DE19839247A1 - Oberflächenwellenbauelement - Google Patents
OberflächenwellenbauelementInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächen
wellenbauelement mit einem Interdigitalwandler (auf den im
folgenden als IDT; IDT = Interdigital Transducer Bezug ge
nommen wird), der auf einem Oberflächenwellensubstrat ange
ordnet ist, und insbesondere auf ein Oberflächenwellenbau
element unter Verwendung von Love-Wellen.
Eine Vielfalt von Oberflächenwellenbauelementen, die Ober
flächenwellen verwenden, wurden vorgeschlagen. Beispiels
weise offenbart der Technical Report of the Institute of
Electronics, Information and Communication Engineers
(IEICE), ff. 7-14, US 82-35, 1982 ein Oberflächenbauelement,
bei dem eine dünne Schicht aus einem Material mit einer
langsamen akustischen Geschwindigkeit auf einem X-ausge
breitetem Dreh-Y-Schnitt-LiNbO3-Substrat gebildet ist, wobei
eine Pseudooberflächenwelle, die darin erzeugt wird, eine
Love-Wellen-Typ-Oberflächenwelle ist, die frei von einer
Übertragungsdämpfung ist.
Der Technical Report des Institute of Electronics, Informa
tion and Communication Engineers, ff. 31-38, US 86-37, 1986
offenbart ein X-ausgebreitetes Dreh-Y-Schnitt-LiNbO3-Sub
strat, das keinen einzelnen gleichmäßig angeordneten Film,
der auf demselben angeordnet ist, sondern Metallstreifen
aufweist, die unterbrochen auf demselben angeordnet sind, um
Love-Wellen zu erzeugen.
Die japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 63-260213
offenbart ein Oberflächenbauelement, das Love-Wellen
verwendet, und das ein, X-ausgebreitetes Dreh-Y-Schnitt-LiNbO3-Sub
strat mit einem IDT aufweist, der aus einem
Schwermetall, wie z. B. Gold, Silber oder Platin, gebildet
ist.
Die japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 8-125485
offenbart ein Oberflächenwellenbauelement, das Love-Wellen
verwendet und einen IDT aufweist, der aus Wolfram
oder Tantal aufgebaut ist, das auf einem Oberflächen
wellensubstrat vorgesehen ist.
Die japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 8-250966
offenbart ein Oberflächenwellenbauelement, das
Love-Wellen verwendet, und das einen IDT mit zwei Schichten
aus Ta/Al aufweist, die auf einem Oberflächenwellensubstrat
vorgesehen sind.
Obwohl die Technical Reports US 82-35 und US 86-37 und die
japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 63-260213
beschreiben, daß das Oberflächenwellenbauelement einen IDT
aufweist, der aus Gold, Silber oder Platin aufgebaut ist,
ist das Bauelement, das tatsächlich getestet wurde, ein IDT
aus Gold. Um die Love-Welle zu erzeugen, wird die Verwendung
der oben beschriebenen Schwermetalle, die eine große Masse
aufweisen, als erforderlich betrachtet, die Verwendung eines
Schwermetalls ist jedoch sehr kostspielig.
Gemäß der japanischen, offengelegten Patentveröffentlichung
Nr. 8-125485, ist der IDT aus Ta oder W aufgebaut, die weni
ger kostspielig sind als Gold, und die einen niedrigeren Q-Faktor
und einen relativ hohen spezifischen Widerstand lie
fern, und dennoch kann derselbe in einem Resonator funktio
nieren, stößt jedoch auf große Schwierigkeiten und Nachtei
le, wenn derselbe in einem Filter verwendet wird.
Gemäß der japanischen, offengelegten Patentveröffentlichung
Nr. 8-250966, ist der IDT aus einer zweischichtigen Struktur
aus Ta/Al aufgebaut, was zu einem verringerten spezifischen
Widerstand führt. Der spezifische Widerstand ist sogar mit
dem IDT, der aus der zweischichtigen Struktur aus Ta/Al be
steht, nicht ausreichend niedrig, und es wird keine befrie
digende Leistung erreicht, wenn eine derartige Konfiguration
als ein Filter verwendet wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Oberflächenwellenbauelement zu schaffen, das befriedigende
Leistungswerte aufweist, wenn dasselbe als ein Filter ver
wendet wird, und das kostengünstig hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenbauelement
gemäß Anspruch 1 und gemäß Anspruch 16 gelöst.
Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, sehen die
bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
ein Oberflächenbauelement vor, das eine IDT-Elektrode
und/oder einen Reflektor umfaßt, das einen kostengünstigen
Aufbau ohne die Verwendung eines teueren Schwermetalls auf
weist, einen hohen Q-Faktor und einen niedrigen spezifischen
Widerstand liefert, und ein exzellentes Verhalten erreicht,
wenn das Bauelement als ein Resonator oder ein Bandpaßfilter
aufgebaut wird.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement ein Ober
flächenwellensubstrat und einen Interdigitalwandler, der auf
der Oberfläche des Oberflächenwellensubstrats vorgesehen
ist, wobei der Interdigitalwandler eine Wolframschicht und
eine Aluminiumschicht umfaßt. Bei einem derartigen bevorzug
ten Ausführungsbeispiel ist es vorzuziehen, daß der lami
nierte Metallfilm eine Struktur aufweist, bei der eine Wol
framschicht und eine Aluminiumschicht zusammenlaminiert
werden, um einen einstückigen Metallfilm zu bilden.
Die Aluminiumschicht kann auf dem Oberflächenwellensubstrat
vorgesehen werden, und die Wolframschicht wird dann vorzugs
weise an der Aluminiumschicht vorgesehen. Alternativ kann
die Wolframschicht auf dem Oberflächenwellensubstrat vorge
sehen werden, und die Aluminiumschicht wird dann vorzugs
weise an der Wolframschicht vorgesehen.
Das Oberflächenwellenbauelement kann ferner ein Reflektoren
paar aufweisen, das aus einem laminierten Metallfilm herge
stellt ist, bei dem eine Wolframschicht und eine Aluminium
schicht laminiert werden, wobei das Reflektorenpaar auf bei
den Seiten des Interdigitalwandlers angeordnet ist.
Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor
liegenden Erfindung umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement
ein Oberflächenwellensubstrat, einen Interdigitalwandler,
der auf dem Oberflächenwellensubstrat vorgesehen ist, und
Reflektoren, die auf beiden Seiten des Interdigitalwandlers
angeordnet sind, wobei die Reflektoren eine Wolframschicht
und eine Aluminiumschicht umfassen. Bei einem derartigen
bevorzugten Ausführungsbeispiel ist es vorzuziehen, daß der
laminierte Metallfilm, der verwendet wird, um die Reflekto
ren zu bilden, eine Struktur aufweist, bei der eine Wolfram
schicht und eine Aluminiumschicht zusammenlaminiert werden,
um einen einstückigen Metallfilm zu bilden. Bei diesem be
vorzugten Ausführungsbeispiel kann der Interdigitalwandler
vorzugsweise aus Aluminium oder einem anderen, geeigneten
Material gebildet sein.
Das Oberflächenwellensubstrat ist bei den bevorzugten Aus
führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung vorzugsweise
ein X-ausgebreitetes Y-Schnitt-LiNbO3-Substrat, und das
Oberflächenwellenbauelement ist aufgebaut, um Love-Wellen zu
verwenden.
Das Oberflächenwellenbauelement kann ferner eine Verbin
dungselektrode aufweisen, die auf dem Oberflächenwellensub
strat vorgesehen ist und mit dem Interdigitalwandler ver
bunden ist. Die Verbindungselektrode kann einen laminierten
Metallfilm umfassen, bei dem eine Wolframschicht und eine
Aluminiumschicht zusammenlaminiert sind.
