JP3301399B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JP3301399B2
JP3301399B2 JP00419799A JP419799A JP3301399B2 JP 3301399 B2 JP3301399 B2 JP 3301399B2 JP 00419799 A JP00419799 A JP 00419799A JP 419799 A JP419799 A JP 419799A JP 3301399 B2 JP3301399 B2 JP 3301399B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶基板を用いた
弾性表面波装置に関し、より詳細には、水晶基板と電極
との組み合わせを工夫することにより、良好かつ安定な
共振特性を得ることを可能とした弾性表面波装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】圧電基板として水晶基板を用いた弾性表
面波装置が特公昭61−45892号公報に開示されて
いる。
【0003】この先行技術に記載の弾性表面波装置で
は、水晶回転Y板よりなる水晶基板上に、金電極よりな
る送信用及び受信用のインターデジタルトランスデュー
サが形成されている。ここでは、インターデジタルトラ
ンスデューサ(以下、IDT)の電極膜厚をh0 、電極
指の幅をa、電極指の間げきをb、励振される表面波の
波長λとしたときに、X={a/(a+b)}(h0
λ)で表されるXと、切断方位θとが、θ=(−187
07.5X2 +21.429X+129.5)とするこ
とにより、周波数温度特性が改善されるとされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記弾
性表面波装置では、IDTを構成する電極材料として金
電極を用いているため、コストが高くつくこと、並びに
加工が困難であることなどの問題があった。
【0005】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、安価であり、かつ電極構造の加工が容易であ
り、さらに良好かつ安定な特性を得ることを可能とする
弾性表面波装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、オイラー角(0,θ,90°)において、θが、1
22°≦θ≦131°である水晶基板と、前記水晶基板
上に形成されておりTaまたはWを含む電極材料によ
り、構成されているIDTとを備え、励振される表面波
の波長をλとしたときに、前記インターデジタルトラン
スデューサの電極指交叉幅が40λ以下であることを特
徴とする。
【0007】
【0008】求項に記載の発明では、前記IDTを
構成する電極材料がTaであり、IDTの膜厚をh、I
DTの電極指のメタライゼーションレシオをdとしたと
きに、θが、 θ=125.44+108.27×d×h/λ±1.2 …式(1) とされている。
【0009】請求項に記載の発明では、前記IDTを
構成する電極材料がWであり、IDTの膜厚をh、ID
Tの電極指のメタライゼーションレシオをdとしたとき
に、θが、 θ=125.70+49.87×d×h/λ±1.2 …式(2) とされている。
【0010】請求項に記載の発明では、前記IDTの
表面波伝搬方向両側に配置された反射器がさらに備えら
れており、それによって弾性表面波共振子が構成されて
おり、前記IDTの電極指の対数をNIDTとしたとき
に、NIDTが200以下とされている。
【0011】請求項に記載の発明では、前記NIDT
100以下とされている。また、請求項に記載の発明
では、前記NIDTが20以下とされている。請求項
記載の発明では、前記IDTの表面波伝搬方向両側に配
置されており、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延
びる複数本の電極指の両端を短絡することにより構成さ
れた反射器がさらに備えられており、それによって弾性
表面波共振子が構成されており、前記反射器の電極指の
本数をNREFとしたときに、NREFが20以下とされてい
る。
【0012】請求項に記載の発明は、弾性表面波共振
子としての請求項のいずれかに記載の弾性表面波
装置を用いて構成されていることを特徴とする弾性表面
波フィルタである。
【0013】請求項に記載の発明は、第1,第2のI
DTを有する縦結合型弾性表面波フィルタであり、オイ
ラー角(0,θ,90°)において、θが、125°≦
θ≦128°である水晶基板と、前記水晶基板上におい
てギャップを隔てて配置されており、TaまたはWを含
む電極材料により構成されている第1,第2のIDT
と、前記第1,第2のIDTの設けられている領域の表
面波伝搬方向両側に配置された反射器とを備え、第1,
第2のIDT間のギャップの表面波伝搬方向に沿う寸法
をG、x=G/λ、各IDTの電極指の対数をNIDT
したときに、NIDTがNIDT MAX(x)以下とされてお
り、但し、NIDT MAX(x)=338{x−(0.22+
0.55n)}2 +25であり、nは、−0.055+
0.55n≦x<0.495+0.55nで定まる整数
であることを特徴とする。
【0014】請求項1に記載の発明は、第1,第2の
IDTを有する縦結合型弾性表面波フィルタであって、
オイラー角(0,θ,90°)において、θが、125
°≦θ≦128°である水晶基板と、前記水晶基板上に
おいてギャップを隔てて配置されており、TaまたはW
を含む電極材料により構成されている第1,第2のID
Tと、前記第1,第2のIDTの設けられている領域の
表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを備え、前記
反射器の電極指の数をNREFとしたときに、NREFが20
