JPH0969748A - Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
Ｓａｗデバイスおよびその製造方法Info
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- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大電力印加に耐え、挿入損失の増加も防止で
きるインターデジタルトランスデューサ電極を用いたＳ
ＡＷデバイスを提供することを目的とする。 【構成】 圧電体基板１の表面にアルミニウム膜３１〜
４５と、このアルミニウム膜より大きな弾性定数を有す
る導電性材料よりなる膜５１〜６０を交互に積層したイ
ンターデジタルトランスデューサ電極２を形成した。
きるインターデジタルトランスデューサ電極を用いたＳ
ＡＷデバイスを提供することを目的とする。 【構成】 圧電体基板１の表面にアルミニウム膜３１〜
４５と、このアルミニウム膜より大きな弾性定数を有す
る導電性材料よりなる膜５１〜６０を交互に積層したイ
ンターデジタルトランスデューサ電極２を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＡＷデバイスに関する
もので、より詳しくはＳＡＷデバイスのインターデジタ
ルトランスデューサ電極に関するものである。
もので、より詳しくはＳＡＷデバイスのインターデジタ
ルトランスデューサ電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスは圧電基板の表面上にア
ルミニウム膜よりなる電極を櫛形形状に設けてインター
デジタルトランスデューサ部を形成し、フィルタや共振
器を構成している。
ルミニウム膜よりなる電極を櫛形形状に設けてインター
デジタルトランスデューサ部を形成し、フィルタや共振
器を構成している。
【０００３】近年、移動体通信の高周波化にともない、
ＳＡＷデバイスの動作周波数も数百ＭHzから数ＧHzと高
周波化するとともに高出力化が望まれている。高周波化
によりインターデジタルトランスデューサ電極のパター
ン幅も微細化が必要となり、中心周波数１．５ＧHz帯フ
ィルタでは電極線幅は約０．７μｍに形成する必要があ
る。
ＳＡＷデバイスの動作周波数も数百ＭHzから数ＧHzと高
周波化するとともに高出力化が望まれている。高周波化
によりインターデジタルトランスデューサ電極のパター
ン幅も微細化が必要となり、中心周波数１．５ＧHz帯フ
ィルタでは電極線幅は約０．７μｍに形成する必要があ
る。
【０００４】このように微細な線幅を形成したＳＡＷデ
バイスに大きな電力を印加すると、弾性表面波によって
生じる歪が電極膜に応力を発生させ、その応力が電極膜
の限界応力を越えると電極材料であるアルミニウム原子
が結晶粒界を移動し、その結果突起（ヒロック）と空隙
（ボイド）を発生させて電極の破壊が生じ、ＳＡＷデバ
イスの特性の劣化に至る。
バイスに大きな電力を印加すると、弾性表面波によって
生じる歪が電極膜に応力を発生させ、その応力が電極膜
の限界応力を越えると電極材料であるアルミニウム原子
が結晶粒界を移動し、その結果突起（ヒロック）と空隙
（ボイド）を発生させて電極の破壊が生じ、ＳＡＷデバ
イスの特性の劣化に至る。
【０００５】このような問題点に対して、特公昭６１−
４７０１０号公報に記載されているように、電極材料と
して銅を添加したアルミニウム合金膜を用いることが行
われ、アルミニウム単独膜に比べて大きな電力印加に耐
えるものが作成されている。また、さらにチタン、ニッ
ケル、パラジウム等を添加して電極膜の強化を図ること
も行われている。
４７０１０号公報に記載されているように、電極材料と
して銅を添加したアルミニウム合金膜を用いることが行
われ、アルミニウム単独膜に比べて大きな電力印加に耐
えるものが作成されている。また、さらにチタン、ニッ
ケル、パラジウム等を添加して電極膜の強化を図ること
も行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
携帯用電話の送信段に使用するために必要とされる電力
に対して、充分な耐電力性と低挿入損失は得られていな
かった。例えば、アナログセルラー電話では１Ｗ以上の
電力印加に耐え、かつ挿入損失も現在多く使われている
誘電体フィルタと同程度の値に小さくすることが必要で
ある。大電力印加に耐えるようにするためには添加する
金属の割合を増加させれば良いが、同時に合金膜の比抵
抗も増加してしまい挿入損失の増加になる。
携帯用電話の送信段に使用するために必要とされる電力
に対して、充分な耐電力性と低挿入損失は得られていな
かった。例えば、アナログセルラー電話では１Ｗ以上の
電力印加に耐え、かつ挿入損失も現在多く使われている
誘電体フィルタと同程度の値に小さくすることが必要で
ある。大電力印加に耐えるようにするためには添加する
金属の割合を増加させれば良いが、同時に合金膜の比抵
抗も増加してしまい挿入損失の増加になる。
【０００７】本発明は大電力印加に耐え、かつ挿入損失
の増加も防止できるインターデジタルトランスデューサ
電極を用いたＳＡＷデバイスを提供することを目的とす
る。
の増加も防止できるインターデジタルトランスデューサ
電極を用いたＳＡＷデバイスを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、圧電体基板の表面上に設けたインターデジ
タルトランスデューサ電極がアルミニウム膜と、このア
ルミニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料
よりなる膜を交互に積層してなり、かつ前記導電体材料
よりなる膜とアルミニウム膜の各々の積層数が少なくと
も２層以上の構成としたものである。
に本発明は、圧電体基板の表面上に設けたインターデジ
タルトランスデューサ電極がアルミニウム膜と、このア
ルミニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料
よりなる膜を交互に積層してなり、かつ前記導電体材料
よりなる膜とアルミニウム膜の各々の積層数が少なくと
も２層以上の構成としたものである。
【０００９】
【作用】上記構成とすることにより、大電力印加に耐
え、かつ挿入損失の増加も防止できるＳＡＷデバイスと
することができる。