Alternativ kann die Verbindungselektrode eine obere Schicht
aufweisen, die aus Aluminium besteht. In diesem Fall umfaßt
die Verbindungselektrode eine einzelne Schicht, die aus Alu
minium besteht, die daher eine oberste Schicht ist, oder um
faßt eine oberste Schicht aus Aluminium, die auf dem lami
nierten Metallfilm angeordnet ist, der eine Aluminiumschicht
und eine Wolframschicht, die zusammen laminiert sind, um
faßt, derart, daß die Aluminiumschicht der laminierten Me
tallschicht auf dem Oberflächenwellensubstrat vorgesehen
ist, und daß die oberste Aluminiumschicht auf der Wolfram
schicht des laminierten Metallfilms vorgesehen ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Draufsicht, die ein Oberflächen
wellenbauelement gemäß einem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
zeigt;
Fig. 2A eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen
Teil des Bauelements zeigt, wobei der Schnitt
entlang der Linie A-A in Fig. 1 vorgenommen ist;
Fig. 2B eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen
Teil des Bauelements zeigt, wobei der Schnitt
entlang der Linie B-B in Fig. 1 vorgenommen ist;
Fig. 2C eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen
Teil des Bauelements gemäß einer Modifikation des
ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels zeigt,
wobei der Schnitt entlang der Linie B-B in Fig. 1
vorgenommen ist;
Fig. 2D eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen
Teil des Bauelements gemäß einer weiteren Modi
fikation des ersten bevorzugten Ausführungsbei
spiels zeigt, wobei der Schnitt entlang der Linie
B-B in Fig. 1 vorgenommen ist;
Fig. 3 die Impedanzfrequenzcharakteristika des Oberflä
chenwellenbauelements des ersten bevorzugten Aus
führungsbeispiels;
Fig. 4 die Impedanzfrequenzcharakteristika eines ersten
herkömmlichen Bauelements;
Fig. 5 die Impedanzfrequenzcharakteristika eines zweiten
herkömmlichen Bauelements;
Fig. 6 eine Photographie, die durch ein Rasterelektronen
mikroskop aufgenommen wurde, die den Oberflächen
zustand der IDT-Elektrode des Oberflächenwellenbau
elements gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 7 eine Photographie, die durch ein Rasterelektronen
mikroskop aufgenommen wurde, die den Oberflächen
zustand der IDT-Elektrode des ersten herkömmlichen
Bauelements zeigt;
Fig. 8 ein äquivalente Schaltung, die das Leiterfilter
gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
zeigt;
Fig. 9 die Dämpfungsfrequenzcharakteristika des Leiterfil
ters des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels;
Fig. 10 zum Vergleich die Dämpfungsfrequenzcharakteristika
des Leiterfilters, das aus dem ersten herkömmlichen
Oberflächenwellenbauelement aufgebaut ist; und
Fig. 11 zum Vergleich die Dämpfungsfrequenzcharakteristika
des Leiterfilters, das aus dem zweiten herkömm
lichen Oberflächenwellenbauelement aufgebaut ist.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der vor
liegenden Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen erklärt.
Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht, die das Oberflä
chenwellenbauelement gemäß einem ersten bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, und Fig. 2
ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil des
Oberflächenbauelements zeigt, wobei der Schnitt entlang der
Linie A-A in Fig. 1 vorgenommen ist.
Ein Oberflächenwellenbauelement 1 umfaßt vorzugsweise ein
Oberflächenwellensubstrat 2 aus einem Y-Schnitt-LiNbO3-Sub
strat.
Eine IDT-Elektrode 3 ist auf der oberen Oberfläche des Ober
flächenwellensubstrats 2 vorgesehen, und dieselbe kann an
geordnet sein, so daß dieselbe im wesentlichen in einem Mit
telabschnitt des Substrats 2 positioniert ist. Die IDT-Elek
trode 3 umfaßt eine kammförmige Elektrode 3a mit einer Mehr
zahl von Elektrodenfingern und eine kammförmige Elektrode 3b
mit einer Mehrzahl von Elektrodenfingern, wobei die zwei
kammförmigen Elektroden 3a und 3b miteinander interdigita
lisiert sind. Die IDT-Elektrode 3 ist vorzugsweise einer
Apodisation ausgesetzt.
Die Mehrzahl der Elektrodenfinger der IDT-Elektrode 3 er
strecken sich in einer Richtung, die im wesentlichen senk
recht zu einer X-Achse ist, so daß die Love-Wellen, die als
die Oberflächenwellen in dem Bauelement 1 erzeugt werden,
sich in der Richtung der X-Achse auf dem LiNbO3-Substrat 2
ausbreiten.
Reflektoren 4 und 5 sind vorzugsweise an beiden Seiten der
IDT-Elektrode 3 in der Ausbreitungsrichtung der Oberflächen
welle angeordnet. Jeder der Reflektoren 4 und 5 weist eine
Mehrzahl von Elektrodenfingern auf, die miteinander kurz
geschlossen sind. Die Reflektoren 4 und 5 erstrecken sich
ferner in einer Richtung, die im wesentlichen senkrecht zu
der X-Achse ist.