以下とされていることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る弾性表面波装置の非限定的な構造例を説明すること
により、本発明を明らかにする。
【0016】図1は、本発明の第1の実施例に係る弾性
表面波共振子を説明するための平面図である。弾性表面
波共振子1は、矩形の水晶基板2を用いて構成されてい
る。この水晶基板2では、オイラー角(0,θ,90
°)において、θが122°≦θ≦131°とされてい
る。
【0017】水晶基板2上には、IDT3が形成されて
いる。IDT3は、一対のくし歯電極3a,3bを有
し、くし歯電極3a,3bの電極指は互いに間挿し合っ
ている。また、IDT3の表面伝搬方向両側に、複数の
電極指を両端で短絡してなるグレーティング型反射器
4,5が配置されている。
【0018】上記IDT3及び反射器4,5は、タング
ステン(W)により形成されている。製造に際しては、
水晶基板2上に、タングステンを蒸着、CVD、メッ
キ、スパッタリングなどの薄膜形成法により付与するこ
とにより、IDT3及び反射器4,5が形成されてい
る。
【0019】本実施例の弾性表面波共振子1では、オイ
ラー角(0,θ,90°)において、θが122°〜1
31°の範囲とされているので、SHタイプの表面波を
利用することにより、帯域幅を広げることができる。従
って、温度変化による中心周波数の変動に対する余裕度
を高めることができる。これを、以下において説明す
る。
【0020】周波数温度特性が良好であるため、従来よ
り多用されているSTカットX伝搬水晶基板におけるレ
イリー波の電気機械結合係数K2 は0.14%である。
これに対して、上記特定のオイラー角を有する本実施例
で用いられている水晶基板でラブ波や擬似ラブ波を励振
した場合、その電気機械結合係数K2 は0.64%であ
る。
【0021】一般に、弾性表面波装置の帯域は電気機械
結合係数K2 に比例する。従って、上記STカットX伝
搬水晶基板を用い、レイリー波を利用した従来の弾性表
面波装置の中心周波数がf0 =200MHz及び帯域が
50KHzとすると、本実施例の弾性表面波共振子1で
は、電気機械結合係数K2 が上記STカットX伝搬水晶
基板のレイリー波を用いた弾性表面波装置に比べて約
4.6倍であるため、本実施例の弾性表面波共振子1で
は、帯域は230KHzとなる。
【0022】この帯域の差、すなわち230−50=1
80KHzが、温度特性による中心周波数の変動に対す
る余裕となる。すなわち、温度変化に伴う周波数のずれ
に対して、本実施例の弾性表面波共振子1を用いたフィ
ルタでは、上記の場合±90KHzの余裕がある。この
帯域の余裕度をf0 =200MHzに換算すると、18
0KHz/200MHz=900ppmとなるため、通
過域の低周波側に−450ppm、高周波側に+450
ppmとなる。他方、STカットX伝搬水晶基板のレイ
リー波を用いた弾性表面波装置で要求されている1℃あ
たりの、周波数変化率は±1ppm/℃以下である。本
実施例の弾性表面波共振子1を用いたフィルタでは、温
度変化に伴う中心周波数の変動に対する余裕度が、上記
したように900ppmであるため、実使用温度範囲
(−10℃〜50℃)を考えた場合、1℃あたり900
ppm/60℃=15ppm/℃分余裕度が増すことに
なる。後述のように、本発明の弾性表面波装置では、−
20℃〜80℃間の100℃の温度変化に対する周波数
変化率が100ppm以下、すなわち、1℃あたり1p
pm/℃以下を示す最適カット角は、オイラー角(0,
θ,90°)でθ=125°〜128°である。この範
囲内のある角度をθ′として、この特定の角度θ′を基
準として、前後に種々角度を変化させて弾性表面波共振
子の温度特性を測定した。結果を図2に示す。なお、
θ′=125°及びθ′=128°の場合、同様の傾向
を示したため、125°〜128°内であれば、θ′は
どの角度であっても同じ傾向を示すと考えられる。図2
に示されているように、θ′+3°で15ppm/℃、
θ′−3°で−15ppm/℃となるため、一般に要求
されているレベルの温度特性は122°≦θ≦131°
で得られることがわかる。
【0023】すなわち、θを122〜131°の範囲と
することにより、温度変化に伴う中心周波数の変動に対
する余裕度が高められ、周波数温度特性が良好な弾性表
面波共振子及びそれを用いたフィルタなどの装置が得ら
れることがわかる。さらに、図2から明らかなように、
θを125〜128°の範囲とした場合には、より一層
周波数温度特性を良好とし得ることがわかる。
【0024】なお、水晶基板のカット角については製造
誤差が±0.3°であるため、ほぼねらい通りのカット
角を実現することができるが、表面波伝搬方向について
は、露光技術にもよるが製造誤差は±2°程度ある。従
って、カット角90°を目的とした場合であっても、実
際に製造された弾性表面波共振子では、カット角は88
〜92°の範囲にあたることがある。しかしながら、伝
搬方向についてはそれほど特性に大きく影響を与えない
ため、上記のように±2°程度伝搬方向がずれたとして
も、本発明の効果を得ることができることを指摘してお
く。
【0025】次に、弾性表面波共振子のより好ましい例
として、オイラー角(0,θ,90°)におけるθが1
25〜130°の範囲にある弾性表面波共振子の共振特
性について説明する。すなわち、このようなオイラー角
の水晶基板を用いた弾性表面波共振子1のインピーダン
ス−周波数特性を図3に示す。図3から明らかなよう
に、タングステンを電極材料として用いてIDT3及び
反射器4,5を形成した場合であっても、良好な共振特
性の得られることがわかる。従って、良好な共振特性を
有する弾性表面波共振子1を安価に提供し得ることがわ
かる。また、上記タングステンよりなるIDT3及び反
射器4,5は、金電極を用いた場合に比べて、水晶基板
への密着強度が強固であるため、加工も容易であり、従
って、IDT3及び反射器4,5を高精度に形成するこ
とができる。
【0026】なお、図3に示した特性は、1.5×1.
