JP3173300B2 - ラブ波デバイス - Google Patents
ラブ波デバイスInfo
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- JP3173300B2 JP3173300B2 JP25380994A JP25380994A JP3173300B2 JP 3173300 B2 JP3173300 B2 JP 3173300B2 JP 25380994 A JP25380994 A JP 25380994A JP 25380994 A JP25380994 A JP 25380994A JP 3173300 B2 JP3173300 B2 JP 3173300B2
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
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- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラブ波を励振するＩＤ
ＴをＴａ薄膜またはＷ薄膜で形成したラブ波デバイスに
関する。
ＴをＴａ薄膜またはＷ薄膜で形成したラブ波デバイスに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のラブ波デバイスは、図８に示すよ
うに、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3基板１０上に、Ａ
ｕ薄膜１１ａを形成するが、このＡｕ薄膜１１ａのＬｉ
ＮｂＯ3 基板１０への付着力が弱いので、まずＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１０上にＣｒ等の薄膜１１ｂを形成し、次い
で、このＣｒ等の薄膜１１ｂ上にＡｕ薄膜１１ａを成膜
している。そして、フォトリソグラフィ技術などを用い
て、ＩＤＴ１１を形成する。
うに、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3基板１０上に、Ａ
ｕ薄膜１１ａを形成するが、このＡｕ薄膜１１ａのＬｉ
ＮｂＯ3 基板１０への付着力が弱いので、まずＬｉＮｂ
Ｏ3 基板１０上にＣｒ等の薄膜１１ｂを形成し、次い
で、このＣｒ等の薄膜１１ｂ上にＡｕ薄膜１１ａを成膜
している。そして、フォトリソグラフィ技術などを用い
て、ＩＤＴ１１を形成する。
【０００３】また、従来のラブ波デバイスは、レーリー
波を利用したものが広く用いられている。
波を利用したものが広く用いられている。
【０００４】また、図９に示すようにＹカットＸ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 基板２０上に、Ａｌ薄膜でＩＤＴ２１を形
成した後、その上にＺｎＯ２２を成膜した構造において
もラブ波が励振されることが、特願平０５−００４８１
５に報告されている。このラブ波は、ＬｉＮｂＯ3 基板
上に、この基板よりも音速の小さい金属薄膜を設けるこ
とにより励振できる。
ＬｉＮｂＯ3 基板２０上に、Ａｌ薄膜でＩＤＴ２１を形
成した後、その上にＺｎＯ２２を成膜した構造において
もラブ波が励振されることが、特願平０５−００４８１
５に報告されている。このラブ波は、ＬｉＮｂＯ3 基板
上に、この基板よりも音速の小さい金属薄膜を設けるこ
とにより励振できる。
【０００５】また、一様な薄膜でなく金属ストリップを
周期的に形成した場合にもラブ波が励振されることが次
の文献にも記載されている。『清水、水沼：高結合（Ｋ
2 はほぼ０．３）のラブ波型弾性表面波基板、電子通信
学会技術研究報告、ＵＳ８２−３５、及び、鈴木、清
水：Ａｕ−Ｓｔｒｉｐ−Ａｒｒａｙ／ＹＸ−ＬｉＮｂＯ
3 構造におけるＬｏｖｅ波型弾性表面波の伝搬特性とそ
のＩＤＴ共振子への応用：電子通信学会技術研究報告、
ＵＳ８６−３７』。
周期的に形成した場合にもラブ波が励振されることが次
の文献にも記載されている。『清水、水沼：高結合（Ｋ
2 はほぼ０．３）のラブ波型弾性表面波基板、電子通信
学会技術研究報告、ＵＳ８２−３５、及び、鈴木、清
水：Ａｕ−Ｓｔｒｉｐ−Ａｒｒａｙ／ＹＸ−ＬｉＮｂＯ
3 構造におけるＬｏｖｅ波型弾性表面波の伝搬特性とそ
のＩＤＴ共振子への応用：電子通信学会技術研究報告、
ＵＳ８６−３７』。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ａｕ薄膜電極を用いたラブ波デバイスは、Ａｕ薄膜電極
の下地としてＣｒ等を使用しているのでプロセスが複雑
となり、また、Ａｕを用いているので高価になるという
欠点を有している。
Ａｕ薄膜電極を用いたラブ波デバイスは、Ａｕ薄膜電極
の下地としてＣｒ等を使用しているのでプロセスが複雑
となり、また、Ａｕを用いているので高価になるという
欠点を有している。
【０００７】また、レーリー波を利用したラブ波デバイ
スは、電気機械結合係数ｋが小さく、通過帯域の広帯域
化を図ることが困難である。
スは、電気機械結合係数ｋが小さく、通過帯域の広帯域
化を図ることが困難である。
【０００８】上記文献では、Ａｇ、ＢＧＯ（Ｂｉ12Ｇｅ