え、かつ挿入損失の増加も防止できるＳＡＷデバイスと
することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。本
発明の基本は圧電体基板の表面上に設けたインターデジ
タルトランスデューサ電極がアルミニウム膜と、このア
ルミニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料
よりなる膜を交互に積層してなり、かつ前記導電体材料
よりなる膜とアルミニウム膜の各々の積層数が少なくと
も２層以上の構成としたものである。
発明の基本は圧電体基板の表面上に設けたインターデジ
タルトランスデューサ電極がアルミニウム膜と、このア
ルミニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料
よりなる膜を交互に積層してなり、かつ前記導電体材料
よりなる膜とアルミニウム膜の各々の積層数が少なくと
も２層以上の構成としたものである。
【００１１】さらに、アルミニウム膜の各層の厚さが１
５０ｎｍ以下で、かつこのアルミニウム膜よりも大きな
弾性定数を有する導電体材料よりなる膜の各層の厚さを
アルミニウム膜の厚さよりも薄く形成したことで、配線
抵抗の増加を防止し、かつ電極の機械的強度の増加を図
り、ヒロックやボイドの発生を防止し、大きな電力印加
に耐えるようにしたものである。
５０ｎｍ以下で、かつこのアルミニウム膜よりも大きな
弾性定数を有する導電体材料よりなる膜の各層の厚さを
アルミニウム膜の厚さよりも薄く形成したことで、配線
抵抗の増加を防止し、かつ電極の機械的強度の増加を図
り、ヒロックやボイドの発生を防止し、大きな電力印加
に耐えるようにしたものである。
【００１２】またさらに、本発明は積層した電極の最表
面層がアルミニウム膜であり、かつその膜厚を５０ｎｍ
以下とするか、または積層した電極の最表面層がアルミ
ニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料より
なる膜とすることで、最表面層に生じるヒロックやボイ
ドの発生を防止して、大電力印加に強い構造としたもの
である。
面層がアルミニウム膜であり、かつその膜厚を５０ｎｍ
以下とするか、または積層した電極の最表面層がアルミ
ニウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料より
なる膜とすることで、最表面層に生じるヒロックやボイ
ドの発生を防止して、大電力印加に強い構造としたもの
である。
【００１３】表面弾性波素子を励振したときに圧電体基
板に歪が生じ、この歪によりインターデジタルトランス
デューサ電極に応力が加わり、応力が膜の限界応力を越
えると電極中のアルミニウム原子が粒界を伝わって表面
に移動して突起（ヒロック）を生じる。アルミニウム原
子が表面に移動すると膜中にはアルミニウム原子の空隙
（ボイド）が発生する。このヒロックやボイドが多く発
生していくと電極膜は破壊するとともに、周波数の変動
や挿入損失の増大が生じてＳＡＷデバイスとしては使用
に耐えられなくなる。
板に歪が生じ、この歪によりインターデジタルトランス
デューサ電極に応力が加わり、応力が膜の限界応力を越
えると電極中のアルミニウム原子が粒界を伝わって表面
に移動して突起（ヒロック）を生じる。アルミニウム原
子が表面に移動すると膜中にはアルミニウム原子の空隙
（ボイド）が発生する。このヒロックやボイドが多く発
生していくと電極膜は破壊するとともに、周波数の変動
や挿入損失の増大が生じてＳＡＷデバイスとしては使用
に耐えられなくなる。
【００１４】このアルミニウム原子の移動によるヒロッ
クやボイドの発生は、膜の機械的強度が大きくなるほど
生じ難く、またアルミニウム膜を構成する粒径が小さい
ほど生じ難くなり、さらに粒界に銅、チタン等の原子が
析出すると抑制されることは従来から知られており、各
種の材料の添加が試みられてきた。しかしながら、添加
材料の濃度を増加すると膜の比抵抗が増大して挿入損失
の大幅な増加につながるために添加量には限界があっ
た。
クやボイドの発生は、膜の機械的強度が大きくなるほど
生じ難く、またアルミニウム膜を構成する粒径が小さい
ほど生じ難くなり、さらに粒界に銅、チタン等の原子が
析出すると抑制されることは従来から知られており、各
種の材料の添加が試みられてきた。しかしながら、添加
材料の濃度を増加すると膜の比抵抗が増大して挿入損失
の大幅な増加につながるために添加量には限界があっ
た。
【００１５】また、さらに本発明者らの実験によると、
添加材料の濃度を増加させても単一合金膜の場合、圧電
基板と電極との界面から電極の表面まで結晶粒界は連続
的に存在し、かつその粒径も電極表面ほど大きくなる。
このために、電極に加わる応力がこの合金電極の限界応
力以上になれば、アルミニウムは結晶粒界を通じて電極
表面にまで原子移動が生じ、ヒロックを発生してしまう
ことが認められた。
添加材料の濃度を増加させても単一合金膜の場合、圧電
基板と電極との界面から電極の表面まで結晶粒界は連続
的に存在し、かつその粒径も電極表面ほど大きくなる。
このために、電極に加わる応力がこの合金電極の限界応
力以上になれば、アルミニウムは結晶粒界を通じて電極
表面にまで原子移動が生じ、ヒロックを発生してしまう
ことが認められた。
【００１６】本発明はこのような知見に基づき、アルミ
ニウム膜をこれらの材料よりも大きな弾性定数を有する
材料で層状に分割することで、アルミニウム膜の粒径の
拡大を防止するとともに、アルミニウム原子が粒界を通
じて電極表面に移動することを防止するものである。
ニウム膜をこれらの材料よりも大きな弾性定数を有する
材料で層状に分割することで、アルミニウム膜の粒径の
拡大を防止するとともに、アルミニウム原子が粒界を通
じて電極表面に移動することを防止するものである。
【００１７】さらに、アルミニウム膜の間にこれらより
も大きな弾性定数を有する材料を積層することで電極膜
全体の弾性的強度を大きくさせて大きな応力印加でも破
壊しにくくなるようにしたものである。また、積層する
アルミニウム膜の各層の厚さが厚い場合には励振による
応力でアルミニウム原子は横方向への移動が生じサイド
ヒロックを発生する。このサイドヒロックは電極の劣化
につながるとともに、隣のインターデジタルトランスデ
ューサ電極と接触するとショート不良となる。
も大きな弾性定数を有する材料を積層することで電極膜