8×0.4mmの水晶基板であって、θが126°であ
って、IDT3が電極指の対数=25対、反射器4,5
の電極指4a,5aの数が、それぞれ10本である場合
の特性を示す。
【0027】本願発明者らは、上記のように、オイラー
角(0,θ,90°)において、θ=126°とした水
晶基板を用い、タングステンによりIDT3及び反射器
4,5を形成すれば、良好な共振特性の得られることを
実験的に見出した。そこで、上記θを種々変更し、図3
に示したような良好な共振特性が得られるカット角を調
べた。すなわち、θを除いては、上記弾性表面波共振子
1と同様に、種々の弾性表面波共振子を作製し、その特
性を評価した。結果を図4に示す。図4における横軸は
θを、縦軸はインピーダンス比を示す。図4から明らか
なように、θを、125°以上、128°以下とした場
合、図3に示した共振特性と同様に、良好な共振特性を
有することが確かめられた。
【0028】本願発明者らは、上述した結果を踏まえ、
さらに共振特性の温度変化が少ない、すなわち温度特性
が良好な弾性表面波共振子を得るべく種々検討した。そ
の結果、IDTを構成する電極材料がTaであり、ID
Tの膜厚をh、IDTの電極指のメタライゼーションレ
シオをdとしたときに、θを、 θ=125.44+108.27×d×h/λ±1.2 …(1) の範囲とすればよいことを見出した。なお、IDTのメ
タライゼーションレシオdとは、IDTの電極指の幅を
1 、電極指間のギャップの幅をd2 としたときに、d
=d1 /(d1 +d2 )で表される値である。
【0029】図5は、θ=127°である、すなわちオ
イラー角(0,127°,90°)の水晶基板上に、T
aからなるIDTをh/λ=0.02となる厚みに、か
つd=0.6となるように形成した場合の弾性表面波共
振子1の周波数温度特性を示す。なお、図5において、
(f−f20)/f20〔ppm〕は、20℃を基準とした
ときの共振周波数fの周波数変化率を示す。図5では、
頂点温度は34℃であり、−20℃から80℃での共振
周波数の周波数変化率は99ppmである。
【0030】図6は、−20℃から80℃での共振周波
数の周波数変化率が一定となる場合のd×(h/λ)と
θとの関係を示す。図6において、実線A,Bの範囲
が、共振周波数の周波数変化率が100ppm以内の範
囲を示し、実線Cと実線Dとの間の範囲が周波数変化率
が200ppm以内である範囲を示す。
【0031】すなわち、図6の直線C,D間の領域を誤
差を含めて式で表すと、上述した式(1)となる。ま
た、図6の実線A,Bの間の範囲を誤差を含めて式で表
すと、 θ=125.44+108.27×d×(h/λ)±0.3 …式(3) となる。
【0032】よって、電極材料としてTaを用いた場合
には、θを、上述した式(1)を満たす範囲とすること
により、より好ましくは、式(3)を満たす範囲とする
ことにより良好な温度特性を発揮し得る弾性表面波共振
子を提供し得ることがわかる。
【0033】また、本願発明者らは、電極材料として、
Taに代えて、Wを用いたことを除いては、上記と同様
にして温度特性が良好な弾性表面波共振子を得るべく検
討した。その結果、θを、 θ=125.70+49.87×d×h/λ±1.2 …式(2) の範囲とすればよいことを見出した。
【0034】図7は、Wを用いた場合の図6に相当する
図であり、−20℃から80℃での共振周波数の周波数
変化率が一定となる場合のd×(h/λ)とθとの関係
を示す。なお、図7において、実線E,Fで挟まれた範
囲が共振周波数の周波数変化率が100ppm以内の範
囲であり、実線G,Hの間の範囲が周波数変化率が20
0ppm以下の範囲であることを示す。
【0035】図7の実線G,Hで挟まれた範囲を、誤差
を含めて式で表すと、上述した式(2)となる。また、
図7の直線E,Fで挟まれる範囲を誤差を含めて式で表
すと、 θ=125.70+49.87×d×(h/λ)±0.3 …式(4) となる。
【0036】よって、θを、上述した式(2)を満たす
範囲とすることにより、より好ましくは式(4)を満た
す範囲とすることにより、−20〜80℃の範囲内での
共振周波数の周波数変化率が200ppm以内、より好
ましくは100ppm以内とされた弾性表面波共振子1
を提供し得ることがわかる。
【0037】なお、上述した実施例では、IDT3及び
反射器4,5をタンタルまたはタングステンを用いて構
成したが、IDT3のみをタンタルやタングステンで構
成してもよい。
【0038】さらに、IDT3については、その全体を
タンタルやタングステンで構成する必要は必ずしもな
く、WもしくはTaに、他の金属材料からなる薄膜を積
層した構造であってもよい。
【0039】本願発明者らは、上記特定のオイラー角の
水晶基板上に、TaまたはWを含む電極材料により構成
されたIDTを形成した弾性表面波装置においては、I
DTの電極指交叉幅を40λ以下とすれば、横モードに
よるスプリアスを抑圧し得ることを見出した。
【0040】すなわち、オイラー角(0,127°,9
0°)の水晶基板上に、TaからなるIDTをh/λ=
0.02、及びd=0.6となるように形成して、図1
に示した弾性表面波共振子を構成した。また、IDTの
電極指の対数NIDT を50とし、電極指交叉幅を種々変
化させて複数種の弾性表面波共振子1を作製し、インピ
ーダンス−周波数特性を測定した。結果を図8〜図10
に示す。なお、図8〜図10の横軸は、周波数をf、共
振周波数をfrとしたとき(f−fr)/fr×100
(%)で表される共振周波数による規格化周波数であ
る。
【0041】図8は、電極指交叉幅が25λの場合を、
図9は電極指交叉幅が40λの場合を、図10は電極指
交叉幅が100λの場合の結果を、それぞれ示す。図1
0から明らかなように、電極指交叉幅が100λの場
合、矢印Iで示すように、共振点と***振点との間に、
すなわち帯域内に横モードによる大きなスプリアスが発
生している。これに対して、図8及び図9に示す特性で
は、共振点と***振点との間に、このようなスプリアス
が現れていない。
【0042】上記スプリアスは、基本モードの振動に対
して、高次モードの振動が近接していることにより生じ
ると考えられる。従って、図9から、高次モードに起因
するスプリアスを抑圧するには、電極指交叉幅を40λ
以下となるように構成すればよいことがわかる。
【0043】よって、本発明に係る弾性表面波装置にお
いては、IDTの電極指交叉幅を40λ以下とすること
により帯域内スプリアスを効果的に抑圧することがで
き、良好な共振特性を得ることができる。
【0044】なお、上述した式(1)及び(2)に示す
ように、θを調整し、良好な温度特性を実現すること、
並びに電極指交叉幅を40λ以下とすることにより帯域
内におけるスプリアスを抑圧する構成については、上記
弾性表面波共振子1だけでなく、弾性表面波フィルタな
どの他の弾性表面波装置にも適用することができ、同様
の効果を得ることができる。
【0045】次に、本願発明者らは、IDTの表面伝搬
方向両側に反射器が配置された弾性表面波共振子、すな