Das Oberflächenwellenbauelement 1 dieses bevorzugten Aus
führungsbauspiels ist vorzugsweise derart aufgebaut, daß
sowohl die IDT-Elektrode 3 als auch die Reflektoren 4 und 5
aus einem laminierten Metallfilm aufgebaut sind, bei dem
eine Aluminiumschicht und eine Wolframschicht vorzugsweise
in dieser Reihenfolge laminiert werden. Insbesondere ist die
IDT-Elektrode 3 vorzugsweise aus einem laminierten Metall
film 12 aufgebaut, bei dem eine Wolframschicht 11 auf eine
Aluminiumschicht 10 laminiert wird, wie es in der Quer
schnittsansicht eines Teils der IDT-Elektrode 3 in Fig. 2A
gezeigt ist.
Die kammförmigen Elektroden 3a und 3b können jeweils mit
Verbindungselektroden 3c und 3d verbunden sein, mit denen
Verbindungsdrähte (nicht gezeigt) verbunden werden sollen.
Wie in Fig. 2B gezeigt, sind die Verbindungselektroden 3c
und 3d ferner vorzugsweise aus dem laminierten Metallfilm 12
aufgebaut. Das heißt, die Verbindungselektroden 3c und 3d
sind vorzugsweise aufgebaut, um die Aluminiumschicht 10 auf
dem Oberflächenwellensubstrat 2 und die Wolframschicht 11
auf der Aluminiumschicht 10 zu umfassen.
Es kann für die Verbindungselektroden 3c und 3d etwas
schwierig sein, einen exzellenten Kontakt oder eine exzel
lente Verbindung mit den Verbindungsdrähten aufgrund der
Existenz der Wolframschicht 11, die auf der äußeren Ober
fläche derselben angeordnet ist, einzurichten. Bei einem
derartigen Fall ist es vorzuziehen, die Verbindungselektro
den 3c und 3d derart aufzubauen, daß jede der Verbindungs
elektroden 3c und 3d eine oberste Schicht aufweist, die aus
Aluminium besteht. Beispielsweise können die Verbindungs
elektroden 3c und 3d, wie in Fig. 2C gezeigt, lediglich die
Aluminiumschicht 10 aufweisen, wobei die Wolframschicht 11
nicht auf der Aluminiumschicht 10 vorgesehen ist. Alternativ
kann eine weitere Aluminiumschicht 13 auf der Wolframschicht
11 vorgesehen sein, die auf der Aluminiumschicht 10 ange
ordnet ist, wie es in Fig. 2D gezeigt ist, derart, daß die
Wolframschicht 11 zwischen den Aluminiumschichten 10, 13 an
geordnet ist.
Gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement mit
einem hohen Q-Faktor und einem kleinen Resonanzwiderstand
geschaffen, wenn eine Spannung an die IDT-Elektrode 3 zum
Erzeugen von Resonanz angelegt wird, da das Oberflächen
wellenbauelement 1 die IDT-Elektrode 3 und die Reflektoren 4
und 5 aufweist, die jeweils den laminierten Metallfilm auf
weisen, der den oben beschriebenen Aufbau hat. Diese Hand
lung wird nun unter Bezugnahme auf ein spezifisches Beispiel
erörtert.
Ein Beispiel der bevorzugten Ausführungsbeispiele des Ober
flächenwellenbauelements 1 wird gemäß der folgenden Prozedur
hergestellt. Eine Al-Schicht mit einer Dicke von etwa 50 nm
und eine Wolframschicht mit einer Dicke von etwa 300 nm wird
in dieser Reihenfolge entlang der gesamten oberen Oberfläche
des Oberflächenwellensubstrats 2, das aus dem Y-Schnitt-
LiNbO3-Material besteht, unter Verwendung einer Sputtertech
nik (Zerstäubungstechnik) gebildet. Ein Photolack wurde an
dem laminierten Metallfilm angebracht, der folglich unter
Verwendung einer Schleuderbeschichtungstechnik gebildet wird
und dann einer Belichtung und einer Entwicklung unter Ver
wendung einer Photomaske ausgesetzt wird.