全体の弾性的強度を大きくさせて大きな応力印加でも破
壊しにくくなるようにしたものである。また、積層する
アルミニウム膜の各層の厚さが厚い場合には励振による
応力でアルミニウム原子は横方向への移動が生じサイド
ヒロックを発生する。このサイドヒロックは電極の劣化
につながるとともに、隣のインターデジタルトランスデ
ューサ電極と接触するとショート不良となる。
【００１８】この防止に対しては、積層するアルミニウ
ム膜の厚さを薄くすることが効果的であり、本発明者ら
は実験より送信段に使うための１Ｗ以上の電力印加に耐
えるためには１５０ｎｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以
下とすることがよいことを見いだした。また、アルミニ
ウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料は一般
にアルミニウム膜よりも密度が大きいことからできるだ
け薄く形成することが望ましく、少なくともアルミニウ
ム膜よりも薄く形成することで配線抵抗増大を防止する
ことができる。
ム膜の厚さを薄くすることが効果的であり、本発明者ら
は実験より送信段に使うための１Ｗ以上の電力印加に耐
えるためには１５０ｎｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以
下とすることがよいことを見いだした。また、アルミニ
ウム膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料は一般
にアルミニウム膜よりも密度が大きいことからできるだ
け薄く形成することが望ましく、少なくともアルミニウ
ム膜よりも薄く形成することで配線抵抗増大を防止する
ことができる。
【００１９】以下、具体的な実施例について説明する。 （実施例１）本発明の１実施例として図１（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施例
で作成した８７２ＭHzのラダータイプのフィルタの構成
を示す斜視図である。
（ｂ）を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施例
で作成した８７２ＭHzのラダータイプのフィルタの構成
を示す斜視図である。
【００２０】また、図１（ｂ）はその等価回路図であ
る。１は圧電体基板であり、本実施例ではリチウム酸タ
ンタル（以下ＬＴ基板と呼ぶ）を用いた。２はインター
デジタルトランスデューサ電極で、３は反射器電極であ
る。
る。１は圧電体基板であり、本実施例ではリチウム酸タ
ンタル（以下ＬＴ基板と呼ぶ）を用いた。２はインター
デジタルトランスデューサ電極で、３は反射器電極であ
る。
【００２１】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の積層構成電
極の積層数を変えた場合の断面概略図である。図に示し
た断面はインターデジタルトランスデューサ電極の１本
のみを示したものである。図において、３１〜３３，３
５〜３８，４０〜４５はアルミニウム膜で、５１〜５
２，５３〜５５，５６〜６０はアルミニウム膜よりも弾
性定数の大きな導電性材料膜であり、図２（ａ）では３
１〜３３と５１〜５２を含めてインターデジタルトラン
スデューサ電極２を構成し、図２（ｂ）では、３５〜３
８と５３〜５５を含めてインターデジタルトランスデュ
ーサ電極２を形成し、図２（ｃ）では、４０〜４５と５
６〜６０でインターデジタルトランスデューサ電極２を
構成している。
極の積層数を変えた場合の断面概略図である。図に示し
た断面はインターデジタルトランスデューサ電極の１本
のみを示したものである。図において、３１〜３３，３
５〜３８，４０〜４５はアルミニウム膜で、５１〜５
２，５３〜５５，５６〜６０はアルミニウム膜よりも弾
性定数の大きな導電性材料膜であり、図２（ａ）では３
１〜３３と５１〜５２を含めてインターデジタルトラン
スデューサ電極２を構成し、図２（ｂ）では、３５〜３
８と５３〜５５を含めてインターデジタルトランスデュ
ーサ電極２を形成し、図２（ｃ）では、４０〜４５と５
６〜６０でインターデジタルトランスデューサ電極２を
構成している。
【００２２】本実施例では以下のように形成した。電極
膜はスパッタリングで成膜し、装置はカローセル型スパ
ッタ装置（日電アネルバ（株）製ＳＰＣ−５３０Ｈ）を
用いた。このスパッタ装置にアルミニウムとチタンのタ
ーゲットを取り付け、ＬＴ基板１を基板ホルダーにセッ
トした後５ｍＴｏｒｒ、基板温度室温でそれぞれの膜を
積層形成した。
膜はスパッタリングで成膜し、装置はカローセル型スパ
ッタ装置（日電アネルバ（株）製ＳＰＣ−５３０Ｈ）を
用いた。このスパッタ装置にアルミニウムとチタンのタ
ーゲットを取り付け、ＬＴ基板１を基板ホルダーにセッ
トした後５ｍＴｏｒｒ、基板温度室温でそれぞれの膜を
積層形成した。
【００２３】なお、比較のために図３（ａ），（ｂ）に
示す構成の電極も同時に作成して評価した。図３におい
て、１は圧電体基板で、２はインターデジタルトランス
デューサ電極、４６は単一材料からなる膜、４７はアル
ミニウム膜で、６１はアルミニウムよりも大きな弾性定
数を有する導電性材料膜である。本実施例では、単一材
料膜構成としてアルミニウム単独膜とアルミニウム−１
ｗｔ％チタン合金膜及び３層構成電極膜としてアルミニ
ウム／チタン／アルミニウム膜構成を同じ装置で作成し
た。作成した電極構成のそれぞれの電極膜厚を（表１）
に示す。ＳＡＷフィルタの中心周波数は電極の質量負荷
効果により変動するために、本実施例においてはアルミ
ニウム膜で電極を作成した時の電極の質量と同等の質量
になるように膜厚を合わせ周波数変動を防いだ。
示す構成の電極も同時に作成して評価した。図３におい
て、１は圧電体基板で、２はインターデジタルトランス
デューサ電極、４６は単一材料からなる膜、４７はアル
ミニウム膜で、６１はアルミニウムよりも大きな弾性定
数を有する導電性材料膜である。本実施例では、単一材
料膜構成としてアルミニウム単独膜とアルミニウム−１
ｗｔ％チタン合金膜及び３層構成電極膜としてアルミニ
ウム／チタン／アルミニウム膜構成を同じ装置で作成し
た。作成した電極構成のそれぞれの電極膜厚を（表１）
に示す。ＳＡＷフィルタの中心周波数は電極の質量負荷
効果により変動するために、本実施例においてはアルミ
