、比抵抗が比較的大きい
ため、共振子として使用することは可能であるものの、
フィルタを構成することは困難であった。
いては、金に比べて安価なＴａまたはＷによりＩＤＴ電
極を形成しているが、Ｑが低く、比抵抗が比較的大きい
ため、共振子として使用することは可能であるものの、
フィルタを構成することは困難であった。
【０００９】特開平８−２５０９６６号公報に記載の構
成では、Ｔａ／Ａｌの２層構造によりＩＤＴ電極を形成
することにより、比抵抗が低められている。しかしなが
ら、Ｔａ／Ａｌの２層構造からなるＩＤＴ電極において
も、比抵抗が十分に小さくはならず、従って、帯域フィ
ルタとして利用した場合に十分な特性を得ることはでき
なかった。
成では、Ｔａ／Ａｌの２層構造によりＩＤＴ電極を形成
することにより、比抵抗が低められている。しかしなが
ら、Ｔａ／Ａｌの２層構造からなるＩＤＴ電極において
も、比抵抗が十分に小さくはならず、従って、帯域フィ
ルタとして利用した場合に十分な特性を得ることはでき
なかった。
【００１０】本発明の目的は、高価な重金属を用いるこ
となく、安価に構成することができ、Ｑが高く、比抵抗
が小さく、従って、共振子や帯域フィルタなどに応用し
た場合に良好な特性を得ることが可能となるＩＤＴ電極
及び／または反射器を備えた弾性表面波装置を提供する
ことにある。
となく、安価に構成することができ、Ｑが高く、比抵抗
が小さく、従って、共振子や帯域フィルタなどに応用し
た場合に良好な特性を得ることが可能となるＩＤＴ電極
及び／または反射器を備えた弾性表面波装置を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、タングステン層とアルミニウム層とを積層してなる
積層金属膜により構成されているＩＤＴ電極を有するこ
とを特徴とする、弾性表面波装置である。
は、タングステン層とアルミニウム層とを積層してなる
積層金属膜により構成されているＩＤＴ電極を有するこ
とを特徴とする、弾性表面波装置である。
【００１２】上記ＩＤＴ電極は、より具体的には、請求
項２に記載のように、表面波基板上にアルミニウム層及
びタングステン層がこの順序で積層された積層金属膜に
より構成してもよく、あるいは、請求項３に記載のよう
に、表面波基板上にタングステン層及びアルミニウム層
をこの順序で積層してなる積層金属膜により構成しても
よい。
項２に記載のように、表面波基板上にアルミニウム層及
びタングステン層がこの順序で積層された積層金属膜に
より構成してもよく、あるいは、請求項３に記載のよう
に、表面波基板上にタングステン層及びアルミニウム層
をこの順序で積層してなる積層金属膜により構成しても
よい。
【００１３】また、請求項４に記載のように、ＩＤＴ電
極に加えて、さらに反射器が備えられてもよく、この場
合、好ましくは、該反射器もタングステン層とアルミニ
ウム層との積層金属膜により構成される。
極に加えて、さらに反射器が備えられてもよく、この場
合、好ましくは、該反射器もタングステン層とアルミニ
ウム層との積層金属膜により構成される。
【００１４】また、本発明の他の特定的な局面によれ
ば、上記表面波基板として、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮ
ｂＯ3 基板が用いられる。請求項６に記載の発明は、タ
ングステン層とアルミニウム層とを積層してなる積層金
属膜により構成されている反射器とを備えることを特徴
とする弾性表面波装置である。この場合、反射器は、よ
り具体的には、請求項７に記載のように、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
された積層金属膜により構成してもよく、あるいは、請
求項８に記載のように、表面波基板上にタングステン層
及びアルミニウム層をこの順序で積層してなる積層金属
膜により構成してもよい。
ば、上記表面波基板として、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮ
ｂＯ3 基板が用いられる。請求項６に記載の発明は、タ
ングステン層とアルミニウム層とを積層してなる積層金
属膜により構成されている反射器とを備えることを特徴
とする弾性表面波装置である。この場合、反射器は、よ
り具体的には、請求項７に記載のように、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
された積層金属膜により構成してもよく、あるいは、請
求項８に記載のように、表面波基板上にタングステン層
及びアルミニウム層をこの順序で積層してなる積層金属
膜により構成してもよい。
【００１５】上記積層金属膜よりなる反射器を備えたこ
とを特徴とする弾性表面波装置では、反射器が上記積層
金属膜により構成されているため、反射器の反射係数を
高めることができ、反射器の小型化を促進することがで
きる。この場合、ＩＤＴ電極については、上記積層金属
膜以外の材料で構成されているものであってもよく、ま
た、利用する表面波についても、ラブ波などのＳＨタイ
プの表面波を利用したものに限らず、レイリー波などの
他の表面波を利用したものであってもよい。
とを特徴とする弾性表面波装置では、反射器が上記積層
金属膜により構成されているため、反射器の反射係数を
高めることができ、反射器の小型化を促進することがで
きる。この場合、ＩＤＴ電極については、上記積層金属
膜以外の材料で構成されているものであってもよく、ま
た、利用する表面波についても、ラブ波などのＳＨタイ
プの表面波を利用したものに限らず、レイリー波などの
他の表面波を利用したものであってもよい。
【００１６】なお、本発明の弾性表面波装置は、請求項
９に記載のように、ラブ波を利用した表面波装置として
好適に用い得る。
９に記載のように、ラブ波を利用した表面波装置として
好適に用い得る。
【００１７】
（第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例に係る
弾性表面波装置を示す模式的平面図であり、図２は、図
１のＡ−Ａ線に沿う部分の一部を拡大して示す正面断面
図である。
弾性表面波装置を示す模式的平面図であり、図２は、図
１のＡ−Ａ線に沿う部分の一部を拡大して示す正面断面
図である。
【００１８】弾性表面波装置１は、ＹカットＬｉＮｂＯ
3 基板よりなる表面波基板２を用いて構成されている。
表面波基板２の上面中央には、ＩＤＴ電極３が形成され
ている。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指を有するくし
歯電極３ａと、複数本の電極指を有するくし歯電極３ｂ
とを、互いの電極指が間挿し合うように配置した構造を
