JPWO2012127793A1 - 弾性波素子 - Google Patents

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哲也 鶴成
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城二 藤原
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Abstract

弾性波素子は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、第１の誘電体膜とを有する。ＩＤＴ電極は、第１のバスバー電極と、第２のバスバー電極と、第１の電極指と、第２の電極指とを有する。圧電基板上には、バスバー電極領域と、交互配置領域と、中間領域が形成されている。第１の誘電体膜は、中間領域の少なくとも一部に形成され、第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質からなる。

Description

本発明は、圧電効果を利用した弾性波素子に関する。
図３５Ａは、従来の弾性波素子の上面模式図である。図３５Ｂは、図３５Ａの３５Ｂ−３５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３５Ｃは、図３５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。
弾性波素子１０１は、タンタル酸リチウム系の圧電基板１０２と、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０３と、反射器電極１０４を有する。ＩＤＴ電極１０３は、圧電基板１０２の上に形成され、波長λの主要弾性波を励振させる。反射器電極１０４は、圧電基板１０２の上に、ＩＤＴ電極１０３を挟むように形成されている。
ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１と、第１のバスバー電極１２１に対向した第２のバスバー電極２２１とを有する。さらに、ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１から第２のバスバー電極２２１に向けて延伸された第１の電極指１２３と、第２のバスバー電極２２１から第１のバスバー電極１２１に向けて延伸された第２の電極指２２３とを有する。さらに、ＩＤＴ電極１０３は、第１のバスバー電極１２１から第２のバスバー電極２２１に向けて延伸された第１のダミー電極１２２と、第２のバスバー電極２２１から第１のバスバー電極１２１に向けて延伸された第２のダミー電極２２２とを有する。
圧電基板１０２の上には、バスバー電極領域１０６と、ダミー電極領域１０７と、中間領域１０８と、交互配置領域１０９とが形成されている。バスバー電極領域１０６には、第１のバスバー電極１２１または第２のバスバー電極２２１が配置されている。ダミー電極領域１０７には、第１のダミー電極１２２と第１の電極指１２３もしくは第２のダミー電極２２２と第２の電極指２２３のうちどちらかが配置されている。交互配置領域１０９には、第１の電極指１２３と第２の電極指２２３が交互に配置されている。中間領域１０８には、第１の電極指１２３と第２の電極指２２３のうちのどちらか一方が配置されている。
さらに、バスバー電極領域１０６の一部に例えば重金属層１１０を形成して厚くすることで、交互配置領域１０９内における主要弾性波を弾性波素子１０１内に閉じ込めることができる。
しかしながら、弾性波素子１０１では、重金属層１１０がＩＤＴ電極１０３のバスバー電極領域１０６にしか形成できず、主要弾性波の交互配置領域１０９内における閉じ込め効果が十分ではない。
タンタル酸リチウム系の圧電基板１０２で形成した共振器において、ＩＤＴ電極１０３によって励振される主要弾性波のエネルギーは音速が速い領域に移動する傾向を示す。これは、タンタル酸リチウム系の圧電基板は、伝搬方向の異方性指数が、γ＜０であるからである。
図３５Ｃに示すように、中間領域１０８における主要弾性波の音速が、交互配置領域１０９における主要弾性波の音速よりも速い。そのため、交互配置領域１０９の主要弾性波が中間領域１０８に漏れることにより、弾性波素子１０１の特性ロスが発生する場合がある。
なお、この発明に関連する先行技術文献として特許文献１、２が知られている。
特許第３４１２６１号公報 特許第３９２９４１５号公報
本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極と、第１の誘電体膜を有する。ＩＤＴ電極は、第１のバスバー電極と、第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、第１のバスバー電極から第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、第２のバスバー電極から第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有する。圧電基板上には、第１のバスバー電極と第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、第１の電極指と第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、第１の電極指と第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成されている。
圧電基板とＩＤＴ電極で構成された積層体の最表面で、かつ中間領域における第１、第２の電極指の延伸方向の少なくとも一部に、第１の誘電体膜が形成されている。第１の誘電体膜は、第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質で形成されている。
図１Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図である。 図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂにおける断面模式図である。 図１Ｃは、図１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１Ｄは、本発明の実施の形態１における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。 図２Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ−２Ｂにおける断面模式図である。 図２Ｃは、図２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３は、従来の弾性波素子の特性を示す図である。 図４は、本発明の実施の形態１における弾性波素子の特性を示す図である。 図５Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ−５Ｂにおける断面模式図である。 図６Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図６Ｂは、図６Ａの６Ｂ−６Ｂにおける断面模式図である。 図７Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図７Ｂは、図７Ａの７Ｂ−７Ｂにおける断面模式図である。 図８Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図８Ｂは、図８Ａの８Ｂ−８Ｂにおける断面模式図である。 図９Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図９Ｂは、図９Ａの９Ｂ−９Ｂにおける断面模式図である。 図１０Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１０Ｂは、図１０Ａの１０Ｂ−１０Ｂにおける断面模式図である。 図１１Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１１Ｂは、図１１Ａの１１Ｂ−１１Ｂにおける断面模式図である。 図１２Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１２Ｂは、図１２Ａの１２Ｂ−１２Ｂにおける断面模式図である。 図１３Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１３Ｂは、図１３Ａの１３Ｂ−１３Ｂにおける断面模式図である。 