ニウム膜で電極を作成した時の電極の質量と同等の質量
になるように膜厚を合わせ周波数変動を防いだ。
【００２４】これらの試料の電極膜にフォトリソグラフ
ィとドライエッチング技術を用いて所定のパターン形成
をして、その後ダイシング、パッケージ用基板へダイボ
ンドし、ワイヤボンド接続を行い、８７２ＭHzのフィル
タを作成した。
ィとドライエッチング技術を用いて所定のパターン形成
をして、その後ダイシング、パッケージ用基板へダイボ
ンドし、ワイヤボンド接続を行い、８７２ＭHzのフィル
タを作成した。
【００２５】試作した試料について、１００℃の雰囲気
で中心周波数に４Ｗを印加して耐電力試験を行った。耐
電力試験での寿命は挿入損失が初期の値から０．５ｄＢ
劣化するまでの時間をアルミニウム膜での寿命に対して
正規化して表示した。この結果を（表１）に示す。
で中心周波数に４Ｗを印加して耐電力試験を行った。耐
電力試験での寿命は挿入損失が初期の値から０．５ｄＢ
劣化するまでの時間をアルミニウム膜での寿命に対して
正規化して表示した。この結果を（表１）に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】（表１）から判るように、図３（ｂ）の３
層構成の場合には表面にヒロックと電極の側面部にサイ
ドヒロックの発生が観察され、ＳＡＷデバイスの寿命も
チタン添加合金膜の２０倍程度であった。
層構成の場合には表面にヒロックと電極の側面部にサイ
ドヒロックの発生が観察され、ＳＡＷデバイスの寿命も
チタン添加合金膜の２０倍程度であった。
【００２８】一方、チタン膜及びアルミニウム膜を各々
２層以上積層し、かつアルミニウム膜の各層の膜厚を１
５０ｎｍ以下とした図２（ａ），図２（ｂ）、及び図２
（ｃ）の試料ではＳＡＷデバイスの寿命は１０6以上と
大幅な改善がみられた。ただし、図２（ａ），図２
（ｂ）の試料では、電極表面に一部ヒロックの発生が観
察されたが、図２（ｃ）の試料では全く変化がみられず
ＳＡＷデバイスの寿命も試験した時間内では寿命まで至
っていなかった。
２層以上積層し、かつアルミニウム膜の各層の膜厚を１
５０ｎｍ以下とした図２（ａ），図２（ｂ）、及び図２
（ｃ）の試料ではＳＡＷデバイスの寿命は１０6以上と
大幅な改善がみられた。ただし、図２（ａ），図２
（ｂ）の試料では、電極表面に一部ヒロックの発生が観
察されたが、図２（ｃ）の試料では全く変化がみられず
ＳＡＷデバイスの寿命も試験した時間内では寿命まで至
っていなかった。
【００２９】このように、積層電極構成はＳＡＷデバイ
スの寿命の改善に大きな効果があることが認められた。
また、挿入損失に影響する電極膜のシート抵抗は、アル
ミニウム電極膜を１として正規化して示しているが、積
層膜構成電極は１．６−１．９倍程度となり、チタンを
１ｗｔ％添加した合金膜に比べて小さな値となった。こ
の結果、挿入損失もアルミニウム−１ｗｔ％チタン合金
膜を用いたフィルタよりも小さい値が得られた。
スの寿命の改善に大きな効果があることが認められた。
また、挿入損失に影響する電極膜のシート抵抗は、アル
ミニウム電極膜を１として正規化して示しているが、積
層膜構成電極は１．６−１．９倍程度となり、チタンを
１ｗｔ％添加した合金膜に比べて小さな値となった。こ
の結果、挿入損失もアルミニウム−１ｗｔ％チタン合金
膜を用いたフィルタよりも小さい値が得られた。
【００３０】本実施例では、チタンの膜厚は１５ｎｍと
固定して作成したが、本発明の効果を得るためにはこの
膜厚は少なくともアルミニウム膜の厚さよりも薄く形成
すれば良いことが実験的に確認されている。また、アル
ミニウム膜の各層の厚さを本実施例では一定として作成
したが、これに制約されるものでなく、各層の厚さは異
なっていても特に問題はない。
固定して作成したが、本発明の効果を得るためにはこの
膜厚は少なくともアルミニウム膜の厚さよりも薄く形成
すれば良いことが実験的に確認されている。また、アル
ミニウム膜の各層の厚さを本実施例では一定として作成
したが、これに制約されるものでなく、各層の厚さは異
なっていても特に問題はない。
【００３１】なおこの構成の、電極としては、タンタル
に限定されるものではなく、銅、パラジウム、クロム、
モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコ
ニウム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用い
ても同様の効果があることを確認している。
に限定されるものではなく、銅、パラジウム、クロム、
モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコ
ニウム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用い
ても同様の効果があることを確認している。
【００３２】（実施例２）本発明の第２の実施例につい
て第１の実施例と同じ図１のフィルタ構成で、図２に示
す層構成の電極を作成した。また、比較用として、図３
に示す単一層電極として、アルミニウム単独膜とアルミ
ニウム−１ｗｔ％銅合金膜及びアルミニウム／銅／アル
ミニウム層構成膜を作成した。本実施例の電極構成は、
アルミニウム膜と銅膜の積層構成とし、それぞれの電極
膜厚を（表２）に示す。ＳＡＷデバイスの中心周波数は
電極の質量負荷効果により変動するために、本実施例に
おいてはアルミニウム膜で電極を作成したときの電極の
質量と同等になるように膜厚を合わせ周波数変動を防い
だ。
て第１の実施例と同じ図１のフィルタ構成で、図２に示
す層構成の電極を作成した。また、比較用として、図３
に示す単一層電極として、アルミニウム単独膜とアルミ
ニウム−１ｗｔ％銅合金膜及びアルミニウム／銅／アル
ミニウム層構成膜を作成した。本実施例の電極構成は、
アルミニウム膜と銅膜の積層構成とし、それぞれの電極
膜厚を（表２）に示す。ＳＡＷデバイスの中心周波数は
電極の質量負荷効果により変動するために、本実施例に
おいてはアルミニウム膜で電極を作成したときの電極の
質量と同等になるように膜厚を合わせ周波数変動を防い
だ。
【００３３】本実施例の作成では、ＬＴ基板上に最初に
電極膜の逆パターンとなるようなフォトレジスト膜のパ
ターンを作成しておき、この基板上に１０-4Ｐａの真空
度で、基板温度を室温とし、電子ビームによりアルミニ
ウム膜と銅膜を所定の厚さに積層形成した。この後、フ