有する。また、ＩＤＴ電極３は、交差幅重み付けが施さ
れている。
3 基板よりなる表面波基板２を用いて構成されている。
表面波基板２の上面中央には、ＩＤＴ電極３が形成され
ている。ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指を有するくし
歯電極３ａと、複数本の電極指を有するくし歯電極３ｂ
とを、互いの電極指が間挿し合うように配置した構造を
有する。また、ＩＤＴ電極３は、交差幅重み付けが施さ
れている。
【００１９】ＩＤＴ電極３の複数本の電極指は、表面波
としてのラブ波がＬｉＮｂＯ3 基板のＸ軸方向に伝搬す
るように、該Ｘ軸方向と直交する方向に延ばされてい
る。ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側には、それぞ
れ、反射器４，５が形成されている。反射器４，５は、
複数本の電極指を両端で短絡した形状を有する。この反
射器４，５の電極指の延びる方向も、上記Ｘ軸方向と直
交する方向とされている。
としてのラブ波がＬｉＮｂＯ3 基板のＸ軸方向に伝搬す
るように、該Ｘ軸方向と直交する方向に延ばされてい
る。ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側には、それぞ
れ、反射器４，５が形成されている。反射器４，５は、
複数本の電極指を両端で短絡した形状を有する。この反
射器４，５の電極指の延びる方向も、上記Ｘ軸方向と直
交する方向とされている。
【００２０】本実施例の弾性表面波装置１の特徴は、Ｉ
ＤＴ電極３及び反射器４，５が、アルミニウム層及びタ
ングステン層をこの順序で積層した積層金属膜を用いて
構成されていることにある。すなわち、図２にＩＤＴ電
極３の一部を断面図で示すように、ＩＤＴ電極３は、ア
ルミニウム層３ｃ上にタングステン層３ｄを積層した積
層金属膜３ｅを用いて構成されている。
ＤＴ電極３及び反射器４，５が、アルミニウム層及びタ
ングステン層をこの順序で積層した積層金属膜を用いて
構成されていることにある。すなわち、図２にＩＤＴ電
極３の一部を断面図で示すように、ＩＤＴ電極３は、ア
ルミニウム層３ｃ上にタングステン層３ｄを積層した積
層金属膜３ｅを用いて構成されている。
【００２１】弾性表面波装置１では、ＩＤＴ電極３及び
反射器４，５が上記のような積層金属膜により構成され
ているので、ＩＤＴ電極３に電圧を印加し、共振させた
場合、Ｑが大きく、共振抵抗の小さな表面波共振子を実
現することができる。これを、具体的な実験例に基づき
説明する。
反射器４，５が上記のような積層金属膜により構成され
ているので、ＩＤＴ電極３に電圧を印加し、共振させた
場合、Ｑが大きく、共振抵抗の小さな表面波共振子を実
現することができる。これを、具体的な実験例に基づき
説明する。
【００２２】弾性表面波装置１を、以下の要領で作製し
た。ＹカットＬｉＮｂＯ3 よりなる表面波基板２上に、
スパッタリングにより、５００Åの厚みのＡｌ層及び３
０００Åの厚みのタングステン層をこの順序で全面に成
膜した。次に、このようにして形成された積層金属膜の
上面にスピンコーティングによりフォトレジストを塗布
し、しかる後フォトマスクを用いて露光・現像した。
た。ＹカットＬｉＮｂＯ3 よりなる表面波基板２上に、
スパッタリングにより、５００Åの厚みのＡｌ層及び３
０００Åの厚みのタングステン層をこの順序で全面に成
膜した。次に、このようにして形成された積層金属膜の
上面にスピンコーティングによりフォトレジストを塗布
し、しかる後フォトマスクを用いて露光・現像した。
【００２３】さらに、エッチャントを用い、ＩＤＴ電極
３及び反射器４，５が形成されるべき部分以外の積層金
属膜部分を除去した。エッチングに際してのエッチャン
トとしては、６３重量％濃度のフッ化水素酸、硝酸及び
純水を重量比で１：２：１の割合で混合したものを用い
た。
３及び反射器４，５が形成されるべき部分以外の積層金
属膜部分を除去した。エッチングに際してのエッチャン
トとしては、６３重量％濃度のフッ化水素酸、硝酸及び
純水を重量比で１：２：１の割合で混合したものを用い
た。
【００２４】なお、上記ＩＤＴ電極については、ラブ波
の波長λ＝１２μｍとなるような幅の電極指及び電極指
間ピッチを有するように構成し、ＩＤＴ電極３における
電極指の対数は５０対とし、図１に示したような菱形の
交差幅重み付けを施したものを形成した。また、反射器
４，５については、ＩＤＴ電極３と同じ波長の電極指幅
及び電極指間ピッチを有し、かつ電極指の数が１０本の
反射器を形成した。
の波長λ＝１２μｍとなるような幅の電極指及び電極指
間ピッチを有するように構成し、ＩＤＴ電極３における
電極指の対数は５０対とし、図１に示したような菱形の
交差幅重み付けを施したものを形成した。また、反射器
４，５については、ＩＤＴ電極３と同じ波長の電極指幅
及び電極指間ピッチを有し、かつ電極指の数が１０本の
反射器を形成した。
【００２５】上記のようにして得られた実施例の弾性表
面波装置１のインピーダンス−周波数特性を図３に示
す。図３から明らかなように、共振周波数におけるイン
ピーダンスは２．７３Ωであり、***振周波数における
インピーダンスは２．１３ｋΩであった。
面波装置１のインピーダンス−周波数特性を図３に示
す。図３から明らかなように、共振周波数におけるイン
ピーダンスは２．７３Ωであり、***振周波数における
インピーダンスは２．１３ｋΩであった。
【００２６】比較のために、電極材料を異ならせたこと
を除いては、上記弾性表面波装置１と同様にして２種類
の従来の弾性表面波装置を作製した。第１の従来例とし
ては、上記実施例の弾性表面波装置におけるタングステ
ン層に代えて、同じ厚みのタンタル層をスパッタリング
により形成したことを除いては、上記と同様にして得ら
れた弾性表面波装置を用意した。この第１の従来例のイ
ンピーダンス−周波数特性を図４に示す。
を除いては、上記弾性表面波装置１と同様にして２種類
の従来の弾性表面波装置を作製した。第１の従来例とし
ては、上記実施例の弾性表面波装置におけるタングステ
ン層に代えて、同じ厚みのタンタル層をスパッタリング
により形成したことを除いては、上記と同様にして得ら
れた弾性表面波装置を用意した。この第１の従来例のイ
ンピーダンス−周波数特性を図４に示す。
【００２７】第２の従来例としては、表面波基板上にタ
ングステンのみをスパッタリングし、厚み３５００Åの
タングステン膜を形成し、以下実施例の弾性表面波装置
と同様にして得られた弾性表面波装置を用意した。すな
わち、第２の従来例では、積層金属膜ではなく、タング
ステン膜によりＩＤＴ電極３及び反射器４，５を構成し
た。この第２の従来例のインピーダンス−周波数特性を