図１４Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１４Ｂは、図１４Ａの１４Ｂ−１４Ｂにおける断面模式図である。 図１５Ａは、本発明の実施の形態１における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１５Ｂは、図１５Ａの１５Ｂ−１５Ｂにおける断面模式図である。 図１６Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図である。 図１６Ｂは、図１６Ａの１６Ｂ−１６Ｂにおける断面模式図である。 図１６Ｃは、図１６Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１６Ｄは、本発明の実施の形態２における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。 図１７Ａは、本発明の実施の形態２における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１７Ｂは、図１７Ａの１７Ｂ−１７Ｂにおける断面模式図である。 図１７Ｃは、図１７Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１８Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波素子の上面模式図である。 図１８Ｂは、図１８Ａの１８Ｂ−１８Ｂにおける断面模式図である。 図１８Ｃは、図１８Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図１９Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図１９Ｂは、図１９Ａの１９Ｂ−１９Ｂにおける断面模式図である。 図２０Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２０Ｂは、図２０Ａの２０Ｂ−２０Ｂにおける断面模式図である。 図２０Ｃは、図２０Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２１Ａは、本発明の実施の形態３における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２１Ｂは、図２１Ａの２１Ｂ−２１Ｂにおける断面模式図である。 図２２Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波素子の上面模式図である。 図２２Ｂは、図２２Ａの２２Ｂ−２２Ｂにおける断面模式図である。 図２２Ｃは、図２２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２３Ａは、本発明の実施の形態４における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２３Ｂは、図２３Ａの２３Ｂ−２３Ｂにおける断面模式図である。 図２４Ａは、本発明の実施の形態４における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２４Ｂは、図２４Ａの２４Ｂ−２４Ｂにおける断面模式図である。 図２５Ａは、本発明の実施の形態５における弾性波素子の上面模式図である。 図２５Ｂは、図２５Ａの２５Ｂ−２５Ｂにおける断面模式図である。 図２５Ｃは、図２５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図２６Ａは、本発明の実施の形態６における弾性波素子の上面模式図である。 図２６Ｂは、図２６Ａの２６Ｂ−２６Ｂにおける断面模式図である。 図２７Ａは、本発明の実施の形態７における弾性波素子の上面模式図である。 図２７Ｂは、図２７Ａの２７Ｂ−２７Ｂにおける断面模式図である。 図２８Ａは、本発明の実施の形態７における他の弾性波素子の上面模式図である。 図２８Ｂは、図２８Ａの２８Ｂ−２８Ｂにおける断面模式図である。 図２９Ａは、本発明の実施の形態８における弾性波素子の上面模式図である。 図２９Ｂは、図２９Ａの２９Ｂ−２９Ｂにおける断面模式図である。 図３０Ａは、本発明の実施の形態８における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３０Ｂは、図３０Ａの３０Ｂ−３０Ｂにおける断面模式図である。 図３１Ａは、本発明の実施の形態９における弾性波素子の上面模式図である。 図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ−３１Ｂにおける断面模式図である。 図３１Ｃは、図３１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３２Ａは、本発明の実施の形態９における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３２Ｂは、図３２Ａの３２Ｂ−３２Ｂにおける断面模式図である。 図３２Ｃは、図３２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３３Ａは、本発明の実施の形態１０における弾性波素子の上面模式図である。 図３３Ｂは、図３３Ａの３３Ｂ−３３Ｂにおける断面模式図である。 図３３Ｃは、図３３Ａの３３Ｃ−３３Ｃにおける配線電極の断面模式図である。 図３４Ａは、本発明の実施の形態１０における他の弾性波素子の上面模式図である。 図３４Ｂは、図３４Ａの３４Ｂ−３４Ｂにおける断面模式図である。 図３４Ｃは、図３４Ａの３４Ｃ−３４Ｃにおける配線電極の断面模式図である。 図３５Ａは、従来の弾性波素子の上面模式図である。 図３５Ｂは、図３５Ａの３５Ｂ−３５Ｂにおける断面模式図である。 図３５Ｃは、図３５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。 図３５Ｄは、従来の圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
以下に発明を実施するための形態を図面を参照して説明する。各実施の形態において、同一の要素は同一の符号を付し、その説明を省略する。
（実施の形態１）
図１Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１Ｃは、図１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。図１Ｄは、本発明の実施の形態１における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
弾性波素子１は、圧電基板２と、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３と、第１の誘電体膜１０と、反射器電極４とを有する。
ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１と、第１のバスバー電極４２１に対向した第２のバスバー電極５２１とを有する。さらにＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１から第２のバスバー電極５２１に向けて延伸された第１の電極指４２３と、第２のバスバー電極５２１から第１のバスバー電極４２１に向けて延伸された第２の電極指５２３とを有する。さらに、ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー電極４２１から第２のバスバー電極５２１に向けて延伸された第１のダミー電極４２２と、第２のバスバー電極５２１から第１のバスバー電極４２１に向けて延伸された第２のダミー電極５２２とを有する。
圧電基板２の上には、電極指延伸方向において、ＩＤＴ電極３の外側から順に、バスバー電極領域６と、ダミー電極領域７と、中間領域８と、交互配置領域９とが形成されている。
バスバー電極領域６には、第１のバスバー電極４２１または第２のバスバー電極５２１が配置されている。ダミー電極領域７には、第１のダミー電極４２２と第１の電極指４２３もしくは第２のダミー電極５２２と第２の電極指５２３のうちどちらか一方が配置されている。
交互配置領域９には、第１の電極指４２３と第２の電極指５２３が交互に配置されている。中間領域８には、第１の電極指４２３と第２の電極指５２３のうちのどちらか一方が配置されている。ＩＤＴ電極３は、主要弾性波を励振させる。