ォトレジスト膜をエッチング除去することで、このフォ
トレジスト膜上に形成された電極膜を同時に除去して所
定のインターデジタルトランスデューサ電極を作成し
た。
電極膜の逆パターンとなるようなフォトレジスト膜のパ
ターンを作成しておき、この基板上に１０-4Ｐａの真空
度で、基板温度を室温とし、電子ビームによりアルミニ
ウム膜と銅膜を所定の厚さに積層形成した。この後、フ
ォトレジスト膜をエッチング除去することで、このフォ
トレジスト膜上に形成された電極膜を同時に除去して所
定のインターデジタルトランスデューサ電極を作成し
た。
【００３４】このようにして形成した試料をダイシン
グ、パッケージ用基板へダイボンドし、ワイヤボンド接
続を行い、実施例１と同じ８７２ＭHzのフィルタを作成
した。ＳＡＷデバイスの寿命の評価についても実施例１
と同じ方法で行った。この結果を（表２）に示す。
グ、パッケージ用基板へダイボンドし、ワイヤボンド接
続を行い、実施例１と同じ８７２ＭHzのフィルタを作成
した。ＳＡＷデバイスの寿命の評価についても実施例１
と同じ方法で行った。この結果を（表２）に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】図３（ｂ）の３層構成電極では、ＳＡＷデ
バイスの寿命は図３（ａ）の銅添加膜試料の１０倍程度
の結果が得られたが、銅とアルミニウムを各々２層以上
積層した図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）の試料で
は１×１０6程度かそれ以上の寿命が得られ、図３
（ａ）のアルミニウム−１ｗｔ％銅合金電極や図３
（ｂ）の３層構成電極に比べて大きな改善がみられた。
なお、図２（ａ），図２（ｂ）の試料では表面に一部ヒ
ロックの発生が観察されたが、図２（ｃ）の試料では全
く変化がみられず、試験した範囲では寿命に至っていな
かった。さらに、電極膜のシート抵抗は、図３（ａ）の
アルミニウム−１ｗｔ％銅膜と大きな差異がなく実用上
問題がなかった。
バイスの寿命は図３（ａ）の銅添加膜試料の１０倍程度
の結果が得られたが、銅とアルミニウムを各々２層以上
積層した図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）の試料で
は１×１０6程度かそれ以上の寿命が得られ、図３
（ａ）のアルミニウム−１ｗｔ％銅合金電極や図３
（ｂ）の３層構成電極に比べて大きな改善がみられた。
なお、図２（ａ），図２（ｂ）の試料では表面に一部ヒ
ロックの発生が観察されたが、図２（ｃ）の試料では全
く変化がみられず、試験した範囲では寿命に至っていな
かった。さらに、電極膜のシート抵抗は、図３（ａ）の
アルミニウム−１ｗｔ％銅膜と大きな差異がなく実用上
問題がなかった。
【００３７】この実施例の場合も積層する銅膜は１５ｎ
ｍと一定としたが、本発明の効果を得るためにはアルミ
ニウム膜よりも薄く形成すれば良く、また各層の厚さを
一定とすることも特に必要ではない。さらに、アルミニ
ウム膜の厚さも各層で一定としたが、特に制約されるも
のではなく各層の厚さは異なっても特に問題はない。
ｍと一定としたが、本発明の効果を得るためにはアルミ
ニウム膜よりも薄く形成すれば良く、また各層の厚さを
一定とすることも特に必要ではない。さらに、アルミニ
ウム膜の厚さも各層で一定としたが、特に制約されるも
のではなく各層の厚さは異なっても特に問題はない。
【００３８】なおこの構成の電極としては銅に限定され
るものではなく、チタン、パラジウム、クロム、モリブ
デン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用いても
同様の効果があることを確認している。
るものではなく、チタン、パラジウム、クロム、モリブ
デン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用いても
同様の効果があることを確認している。
【００３９】（実施例３）本発明の実施例を図４にした
がって説明する。図４において、１は圧電体基板で、７
０〜７３はアルミニウム膜、８０〜８２は導電性材料膜
で、本実施例では銅膜とした。本実施例では、アルミニ
ウムと銅膜を積層したが、最表面層のアルミニウム膜７
３の膜厚を２１ｎｍとした。この膜厚構成を（表３）に
示す。比較用として、同一の７層構成であるが最表面の
膜厚が６６ｎｍの試料も作成した。
がって説明する。図４において、１は圧電体基板で、７
０〜７３はアルミニウム膜、８０〜８２は導電性材料膜
で、本実施例では銅膜とした。本実施例では、アルミニ
ウムと銅膜を積層したが、最表面層のアルミニウム膜７
３の膜厚を２１ｎｍとした。この膜厚構成を（表３）に
示す。比較用として、同一の７層構成であるが最表面の
膜厚が６６ｎｍの試料も作成した。
【００４０】これらの電極構成の試料の作成は実施例２
と同一の方法で行った。試験結果を（表３）に示す。
と同一の方法で行った。試験結果を（表３）に示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】（表３）からわかるように、最表面のアル
ミニウム膜の膜厚を薄くすることで表面に発生していた
ヒロックが防止でき、この結果寿命も改善された。ま
た、銅膜は酸化しやすいが、最表面には酸化に対して強
いアルミニウム膜を設けているために、長期間にわたっ
て酸化による周波数変動も生じなかった。
ミニウム膜の膜厚を薄くすることで表面に発生していた
ヒロックが防止でき、この結果寿命も改善された。ま
た、銅膜は酸化しやすいが、最表面には酸化に対して強
いアルミニウム膜を設けているために、長期間にわたっ
て酸化による周波数変動も生じなかった。
【００４３】なお、この構成の電極としては、銅に限定
されるものではなく、チタン、パラジウム、クロム、モ
リブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニ
ウム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用いて
も同様の効果があることを確認している。
されるものではなく、チタン、パラジウム、クロム、モ
リブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニ
ウム、ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀を用いて