図５に示す。
ングステンのみをスパッタリングし、厚み３５００Åの
タングステン膜を形成し、以下実施例の弾性表面波装置
と同様にして得られた弾性表面波装置を用意した。すな
わち、第２の従来例では、積層金属膜ではなく、タング
ステン膜によりＩＤＴ電極３及び反射器４，５を構成し
た。この第２の従来例のインピーダンス−周波数特性を
図５に示す。
【００２８】図４及び図５から明らかなように、Ｔａ／
Ａｌ積層金属膜を用いてＩＤＴ電極３及び反射器４，５
を構成した第１の従来例では、共振抵抗は５．４６Ωで
あり、***振抵抗は２．４２ｋΩであり、かつ第２の従
来例では、共振抵抗は７．７３Ω、***振抵抗は１．５
１ｋΩであった。
Ａｌ積層金属膜を用いてＩＤＴ電極３及び反射器４，５
を構成した第１の従来例では、共振抵抗は５．４６Ωで
あり、***振抵抗は２．４２ｋΩであり、かつ第２の従
来例では、共振抵抗は７．７３Ω、***振抵抗は１．５
１ｋΩであった。
【００２９】従って、図３に示した実施例の弾性表面波
装置のインピーダンス−周波数特性と、図４及び図５に
示した従来例におけるインピーダンス−周波数特性とを
比較すれば明らかなように、ＩＤＴ電極３及び反射器
４，５を、Ｗ／Ａｌの積層金属膜により構成することに
より、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜を用いた場合及びタングス
テンのみを用いた場合の何れの場合に比べても、共振抵
抗を低下させ得ることがわかる。従って、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層をこの順序で積層
して得られた積層金属膜によりＩＤＴ電極３及び反射器
４，５を形成することにより、Ｑを大きくすることがで
き、共振抵抗を低め得ることがわかる。よって、上記弾
性表面波装置１は、ラブ波を利用した共振子や帯域フィ
ルタなどの様々な圧電共振部品に好適に用いることがで
きる。
装置のインピーダンス−周波数特性と、図４及び図５に
示した従来例におけるインピーダンス−周波数特性とを
比較すれば明らかなように、ＩＤＴ電極３及び反射器
４，５を、Ｗ／Ａｌの積層金属膜により構成することに
より、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜を用いた場合及びタングス
テンのみを用いた場合の何れの場合に比べても、共振抵
抗を低下させ得ることがわかる。従って、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層をこの順序で積層
して得られた積層金属膜によりＩＤＴ電極３及び反射器
４，５を形成することにより、Ｑを大きくすることがで
き、共振抵抗を低め得ることがわかる。よって、上記弾
性表面波装置１は、ラブ波を利用した共振子や帯域フィ
ルタなどの様々な圧電共振部品に好適に用いることがで
きる。
【００３０】さらに、一般に、質量が大きな電極材料に
より反射器４，５を作製すると、反射器１本当たりの反
射係数を高めることができるので、本実施例のようにＷ
／Ａｌ積層金属膜を用いて反射器４，５を構成した場
合、反射器における電極指の数を低減することができ
る。よって、より小型の反射器付き弾性表面波装置を提
供することができる。
より反射器４，５を作製すると、反射器１本当たりの反
射係数を高めることができるので、本実施例のようにＷ
／Ａｌ積層金属膜を用いて反射器４，５を構成した場
合、反射器における電極指の数を低減することができ
る。よって、より小型の反射器付き弾性表面波装置を提
供することができる。
【００３１】上記のように、Ｗ／Ａｌ積層金属膜よりな
るＩＤＴ電極３を用いた場合、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜よ
りなるＩＤＴを用いた場合に比べて、共振抵抗を低め得
るのは、Ｔａの比抵抗が１２．３Ω・ｍであるのに対
し、Ｗの比抵抗が４．９Ω・ｍと小さいためである。さ
らに、フォトリソグラフィによりＩＤＴ電極を形成する
際に、ウェットエッチングにおいてサイドエッチングが
生じ難いためと思われる。これを、図６及び図７を参照
して説明する。
るＩＤＴ電極３を用いた場合、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜よ
りなるＩＤＴを用いた場合に比べて、共振抵抗を低め得
るのは、Ｔａの比抵抗が１２．３Ω・ｍであるのに対
し、Ｗの比抵抗が４．９Ω・ｍと小さいためである。さ
らに、フォトリソグラフィによりＩＤＴ電極を形成する
際に、ウェットエッチングにおいてサイドエッチングが
生じ難いためと思われる。これを、図６及び図７を参照
して説明する。
【００３２】図６及び図７は、それぞれ、上記のように
して作製された実施例の弾性表面波装置におけるＩＤＴ
電極の要部を示す走査型電子顕微鏡写真であり、図７
は、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜を用いた第１の従来例におけ
るＩＤＴ電極の走査型電子顕微鏡写真である。
して作製された実施例の弾性表面波装置におけるＩＤＴ
電極の要部を示す走査型電子顕微鏡写真であり、図７
は、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜を用いた第１の従来例におけ
るＩＤＴ電極の走査型電子顕微鏡写真である。
【００３３】図６及び図７を比較すれば明らかなよう
に、Ｗ／Ａｌ積層金属膜よりなるＩＤＴ電極では、タン
グステン層の表面すなわち積層金属膜表面に細かな凹凸
が認められ、これに対してＴａ／Ａｌ積層金属膜よりな
るＩＤＴ電極では、表面にこのような凹凸があまり見ら
れない。従って、Ｗ／Ａｌ積層金属膜よりなるＩＤＴ電
極では、フォトレジストの密着強度が上記凹凸により高
められ、それによってウェットエッチングの際に生じる
サイドエッチングが少なくなり、電極指の側面が表面波
基板に直交する方向に近くなっているものと思われる。
に、Ｗ／Ａｌ積層金属膜よりなるＩＤＴ電極では、タン
グステン層の表面すなわち積層金属膜表面に細かな凹凸
が認められ、これに対してＴａ／Ａｌ積層金属膜よりな
るＩＤＴ電極では、表面にこのような凹凸があまり見ら
れない。従って、Ｗ／Ａｌ積層金属膜よりなるＩＤＴ電
極では、フォトレジストの密着強度が上記凹凸により高
められ、それによってウェットエッチングの際に生じる
サイドエッチングが少なくなり、電極指の側面が表面波
基板に直交する方向に近くなっているものと思われる。
【００３４】これに対して、Ｔａ／Ａｌ積層金属膜を用
いたＩＤＴ電極では、上記のような表面の凹凸があまり