第１の誘電体膜１０は、中間領域８、ダミー電極領域７、およびバスバー電極領域６に形成されており、交互配置領域９には形成されていない。交互配置領域９におけるＩＤＴ電極３は露出されている。すなわち、第１の誘電体膜１０が、圧電基板２とＩＤＴ電極３で構成された積層体７００の最表面で、中間領域８、ダミー電極領域７、およびバスバー電極領域６における第１、第２の電極指の延伸方向に沿って形成されている。
第１の誘電体膜１０は、第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速が、交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅い媒質からなる。
尚、本実施の形態においては、電極指延伸方向において、バスバー電極領域６側を「外側」といい、交互配置領域９側を「内側」と呼ぶ。
ＩＤＴ電極３は、圧電基板２の上に形成され、波長λの主要弾性波（Ｓｈｅａｒ Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ波等の弾性表面波）を励振させる。反射器電極４は、圧電基板２の上に、ＩＤＴ電極３を挟むように形成されている。このとき波長λは図１Ｄにおける電極ピッチ６０の２倍とする。
上記の構成により、図１Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできるため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子１の特性ロスを低減できる。
本実施の形態の弾性波素子１の各構成について以下に詳述する。圧電基板２は、例えば、伝搬方向の異方性指数γが負（以降γ＜０と記す）であるタンタル酸リチウム系の基板である。本実施の形態では、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板を用いている。ここで、異方性指数γ＜０の圧電基板とは、主要弾性波の伝搬方向に対する逆速度面が凹面となる圧電基板である。より具体的には、例えば、３６°〜５０°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板である。
ＩＤＴ電極３は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はこれらの金属が積層された構成である。ＩＤＴ電極３の厚さは、主要弾性波の波長をλとした場合に、０．０１λ〜０．２λ程度である。
尚、図１Ａでは、ＩＤＴ電極３は、ＩＤＴ電極３の電極指の交差幅が略一定の正規型の構成を示している。しかし、横モードのスプリアス抑圧のために、ＩＤＴ電極３の中央から反射器電極４に近づくに従って交差幅が小さくなるようなアポダイズ重み付けが施されていても良い。このとき、交互配置領域９は、上面から見て菱型となる。
第１の誘電体膜１０は、例えば、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化テルル（ＴｅＯ２）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等からなる。しかしこれらの材料に限らず、第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速が、交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い絶縁媒質であればよい。特に、酸化タンタルや酸化テルルは、横波の音速が交互配置領域における主要弾性波の音速より十分に遅い媒質であるので、第１の誘電体膜１０として好ましい。
第１の誘電体膜１０が酸化タンタルの場合、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄くても主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を得ることができる。具体的には、中間領域８の上方における第１の誘電体膜１０の膜厚Ａは、０．００１λ以上、０．１λ以下が望ましい。第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．００１λ未満の場合は、中間領域８の主要弾性波の音速を十分に下げることができず、第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．１λより大きい場合は、弾性波素子の特性劣化を招くおそれがあるからである。
尚、本実施の形態でいう「誘電体膜の膜厚」とは、ＩＤＴ電極３の電極指形成箇所（例えば図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ断面のダミー電極領域７）であれば、図１Ｂに示すように、「ＩＤＴ電極３の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの距離Ｃ」をいう。あるいは、ＩＤＴ電極３の電極指が形成されていない箇所（例えば図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ断面の中間領域８、或は図１ＡのＢ−Ｂ´断面のダミー電極領域７、中間領域８、交互配置領域９）では、図１Ｂに示すように、「圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの距離Ａ」をいう。
図２Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子３０２の上面模式図である。図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２Ｃは、図２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。
第１の誘電体膜１０が酸化ケイ素の場合、図２Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合に特に上記主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を十分に得ることができる。具体的には、中間領域８の上方における第１の誘電体膜１０の膜厚Ａは、０．０５λ以上、１λ以下が望ましい。第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが０．０５λ未満の場合は、中間領域８の主要弾性波の音速を十分に下げることができず、第１の誘電体膜１０の膜厚Ａが１λより大きい場合は、弾性波素子３０２の特性劣化を招くおそれがあるからである。
図３は、図１Ａ、図１Ｂにおいて第１の誘電体膜１０を形成していない場合の弾性波素子の通過特性を示す図である。縦軸は通過特性（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示す。圧電基板２は４３°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板である。図１Ｄにおいて、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９の幅６１（電極指交差幅６１）が２５λ、ＩＤＴ電極３のダミー電極領域７の幅６２（ダミー電極長６２）が１λである。ＩＤＴ電極のピッチは１．２μｍ、反射器電極４の電極指の本数が３０本、ＩＤＴ電極３の電極指対の数が１００対、ＩＤＴ電極３のデューティ比（電極指幅／ピッチ）が０．５である。１端子対共振器として弾性波素子を構成し、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合（破線）と、０．３２λの場合（実線）の弾性波素子の周波数通過特性を実測している。
図３に示すように、第１の誘電体膜１０を形成しない場合の弾性波素子において、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合も、０．３２λの場合も、共振周波数付近（破線で囲んだ部分）で通過特性の損失が発生している。
図４は、図１Ａ、図１Ｂに示す弾性波素子１の特性を示す図である。すなわち中間領域８と、ダミー電極領域７と、バスバー電極領域６の上に第１の誘電体膜１０を形成した場合の弾性波素子１の通過特性を示している。縦軸は通過特性を示し、横軸は周波数を示している。第１の誘電体膜１０として厚さ（図１の中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さＡ）が０．０１８λの酸化タンタルが形成されていること以外は、図３の特性を示す弾性波素子と同様である。ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合（破線）と、０．３２λの場合（実線）の弾性波素子１の周波数通過特性を実測している。