も同様の効果があることを確認している。
【００４４】（実施例４）本発明の実施例を図５にした
がって説明する。図５において、１は圧電体基板、７４
〜７７はアルミニウム膜、８３〜８６は導電性材料膜
で、本実施例ではチタン膜を用いた。本実施例ではアル
ミニウム膜を４層、チタン膜を４層積層して最表面層を
チタン膜８６とした。比較のために、７層構成で最表面
が７５ｎｍのアルミニウム膜である試料も作成した。各
膜厚を（表４）に示す。作成方法は実施例１と同じ方法
で行った。
がって説明する。図５において、１は圧電体基板、７４
〜７７はアルミニウム膜、８３〜８６は導電性材料膜
で、本実施例ではチタン膜を用いた。本実施例ではアル
ミニウム膜を４層、チタン膜を４層積層して最表面層を
チタン膜８６とした。比較のために、７層構成で最表面
が７５ｎｍのアルミニウム膜である試料も作成した。各
膜厚を（表４）に示す。作成方法は実施例１と同じ方法
で行った。
【００４５】ＳＡＷデバイスの寿命評価結果を（表４）
に示す。
に示す。
【００４６】
【表４】
【００４７】同じような膜厚構成の図２（ｂ）の試料で
は試験後の電極表面に一部ヒロックがみられるが、本実
施例の図５の試料では全く変化がなく、ＳＡＷデバイス
の寿命も改善された。なお、本実施例はチタンに限定さ
れるものではなく、安定な酸化膜を形成する材料であれ
ば使用可能であり、チタンの他にクロム、ニオブ、ジル
コニウム、ハフニウムでも同様の効果がある。
は試験後の電極表面に一部ヒロックがみられるが、本実
施例の図５の試料では全く変化がなく、ＳＡＷデバイス
の寿命も改善された。なお、本実施例はチタンに限定さ
れるものではなく、安定な酸化膜を形成する材料であれ
ば使用可能であり、チタンの他にクロム、ニオブ、ジル
コニウム、ハフニウムでも同様の効果がある。
【００４８】（実施例５）本発明の実施例を図６にした
がって説明する。本実施例では、９５の導電性材料膜を
チタン膜として、９６及び９７の導電性材料膜を窒化チ
タン膜とした。なお、９０，９１，９２はアルミニウム
膜で、これらを合わせてインターデジタルトランスデュ
ーサ電極２を形成している。１は圧電体基板で、本実施
例ではＬＴ基板を用いた。
がって説明する。本実施例では、９５の導電性材料膜を
チタン膜として、９６及び９７の導電性材料膜を窒化チ
タン膜とした。なお、９０，９１，９２はアルミニウム
膜で、これらを合わせてインターデジタルトランスデュ
ーサ電極２を形成している。１は圧電体基板で、本実施
例ではＬＴ基板を用いた。
【００４９】電極膜の作成は真空蒸着で行い、１０-4Ｐ
ａの真空度まで排気した後、基板温度室温で電子ビーム
によりアルミニウムとチタンを蒸発させて成膜した。こ
の成膜時に、圧電体基板１と接触する第１の層をチタン
膜９５とし、９６及び９７の層は蒸着時に１０-3Ｐａと
なるように窒素ガスを導入して窒化チタン膜とした。ア
ルミニウム成膜時には窒素ガス導入を止めて高真空状態
で成膜した。
ａの真空度まで排気した後、基板温度室温で電子ビーム
によりアルミニウムとチタンを蒸発させて成膜した。こ
の成膜時に、圧電体基板１と接触する第１の層をチタン
膜９５とし、９６及び９７の層は蒸着時に１０-3Ｐａと
なるように窒素ガスを導入して窒化チタン膜とした。ア
ルミニウム成膜時には窒素ガス導入を止めて高真空状態
で成膜した。
【００５０】本実施例の電極構成では、圧電体基板１上
にはチタン層があり、アルミニウムよりも密着性の改善
ができた。また、アルミニウムとの積層部は窒化チタン
膜としたことから、アルミニウム膜との反応が生じ難く
なり、エッチングや組立等のプロセスで加熱されても拡
散が起こり難く、より安定となり、３００℃の加熱後で
もＳＡＷデバイスの寿命特性は１０7であり、配線抵抗
もアルミニウム膜の１．６倍程度までと小さな値であっ
た。本実験ではチタンを用いる方法について説明した
が、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、
タンタル、クロム、モリブデン、タングステン等の遷移
金属を用いれば同様の作成方法により、効果が得られ
る。
にはチタン層があり、アルミニウムよりも密着性の改善
ができた。また、アルミニウムとの積層部は窒化チタン
膜としたことから、アルミニウム膜との反応が生じ難く
なり、エッチングや組立等のプロセスで加熱されても拡
散が起こり難く、より安定となり、３００℃の加熱後で
もＳＡＷデバイスの寿命特性は１０7であり、配線抵抗
もアルミニウム膜の１．６倍程度までと小さな値であっ
た。本実験ではチタンを用いる方法について説明した
が、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、
タンタル、クロム、モリブデン、タングステン等の遷移
金属を用いれば同様の作成方法により、効果が得られ
る。
【００５１】（実施例６）図１に示すフィルタ構成で、
電極としてアルミニウム膜とホウ化チタン膜の積層構成
でアルミニウム膜を３層、ホウ化チタン膜を２層の合計
５層構成の電極を作成した。成膜はスパッタリングで行
い、装置はカローセル型スパッタ装置（日電アネルバ
（株）製ＳＰＣ−５３０Ｈ）を用いた。このスパッタ装
置にアルミニウムとホウ化チタンのターゲットを取り付
け、ＬＴ基板を基板ホルダーにセットした後５ｍＴｏｒ
ｒ、基板温度室温でそれぞれの膜を積層形成した。ホウ
化チタン膜の１層の厚さを１０ｎｍとした。
電極としてアルミニウム膜とホウ化チタン膜の積層構成
でアルミニウム膜を３層、ホウ化チタン膜を２層の合計
５層構成の電極を作成した。成膜はスパッタリングで行
い、装置はカローセル型スパッタ装置（日電アネルバ
（株）製ＳＰＣ−５３０Ｈ）を用いた。このスパッタ装
置にアルミニウムとホウ化チタンのターゲットを取り付
け、ＬＴ基板を基板ホルダーにセットした後５ｍＴｏｒ
ｒ、基板温度室温でそれぞれの膜を積層形成した。ホウ
化チタン膜の１層の厚さを１０ｎｍとした。
【００５２】積層電極を形成後、フォトリソグラフィプ
ロセスを行い、電極膜のエッチングはイオンミリングで
行い、所定のパターンを形成した。この後の工程は実施
例１と同じ方法で行った。また、試験方法も実施例１と
同一とした。試験結果、本実施例では試験後の電極表面
に僅かのヒロックがみられたが、ＳＡＷデバイスの寿命
は５×１０7以上が得られた。これはホウ化チタン膜の