存在しないため、フォトレジストの密着強度が低く、ウ
ェットエッチングに際してのサイドエッチングが生じ難
くなり、電極指側面が表面波基板に直交する方向に対し
てより大きな角度で傾斜され、電極指横断面が台形の形
状に近くなっていると思われる。
いたＩＤＴ電極では、上記のような表面の凹凸があまり
存在しないため、フォトレジストの密着強度が低く、ウ
ェットエッチングに際してのサイドエッチングが生じ難
くなり、電極指側面が表面波基板に直交する方向に対し
てより大きな角度で傾斜され、電極指横断面が台形の形
状に近くなっていると思われる。
【００３５】すなわち、本発明の弾性表面波装置では、
Ｗ／Ａｌ積層金属膜によりＩＤＴ電極が形成されている
ので、上記サイドエッチングが起こり難く、それによっ
てＱが高められ、共振抵抗が低められているものと推測
される。
Ｗ／Ａｌ積層金属膜によりＩＤＴ電極が形成されている
ので、上記サイドエッチングが起こり難く、それによっ
てＱが高められ、共振抵抗が低められているものと推測
される。
【００３６】（第２の実施例）本発明に係る弾性表面波
装置は、表面波共振子だけでなく、帯域フィルタなどの
種々の圧電共振部品に利用することができる。第２の実
施例は、図８に示したラダー型フィルタについて適用し
た実施例である。図８は、ラダー型フィルタの回路図を
示し、ここでは、入出力端を結ぶ直列腕に、３個の直列
腕共振子Ｓ１〜Ｓ３が互いに直列に接続されている。ま
た、６個の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ６が、直列腕とアース
電位との間に接続されている。すなわち、１個の直列腕
共振子と、該直列腕共振子の両側に２個の並列腕共振子
を配置してなるπ型フィルタを３段接続してなるラダー
型回路が構成されている。
装置は、表面波共振子だけでなく、帯域フィルタなどの
種々の圧電共振部品に利用することができる。第２の実
施例は、図８に示したラダー型フィルタについて適用し
た実施例である。図８は、ラダー型フィルタの回路図を
示し、ここでは、入出力端を結ぶ直列腕に、３個の直列
腕共振子Ｓ１〜Ｓ３が互いに直列に接続されている。ま
た、６個の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ６が、直列腕とアース
電位との間に接続されている。すなわち、１個の直列腕
共振子と、該直列腕共振子の両側に２個の並列腕共振子
を配置してなるπ型フィルタを３段接続してなるラダー
型回路が構成されている。
【００３７】第２の実施例のラダー型フィルタは、図１
に示した弾性表面波装置１を、上記直列腕共振子Ｓ１〜
Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ６として用い、図８に示
すように接続することにより構成されている。このよう
にして構成されたラダー型フィルタの減衰量周波数特性
を図９に示す。
に示した弾性表面波装置１を、上記直列腕共振子Ｓ１〜
Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ６として用い、図８に示
すように接続することにより構成されている。このよう
にして構成されたラダー型フィルタの減衰量周波数特性
を図９に示す。
【００３８】比較のために、前述した第１の従来例、す
なわちＴａ／Ａｌ積層金属膜によりＩＤＴ電極及び反射
器を構成した弾性表面波装置を用いて構成されたラダー
型フィルタの減衰量周波数特性を図１０に示す。また、
第２の従来例、すなわちタングステン層のみによりＩＤ
Ｔ電極及び反射器を形成してなる弾性表面波装置を用い
て、同様にラダー型フィルタを構成した場合の減衰量周
波数特性を図１１に示す。
なわちＴａ／Ａｌ積層金属膜によりＩＤＴ電極及び反射
器を構成した弾性表面波装置を用いて構成されたラダー
型フィルタの減衰量周波数特性を図１０に示す。また、
第２の従来例、すなわちタングステン層のみによりＩＤ
Ｔ電極及び反射器を形成してなる弾性表面波装置を用い
て、同様にラダー型フィルタを構成した場合の減衰量周
波数特性を図１１に示す。
【００３９】図９から明らかなように、第２の実施例で
は、ラダー型フィルタの最小挿入損失が１．１７ｄＢで
ある。これに対して、第１の従来例の弾性表面波装置を
用いたラダー型フィルタでは、最小挿入損失は２．６９
ｄＢであり、第２の従来例の弾性表面波装置を用いたラ
ダー型フィルタでは、最小挿入損失は３．１４ｄＢであ
る。
は、ラダー型フィルタの最小挿入損失が１．１７ｄＢで
ある。これに対して、第１の従来例の弾性表面波装置を
用いたラダー型フィルタでは、最小挿入損失は２．６９
ｄＢであり、第２の従来例の弾性表面波装置を用いたラ
ダー型フィルタでは、最小挿入損失は３．１４ｄＢであ
る。
【００４０】従って、弾性表面波装置１を用いて上記ラ
ダー型フィルタを構成した場合、第１，第２の従来例の
弾性表面波装置を用いた場合に比べて、挿入損失を低減
し得ることがわかる。これは、ラダー型フィルタを構成
している各弾性表面波装置のＱが高められ、かつ共振抵
抗が低められているためである。
ダー型フィルタを構成した場合、第１，第２の従来例の
弾性表面波装置を用いた場合に比べて、挿入損失を低減
し得ることがわかる。これは、ラダー型フィルタを構成
している各弾性表面波装置のＱが高められ、かつ共振抵
抗が低められているためである。
【００４１】従って、本発明に係る弾性表面波装置を複
数用いて帯域フィルタを構成した場合、挿入損失を効果
的に低減し得ることがわかる。また、前述した通り、一
般に質量の大きな電極材料により反射器４，５を構成し
た場合、反射器１本当たりの反射係数が高くなるため、
反射器の電極指の本数を低減することができる。従っ
て、上記ラダー型フィルタなどの共振子型フィルタを構
成した場合、反射器における電極指の数を低減し得るの
で、フィルタ装置全体の小型化を図ることができる。
数用いて帯域フィルタを構成した場合、挿入損失を効果
的に低減し得ることがわかる。また、前述した通り、一
般に質量の大きな電極材料により反射器４，５を構成し
た場合、反射器１本当たりの反射係数が高くなるため、
反射器の電極指の本数を低減することができる。従っ
て、上記ラダー型フィルタなどの共振子型フィルタを構
成した場合、反射器における電極指の数を低減し得るの
で、フィルタ装置全体の小型化を図ることができる。
【００４２】（その他の変形例）第１の実施例の弾性表
面波装置１では、表面波基板２上に、アルミニウム層及
びタングステン層がこの順序で積層された積層金属膜を
用いていたが、逆に、表面基板上にタングステン層及び
アルミニウム層をこの順序で積層してなる積層金属膜に
よりＩＤＴ電極を形成した場合にも、Ｑを高め、共振抵