Ｏ20）、ＳｉＯ2 及びＡｕ薄膜を用いた場合のラブ波に
ついての解析がなされているが、Ｔａ薄膜、Ｗ薄膜を用
いた場合については報告はなされていない。
Ｏ20）、ＳｉＯ2 及びＡｕ薄膜を用いた場合のラブ波に
ついての解析がなされているが、Ｔａ薄膜、Ｗ薄膜を用
いた場合については報告はなされていない。
【０００９】したがって、本発明は、これらの従来例に
おけるラブ波励振ＩＤＴ材料とは相違した別異の材料、
即ち、Ｔａ、Ｗによって、ＩＤＴを形成しラブ波を励振
させることのできるラブ波デバイスを提供することを目
的とする。
おけるラブ波励振ＩＤＴ材料とは相違した別異の材料、
即ち、Ｔａ、Ｗによって、ＩＤＴを形成しラブ波を励振
させることのできるラブ波デバイスを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する手
段は以下の通りである。
段は以下の通りである。
【００１１】１．ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、ラブ波を励振するＩＤＴをＴａ薄膜で形成したラブ
波デバイス。
に、ラブ波を励振するＩＤＴをＴａ薄膜で形成したラブ
波デバイス。
【００１２】２．ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、ラブ波を励振するＩＤＴをＷ薄膜で形成したラブ波
デバイス。
に、ラブ波を励振するＩＤＴをＷ薄膜で形成したラブ波
デバイス。
【００１３】
【作用】本発明は、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板上
に、Ｔａ薄膜またはＷ薄膜によりＩＤＴを形成して、Ｔ
ａ、Ｗの膜厚の広い範囲において、大きな電気機械結合
係数ｋが得られ、ラブ波を励振することができる。
に、Ｔａ薄膜またはＷ薄膜によりＩＤＴを形成して、Ｔ
ａ、Ｗの膜厚の広い範囲において、大きな電気機械結合
係数ｋが得られ、ラブ波を励振することができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。第１実施例として、Ｔａ薄膜により、ラ
ブ波が励振されることを説明し、このＴａ薄膜により形
成したＩＤＴを有するラブ波デバイスを示す。図１は、
ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に一様なＴａ薄
膜２ａを設けたラブ波の解析構造図である。図２は、図
１において、Ｔａ薄膜２ａの厚みＨTaを、表面波の波長
λによって規格化した規格化膜厚ＨTa／λを横軸に、表
面波速度Ｖを縦軸にとったものである。図において、表
面波速度４０７９ｍの所に引かれている破線はＬｉＮｂ
Ｏ3 のＸ軸方向に伝播する遅い横波速度を示す。この横
波速度より表面波速度が大きい範囲では疑似表面波であ
り、小さい範囲ではラブ波となっている。この疑似表面
波とラブ波の消長および出現の現象に関しては、本発明
の目的とするところではないので、これ以上言及しな
い。一方、このオープンのラブ波の出現を規格化膜厚Ｈ
Ta／λ軸でみると、ＨTa／λ＝０．０３でラブ波が励振
開始されることがわかる。そして、図１におけるＴａ薄
膜２ａの膜厚が大きくなるに従って、表面波速度Ｖは小
さくなっている。なお、ショートのラブ波は、規格化膜
厚ＨTa／λ＝０から励振されている。
して説明する。第１実施例として、Ｔａ薄膜により、ラ
ブ波が励振されることを説明し、このＴａ薄膜により形
成したＩＤＴを有するラブ波デバイスを示す。図１は、
ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板１上に一様なＴａ薄
膜２ａを設けたラブ波の解析構造図である。図２は、図
１において、Ｔａ薄膜２ａの厚みＨTaを、表面波の波長
λによって規格化した規格化膜厚ＨTa／λを横軸に、表
面波速度Ｖを縦軸にとったものである。図において、表
面波速度４０７９ｍの所に引かれている破線はＬｉＮｂ
Ｏ3 のＸ軸方向に伝播する遅い横波速度を示す。この横
波速度より表面波速度が大きい範囲では疑似表面波であ
り、小さい範囲ではラブ波となっている。この疑似表面
波とラブ波の消長および出現の現象に関しては、本発明
の目的とするところではないので、これ以上言及しな
い。一方、このオープンのラブ波の出現を規格化膜厚Ｈ
Ta／λ軸でみると、ＨTa／λ＝０．０３でラブ波が励振
開始されることがわかる。そして、図１におけるＴａ薄
膜２ａの膜厚が大きくなるに従って、表面波速度Ｖは小
さくなっている。なお、ショートのラブ波は、規格化膜
厚ＨTa／λ＝０から励振されている。
【００１５】また、図２にレーリー波の表面波速度も同
時に示している。レーリー波のオープン状態とショート
状態の位相速度はほとんど一致しており、このオープン
とショートの位相速度の差で表される電気機械結合係数
ｋはほとんどゼロになっている。ＩＤＴ電極によりレー
リー波がほとんど励振されないことを示している。ま
た、ラブ波の表面波速度とレーリー波の表面波速度は離
れておりラブ波を用いる際、レーリー波がスプリアスの
原因となりにくくなっている。
時に示している。レーリー波のオープン状態とショート