わち図1に示したような弾性表面波共振子1における、
IDTの電極指の対数NIDT の特性に与える影響を調べ
た。反射器4,5の影響をなくすために、反射器4,5
を設けずに、オイラー角(0,127°,90°)の水
晶基板上に、TaからなるIDTをh/λ=0.02、
かつd=0.6となるように形成し弾性表面波共振子を
構成した。IDTの電極指の対数NIDT を種々変化さ
せ、得られた複数種の弾性表面波共振子のインピーダン
ス比を測定した。結果を図11に示す。なお、インピー
ダンス比とは、共振抵抗をro、***振抵抗をraとし
たときに、20log(ra/ro)で表される値であ
る。
【0046】図11から明らかなように、NIDT が増加
するにつれて、インピーダンス比が大きくなり、NIDT
が200を超えると、インピーダンス比が飽和してい
る。従って、上記NIDT を200以下とすれば、NIDT
の数を調整することにより、適切なインピーダンス比の
弾性表面波装置の得られることがわかる。
【0047】よって、本発明に従って、上記特定のオイ
ラー角の水晶基板上に、TaからなるIDTを形成した
弾性表面波共振子においては、IDTの対数を200以
下とすることにより、適切なインピーダンス比の弾性表
面波共振子を容易に提供することができ、それによって
所望の特性を容易に実現することができる。
【0048】同様に、本願発明者らは、上記弾性表面波
共振子1について、NIDT を種々変更し、比帯域幅(f
a−fr)/fr及び共振抵抗roを測定した。結果を
図12及び図13にそれぞれ示す。
【0049】図12から明らかように、比帯域幅につい
ては、NIDT が増加するにつれて減少するが、NIDT
20を超えるとほぼ一定となっている。従って、NIDT
を20以下とすれば、比帯域幅をNIDT の数を調整する
ことにより容易に調整し得ることがわかる。
【0050】さらに、図13から明らかなように、N
IDT が増加するにつれて、共振抵抗が低下し、NIDT
50を超えると共振抵抗がほぼ一定となることがわか
る。よって、図13から、NIDT を50以下とすれば、
IDT の数を調整することにより共振抵抗の値を調整し
得ることがわかる。
【0051】よって、図12及び図13から、本発明に
従って上記特定のオイラー角の水晶基板上にTaからな
るIDTを形成して弾性表面波共振子1を構成した場
合、N IDT の数を調整することにより、すなわち、N
IDT の数を100以下とした場合には、NIDT の数を調
整することにより共振抵抗を容易に調整することがで
き、NIDT の数を20以下とした場合には、NIDT の数
を調整することにより比帯域幅を容易に調整し得ること
がわかる。
【0052】また、本願発明者らは、上記弾性表面波共
振子1において、(0,127°,90°)の水晶基板
上にIDT3の膜厚をh/λ=0.02となるように、
d=0.6となるようにしてIDT3を形成し、反射器
における電極指の本数を変化させた場合のインピーダン
ス比の変化を調べた。結果を図14に示す。図14の横
軸は反射器の電極指の数NREF 、縦軸はインピーダンス
比を示す。
【0053】また、図14の実線K1 はNIDT =5の場
合、破線K2 はNIDT =20の場合、一点鎖線K3 はN
IDT =80の場合、二点鎖線K4 はNIDT =160とし
た場合の結果をそれぞれ示す。
【0054】図14から明らかなように、NIDT の数の
如何に係わらず、反射器の電極指の数NREF が上昇する
につれて、インピーダンス比が増加する傾向のあること
がわかる。また、NREF の数が20を超えるとインピー
ダンス比の上昇が飽和することもわかる。
【0055】従って、NREF の数を20以下とすれば、
REF の数を調整することによりインピーダンス比を容
易に調整し得ることがわかる。よって、上記弾性表面波
共振子1では、上記特定のオイラー角の水晶基板を用
い、TaからなるIDTを構成した場合、反射器の電極
指の本数を20以下とし、反射器の電極指の本数NREF
の数を調整することによりインピーダンス比を容易に調
整することができ、それによって所望の特性を確実に得
ることができる。
【0056】本発明に係る弾性表面波装置では、上述し
た弾性表面波共振子1を複数用いることにより弾性表面
波フィルタを構成することができる。このような弾性表
面波フィルタの構造については特に限定されない。例え
ば、図24に回路図で示すように、複数の弾性表面波共
振子1を、直列腕及び並列腕に直列腕共振子S1〜S3
及び直列腕共振子P1〜P4として配置し、ラダー型フ
ィルタを構成してもよい。すなわち、複数の弾性表面波
共振子を用いて構成された周知の弾性表面波フィルタ
に、本発明を適用することができる。
【0057】また、図15及び図22を参照して後述す
るように、反射器間に2個のIDTを設けてなる縦結合
型弾性表面波フィルタを構成してもよい。図15は、本
発明の第2の実施例としての弾性表面波フィルタを示す
模式的平面図である。弾性表面波フィルタ11は、平面
形状が矩形の水晶基板12を用いて構成されている。こ
の水晶基板12では、第1の実施例の弾性表面波共振子
の場合と同様に、オイラー角(0,θ,90°)におい
て、θが125°≦θ≦128°とされている。
【0058】水晶基板12上には、第1,第2のIDT
13,14が形成されている。IDT13,14は、そ
れぞれ、一対のくし歯電極13a,13b,14a,1
4bを有する。くし歯電極13a,13bの電極指は互
いに間挿し合っている。同様に、くし歯電極14a,1
4bの電極指は互いに間挿し合っている。
【0059】また、IDT13,14は、表面波伝搬方
向において、所定のギャップGを隔てて配置されてい
る。IDT13,14が設けられている領域の表面波伝
搬方向両側には、複数本の電極指を両端で短絡してなる
グレーティング型反射器15,16が配置されている。
上記IDT13,14及び反射器15,16は、タング
ステンまたはタンタルにより構成されている。
【0060】本実施例の弾性表面波の特徴は、上記特定
の水晶基板を用いていること、並びにIDT13,14
を、TaまたはWを含む電極材料により構成したことに
加えて、さらに、第1,第2のIDT13,14の電極
指の対数NIDT が、下記のようにして表されるNIDT
MAX (x)以下とされていることを特徴とする。
【0061】NIDT MAX (x)は、 NIDT MAX (x)=338{x−(0.22+0.55n)}2 +25 …式(5) で表される値である。ここで、IDT13,14間のギ
ャップG(電極指の中心間の距離)の寸法をGとしたと
きに、x=G/λである。また、nは、−0.055+
0.55n≦x≦0.495+0.55nで定まる整数
である。
【0062】本実施例の縦結合型弾性表面波フィルタ1
1では、NIDT が、上記NIDT MAX(x)以下とされて
いるので、以下に述べるようにモード間隔(縦基本モー
ドと縦高次モードとの周波数差の中心周波数に対する比
率(%))を調整することができ、それによって帯域幅
を調整することができる。これを、図16〜図21を参