抗の低下を図り得ることを確認した。この場合、積層金
属膜表面にはアルミニウム層が位置するが、タングステ
ン層表面が前述した細かな凹凸を有するため、上に積層
されているアルミニウム層表面にも該凹凸に応じた凹凸
が形成され、従って、やはりフォトレジストの密着強度
が高められ、ウェットエッチングの際にサイドエッチン
グの抑制が図られているためと思われる。
面波装置１では、表面波基板２上に、アルミニウム層及
びタングステン層がこの順序で積層された積層金属膜を
用いていたが、逆に、表面基板上にタングステン層及び
アルミニウム層をこの順序で積層してなる積層金属膜に
よりＩＤＴ電極を形成した場合にも、Ｑを高め、共振抵
抗の低下を図り得ることを確認した。この場合、積層金
属膜表面にはアルミニウム層が位置するが、タングステ
ン層表面が前述した細かな凹凸を有するため、上に積層
されているアルミニウム層表面にも該凹凸に応じた凹凸
が形成され、従って、やはりフォトレジストの密着強度
が高められ、ウェットエッチングの際にサイドエッチン
グの抑制が図られているためと思われる。
【００４３】また、タングステン層とアルミニウム層と
の厚みの割合については、何れが上層となる場合でも特
に限定されるわけではないが、好ましくは、タングステ
ン層の厚み：アルミニウム層の厚み＝１０：１〜２：１
の範囲とすればよい。アルミニウム層の厚みがこの範囲
より厚すぎると、タングステン層を積層したことにより
Ｑを向上させる効果が十分に得られないことがあり、ア
ルミニウム層の厚みが上記範囲より薄すぎると、共振抵
抗を低下させる効果が十分に得られないことがある。
の厚みの割合については、何れが上層となる場合でも特
に限定されるわけではないが、好ましくは、タングステ
ン層の厚み：アルミニウム層の厚み＝１０：１〜２：１
の範囲とすればよい。アルミニウム層の厚みがこの範囲
より厚すぎると、タングステン層を積層したことにより
Ｑを向上させる効果が十分に得られないことがあり、ア
ルミニウム層の厚みが上記範囲より薄すぎると、共振抵
抗を低下させる効果が十分に得られないことがある。
【００４４】なお、場合によっては、ＩＤＴ電極の電極
指における反射を利用することにより、表面波のＩＤＴ
電極３における閉じ込め効率を高めることができ、その
場合には、反射器４，５を省略することも可能である。
すなわち、本発明に係る弾性表面波装置では、反射器
４，５は必ずしも設けられずともよい。
指における反射を利用することにより、表面波のＩＤＴ
電極３における閉じ込め効率を高めることができ、その
場合には、反射器４，５を省略することも可能である。
すなわち、本発明に係る弾性表面波装置では、反射器
４，５は必ずしも設けられずともよい。
【００４５】また、上記実施例では、ＹカットＸ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 基板により表面波基板２を構成したが、表
面波基板２を構成する材料については、特に限定され
ず、他のカット角及び伝搬方向とした圧電単結晶基板、
例えば、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 、回転Ｚカッ
トＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 、回転Ｙカット水晶などを用いる
ことも可能である。
ＬｉＮｂＯ3 基板により表面波基板２を構成したが、表
面波基板２を構成する材料については、特に限定され
ず、他のカット角及び伝搬方向とした圧電単結晶基板、
例えば、回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 、回転Ｚカッ
トＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 、回転Ｙカット水晶などを用いる
ことも可能である。
【００４６】また、第１の実施例の弾性表面波装置１で
は、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５の何れもが、アルミ
ニウム層及びタングステン層をこの順序で積層した積層
金属膜を用いて構成されていたが、弾性表面波装置１に
おいて、反射器４，５のみを上記積層金属膜により構成
し、ＩＤＴ電極３については、上記積層金属膜以外の材
料で構成してもよい。
は、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５の何れもが、アルミ
ニウム層及びタングステン層をこの順序で積層した積層
金属膜を用いて構成されていたが、弾性表面波装置１に
おいて、反射器４，５のみを上記積層金属膜により構成
し、ＩＤＴ電極３については、上記積層金属膜以外の材
料で構成してもよい。
【００４７】すなわち、ＩＤＴ電極を、例えば、表面波
装置の電極材料として慣用されているアルミニウムなど
の金属により構成し、反射器４，５のみを上記積層金属
膜により構成してもよい。この場合、上記積層金属膜を
用いて構成された反射器４，５の反射係数が高められる
ため、反射器４，５の小型化、ひいては弾性表面波装置
全体の小型化を図ることが可能となる。
装置の電極材料として慣用されているアルミニウムなど
の金属により構成し、反射器４，５のみを上記積層金属
膜により構成してもよい。この場合、上記積層金属膜を
用いて構成された反射器４，５の反射係数が高められる
ため、反射器４，５の小型化、ひいては弾性表面波装置
全体の小型化を図ることが可能となる。
【００４８】上記のように、反射器４，５のみを積層金
属膜により構成する場合、逆に、表面波基板上にタング
ステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層されてい
るものであってもよい。
属膜により構成する場合、逆に、表面波基板上にタング
ステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層されてい
るものであってもよい。
【００４９】さらに、上記のように、アルミニウム層と
タングステン層とを積層してなる積層金属膜により構成
される反射器は、反射係数を高め、反射器の小型化及び
弾性表面波装置の小型化を図り得るものであるため、図
１に示した構造の弾性表面波装置１に限らず、従来より
公知の様々な反射器付き弾性表面波装置に一般的に適用
することができる。例えば、レイリー波を利用した反射
器付きの弾性表面波フィルタにおいても、反射器を上記
積層金属膜により構成することにより小型化を図り得
る。
タングステン層とを積層してなる積層金属膜により構成
される反射器は、反射係数を高め、反射器の小型化及び
弾性表面波装置の小型化を図り得るものであるため、図