状態の位相速度はほとんど一致しており、このオープン
とショートの位相速度の差で表される電気機械結合係数
ｋはほとんどゼロになっている。ＩＤＴ電極によりレー
リー波がほとんど励振されないことを示している。ま
た、ラブ波の表面波速度とレーリー波の表面波速度は離
れておりラブ波を用いる際、レーリー波がスプリアスの
原因となりにくくなっている。
【００１６】ところで、上記説明において用いたオープ
ンとショートの意味するところについて付言する。
ンとショートの意味するところについて付言する。
【００１７】圧電基本式は、下式により表される。
【００１８】Ｔi ＝ｃijＳj −ｅmiＥm Ｄn ＝ｅnhＳh ＋εnmＥm ここに、 Ｔi ： 応力 Ｄn ： 電束 ｃij ： 弾性定数 ｅnh ： 圧電定数 Ｓj ： 歪み Ｓh ： 歪み ｅmi ： 圧電定数 εnm ： 誘電率 Ｅm ： 電界 よって、オープンとは、上記圧電基本式において、Ｅm
≠０ のときであり、およびショートとは、Ｅm ＝０
のときである。
≠０ のときであり、およびショートとは、Ｅm ＝０
のときである。
【００１９】図３は、図１において、規格化膜厚ＨTa／
λを横軸に、電気機械結合係数ｋを縦軸にとった図であ
る。この図３より、規格化膜厚ＨTa／λ＝０．０４で、
電気機械結合係数ｋ＝０．５４となり最大の値を示す。
また、ＨTa／λ＝０．０３〜０．１５の広い範囲におい
てｋ＞０．４（４０％）となっており、Ｔａ薄膜２ａの
膜厚の広い範囲において、例えば、ＶＣＯを構成した場
合、可変周波数範囲の広帯域化が図られることになる。
λを横軸に、電気機械結合係数ｋを縦軸にとった図であ
る。この図３より、規格化膜厚ＨTa／λ＝０．０４で、
電気機械結合係数ｋ＝０．５４となり最大の値を示す。
また、ＨTa／λ＝０．０３〜０．１５の広い範囲におい
てｋ＞０．４（４０％）となっており、Ｔａ薄膜２ａの
膜厚の広い範囲において、例えば、ＶＣＯを構成した場
合、可変周波数範囲の広帯域化が図られることになる。
【００２０】図４に示すように、長さ２．０ｍｍ、幅
１．８ｍｍ、厚み０．５ｍｍのＹカットＸ伝搬のＬｉＮ
ｂＯ3 基板３上に、電極指対数Ｎ＝２５、電極指間ピッ
チ９．９μｍ、電極指の交叉幅４９５μｍ、厚さ０．７
μｍのＩＤＴ４を、Ｔａ薄膜で形成した。この場合のラ
ブ波デバイスのインピーダンス特性を図５に示す。
１．８ｍｍ、厚み０．５ｍｍのＹカットＸ伝搬のＬｉＮ
ｂＯ3 基板３上に、電極指対数Ｎ＝２５、電極指間ピッ
チ９．９μｍ、電極指の交叉幅４９５μｍ、厚さ０．７
μｍのＩＤＴ４を、Ｔａ薄膜で形成した。この場合のラ
ブ波デバイスのインピーダンス特性を図５に示す。
【００２１】つぎに、第２実施例として、Ｗ薄膜によ
り、ラブ波が励振されることを説明し、このＷ薄膜によ
り形成したＩＤＴを有するラブ波デバイスを示す。図１
において、第１実施例におけるＴａ薄膜２ａの代わり
に、Ｗ薄膜２ｂを用い、このＷ薄膜２ｂの膜厚ＨW を表
面波の波長λによって規格化した規格化膜厚ＨW ／λを
横軸に、表面波速度Ｖを縦軸にとった場合の特性を、図
６に示す。この図６は、第１実施例の図２に対応してお
り、図２において説明したことがほぼ同様にあてはまる
ので、詳細な説明は省略する。
り、ラブ波が励振されることを説明し、このＷ薄膜によ
り形成したＩＤＴを有するラブ波デバイスを示す。図１
において、第１実施例におけるＴａ薄膜２ａの代わり
に、Ｗ薄膜２ｂを用い、このＷ薄膜２ｂの膜厚ＨW を表
面波の波長λによって規格化した規格化膜厚ＨW ／λを
横軸に、表面波速度Ｖを縦軸にとった場合の特性を、図
６に示す。この図６は、第１実施例の図２に対応してお
り、図２において説明したことがほぼ同様にあてはまる
ので、詳細な説明は省略する。
【００２２】この図６より、ＨW ／λ＝０．０２８より
大きい規格化膜厚ＨW ／λの範囲でオープンのラブ波が
励振されることがわかる。
大きい規格化膜厚ＨW ／λの範囲でオープンのラブ波が
励振されることがわかる。
【００２３】図７は、規格化膜厚ＨW ／λを横軸に、電
気機械結合係数ｋを縦軸にとった場合である。この図７
より、ＨW ／λ＝０．０４で、ｋ＝０．５２となり最大
の値を示す。また、ＨW ／λ＝０．０２８〜０．１５の
広い範囲においてｋ＞０．４０（４０％）となり、Ｗの
膜厚の広い範囲において通過帯域の広帯域化が図られる
ことがわかる。
気機械結合係数ｋを縦軸にとった場合である。この図７
より、ＨW ／λ＝０．０４で、ｋ＝０．５２となり最大
の値を示す。また、ＨW ／λ＝０．０２８〜０．１５の
広い範囲においてｋ＞０．４０（４０％）となり、Ｗの
膜厚の広い範囲において通過帯域の広帯域化が図られる
ことがわかる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3
基板上に、Ｔａ薄膜またはＷ薄膜によりＩＤＴを形成す
るので、比較的簡単な構造によって、Ｔａ、Ｗの膜厚の
広い範囲において、大きな電気機械結合係数ｋが得ら
れ、通過帯域の広帯域化を図ることができる。また、Ｔ
ａ、ＷはＡｕに比べ安価な材料なので、コストダウンが
実現できる。
基板上に、Ｔａ薄膜またはＷ薄膜によりＩＤＴを形成す