照して説明する。
【0063】図16(a)及び(b)は、上記弾性表面
波フィルタ11として、第1,第2のIDT13,14
間のギャップを0.50λとし、NIDT を50(図16
(a)の場合)及び30(図16(b)の場合)、N
REF =40とし、IDT13,14と近接された反射器
15,16との間の表面波伝搬方向に沿うギャップを
0.50λとし、付加インピーダンスを50Ωとした場
合の挿入損失−周波数特性を示す。なお、図16及び後
述の図17〜20に示す特性を得るに際し、水晶基板と
しては、オイラー角(0,127°,90°)のものを
用い、IDT13,14の膜厚h/λは0.02、dは
0.6とした。
【0064】図16(a),(b)に示す特性におい
て、使用する帯域は、矢印L1 ,L2で示す部分であ
る。矢印L1 ,L2 で示す帯域を比較すれば明らかなよ
うに、N IDT の数を変化させたことにより、帯域幅が変
化していることがわかる。
【0065】上記帯域幅の変化は、基本モードに対して
高次モードが重なり合うことにより生じる現象であり、
従って、本願発明者らは、高次モードと基本モードとの
周波数差(モード周波数差)の中心周波数に対する比
率、すなわち帯域幅が、NIDTによりどのように変化す
るかを調べた。結果を図17〜図20に示す。
【0066】なお、上記帯域幅の変化は、NIDT の数だ
けでなく、第1,第2のIDT13,14間のギャップ
にも供することに鑑み、ギャップGについても種々異な
らせた。すなわち、図17では、IDT13,14間の
ギャップx=0.20λとし、図18ではx=0.50
λとし、図19ではx=0.70λとし、図20ではx
=0.90λとした。
【0067】図17〜図20から明らかなように、ギャ
ップxの値に如何に係わらず、NID T の数が減少するに
つれて、帯域幅が大きくなり、NIDT が大きくなるにつ
れて、帯域幅が小さくなり、NIDT が一定の値を超える
と帯域幅が0となることがわかる。
【0068】よって、縦結合型弾性表面波フィルタ11
においては、NIDT をある一定の数以下にすることによ
り、帯域幅を有するフィルタ特性を得ることができ、か
つN IDT を該一定の数以下とすれば、該一定の数以下の
範囲でNIDT を調整することにより所望の帯域幅を実現
し得ることがわかる。
【0069】ところが、帯域幅が0となるNIDT の数
は、上記xの値によって変化する。そこで、本願発明者
らは、図18〜図20に示した特性と同様に、IDT−
IDT間のギャップGを種々異ならせ、同様の特性を得
た。そして、これらの特性から、帯域幅が0となるN
IDT の数を求めた。結果を図21に示す。
【0070】図21の横軸はIDT間のギャップXの値
を示し、縦軸はNIDT の数を示す。すなわち、図18に
示した特性を例にとると、IDT−IDT間のギャップ
xが0.50λの場合には、NIDT =50において帯域
幅が0となる。従って、図21では、X=0.5のとこ
ろでは、NIDT は50とされている。
【0071】よって、図21において、測定された点を
結んで得られた曲線Mよりも下方の領域となるようにN
IDT を設定すれば、帯域幅を得ることができ、かつN
IDT の数をその範囲で調整することにより所望の帯域幅
を実現し得ることがわかる。
【0072】図21の曲線Mを近似すると、曲線M上の
IDT の値NIDT MAX (x)は、 NIDT MAX (x)=338{x−(0.22+0.55n)}2 +25 …式(5) となる。ここで、nは、0.22+0.55n−(0.
55/2)≦x<0.22+0.55n+(0.55/
2)であり、すなわち−0.055+0.55n≦x<
0.495+0.55n…式(6)となる。
【0073】すなわち、nは、上述した式(6)を満た
す整数となる。図21に示す曲線Mから明らかなよう
に、xと、上記NIDT MAX の値との間には周期性が存在
し、従って式(5)に示したように、NIDT MAX (x)
の値がnに依存することになる。
【0074】よって、本実施例の縦結合型弾性表面波フ
ィルタ11では、IDT13,14の電極指の対数N
IDT を、上記のようにして定義されるNIDT MAX (x)
以下とすれば、帯域幅を得ることができ、しかもその範
囲でNIDT の数を調整することにより所望の帯域幅を容
易に実現し得ることがわかる。
【0075】また、本願発明者らは、上記縦結合型弾性
表面波フィルタ11において、反射器の電極指の本数N
REF を変化させた場合、挿入損失がどのように変化する
かを調べた。すなわち、上記と同様に、オイラー角
(0,127°,90°)の水晶基板上に、h/λ=
0.02、d=0.6となるようにTa薄膜からなるI
DT13,14を形成し、同じくTa薄膜からなる反射
器15,16の電極指の本数を種々異ならせ、種々の弾
性表面波フィルタ11を作製した。これらの弾性表面波
フィルタ11について、挿入損失を測定した。結果を図
23に示す。
【0076】また、上記挿入損失は、IDT13,14
の電極指の対数及びIDT13,14間のギャップGの
大きさにも影響されるため、IDT13,14の電極指
の対数及びIDT13,14間のギャップGが異なるよ
うに、さらに種々の弾性表面波フィルタ11を作製し、
その挿入損失を測定した。結果を図23に示す。
【0077】図23から明らかなように、IDTの電極
指の対数NIDT の数及びIDT13,14間のギャップ
Gの大きさの如何に係わらず、反射器15,16の電極
指の数NREF が増加するにつれて、挿入損失が低下する
ことがわかる。また、挿入損失は、反射器の電極指の本
数NREF が20を超えるとほぼ一定となることがわか
る。
【0078】従って、NREF を20以下とすれば、N
REF を調整することにより、挿入損失を調整し得ること
がわかる。すなわち、NREF の数を調整するだけで、容
易に所望とする挿入損失の弾性表面波フィルタ11を提
供することができる。
【0079】なお、図15に示した弾性表面波フィルタ
11では、第1,第2のIDT13,14を有する1段
の縦結合型弾性表面波フィルタを示したが、本発明に係
る縦結合型弾性表面波フィルタは、2段以上の複数段構
成を有するものであってもよい。図22は、図15に示
した縦結合型弾性表面波フィルタ11を2段縦属接続し
てなる縦結合型弾性表面波フィルタの電極構造を示す平
面図である。
【0080】弾性表面波フィルタ21では、上記特定の
オイラー角の水晶基板上に、TaまたはWを用いて、第
1,第2のIDT23,24が形成されており、IDT
23,24の設けられている領域の表面波伝搬方向両側
に反射器25,26が形成されている。さらに、IDT
23,24が形成されている領域の側方に、第1,第2
のIDT27,28が設けられており、IDT27,2
8が設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射器
29,30が設けられている。IDT23,24,2
7,28は、それぞれ、一対のくし歯電極23a,23
b,24a,24b,27a,27b,28a,28b