機械的強度が大きいことと、ホウ化チタン膜上に形成し
たアルミニウム膜の粒径が小さくなることによる効果で
ある。
ロセスを行い、電極膜のエッチングはイオンミリングで
行い、所定のパターンを形成した。この後の工程は実施
例１と同じ方法で行った。また、試験方法も実施例１と
同一とした。試験結果、本実施例では試験後の電極表面
に僅かのヒロックがみられたが、ＳＡＷデバイスの寿命
は５×１０7以上が得られた。これはホウ化チタン膜の
機械的強度が大きいことと、ホウ化チタン膜上に形成し
たアルミニウム膜の粒径が小さくなることによる効果で
ある。
【００５３】本実施例ではチタン、銅、ホウ化チタン、
窒化チタンとチタンの２つの材料を用いる構成について
説明したが、本発明の効果はアルミニウム膜よりも弾性
定数が大きな材料をアルミニウム膜の間に積層すること
で得られるものであり、パラジウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、
ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀等の単一金属や
炭化チタン、ニッケルクロム、窒化チタン等の炭化物や
窒化物や合金でも同様の効果が得られる。
窒化チタンとチタンの２つの材料を用いる構成について
説明したが、本発明の効果はアルミニウム膜よりも弾性
定数が大きな材料をアルミニウム膜の間に積層すること
で得られるものであり、パラジウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、
ハフニウム、バナジウム、ニッケル、銀等の単一金属や
炭化チタン、ニッケルクロム、窒化チタン等の炭化物や
窒化物や合金でも同様の効果が得られる。
【００５４】さらに、アルミニウム膜よりも弾性定数が
大きな材料からなる層は必ずしも同一材料からなる必要
はなくアルミニウム膜の間に積層された膜がアルミニウ
ム膜よりも弾性定数が大きな材料から成っていれば同様
の効果が得られる。
大きな材料からなる層は必ずしも同一材料からなる必要
はなくアルミニウム膜の間に積層された膜がアルミニウ
ム膜よりも弾性定数が大きな材料から成っていれば同様
の効果が得られる。
【００５５】また、本実施例ではＬＴ基板について行っ
たが、本発明はＬＴ基板に対して限定されるものではな
く、ニオブ酸リチウム基板や４ホウ酸リチウム基板ある
いは水晶基板等の単結晶基板上に形成した場合でも同様
の効果が得られる。また、サファイア基板上に設けた酸
化亜鉛膜を用いた圧電体基板でも同じ効果が得られる。
たが、本発明はＬＴ基板に対して限定されるものではな
く、ニオブ酸リチウム基板や４ホウ酸リチウム基板ある
いは水晶基板等の単結晶基板上に形成した場合でも同様
の効果が得られる。また、サファイア基板上に設けた酸
化亜鉛膜を用いた圧電体基板でも同じ効果が得られる。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明はアルミニウム膜と
アルミニウム膜よりも弾性定数の大きな導電性材料の膜
を積層形成することで大きな電力印加に耐え、かつ、シ
ート抵抗を小さく保つインターデジタルトランスデュー
サ電極を作成でき、大電力印加が必要とされる携帯電話
の送信段フィルタやキーレスエントリーシステムに使用
される発振子等を信頼性良く作成できる点で大きな効果
を有する。
アルミニウム膜よりも弾性定数の大きな導電性材料の膜
を積層形成することで大きな電力印加に耐え、かつ、シ
ート抵抗を小さく保つインターデジタルトランスデュー
サ電極を作成でき、大電力印加が必要とされる携帯電話
の送信段フィルタやキーレスエントリーシステムに使用
される発振子等を信頼性良く作成できる点で大きな効果
を有する。
【図１】（ａ）本発明の実施例に基づいて作成したＳＡ
Ｗデバイスの構成を示す斜視図 （ｂ）同ＳＡＷデバイスの等価回路図
Ｗデバイスの構成を示す斜視図 （ｂ）同ＳＡＷデバイスの等価回路図
【図２】本発明の積層構成電極の断面構成図
【図３】比較用に作成した電極の断面構成図
【図４】本発明の第３の実施例を示す断面構成図
【図５】本発明の第４の実施例を示す断面構成図
【図６】本発明の第５の実施例を示す断面構成図
１ 圧電体基板 ２ インターデジタルトランスデューサ電極 ３ 反射器電極 ３１〜３３、３５〜３８、４０〜４５ アルミニウム膜 ５１〜６０ 導電性材料膜
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電体基板と、この圧電体基板の表面上
に設けた少なくともインターデジタルトランスデューサ
電極を有し、少なくともこのインターデジタルトランス
デューサ電極がアルミニウム膜とこのアルミニウム膜よ
りも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜を交
互に積層してなり、かつ前記導電体材料よりなる膜及び
前記アルミニウム膜の積層数が各々少なくとも２層以上
である構成を有するＳＡＷデバイス。 - 【請求項２】 アルミニウム膜の各層の厚さが１５０ｎ
ｍ以下で、かつ、このアルミニウム膜よりも大きな弾性
定数を有する導電体材料よりなる膜の各層の厚さを前記
アルミニウム膜の厚さよりも薄くした構成の請求項１記
載のＳＡＷデバイス。 - 【請求項３】 積層した電極の最表面層がアルミニウム
膜であり、かつその膜厚を５０ｎｍ以下とした請求項１
記載のＳＡＷデバイス。 - 【請求項４】 積層した電極の最表面層がアルミニウム
膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜
とした請求項１記載のＳＡＷデバイス。 - 【請求項５】 圧電体基板と密着する第１層が遷移金属
からなり、この第１層上にアルミニウム膜と遷移金属の
窒化物を交互に積層してなるインターデジタルトランス
デューサ電極を有する請求項１記載のＳＡＷデバイスを
作成する際、まずチャンバー内を１０-4Ｐａ以下の真空
度に排気してから第１層の遷移金属の膜を作成し、続い
て同様に第２層のアルミニウム膜を作成した後、チャン
バー内に窒素ガスを導入し、窒素雰囲気中で成膜するこ
とにより窒化した遷移金属膜の第３層を作成し、その後
再びチャンバー内を１０-4Ｐａ以下の真空度に排気した
後、第４層のアルミニウム膜を作成し、また窒素ガスを
導入した後窒素雰囲気中にて第５層の窒化した遷移金属