図４に示すように、第１の誘電体膜１０を形成することにより、ＩＤＴ電極３の中間領域８の幅が０．２６λの場合も、０．３２λの場合も、共振周波数付近（破線で囲んだ部分）での通過特性の損失が改善されている。図３と比較して図４では、通過特性の損失が、１６５０Ｈｚ〜１６７０Ｈｚにおいて０．０１５ｄＢ程度低減している。
尚、交互配置領域９を除いて中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６に第１の誘電体膜１０を形成する方法としては、ＩＤＴ電極３上に第１の誘電体膜１０を成膜した後に交互配置領域９の第１の誘電体膜１０をエッチングにより除去してもよい。または、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９をマスキングし、ＩＤＴ電極３の上に第１の誘電体膜１０を成膜してもよい。
尚、図２Ｂには、中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６の上方における、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さを一定とした弾性波素子３０２を示している。このような構成は、例えばＩＤＴ電極３の交互配置領域９の上方の第１の誘電体膜１０をエッチングにより除去する前か後に、第１の誘電体膜１０の上面が平坦になるように第１の誘電体膜１０を研磨することにより得られる。但し、第１の誘電体膜１０の上面は平坦でなくとも良い。
図５Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波素子３０５の上面模式図である。図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ−５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。
図５Ａ、５Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０は、少なくとも中間領域８に形成されていれば良い。ダミー電極領域７やバスバー電極領域６に第１の誘電体膜１０が形成されてなくても良い。この場合も、弾性波素子３０５において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができるため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３０５の特性ロスを低減できる。尚、図５Ａ、図５Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０５の断面を示している。第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３０６を図６Ａ、図６Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制することができる。
また、図７Ａ、図７Ｂに示す弾性波素子３０７のように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。すなわち、交互配置領域９の一部に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。電極指延伸方向における交互配置領域９の中央部１１には、第１の誘電体膜１０は形成されていない。このような構成にすることにより、第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２の先端に第１の誘電体膜１０の端部を合わせなくとも良い。そのため、弾性波素子３０７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、弾性波素子３０７において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波がより中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３０７の特性ロスを低減できる。尚、図７Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０７の断面を示している。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３０８を図８Ａ、図８Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
さらに、図９Ａ、図９Ｂに示す弾性波素子３０９のように、ＩＤＴ電極３の中間領域８において、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域には第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。すなわち、中間領域８の一部に第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。このような構成にすることにより、第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２の先端に第１の誘電体膜１０の端部を合わせなくとも良い。そのため、弾性波素子３０９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第１の誘電体膜１０の形成部と非形成部の境界がないので、弾性波素子３０９の特性劣化を抑制できる。尚、図９Ａ、図９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３０９の断面を示している。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３１０を図１０Ａ、１０Ｂに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
また、図１１Ａ、図１１Ｂに示す弾性波素子３１１のように、交互配置領域９において、第１の誘電体膜１０の端部は、第１の誘電体膜１０の膜厚がバスバー電極領域６から交互配置領域９の中央部１１に向かう方向（図１１Ｂの矢印６００の方向、すなわち第１、第２の電極指の延伸方向）に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。さらに、図１２Ａ、図１２Ｂに示す弾性波素子３１２のように、中間領域８において、第１の誘電体膜１０の端部は、第１の誘電体膜１０の膜厚が交互配置領域９の中央部１１に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。尚、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３１１、３１２の構造を示している。しかし、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合には、弾性波素子３１１、３１２は夫々例えば図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂに示す弾性波素子３１３、３１４となる。さらにまた、図１５Ａ、１５Ｂに示す弾性波素子３１５のように、第１の誘電体膜１０の端部は、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが中間領域８から交互配置領域９にかけて徐々に低くなるテーパー形状であってもよい。
このように第１の誘電体膜１０の端部をテーパー形状とすることで、第１の誘電体膜１０の形成部と第１の誘電体膜１０の非形成部の境界における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。
（実施の形態２）
図１６Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図である。図１６Ｂは、図１６Ａの１６Ｂ−１６Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１６Ｃは、図１６Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。図１６Ｄは、本発明の実施の形態２における圧電基板とＩＤＴ電極と反射器電極の構成を示す上面模式図である。