るので、比較的簡単な構造によって、Ｔａ、Ｗの膜厚の
広い範囲において、大きな電気機械結合係数ｋが得ら
れ、通過帯域の広帯域化を図ることができる。また、Ｔ
ａ、ＷはＡｕに比べ安価な材料なので、コストダウンが
実現できる。
【図１】 本発明におけるラブ波の解析に用いた構造図
【図２】 第１実施例における規格化膜厚ＨTa／λに対
する表面波速度Ｖの特性図
する表面波速度Ｖの特性図
【図３】 第１実施例における規格化膜厚ＨTa／λに対
する電気機械結合係数ｋの特性図
する電気機械結合係数ｋの特性図
【図４】 第１実施例の形態図
【図５】 第１実施例のインピーダンス特性図
【図６】 第２実施例における規格化膜厚ＨW ／λに対
する表面波速度Ｖの特性図
する表面波速度Ｖの特性図
【図７】 第２実施例における規格化膜厚ＨW ／λに対
する電気機械結合係数ｋの特性図
する電気機械結合係数ｋの特性図
【図８】 従来例の構造図
【図９】 他の従来例の構造図
１ ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板 ２ａ Ｔａ薄膜 ２ｂ Ｗ薄膜 ３ ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板 ４ ＩＤＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−253413（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−136551（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267981（ＪＰ，Ａ) 米国特許4544857（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (2)
- 【請求項１】 ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、ラブ波を励振するインターディジタルトランスデュ
ーサ（以下ＩＤＴと略す）をＴａ薄膜で形成したラブ波
デバイス。 - 【請求項２】 ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上
に、ラブ波を励振するＩＤＴをＷ薄膜で形成したラブ波
デバイス。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25380994A JP3173300B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | ラブ波デバイス |
| TW086210997U TW364668U (en) | 1994-10-19 | 1995-07-17 | Love-wave device including thin film of Ta or W |
| KR1019950034502A KR100232753B1 (ko) | 1994-10-19 | 1995-10-09 | 탄탈(Ta) 박막 또는 텅스텐(W) 박막을 포함한 러브파 장치 |
| SG1995001553A SG38882A1 (en) | 1994-10-19 | 1995-10-13 | Love-wave device including thin film of TA or W |
| CN95117676A CN1090840C (zh) | 1994-10-19 | 1995-10-19 | 有Ta或W薄膜的乐甫波器件 |
| US08/746,638 US5847486A (en) | 1994-10-19 | 1996-11-13 | Love-wave device including a thin film of TA or W |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25380994A JP3173300B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | ラブ波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125485A JPH08125485A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3173300B2 true JP3173300B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17256453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25380994A Expired - Fee Related JP3173300B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | ラブ波デバイス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5847486A (ja) |
| JP (1) | JP3173300B2 (ja) |