１に示した構造の弾性表面波装置１に限らず、従来より
公知の様々な反射器付き弾性表面波装置に一般的に適用
することができる。例えば、レイリー波を利用した反射
器付きの弾性表面波フィルタにおいても、反射器を上記
積層金属膜により構成することにより小型化を図り得
る。
【００５０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る弾性表面波
装置では、タングステン層及びアルミニウム層を積層し
てなる積層金属膜によりＩＤＴ電極が構成されているの
で、Ｑを大きくすることができ、共振抵抗の小さい弾性
表面波装置を提供することが可能となる。従って、例え
ばラブ波を利用した圧電共振子や帯域フィルタなどの様
々な圧電共振部品に最適な弾性表面波装置を提供するこ
とが可能となる。加えて、上記積層金属膜を用いている
ため、電極指の反射係数が高められ、従って、Ａｌのみ
からなるＩＤＴ電極を用いた場合に比べてＩＤＴ電極の
膜厚を薄くすることができ、従って、電極指形成に際し
ての加工を容易に行うことができる。加えて、金、銀、
白金などの高価な貴金属を用いる必要がないため、弾性
表面波装置のコストを低減することが可能となる。
装置では、タングステン層及びアルミニウム層を積層し
てなる積層金属膜によりＩＤＴ電極が構成されているの
で、Ｑを大きくすることができ、共振抵抗の小さい弾性
表面波装置を提供することが可能となる。従って、例え
ばラブ波を利用した圧電共振子や帯域フィルタなどの様
々な圧電共振部品に最適な弾性表面波装置を提供するこ
とが可能となる。加えて、上記積層金属膜を用いている
ため、電極指の反射係数が高められ、従って、Ａｌのみ
からなるＩＤＴ電極を用いた場合に比べてＩＤＴ電極の
膜厚を薄くすることができ、従って、電極指形成に際し
ての加工を容易に行うことができる。加えて、金、銀、
白金などの高価な貴金属を用いる必要がないため、弾性
表面波装置のコストを低減することが可能となる。
【００５１】加えて、タングステン層及びアルミニウム
層を積層してなる積層金属膜については、反応性イオン
エッチングにより形成することも可能である。すなわ
ち、タンタル膜については、反応性イオンエッチングで
形成することができないのに対し、タングステン膜はフ
ッ素系ガスを用いたプラズマ中で反応性イオンエッチン
グにより形成することができ、Ａｌ膜は塩素系ガスを用
いたプラズマ中で反応性イオンエッチングにより形成す
ることができる。従って、請求項１に記載の発明のよう
に、ＩＤＴ電極をタングステン層及びアルミニウム層の
積層金属膜により構成する場合、同じ真空チャンバを用
い、上記ガスを入れ替えることにより、積層金属膜を反
応性イオンエッチングにより容易に形成することができ
る。よって、請求項１に記載の発明によれば、反応性イ
オンエッチング法を用いて形成し得るので、効率よくＩ
ＤＴ電極を形成し得ると共に、電極形成手法の範囲を拡
げることも可能となる。
層を積層してなる積層金属膜については、反応性イオン
エッチングにより形成することも可能である。すなわ
ち、タンタル膜については、反応性イオンエッチングで
形成することができないのに対し、タングステン膜はフ
ッ素系ガスを用いたプラズマ中で反応性イオンエッチン
グにより形成することができ、Ａｌ膜は塩素系ガスを用
いたプラズマ中で反応性イオンエッチングにより形成す
ることができる。従って、請求項１に記載の発明のよう
に、ＩＤＴ電極をタングステン層及びアルミニウム層の
積層金属膜により構成する場合、同じ真空チャンバを用
い、上記ガスを入れ替えることにより、積層金属膜を反
応性イオンエッチングにより容易に形成することができ
る。よって、請求項１に記載の発明によれば、反応性イ
オンエッチング法を用いて形成し得るので、効率よくＩ
ＤＴ電極を形成し得ると共に、電極形成手法の範囲を拡
げることも可能となる。
【００５２】請求項２に記載の発明では、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなるＩＤＴ電極が形成されている
が、タングステン層表面が微小な凹凸を有するため、フ
ォトリソグラフィに際してフォトレジストの密着強度が
高められ、従って、ウェットエッチングの際のサイドエ
ッチングが生じ難い。よって、上記のようにＱの向上及
び共振抵抗の低減を図り得る。
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなるＩＤＴ電極が形成されている
が、タングステン層表面が微小な凹凸を有するため、フ
ォトリソグラフィに際してフォトレジストの密着強度が
高められ、従って、ウェットエッチングの際のサイドエ
ッチングが生じ難い。よって、上記のようにＱの向上及
び共振抵抗の低減を図り得る。
【００５３】請求項３に記載の発明では、表面波基板上
にタングステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなるＩＤＴ電極が形成されている
が、タングステン層表面に微小な凹凸が存在し、アルミ
ニウム層がこの凹凸を有するタングステン層表面に形成
されているので、アルミニウム層表面にも凹凸が生じ、
やはりフォトレジストの密着強度が高められ、ウェット
エッチングの際のサイドエッチングが抑制される。従っ
て、請求項２に記載の発明の場合と同様に、Ｑの向上及
び共振抵抗の低下を図り得る。
にタングステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなるＩＤＴ電極が形成されている
が、タングステン層表面に微小な凹凸が存在し、アルミ
ニウム層がこの凹凸を有するタングステン層表面に形成
されているので、アルミニウム層表面にも凹凸が生じ、
やはりフォトレジストの密着強度が高められ、ウェット
エッチングの際のサイドエッチングが抑制される。従っ
て、請求項２に記載の発明の場合と同様に、Ｑの向上及
び共振抵抗の低下を図り得る。
【００５４】請求項４に記載の発明では、タングステン
層及びアルミニウム層を積層してなる積層金属膜よりな
る反射器がさらに備えられているので、反射器付きの弾
性表面波装置を提供することができる。しかも、反射器
についても、この積層金属膜により構成されているの
で、反射係数が高められ、反射器の電極指の本数を低減
することができ、従来の弾性表面波装置に比べて小型の
反射器付き弾性表面波装置を提供することが可能とな
る。
層及びアルミニウム層を積層してなる積層金属膜よりな
る反射器がさらに備えられているので、反射器付きの弾
性表面波装置を提供することができる。しかも、反射器
についても、この積層金属膜により構成されているの
で、反射係数が高められ、反射器の電極指の本数を低減