実施の形態１と実施の形態２の相違点は、図１６Ａ、図１６Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３がダミー電極を含まず、ダミー電極領域７が存在しないことである。
上記構成においても、図１６Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１６の特性ロスを低減できる。
尚、図１６Ａ〜１６Ｄでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３１７の構造を図１７Ａ、図１７Ｂに、特性を図１７Ｃに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第１の誘電体膜１０が形成されていてもよい。
また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、ＩＤＴ電極３の中間領域８において、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域には第１の誘電体膜１０が形成されていなくてもよい。
また、本実施の形態のように、ダミー電極領域７が存在しない構成において、図１１Ａ〜図１５Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０の端部において、第１の誘電体膜１０の膜厚がバスバー電極領域６から交互配置領域９の中央部１１に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。
また、本実施の形態ではバスバー電極領域６にも第１の誘電体膜１０を形成したが、バスバー電極領域６には第１の誘電体膜１０は形成しなくてもよい。
（実施の形態３）
図１８Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波素子の上面模式図である。図１８Ｂは、図１８Ａの１８Ｂ−１８Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図１８Ｃは、図１８Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
実施の形態１と実施の形態３の相違点は、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、交互配置領域９にも第１の誘電体膜１０が形成され、交互配置領域９における第１の誘電体膜１０の膜厚が、中間領域８における第１の誘電体膜１０の膜厚より薄い点である。
上記構成においても、図１８Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１８の特性ロスを低減できる。
また、図１９Ａ、図１９Ｂに示す弾性波素子３１９のように、圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが中間領域８から交互配置領域９の中央に向かう方向に徐々に低くなってもよい。即ち、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さと、中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さとの差からなる段差部分をテーパー形状としてもよい。この構成により、第１の誘電体膜１０の段差部分における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。尚、本実施の形態３の弾性波素子３１９は、図１９ＡのＢ−Ｂ´断面（ＩＤＴ電極３の電極指と電極指の間の電極指延伸方向断面）においても、交互配置領域９における第１の誘電体膜１０の膜厚が、中間領域８における第１の誘電体膜１０の膜厚より薄い。
また、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さが、中間領域８における圧電基板２の上面から第１の誘電体膜１０の上面までの高さより低いので、更に、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３１９の特性ロスを更に低減できる。
尚、図１８Ａ、１８Ｂ、図１９Ａ、１９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３１８、３１９の構造を示した。しかし、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合には、例えば図２０Ａ〜２０Ｃ、図２１Ａ、２１Ｂに示す弾性波素子３２０、３２１の構造および特性となる。この場合も、上記の効果が得られる。
（実施の形態４）
図２２Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波素子３２２の上面模式図である。図２２Ｂは、図２２Ａの２２Ｂ−２２Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２２Ｃは、図２２Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。圧電基板２は、例えば、伝搬方向の異方性指数γが、γ＜０であるタンタル酸リチウム系の基板である。
実施の形態１と実施の形態４の相違点は、第１の誘電体膜１０が形成されておらず、第２の誘電体膜１２が交互配置領域９に形成されている点である。また、第２の誘電体膜１２は、第２の誘電体膜１２を伝搬する横波の音速が中間領域８における主要弾性波の音速より速い媒質からなる点である。
さらにまた、第２の誘電体膜１２は交互配置領域９において形成されており、中間領域８には形成されていない。すなわち、中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６におけるＩＤＴ電極３は露出している。すなわち、第２の誘電体膜１２が、圧電基板２とＩＤＴ電極３で構成された積層体７００の最表面で、かつ交互配置領域９における第１、第２の電極指の延伸方向に沿って形成されている。
第２の誘電体膜１２は、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミ二ウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、若しくはシリコン（Ｓｉ）等からなる。しかし、これらの材料に限らず、第２の誘電体膜１２を伝搬する横波の音速が、中間領域８における主要弾性波の音速より速い絶縁媒質であればよい。特に、窒化アルミ二ウムは、横波の音速が中間領域８における主要弾性波の音速より十分に速い媒質であるので、第２の誘電体膜１２として好ましい。
上記構成により、図２２Ｃに示すように、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２２の特性ロスを低減できる。
第２の誘電体膜１２が窒化ケイ素や酸化アルミニウムの場合、図２２Ｂに示すように、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合に、主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を十分に得ることができる。具体的には、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂは、０．０５λ以上、１λ以下が望ましい。第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．０５λ未満の場合は、交互配置領域９の主要弾性波の音速を十分に上げることができず、第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが１λより大きい場合は、弾性波素子３２２の特性劣化を招くおそれがある。
第２の誘電体膜１２が窒化アルミ二ウムの場合、第１の誘電体膜１０の膜厚がＩＤＴ電極３の厚さより小さくても上記主要弾性波の交互配置領域９への閉じ込め効果を得ることができる。具体的には、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂは、０．００１λ以上、０．１λ以下が望ましい。第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．００１λ未満の場合は、交互配置領域９の主要弾性波の音速を十分に上げることができず、第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが０．１λより大きい場合は、弾性波素子３２２の特性劣化を招くおそれがある。