Ein Ätzmittel wird verwendet, um andere Abschnitte des lami
nierten Metallfilms zu entfernen, als die Abschnitte, an
denen die IDT-Elektrode 3 und die Reflektoren 4 und 5
gebildet werden sollen. Das Ätzmittel, das bei der Ätzhand
lung verwendet wird, ist eine Mischung aus Fluorwasserstoff
säure mit 63 Gewichtsprozent, Salpetersäure und reinem Was
ser, die in einem Gewichtsverhältnis von 1 : 2 : 1 gemischt
sind.
Die Breite jedes Elektrodenfingers und der Zwischenraum
zwischen den Elektrodenfingern in der IDT-Elektrode 3 wird
derart entworfen, so daß die Love-Wellen eine Wellenlänge λ
von etwa λ = 12 µm aufweist, und die Anzahl der Elektroden
fingerpaare in der IDT-Elektrode wird auf 50 eingestellt,
und die gewichteten, längengleichen Interdigitallängen wer
den als allgemein rhomboidförmig, wie in Fig. 1 gezeigt,
eingerichtet. Die Reflektoren 4 und 5 weisen eine Elektro
denfingerbreite und einen Elektrodenfingerzwischenraum für
die gleiche Wellenlänge der IDT-Elektrode 3 auf, und die
Anzahl der Elektrodenfinger ist bei jedem Reflektor 10.
Die Impedanzfrequenzcharakteristika des Oberflächenwellen
bauelements 1 dieses Beispiels eines bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels, das derart aufgebaut ist, sind in Fig. 3
gezeigt. Wie gezeigt, ist die Impedanz bei einer Resonanz
frequenz 2,73 Ω, während die Impedanz bei einer Antireso
nanzfrequenz 2, 13 kΩ ist.
Zum Vergleich werden zwei Typen von herkömmlichen Ober
flächenbauelementen mit einem Elektrodenmaterial und einem
Aufbau, die sich von dem Elektrodenmaterial und dem Aufbau
für das Oberflächenwellenbauelement 1 unterscheiden, herge
stellt, so daß die verbleibenden physischen Charakteristika,
Zusammensetzungen und Bedingungen gleich denselben des oben
beschriebenen Beispiels der bevorzugten Ausführungsbeispiele
sind.
Ein erstes herkömmliches Bauelement wird auf die gleiche Art
und Weise, wie das obige Oberflächenwellenbauelement gemäß
einem Beispiel der bevorzugten Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung hergestellt, ausgenommen, daß eine
Tantalschicht statt der Wolframschicht mit einer Sputter
technik bei dem oben beschriebenen Beispiel der bevorzugten
Ausführungsbeispiele des Oberflächenwellenbauelements gebil
det wird, wobei die Tantalschicht bei dem ersten herkömmli
chen Bauelement die gleiche Dicke aufweist, wie die Wolfram
schicht des Beispiels der bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung. Die Impedanzfrequenzcharak
teristika des ersten herkömmlichen Bauelements sind in Fig. 4
gezeigt.
Ein zweites herkömmliches Bauelement wird durch Sputtern
(Zerstäuben) von Wolfram auf ein Oberflächenwellensubstrat
hergestellt, um eine Wolframschicht mit 350 nm zu bilden.
Die IDT-Elektrode 3 und die Reflektoren 4 und 5 sind ledig
lich aus einer Wolframschicht bei dem zweiten herkömmlichen
Bauelement gebildet. Die Impedanzfrequenzcharakteristika des
zweiten herkömmlichen Bauelements sind in Fig. 5 gezeigt.
Wie aus den Fig. 4 und 5 sichtbar, liefert das erste her
kömmliche Bauelement, bei dem die IDT-Elektrode 3 und die
Reflektoren 4 und 5 aus einem Ta/Al-laminierten Metallfilm
aufgebaut sind, einen Resonanzwiderstand von 5,46 Ω und
einen Antiresonanzwiderstand von 2.42 kΩ, und das zweite
herkömmliche Bauelement liefert einen Resonanzwiderstand von
7,73 Ω und einen Antiresonanzwiderstand von 1,51 kΩ.