膜を作成する過程を繰り返すことにより積層構造のイン
ターデジタルトランスデューサ電極を形成するＳＡＷデ
バイスの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224855A JPH0969748A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
| KR1019960034234A KR100405931B1 (ko) | 1995-09-01 | 1996-08-19 | Saw장치 |
| MYPI96003517A MY116670A (en) | 1995-09-01 | 1996-08-24 | Saw device and its manufacturing method |
| SG1996010543A SG47173A1 (en) | 1995-09-01 | 1996-08-26 | Saw device and its manufacturing method |
| US08/704,209 US5844347A (en) | 1995-09-01 | 1996-08-29 | Saw device and its manufacturing method |
| DE69629080T DE69629080T2 (de) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | Akustische Oberflächenwellenanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP96113958A EP0762641B1 (en) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | Saw device and its manufacturing method |
| CNB961119691A CN1157806C (zh) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | 声驻波(saw)器件及其制造方法 |
| EP03002066A EP1315296A1 (en) | 1995-09-01 | 1996-08-30 | SAW device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224855A JPH0969748A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969748A true JPH0969748A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16820229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7224855A Pending JPH0969748A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5844347A (ja) |
| EP (2) | EP1315296A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0969748A (ja) |
| KR (1) | KR100405931B1 (ja) |
| CN (1) | CN1157806C (ja) |
| DE (1) | DE69629080T2 (ja) |
| MY (1) | MY116670A (ja) |
| SG (1) | SG47173A1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054995A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de production, dispositif de communication mobile comprenant ce dernier |
| WO2003032485A1 (fr) * | 2001-10-03 | 2003-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a onde acoustique de surface, et composant electronique equipe de ce dispositif |
| US6657366B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave element |
| WO2004114521A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| US6861786B2 (en) | 2001-06-22 | 2005-03-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw device |
| US7141909B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP2008125131A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置及びその製造方法 |
| US7467447B2 (en) | 2001-09-21 | 2008-12-23 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a SAW device |
| WO2009035797A2 (en) * | 2007-08-09 | 2009-03-19 | University Of Maine System Board Of Trustees | Ultra-thin film electrodes and protective layer for high temperature device applications |
| JP5664655B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Families Citing this family (42)
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