また、図２３Ａ、図２３Ｂに示す弾性波素子３２３のように、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９において、中間領域８側の端部から交互配置領域９の内側の所定領域に第２の誘電体膜１２が形成されていなくてもよい。すなわち、交互配置領域９の一部に第２の誘電体膜１２が形成されていなくてもよい。交互配置領域９の第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の中央部１１のみに第２の誘電体膜１２が形成されてもよい。この場合、ＩＤＴ電極３の電極指の先端に第２の誘電体膜１２の端部を合わせなくても良くなるので、弾性波素子３２３の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制することができる。また、弾性波素子３２３において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９の中央部１１における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中央部１１により集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２３の特性ロスを低減できる。
さらに、図２４Ａ、図２４Ｂに示す弾性波素子３２４のように、交互配置領域９の端部から中間領域８の所定領域に第２の誘電体膜１２が形成されていてもよい。すなわち、中間領域８の一部に第２の誘電体膜１２が形成されていてもよい。この場合、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第２の誘電体膜１２の端部を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２４の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第２の誘電体膜１２の形成部と非形成部の境界がないので、弾性波素子３２４の特性劣化を抑制できる。
また、図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、第２の誘電体膜１２の端部は、第２の誘電体膜１２の膜厚が交互配置領域９の中央部１１から中間領域８に向かう方向（図２３Ｂの矢印６１０の方向、すなわち第１、第２の電極指の延伸方向）に徐々に小さくなるテーパー形状であってもよい。このように第２の誘電体膜１２の端部をテーパー形状とすることで、第２の誘電体膜１２の形成部と第２の誘電体膜１２の非形成部の境界における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。
（実施の形態５）
図２５Ａは、本発明の実施の形態５における弾性波素子３２５の上面模式図である。図２５Ｂは、図２５Ａの２５Ｂ−２５Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図２５Ｃは、図２５Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１６Ｄと同じである。
実施の形態４と実施の形態５の相違点は、ＩＤＴ電極３が第１のダミー電極４２２、第２のダミー電極５２２を含まず、ダミー電極領域７が存在しないことである。
上記構成においても、図２５Ｃに示すように、弾性波素子３２５において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２５の特性ロスを低減できる。
（実施の形態６）
図２６Ａは、本発明の実施の形態６における弾性波素子３２６の上面模式図である。図２６Ｂは、図２６Ａの２６Ｂ−２６Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
実施の形態４と実施の形態６の相違点は、少なくとも中間領域８に第２の誘電体膜１２が形成されている点である。図２６では中間領域８とダミー電極領域７とバスバー電極領域６に第２の誘電体膜１２が形成されている。そして、交互配置領域９における第２の誘電体膜１２の膜厚Ｂが、中間領域８における第２の誘電体膜１２の膜厚Ａより大きい点である。
上記構成においても、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、交互配置領域９における主要弾性波の音速を中間領域８における主要弾性波の音速より速くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２６の特性ロスを低減できる。
また、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さが、中間領域８における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さより高い。そのため、更に、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２６の特性ロスを更に低減することができる。
また、図２６Ｂに示すように、弾性波素子３２６の構成の交互配置領域９において、圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さが、交互配置領域９の中央部１１から中間領域８に向かう方向に徐々に低くなっても良い。即ち、交互配置領域９における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さと、中間領域８の上方における圧電基板２の上面から第２の誘電体膜１２の上面までの高さとの差からなる段差部分をテーパー形状とする。この構成により、第２の誘電体膜１２の上面の段差部分における主要弾性波の音速の急激な変化を抑制できる。その結果、不要なスプリアスの発生を抑制できる。なお、図２６Ｂでは、交互配置領域９にテーパー形状を設けたが、中間領域８にテーパー形状を設けてもよい。
（実施の形態７）
図２７Ａは、本発明の実施の形態７における弾性波素子３２７の上面模式図である。図２７Ｂは、図２７Ａの２７Ｂ−２７Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。中間領域８には、第１の誘電体膜１０が形成され、交互配置領域９には伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い第３の誘電体膜１３が形成されている。
例えば、第１の誘電体膜１０が酸化タンタルの場合、第３の誘電体膜１３は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミ二ウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、若しくはシリコン（Ｓｉ）等からなる。第３の誘電体膜１３は、第３の誘電体膜１３を伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い絶縁媒質であればよい。
上記構成により、弾性波素子３２７において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。その結果、弾性波素子３２７の特性ロスを低減できる。
また、交互配置領域９に形成された第３の誘電体膜１３が酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と圧電基板２とで、周波数の温度係数が逆であるため、上記の効果に加え、弾性波素子３２７の周波数温度特性も向上する。
また、第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界はＩＤＴ電極３の交互配置領域９にあっても良い。このような構成にすることにより、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制することができる。また、弾性波素子３２７において、交互配置領域９の主要弾性波がより交互配置領域９の中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２７の特性ロスを低減できる。