Wie es aus dem Vergleich der in Fig. 2 gezeigten Impedanz
frequenzcharakteristika des Oberflächenwellenbauelements des
Beispiels der bevorzugten Ausführungsbeispiele mit den in
Fig. 4 und 5 gezeigten Impedanzfrequenzcharakteristika der
herkömmlichen Bauelemente offensichtlich ist, liefern die
IDT-Elektrode 3 und die Reflektoren 4 und 5, die aus dem
laminierten Metallfilm aus W/Al gemäß dem Beispiel der be
vorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
aufgebaut sind, einen niedrigeren Resonanzwiderstand als
jeder Fall der Ta/Al-laminierten Metallfilmstruktur und der
Nur-Wolfram-Struktur gemäß den herkömmlichen Beispielen.
Durch Aufbauen der IDT/Elektrode 3 und der Reflektoren 4 und
5 aus dem laminierten Metallfilm, bei dem die Aluminium
schicht und die Wolframschicht gemäß bevorzugten Aus
führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung zusammenlami
niert sind, werden ein hoher Q-Faktor und ein wesentlich
niedriger Resonanzwiderstand erreicht. Das Oberflächen
wellenbauelement 1 gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispie
len der vorliegenden Erfindung wird bevorzugt für eine
piezoelektrische Resonanzkomponente verwendet, wie z. B.
einen Resonator und einen Bandpaßfilter, die Love-Wellen
verwenden.
Allgemein gesprochen erhöhen die Reflektoren 4 und 5, die
aus einem großmassigen Elektrodenmaterial aufgebaut sind,
den Reflexionskoeffizienten pro Reflektor, und die Reflek
toren 4 und 5, die aus W/Al-laminiertem Metallfilm bei einem
derartigen Fall, wie bei diesem Beispiel von bevorzugten
Ausführungsbeispielen, aufgebaut sind, reduzieren die Anzahl
der Elektrodenfinger bei jedem Reflektor. Mit dieser Anord
nung wird folglich ein kompaktes Oberflächenwellenbauele
ment, das einen Reflektor umfaßt, geschaffen.
Die IDT-Elektrode 3, die aus dem W/Al-laminierten Metallfilm
gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Er
findung aufgebaut ist, liefert einen niedrigen Resonanzwi
derstand im Vergleich zu der IDT-Elektrode des Ta/Al-la
minierten Metallfilms gemäß dem herkömmlichen Bauelement, da
der spezifische Widerstand von Ta 12,3 Ωm ist, während der
spezifische Widerstand von W bis zu 4,9 Ωm ist. Es wird fer
ner als unwahrscheinlich erachtet, daß das Seitenätzen wäh
rend des Naßätzens auftritt, wenn der IDT, der gemäß bevor
zugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung auf
gebaut ist, durch Photolithographie gebildet wird. Dies wird
unter Bezugnahme auf Fig. 6 und auf Fig. 7 erörtert.
Fig. 6 ist eine Photographie, die durch ein Rasterelektro
nenmikroskop aufgenommen wurde, die Hauptabschnitte der
IDT-Elektroden der Oberflächenwellenbauelemente zeigt, die
gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele, wie oben beschrie
ben, aufgebaut sind, und Fig. 7 ist eine Photographie, die
durch das Rasterelektronenmikroskop von der IDT-Elektrode
des ersten herkömmlichen Bauelements, das den Ta/Al-lami
nierten Metallfilm verwendet, aufgenommen wurde.
Wie aus dem Vergleich von Fig. 6 mit Fig. 7 sichtbar ist,
wird eine kleine Oberflächenunregelmäßigkeit auf der Ober
fläche der Wolframschicht, nämlich auf der Oberfläche des
laminierten Metallfilms in der IDT-Elektrode des W/Al-
laminierten Metallfilms, gemäß bevorzugter Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung beobachtet. Im Gegen
satz dazu ist eine derartige Unregelmäßigkeit auf der Ober
fläche der IDT-Elektrode des Ta/Al-laminierten Films we
sentlich geringer. Aufgrund der Oberflächenunregelmäßig
keiten derselben, erhöht die IDT-Elektrode aus dem W/Al-
laminierten Metallfilm gemäß bevorzugter Ausführungsbei
spiele der vorliegenden Erfindung die Haftkraft des Photo
lacks, wodurch verhindert wird, daß ein Seitenätzen während
des Naßätzprozesses auftritt, und die Seitenoberfläche jedes
Elektrodenfingers in einer Richtung, die im wesentlichen
senkrecht zu dem Oberflächenwellensubstrat ist, näher zu dem
Oberflächenwellensubstrat ist.