を有する。
【0081】ここでは、IDT23,24及び反射器2
5,26で構成される弾性表面波フィルタ部と、IDT
27,28及び反射器29,30で構成される弾性表面
波フィルタ部とが接続されて2段構成の弾性表面波フィ
ルタとされている。
【0082】すなわち、IDT23の一方のくし歯電極
23aがアース電位に接続され、他方のくし歯電極23
bが、IDT28の一方のくし歯電極28aに電気的に
接続されている。また、IDT28の他方のくし歯電極
28bがアース電位に接続されている。従って、上記2
個の弾性表面波フィルタ部が2段縦属接続されている。
【0083】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、水晶基
板上にIDTを形成してなる弾性表面波装置において、
水晶基板としてオイラー角(0,θ,90°)において
θが122°以上、131°以下のものを用い、かつI
DTがTaまたはWを含む電極材料を用いて構成されて
いるので、上述した実験例から明らかなように、周波数
温度特性及び共振特性が良好な弾性表面波装置を提供す
ることができる。しかも、TaやWは、金電極に比べて
安価であるため、弾性表面波装置のコストを低減するこ
とができる。さらに、TaやWは、Auに比べて加工が
容易であるため、所望とする共振特性を有する弾性表面
波装置を安定にかつ高精度に形成することができる。
た、励振される表面波の波長をλとしたときに、IDT
の電極指交叉幅が40λ以下とされているので、帯域内
における横モードによる不要スプリアスを効果的に抑圧
することができ、良好な共振特性を得ることができる。
【0084】
【0085】
【0086】請求項に記載の発明では、IDTを構成
する電極材料がTaであり、水晶基板のオイラー角にお
けるθが上述した式(1)を満たす値とされているの
で、−20〜80℃の温度範囲における周波数変化率が
200ppm以下とされ、良好な温度特性を有する弾性
表面波装置を提供することが可能となる。
【0087】請求項に記載の発明では、IDTを構成
する電極材料がWであり、水晶基板のオイラー角におけ
るθが上述した式(2)を満たす値とされているので、
−20〜80℃の温度範囲における周波数変化率が20
0ppm以下とされ、良好な温度特性を有する弾性表面
波装置を提供することが可能となる。
【0088】請求項に記載の発明では、IDTの表面
波伝搬方向両側に反射器が配置されて弾性表面波共振子
が構成されており、さらにIDTの電極指の対数NIDT
が200以下とされているので、NIDTの数を調整する
ことによりインピーダンス比を調整することができ、所
望の特性の弾性表面波共振子を容易に提供することがで
きる。
【0089】請求項に記載の発明では、NIDTが10
0以下とされているので、NIDTの数を調整することに
より共振抵抗を調整することができ、それによって所望
の特性を有する弾性表面波共振子を容易に提供すること
ができる。
【0090】請求項に記載の発明では、NIDTが20
以下とされているので、NIDTを調整することにより比
帯域幅を調整でき、それによって所望の特性の弾性表面
波共振子を容易に提供することができる。さらに、N
IDTが比較的小さいので、弾性表面波共振子の小型化を
図ることが可能となる。
【0091】請求項に記載の発明では、IDTの両側
に反射器を設けた弾性表面波共振子において、反射器の
電極指の本数NREFが20以下とされているので、反射
器における電極指の本数を調整することによりインピー
ダンス比を容易に調整することができる。従って、所望
とする特性の弾性表面波共振子を、反射器の電極指の数
を調整するだけで、容易に提供することが可能となる。
【0092】請求項に記載の発明では、請求項
のいずれかに記載の弾性表面波共振子としての弾性表面
波装置を用いて弾性表面波フィルタが構成されているの
で、上述したように、インピーダンス比、比帯域幅、共
振抵抗などの特性をNIDTやNREFを調整することにより
容易に調整することができ、従って所望とするフィルタ
特性を容易に実現することができる。
【0093】請求項に記載の発明に係る縦結合型弾性
表面波フィルタでは、上記特定のオイラー角の水晶基板
上に、TaまたはWを含む電極材料により第1,第2の
IDTが構成されており、第1,第2のIDTの電極指
の対数NIDTが、NIDT MAX(x)以下に選ばれているの
で、NIDTを調整することにより帯域幅を容易に調整す
ることができる。従って、所望とする帯域幅の縦結合型
弾性表面波フィルタを容易に提供することが可能とな
る。
【0094】請求項1に記載の発明に係る縦結合型弾
性表面波フィルタでは、上記特定のオイラー角の水晶基
板上にTaまたはWを含む電極材料により構成された第
1,第2のIDTが形成されており、第1,第2のID
Tの設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射器
が配置されており、この反射器の電極指の数NREFが2
0以下とされているので、反射器の電極指の数NREF
調整するだけで挿入損失を容易にコントロールすること
ができ、それによって所望の特性の弾性表面波フィルタ
を容易に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置を説明
するための平面図。
【図2】図1に示した実施例の弾性表面波装置におい
て、水晶基板のオイラー角(0,θ,90°)において
θを125〜128°の範囲のいずれかの値θ′とした
場合のθの変化と周波数温度係数TCFとの関係を示す
図。
【図3】図1に示した実施例の弾性表面波装置の共振特
性を示す図。
【図4】θを変化させた場合のインピーダンス比の変化
を示す図。
【図5】実施例の弾性表面波共振子において、d×h/
λ=0.012、θ=127°の場合の周波数温度特性
を示す図。
【図6】実施例の弾性表面波共振子において、電極材料
としてTaを用いた場合に、d×(h/λ)とθとの関
係を示す図。
【図7】実施例の弾性表面波共振子において、電極材料
としてWを用いた場合に、d×(h/λ)とθとの関係
を示す図。
【図8】実施例の弾性表面波共振子における***振周波
数と共振周波数との差の共振周波数に対する周波数比
と、インピーダンスとの関係を示す図であり、IDTの
電極指交叉幅が25λの場合の特性を示す図。
【図9】実施例の弾性表面波共振子における***振周波
数と共振周波数との差の共振周波数に対する周波数比
と、インピーダンスとの関係を示す図であり、IDTの
電極指交叉幅が40λの場合の特性を示す図。
【図10】実施例の弾性表面波共振子における***振周
波数と共振周波数との差の共振周波数に対する周波数比
と、インピーダンスとの関係を示す図であり、IDTの
電極指交叉幅が100λの場合の特性を示す図。
【図11】実施例の弾性表面波共振子におけるIDTの
電極指の対数NIDT とインピーダンス比との関係を示す
図。
【図12】実施例の弾性表面波共振子において、IDT
の電極指の対数NIDT と比帯域幅との関係を示す図。