| KR (1) | KR100232753B1 (ja) |
| CN (1) | CN1090840C (ja) |
| SG (1) | SG38882A1 (ja) |
| TW (1) | TW364668U (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3339350B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JPH1174751A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3301399B2 (ja) * | 1998-02-16 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3266109B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイスの作製方法 |
| JP3317273B2 (ja) * | 1998-08-25 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、フィルタ、共用器、通信機装置 |
| JP3353742B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波装置、通信機装置 |
| JP3568025B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
| TW465179B (en) | 1999-05-27 | 2001-11-21 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| JP3376969B2 (ja) | 1999-09-02 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US6625855B1 (en) * | 1999-10-06 | 2003-09-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing surface acoustic wave device |
| JP2001267355A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Murata Mfg Co Ltd | ワイヤボンディング方法およびこのワイヤボンディング方法を用いた弾性表面波装置 |
| JP3402313B2 (ja) | 2000-07-05 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP2002043880A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| JP3435638B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP4543565B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2010-09-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| AUPR511401A0 (en) * | 2001-05-21 | 2001-06-14 | Microtechnology Centre Management Limited | Surface acoustic wave device |
| AUPR507601A0 (en) * | 2001-05-21 | 2001-06-14 | Microtechnology Centre Management Limited | Surface acoustic wave sensor |
| AU2002308401B2 (en) * | 2001-05-21 | 2005-08-04 | Mnt Innovations Pty Ltd | Surface acoustic wave sensor |
| JP3945363B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2007-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| WO2005034347A1 (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| CN101526501B (zh) * | 2008-03-07 | 2011-12-28 | 中国科学院声学研究所 | 一种单向低损耗的乐甫波传感器 |
| JP7033010B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2022-03-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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