することができ、従来の弾性表面波装置に比べて小型の
反射器付き弾性表面波装置を提供することが可能とな
る。
【００５５】請求項５に記載の発明では、ＹカットＸ伝
搬ＬｉＮｂＯ3 基板により表面基板が構成されているの
で、上記積層金属膜よりなるＩＤＴ電極の形成により、
共振抵抗が低いラブ波を利用した弾性表面波装置を提供
することが可能となる。
搬ＬｉＮｂＯ3 基板により表面基板が構成されているの
で、上記積層金属膜よりなるＩＤＴ電極の形成により、
共振抵抗が低いラブ波を利用した弾性表面波装置を提供
することが可能となる。
【００５６】また、請求項６に記載の発明では、タング
ステン層及びアルミニウム層を積層してなる積層金属膜
により反射器が構成されているので、反射器の反射係数
が高められ、従って反射器の寸法を小さくすることがで
きる。よって、反射器の小型化を図り得るため、従来の
弾性表面波装置に比べて小型の反射器付き弾性表面波装
置を提供することが可能となる。
ステン層及びアルミニウム層を積層してなる積層金属膜
により反射器が構成されているので、反射器の反射係数
が高められ、従って反射器の寸法を小さくすることがで
きる。よって、反射器の小型化を図り得るため、従来の
弾性表面波装置に比べて小型の反射器付き弾性表面波装
置を提供することが可能となる。
【００５７】加えて、上記積層金属膜を用いているた
め、電極指の反射係数が高められ、従って、Ａｌのみか
らなる反射器を用いた場合に比べて、反射器の膜厚を薄
くすることもでき、よって、電極指形成に際しての加工
を容易に行うことができる。加えて、金、銀、白金など
の高価な貴金属を用いる必要がないため、弾性表面波装
置のコストを低減することも可能となる。
め、電極指の反射係数が高められ、従って、Ａｌのみか
らなる反射器を用いた場合に比べて、反射器の膜厚を薄
くすることもでき、よって、電極指形成に際しての加工
を容易に行うことができる。加えて、金、銀、白金など
の高価な貴金属を用いる必要がないため、弾性表面波装
置のコストを低減することも可能となる。
【００５８】さらに、請求項１に記載の発明の場合と同
様に、上記積層金属膜については、反応性イオンエッチ
ングにより形成することも可能である。従って、反応性
イオンエッチング法を用いて反射器を形成し得るため、
効率良く反射器を形成し得ると共に、反射器形成手法の
範囲を広げることも可能となる。
様に、上記積層金属膜については、反応性イオンエッチ
ングにより形成することも可能である。従って、反応性
イオンエッチング法を用いて反射器を形成し得るため、
効率良く反射器を形成し得ると共に、反射器形成手法の
範囲を広げることも可能となる。
【００５９】請求項７に記載の発明では、表面波基板上
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなる反射器が形成されているが、
タングステン層表面が微小な凹凸を有するため、フォト
リソグラフィーに際してフォトレジストの密着強度が高
められ、ウェットエッチングの際のサイドエッチングが
生じ難い。
にアルミニウム層及びタングステン層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなる反射器が形成されているが、
タングステン層表面が微小な凹凸を有するため、フォト
リソグラフィーに際してフォトレジストの密着強度が高
められ、ウェットエッチングの際のサイドエッチングが
生じ難い。
【００６０】請求項８に記載の発明では、表面波基板上
にタングステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなる反射器が形成されているが、
タングステン層表面に微小な凹凸が存在し、アルミニウ
ム層がこの凹凸を有するタングステン層表面に形成され
ているので、アルミニウム層表面にも凹凸が生じ、やは
りフォトレジストの密着強度が高められ、ウェットエッ
チングの際のサイドエッチングを抑制することができ
る。
にタングステン層及びアルミニウム層がこの順序で積層
されて積層金属膜よりなる反射器が形成されているが、
タングステン層表面に微小な凹凸が存在し、アルミニウ
ム層がこの凹凸を有するタングステン層表面に形成され
ているので、アルミニウム層表面にも凹凸が生じ、やは
りフォトレジストの密着強度が高められ、ウェットエッ
チングの際のサイドエッチングを抑制することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置を
示す模式的平面図。
示す模式的平面図。
【図２】図１に示した弾性表面波装置のＡ−Ａ線に沿う
部分の一部を拡大して示す正面断面図。
部分の一部を拡大して示す正面断面図。
【図３】第１の実施例の弾性表面波装置のインピーダン
ス−周波数特性を示す図。
ス−周波数特性を示す図。
【図４】第１の従来例のインピーダンス−周波数特性を
示す図。
示す図。
【図５】第２の従来例のインピーダンス−周波数特性を
示す図。
示す図。
【図６】実施例の弾性表面波装置のＩＤＴ電極の表面の
状態を説明するための走査型電子顕微鏡写真。
状態を説明するための走査型電子顕微鏡写真。
【図７】第１の従来例のＩＤＴ電極の表面の状態を説明
するための走査型電子顕微鏡写真。
するための走査型電子顕微鏡写真。
【図８】第２の実施例で構成されるラダー型フィルタの
回路構成を示す図。
回路構成を示す図。
【図９】第２の実施例で構成されたラダー型フィルタの
減衰量周波数特性を示す図。
減衰量周波数特性を示す図。
【図１０】比較のために用意した第１の従来例の弾性表
面波装置を用いて構成されたラダー型フィルタの減衰量
周波数特性を示す図。
面波装置を用いて構成されたラダー型フィルタの減衰量
周波数特性を示す図。
【図１１】比較のために用意した第２の従来例の弾性表
面波装置を用いて構成されたラダー型フィルタの減衰量
周波数特性を示す図。
面波装置を用いて構成されたラダー型フィルタの減衰量
周波数特性を示す図。
１…弾性表面波装置 ２…表面波基板 ３…ＩＤＴ電極 ３ｃ…アルミニウム層 ３ｄ…タングステン層 ３ｅ…積層金属膜 ４，５…反射器
Claims (9)
- 【請求項１】 タングステン層とアルミニウム層とを積
層してなる積層金属膜により構成されているインターデ
ジタル電極を有することを特徴とする、弾性表面波装
置。 - 【請求項２】 表面波基板上にアルミニウム層及びタン
グステン層がこの順序で積層されて前記積層金属膜より
なるインターデジタル電極が形成されている、請求項１
に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 表面波基板上にタングステン層及びアル
ミニウム層がこの順序で積層されて前記積層金属膜より