【図13】実施例の弾性表面波共振子においてIDTの
電極指の対数NIDT と共振抵抗との関係を示す図。
【図14】実施例の弾性表面波共振子において、反射器
の電極指の数NREF とインピーダンス比との関係を示す
図。
【図15】本発明の第2の実施例としての縦結合型弾性
表面波フィルタを示す平面図。
【図16】(a)及び(b)は、NIDT を変化させた場
合の縦結合型弾性表面波フィルタの挿入損失−周波数特
性を示す。
【図17】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
るNIDT と帯域幅との関係を示す図であり、IDT−I
DT間のギャップx=0.20λの場合の結果を示す
図。
【図18】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
るNIDT と帯域幅との関係を示す図であり、IDT−I
DT間のギャップx=0.50λの場合の結果を示す
図。
【図19】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
るNIDT と帯域幅との関係を示す図であり、IDT−I
DT間のギャップx=0.70λの場合の結果を示す
図。
【図20】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
るNIDT と帯域幅との関係を示す図であり、IDT−I
DT間のギャップx=0.90λの場合の結果を示す
図。
【図21】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
るIDT間のギャップxとNIDT MAX との関係を示す
図。
【図22】本発明の縦結合型弾性表面波フィルタの変形
例を説明するための平面図。
【図23】実施例の縦結合型弾性表面波フィルタにおけ
る反射器の電極指の本数NREF と、挿入損失との関係を
示す図。
【図24】実施例の弾性表面波共振子を複数用いて構成
された本発明の一実施例としての弾性表面波フィルタの
回路図。
【符号の説明】 1…弾性表面波装置としての弾性表面波共振子 2…水晶基板 3…IDT 3a,3b…くし歯電極 4,5…反射器 4a,5a…電極指 11…縦結合型弾性表面波フィルタ 12…水晶基板 13,14…第1,第2のIDT 13a,13b,14a,14b…くし歯電極 15,16…反射器 15a,16a…電極指 21…縦結合型弾性表面波フィルタ 22…水晶基板 23,24…第1,第2のIDT 23a,23b,24a,24b…くし歯電極 25,26…反射器 27,28…第1,第2のIDT 27a,27b,28a,28b…くし歯電極 29,30…反射器
フロントページの続き (72)発明者 中尾 武志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭55−105426(JP,A) 特開 平10−233645(JP,A) 門田道雄 外4名,水晶SH波を用い た超小型IF SAWフィルタ,信学技 報,日本,社団法人 電子情報通信学 会,US2001−70(2001−10),31−37 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03H 9/25 H03H 9/145

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 オイラー角(0,θ,90°)におい
    て、θが、122°≦θ≦131°である水晶基板と、 前記水晶基板上に形成されておりTaまたはWを含む電
    極材料により、構成されているインターデジタルトラン
    スデューサとを備え、励振される表面波の波長をλとし
    たときに、前記インターデジタルトランスデューサの電
    極指交叉幅が40λ以下であることを特徴とする、弾性
    表面波装置。
  2. 【請求項2】 前記インターデジタルトランスデューサ
    を構成する電極材料がTaであり、インターデジタルト
    ランスデューサの膜厚をh、インターデジタルトランス
    デューサの電極指のメタライゼーションレシオをdとし
    たときに、θが、 θ=125.44+108.27×d×h/λ±1.2 …式(1) とされていることを特徴とする、請求項1に記載の弾性
    表面波装置。
  3. 【請求項3】 前記インターデジタルトランスデューサ
    を構成する電極材料がWであり、インターデジタルトラ
    ンスデューサの膜厚をh、インターデジタルトランスデ
    ューサの電極指のメタライゼーションレシオをdとした
    ときに、θが、 θ=125.70+49.87×d×h/λ±1.2 …式(2) とされていることを特徴とする、請求項1に記載の弾性
    表面波装置。
  4. 【請求項4】 前記インターデジタルトランスデューサ
    の表面波伝搬方向両側に配置された反射器をさらに備
    え、それによって弾性表面波共振子が構成されており、 前記インターデジタルトランスデューサの電極指の対数
    をNIDTとしたときに、NIDTが200以下とされている
    ことを特徴とする、請求項1〜のいずれかに記載の弾
    性表面波装置。
  5. 【請求項5】 前記NIDTが100以下とされているこ
    とを特徴とする、請求項に記載の弾性表面波装置。
  6. 【請求項6】 前記NIDTが20以下とされていること
    を特徴とする、請求項に記載の弾性表面波装置。
  7. 【請求項7】 前記インターデジタルトランスデューサ
    の表面波伝搬方向両側に配置されており、かつ表面波伝
    搬方向と直交する方向に延びる複数本の電極指の両端を
    短絡することにより構成された反射器をさらに備え、そ
    れによって弾性表面波共振子が構成されており、 前記反射器の電極指の本数をNREFとしたときに、NREF
    が20以下とされていることを特徴とする、請求項1〜
    のいずれかに記載の弾性表面波装置。
  8. 【請求項8】 弾性表面波共振子としての請求項
    のいずれかに記載の弾性表面波装置を用いて構成されて
    いることを特徴とする、弾性表面波フィルタ。
  9. 【請求項9】 オイラー角(0,θ,90°)におい
    て、θが、125°≦θ≦128°である水晶基板と、 前記水晶基板上においてギャップを隔てて配置されてお
    り、かつTaまたはWを含む電極材料により構成されて
    いる第1,第2のインターデジタルトランスデューサ
    と、 前記第1,第2のインターデジタルトランスデューサの
    設けられている領域の表面波伝搬方向両側に配置された
    反射器とを備え、 前記第1,第2のインターデジタルトランスデューサ間
    のギャップの表面波伝搬方向に沿う寸法をG、x=G/
    λとし、各インターデジタルトランスデューサの電極指
    の対数をNIDTとしたときに、NIDTがNIDT MAX(x)以
    下とされており、 但し、NIDT MAX(x)=338{x−(0.22+0.