さらにまた、第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界はＩＤＴ電極３の中間領域８にあっても良い。この場合も、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくとも良くなるので、弾性波素子３２７の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、ＩＤＴ電極３の交互配置領域９に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界がないので、弾性波素子３２７の特性劣化を抑制できる。
尚、図２７Ａ、図２７Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の構成を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３２８を図２８Ａ，図２８Ｂに示す。この場合も、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。
（実施の形態８）
図２９Ａは、本発明の実施の形態８における弾性波素子３２９の上面模式図である。図２９Ｂは、図２９Ａの２９Ｂ−２９Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。中間領域８には伝搬する横波の音速が、交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅い第１の誘電体膜１０が形成されている。さらに、第１の誘電体膜１０の上と交互配置領域９に、伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１０を伝搬する横波の音速より速い第３の誘電体膜１３が形成されている。第１の誘電体膜１０を第３の誘電体膜１３で保護することにより、弾性波素子３２９の周波数特性の経時変化を抑制し、パッシベーション効果が高められる。
上記構成により、弾性波素子３２９において、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くすることができる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２９の特性ロスを更に低減できる。
また、第１の誘電体膜１０は、交互配置領域９の一部に形成されていてもよい。すなわち第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界は交互配置領域９にあっても良い。このような構成にすることにより、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくても良くなり、弾性波素子３２９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、弾性波素子３２９において、交互配置領域９の主要弾性波がより交互配置領域９の中央部１１に集中し、中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３２９の特性ロスを低減できる。
さらにまた、第１の誘電体膜１０は、中間領域８の一部に形成されていなくてもよい。すなわち第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界は中間領域８にあっても良い。この場合も、第１の電極指４２３、第２の電極指５２３の先端に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界を合わせなくても良くなり、弾性波素子３２９の製造ばらつきによる特性ばらつきを抑制できる。また、交互配置領域９に第１の誘電体膜１０と第３の誘電体膜１３の境界がないので、弾性波素子３２９の特性劣化を抑制できる。
尚、図２９Ａ、図２９Ｂでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の構成を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３０を図３０Ａ、図３０Ｂに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
（実施の形態９）
図３１Ａは、本発明の実施の形態９における弾性波素子３３１の上面模式図である。図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ−３１Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３１Ｃは、図３１Ｂにおける主要弾性波の音速を示す図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
実施の形態１と実施の形態９の相違点は、第１の誘電体膜１０とＩＤＴ電極３との間に第４の誘電体膜１４が形成されている点である。第４の誘電体膜１４は、電極の酸化、腐食、断線などを防ぐために用いられ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの材料が用いられる。ＩＤＴ電極を第４の誘電体膜１４で保護することにより、第１の誘電体膜１０の形成工程における弾性波素子３３１の特性劣化を抑制し、パッシベーション効果が高められる。尚、第４の誘電体膜１４は、交互配置領域９には形成しなくてもよい。
上記構成においても、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを更に抑制できる。その結果、弾性波素子３３１の特性ロスを更に低減できる。
尚、図３１Ａ〜３１Ｃでは、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より薄い場合の弾性波素子３３１の構造と特性を示している。第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３２は図３２Ａ、図３２Ｂに示す構造、図３２Ｃに示す特性となる。この場合も、上記の効果が得られる。
（実施の形態１０）
図３３Ａは、本発明の実施の形態１０における弾性波素子３３３の上面模式図である。図３３Ｂは、図３３Ａの３３Ｂ−３３Ｂ（電極指延伸方向）における断面模式図である。図３３Ｃは、図３３Ａの３３Ｃ−３３Ｃにおける配線電極の断面模式図である。本実施の形態において、圧電基板２とＩＤＴ電極３と反射器電極４の構成は図１Ｄと同じである。
本実施の形態では、図３３Ａ〜３３Ｃに示すように、第１の誘電体膜１０が弾性波素子３３３の中間領域８及び第１の配線電極１５の上に形成される。そして、第１の誘電体膜１０の上方に第２の配線電極１６が形成されている。第１の配線電極１５と第２の配線電極１６は、圧電基板２の上に配置されると共にＩＤＴ電極３を他の回路、電極、端子等と電気的に接続する。
上記構成により、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くきる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。また、第１の配線電極１５と第２の配線電極１６が立体交差する領域に第１の誘電体膜１０を形成することで生じる静電容量により、弾性波素子３３３の***振周波数を制御できる。
尚、図３３Ａ〜３３Ｃでは、第１の誘電体膜１０の膜厚がＩＤＴ電極３の膜厚より小さい場合の弾性波素子３３３の構造と特性を示した。一方、第１の誘電体膜１０がＩＤＴ電極３より厚い場合の弾性波素子３３４を図３４Ａ〜３４Ｃに示す。この場合も、上記の効果が得られる。
本発明にかかる弾性波素子は、交互配置領域から中間領域への主要弾性波の漏れを抑制するという効果を有し、携帯電話等の電子機器に適用される。
１，１０１，３０２，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９，３１０，３１１，３１２，３１３，３１４，３１５，３１６，３１７，３１８，３１９，３２０，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，３２６，３２７，３２８，３２９，３３０，３３１，３３２，３３３，３３４ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 反射器電極
６ バスバー電極領域
７ ダミー電極領域
８ 中間領域
９ 交互配置領域
１０ 第１の誘電体膜
１１ 中央部
１２ 第２の誘電体膜
１３ 第３の誘電体膜