Bei der IDT-Elektrode des Ta/Al-laminierten Metallfilms ge
mäß dem herkömmlichen Beispiel, ist eine derartige Unregel
mäßigkeit so klein, so daß dieselbe vernachlässigbar ist,
und die Haftkraft des Photolacks ist derart niedrig, daß das
Seitenätzen möglicherweise während des Naßätzprozesses auf
tritt. Als ein Resultat eines derartigen Seitenätzens wird
die Elektrodenseitenoberfläche mit einem großen Winkel be
züglich einer Richtung, die im wesentlichen senkrecht zu dem
Oberflächenwellensubstrat ist, zugespitzt. Folglich wird der
Elektrodenfinger bezüglich des Querschnitts im wesentlichen
trapezförmig.
Daher verhindert das Oberflächenwellenbauelement der be
vorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung,
das die IDT-Elektrode aufweist, die aus dem W/Al-laminierten
Metallfilm aufgebaut ist, daß das Seitenätzen auftritt, wo
durch der Q-Faktor erhöht und der Resonanzwiderstand abge
senkt wird.
Das Oberflächenwellenbauelement der bevorzugten Ausführungs
beispiele der vorliegenden Erfindung kann nicht nur bei ei
nem Oberflächenwellenresonator sondern ferner bei einer
großen Anzahl von piezoelektrischen Resonanzkomponenten, wie
z. B. einem Bandpaßfilter, angewendet werden. Ein zweites
bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist ein Ausführungsbeispiel,
bei dem die vorliegende Erfindung in einem Leiterfilter, das
in Fig. 8 gezeigt ist, implementiert ist. Fig. 8 zeigt das
schematische Diagramm des Leiterfilters, wobei die drei
seriellen Resonatoren S1 bis S3 in einem Serienarm seriell
geschaltet sind, der einen Eingang mit einem Ausgang verbin
det. Sechs parallele Resonatoren P1-P6 sind zwischen den
Serienarm und das Massepotential geschaltet. Insbesondere
sind drei π-Typfilter in einem Leiterfilter vorgesehen, wo
bei jedes π-Typfilter aus einem einzigen seriellen Resonator
und zwei parallelen Resonatoren auf beiden Seiten des seri
ellen Resonators gebildet wird.
Das Leiterfilter des zweiten bevorzugten Ausführungsbei
spiels verwendet das Oberflächenwellenbauelement 1, das in
Fig. 1 gezeigt ist, für die seriellen Resonatoren S1 bis S3
und die parallelen Resonatoren P1-P6, die, wie in Fig. 6 ge
zeigt, konfiguriert sind. Das Leiterfilter, das derart auf
gebaut ist, liefert die in Fig. 9 gezeigten Dämpfungsfre
quenzcharakteristika.
Zum Vergleich zeigt Fig. 10 die Dämpfungsfrequenzcharakte
ristika eines Leiterfilters unter Verwendung des ersten her
kömmlichen Bauelements, nämlich des Oberflächenwellenbau
elements, das aus der IDT-Elektrode und dem Reflektor auf
gebaut ist, die jeweils aus einem Ta/Al-laminierten Metall
film gebildet sind. Fig. 11 zeigt die Dämpfungsfrequenz
charakteristika eines Leiterfilters, das das zweite herkömm
liche Bauelement enthält, nämlich das Oberflächenwellenbau
element, das die IDT-Elektrode und den Reflektor umfaßt, die
jeweils lediglich aus der Wolframschicht gebildet sind.
Wie es klar aus Fig. 9 sichtbar ist, führt das Leiterfilter
des zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegen
den Erfindung zu einem minimalen Einfügeverlust von 1,17 dB.
Im Gegensatz dazu weist das Leiterfilter, das das erste her
kömmliche Oberflächenwellenbauelement enthält, einen mini
malen Einfügeverlust von 2,69 dB auf, und das Leiterfilter,
das das zweite herkömmliche Oberflächenwellenbauelement ent
hält, weist einen minimalen Einfügeverlust von 3,14 dB auf.