    55n)}2 +25であり、nは、−0.055+0.
    55n≦x<0.495+0.55nで定まる整数であ
    ることを特徴とする、縦結合型弾性表面波フィルタ。
  10. 【請求項10】 オイラー角(0,θ,90°)におい
    て、θが、125°≦θ≦128°である水晶基板と、 前記水晶基板上においてギャップを隔てて配置されてお
    り、かつTaまたはWを含む電極材料により構成されて
    いる第1,第2のインターデジタルトランスデューサ
    と、 前記第1,第2のインターデジタルトランスデューサの
    設けられている領域の表面波伝搬方向両側に配置された
    反射器とを備え、 前記反射器の電極指の数をNREFとしたときに、NREF
    20以下とされていることを特徴とする、縦結合型弾性
    表面波フィルタ。
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US09/249,036 US6154105A (en) 1998-02-16 1999-02-12 Surface acoustic wave device with specific electrode materials and quartz substrate euler angles
KR1019990005212A KR100317924B1 (ko) 1998-02-16 1999-02-13 탄성 표면파 장치
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3587354B2 (ja) * 1999-03-08 2004-11-10 株式会社村田製作所 横結合共振子型表面波フィルタ及び縦結合共振子型表面波フィルタ
JP3353742B2 (ja) * 1999-05-07 2002-12-03 株式会社村田製作所 表面波共振子、表面波装置、通信機装置
TW465179B (en) * 1999-05-27 2001-11-21 Murata Manufacturing Co Surface acoustic wave device and method of producing the same
JP3435638B2 (ja) * 2000-10-27 2003-08-11 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2002330052A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置及びそれを用いた弾性表面波デバイス
JP3897229B2 (ja) * 2001-04-27 2007-03-22 株式会社村田製作所 表面波フィルタ
JP2003133889A (ja) * 2001-10-25 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ
JP2003258601A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機器
US7148610B2 (en) * 2002-02-01 2006-12-12 Oc Oerlikon Balzers Ag Surface acoustic wave device having improved performance and method of making the device
JP3885785B2 (ja) * 2002-12-18 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器
JP4148220B2 (ja) * 2005-01-06 2008-09-10 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイス、複合デバイス、発振回路およびモジュール
JP2006295311A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子片および弾性表面波装置
JP4645957B2 (ja) * 2006-09-29 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波素子片および弾性表面波装置
EP2099129A4 (en) 2006-12-27 2014-03-26 Murata Manufacturing Co SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
JP4582150B2 (ja) * 2008-01-11 2010-11-17 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路
JP4591800B2 (ja) 2008-02-20 2010-12-01 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波発振器
CN102334289B (zh) 2009-02-27 2015-10-07 精工爱普生株式会社 表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备
JP4645923B2 (ja) 2009-02-27 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器
JP2011223473A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Seiko Epson Corp 振動片、振動子および圧電デバイス
JP5678486B2 (ja) 2010-06-17 2015-03-04 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器
JP5934464B2 (ja) 2010-08-26 2016-06-15 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012049817A (ja) 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
JP2012049818A (ja) 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器
JP2012060420A (ja) 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
DE102010046794B4 (de) * 2010-09-28 2015-07-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter mit verringerten Nichtlinearitäten
JP5652606B2 (ja) 2010-12-03 2015-01-14 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器
JP5648908B2 (ja) 2010-12-07 2015-01-07 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、並びに発振器、および電子機器
US11121700B2 (en) * 2018-11-20 2021-09-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter and multiplexer

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1451326A (en) * 1973-02-16 1976-09-29 Nat Res Dev Acoustic wave devices
JPS55105425A (en) * 1979-02-06 1980-08-13 Fujitsu Ltd Elastic surface wave device
DE3428876A1 (de) * 1984-08-04 1986-02-13 Rotzler GmbH + Co Spezialfabrik für Seilwinden und Hebezeuge, 7853 Steinen Durchlaufwinde
JPS61195013A (ja) * 1985-02-25 1986-08-29 Yasuhiko Nakagawa 零温度係数をもつ弾性表面波材料
JP2645674B2 (ja) * 1990-10-15 1997-08-25 国際電気株式会社 弾性表面波共振子
US5392013A (en) * 1992-07-17 1995-02-21 Nec Corporation Surface acoustic wave filter capable of widening a bandwidth
JP3255502B2 (ja) * 1993-07-26 2002-02-12 東洋通信機株式会社 高安定弾性表面波素子
JPH07283682A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波共振子フィルタ
JP3173300B2 (ja) * 1994-10-19 2001-06-04 株式会社村田製作所 ラブ波デバイス
JPH08274577A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Toko Inc 表面弾性波多重モードフィルタとそのインピーダンス調整方法
US5850167A (en) * 1995-04-11 1998-12-15 Kinseki, Limited Surface acoustic wave device
DE69608997T2 (de) * 1995-04-12 2000-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resonateur-Kettenfilter mit akustischen Oberflächenwellen
JP3243976B2 (ja) * 1995-08-14 2002-01-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
RU2099857C1 (ru) * 1996-01-10 1997-12-20 Наталья Федоровна Науменко Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах
JP3196678B2 (ja) * 1997-02-07 2001-08-06 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3339350B2 (ja) * 1997-02-20 2002-10-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
門田道雄 外4名,水晶SH波を用いた超小型IF SAWフィルタ,信学技報,日本,社団法人 電子情報通信学会,US2001−70(2001−10),31−37

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