１４ 第４の誘電体膜
１５ 第１の配線電極
１６ 第２の配線電極
６０ 電極ピッチ
６１ 交互配置領域の幅（電極指交差幅）
６２ ダミー電極領域の幅（ダミー電極長）
４２１ 第１のバスバー電極
５２１ 第２のバスバー電極
４２２ 第１のダミー電極
５２２ 第２のダミー電極
４２３ 第１の電極指
５２３ 第２の電極指
６００，６１０ 矢印
７００ 積層体
特許第３４１２６１１号公報 特許第３９２９４１５号公報発明の概要
上記構成により、中間領域８における主要弾性波の音速と交互配置領域９における主要弾性波の音速との差を小さくできる。すなわち、中間領域８における主要弾性波の音速を交互配置領域９における主要弾性波の音速より遅くできる。そのため、交互配置領域９の主要弾性波が中間領域８に漏れることを抑制できる。また、第１の配線電極１５と第２の配線電極１６が立体交差する領域に第１の誘電体膜１０を形成することで生じる静電容量により、弾性波素子３３３の***振周波数を制御できる。

Claims (20)

  1. 圧電基板と、前記圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、
    第１のバスバー電極と、前記第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、
    前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有し、
    前記圧電基板上には、
    前記第１のバスバー電極と前記第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、
    前記第１の電極指と前記第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、
    前記第１の電極指と前記第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成され、
    第１の誘電体膜が、前記中間領域の少なくとも一部に形成され、
    前記第１の誘電体膜は、前記第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記交互配置領域における主要弾性波の音速より遅い媒質で形成された
    弾性波素子。
  2. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム系の基板である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  3. 前記圧電基板における、前記主要弾性波の伝搬方向の異方性指数γが負である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  4. 前記第１の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．００１λ以上、０．１λ以下の膜厚を有する酸化タンタルである
    請求項１に記載の弾性波素子。
  5. 前記第１の誘電体膜が前記バスバー電極領域に形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  6. 前記ＩＤＴ電極は、前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１のダミー電極と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２のダミー電極とをさらに備え、
    前記バスバー電極領域と前記中間領域の間に、前記第１のダミー電極と前記第１の電極指もしくは、前記第２のダミー電極と前記第２の電極指のうちどちらか一方が配置されたダミー電極領域がさらに形成され、
    前記第１の誘電体膜が、前記ダミー電極領域にも形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  7. 前記交互配置領域の一部に前記第１の誘電体膜が延伸されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  8. 前記第１、第２の電極指の延伸方向における前記第１の誘電体膜の端部は、前記第１の誘電体膜の膜厚が前記バスバー電極領域から前記交互配置領域に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状である
    請求項１に記載の弾性波素子。
  9. 前記第１の誘電体膜が前記交互配置領域に延伸され、
    前記交互配置領域における前記第１の誘電体膜は、前記中間領域における前記第１の誘電体膜より薄い
    請求項１に記載の弾性波素子。
  10. 前記交互配置領域における、前記圧電基板の上面から前記第１の誘電体膜の上面までの高さが、前記中間領域における、前記圧電基板の上面から前記第１の誘電体膜の上面までの高さより低い
    請求項１に記載の弾性波素子。
  11. 前記交互配置領域に、第３の誘電体膜をさらに備え、
    前記第３の誘電体膜は、前記第３の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記第１の誘電体膜を伝搬する横波の音速より速い媒質で形成された
    請求項１に記載の弾性波素子。
  12. 前記第１の誘電体膜と前記ＩＤＴ電極との間に第４の誘電体膜が形成されている
    請求項１に記載の弾性波素子。
  13. 圧電基板と、前記圧電基板に接して設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    前記ＩＤＴ電極は、
    第１のバスバー電極と、前記第１のバスバー電極に対向した第２のバスバー電極と、
    前記第１のバスバー電極から前記第２のバスバー電極に向けて延伸された第１の電極指と、前記第２のバスバー電極から前記第１のバスバー電極に向けて延伸された第２の電極指とを有し、
    前記圧電基板上には、
    前記第１のバスバー電極と前記第２のバスバー電極のうちどちらか一方が配置されたバスバー電極領域と、
    前記第１の電極指と前記第２の電極指が交互に配置された交互配置領域と、
    前記第１の電極指と前記第２の電極指のうちのどちらか一方が配置された中間領域が形成され、
    第２の誘電体膜が、前記交互配置領域の少なくとも一部に形成され、
    前記第２の誘電体膜は、前記第２の誘電体膜を伝搬する横波の音速が、前記中間領域における主要弾性波の音速より速い媒質で形成された
    弾性波素子。
  14. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム系の基板である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  15. 前記第２の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．０５λ以上、１λ以下の膜厚を有する窒化ケイ素である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  16. 前記第２の誘電体膜は、前記主要弾性波の波長をλとした場合に、０．００１λ以上、０．１λ以下の膜厚を有する窒化アルミ二ウムである
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  17. 前記中間領域の一部に前記第２の誘電体膜が延伸されている
    請求項１５に記載の弾性波素子。
  18. 前記第１、第２の電極指の延伸方向における前記第２の誘電体膜の端部は、前記第２の誘電体膜の膜厚が前記交互配置領域から前記バスバー電極領域に向かう方向に徐々に小さくなるテーパー形状である
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  19. 前記第２の誘電体膜が前記中間領域に延伸され、前記交互配置領域における前記第２の誘電体膜は、前記中間領域における前記第２の誘電体膜より厚い
    請求項１３に記載の弾性波素子。
  20. 前記交互配置領域における、前記圧電基板の上面から前記第２の誘電体膜の上面までの高さが、前記中間領域における、前記圧電基板の上面から前記第２の誘電体膜の上面までの高さより高い
    請求項１３に記載の弾性波素子。
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