なるインターデジタル電極が形成されている、請求項１
に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 タングステン層及びアルミニウム層を積
層してなる積層金属膜よりなる反射器をさらに備えるこ
とを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項５】 表面波基板が、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂ
Ｏ3 基板である、請求項１〜４の何れかに記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項６】 タングステン層とアルミニウム層とを積
層してなる積層金属膜により構成されている反射器を有
することを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項７】 表面波基板上にアルミニウム層及びタン
グステン層がこの順序で積層されて前記積層金属膜より
なる反射器が形成されている、請求項６に記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項８】 表面波基板上にタングステン層及びアル
ミニウム層がこの順序で積層されて前記積層金属膜より
なる反射器が形成されている、請求項６に記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項９】 前記弾性表面波装置が、ラブ波を利用し
た弾性表面波装置である、請求項１〜８の何れかに記載
の弾性表面波装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9249531A JPH1174751A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 弾性表面波装置 |
| TW087113897A TW425758B (en) | 1997-08-28 | 1998-08-24 | Surface acoustic wave device |
| US09/140,509 US6271617B1 (en) | 1997-08-28 | 1998-08-26 | Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer |
| KR1019980034919A KR100312001B1 (ko) | 1997-08-28 | 1998-08-27 | 탄성표면파장치 |
| DE19839247A DE19839247B4 (de) | 1997-08-28 | 1998-08-28 | Oberflächenwellenbauelement |
| CNB981185185A CN1144360C (zh) | 1997-08-28 | 1998-08-28 | 声表面波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9249531A JPH1174751A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174751A true JPH1174751A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=17194376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9249531A Pending JPH1174751A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 弾性表面波装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6271617B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1174751A (ja) |
| KR (1) | KR100312001B1 (ja) |
| CN (1) | CN1144360C (ja) |
| DE (1) | DE19839247B4 (ja) |
| TW (1) | TW425758B (ja) |
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| JP2014192676A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Panasonic Corp | 弾性波素子 |
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| JP3391309B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
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| DE10135871B4 (de) * | 2001-07-24 | 2012-10-25 | Epcos Ag | Wandler für Oberflächenwellen mit verbesserter Unterdrückung störender Anregung |
| JP2004260793A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
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| CN111108689B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-09-26 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
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| US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
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| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
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1998
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