Das Leiterfilter, das das Oberflächenwellenbauelement 1 ge
mäß bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfin
dung enthält, erreicht einen wesentlich niedrigeren Einfüge
verlust im Vergleich zu den Leiterfiltern, die jeweils das
erste und das zweite herkömmliche Oberflächenwellenbauele
ment enthalten. Dies liegt daran, daß der Q-Faktor jedes
Oberflächenwellenbauelements, das das Leiterfilter defi
niert, erhöht wird, und daran, daß der Resonanzwiderstand
jedes Oberflächenwellenbauelements bei den bevorzugten Aus
führungsbeispielen, der vorliegenden Erfindung verringert
wird.
Der Einfügeverlust wird daher effizient durch Aufbauen eines
Bandpaßfilters aus einer Mehrzahl von Oberflächenwellen
bauelementen, die gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung angeordnet sind, abgesenkt.
Wie schon beschrieben, wird der Reflexionskoeffizient pro
Reflektor erhöht, wenn die Reflektoren 4 und 6 aus einem
großmassigen Elektrodenmaterial aufgebaut werden, was die
Anzahl der Elektrodenfinger reduziert, die bei jedem Reflek
tor erforderlich sind. Da ein Resonanzfilter, wie z. B. das
obige Leiterfilter, mit einer reduzierten Anzahl von Elek
trodenfingern in dem Reflektor arbeitet, wird das gesamte
Filter derart aufgebaut, daß dasselbe kompakter als her
kömmliche Filter ist.
Das Oberflächenwellenbauelement 1 des ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiels enthält den laminierten Metallfilm, bei
dem die Aluminiumschicht und die Wolframschicht in dieser
Reihenfolge auf das Oberflächenwellensubstrat 2 laminiert
werden, die IDT-Elektrode kann jedoch aus dem laminierten
Metallfilm, bei dem die Wolframschicht und die Aluminium
schicht in dieser Reihenfolge auf das Oberflächenwellen
substrat laminiert werden, aufgebaut sein, und es wurde
ferner festgestellt, daß ein derartiges Oberflächenbauele
ment den Q-Faktor erhöht und den Resonanzwiderstand ver
ringert. Bei einem derartigen Fall bewirkt die Wolfram
schicht, die eine Unregelmäßigkeit auf der Oberfläche der
selben aufweist, eine Unregelmäßigkeit auf der Oberfläche
der Aluminiumschicht, die auf der Wolframschicht aufgebracht
ist, was die Verbindungsstärke des Photolacks erhöht und
dadurch das Seitenätzen während des Naßätzens verhindert,
obwohl die Oberfläche des laminierten Metallfilms aus der
Aluminiumschicht besteht.
Das Verhältnis der Dicken der Wolframschicht und der Alumi
niumschicht sieht vorzugsweise wie folgt aus: Wolfram
schichtdicke zu Aluminiumschichtdicke = 10 : 1 zu 2 : 1, in
diesem Fall hängt der Bereich des Verhältnisses nicht davon
ab, welche Schicht als oberste Schicht angeordnet wird. Die
Aluminiumschicht nutzt den Effekt der Laminierung der
Wolframschicht zum Verbessern des Q-Faktors nicht voll
ständig, wenn dieselbe zu dick ist und außerhalb des obigen
Bereichs liegt, und im Gegensatz dazu nutzt die Aluminium
schicht das Resonanzwiderstandsabsenkmerkmal nicht voll
ständig, wenn dieselbe zu dünn ist und außerhalb des obigen
Bereichs liegt.
Die Reflexion der Oberflächenwelle von dem Elektrodenfinger
der IDT-Elektrode kann verwendet werden, um die Fangeffi
zienz der Oberflächenwelle in der IDT-Elektrode 3 zu erhö
hen, und in einem derartigen Fall wird auf die Reflektoren 4
und 5 verzichtet. Mit anderen Worten sind die Reflektoren 4
und 5 bei dem Oberflächenwellenbauelement der bevorzugten
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung nicht not
wendigerweise erforderlich.
Bei einem derartigen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die
IDT-Elektrode, die eine Struktur aufweist, die den laminier
ten Film aus Wolfram und Aluminium umfaßt, an dem Substrat 2
vorgesehen, ohne daß dieselbe durch jegliche Reflektoren um
geben ist.
Obwohl das Oberflächenwellensubstrat 2 vorzugsweise aus dem
X-ausgebreiteten Y-Schnitt-LiNbO3-Substrat bei den obigen
bevorzugten Ausführungsbeispielen aufgebaut ist, ist das
Material des Oberflächenwellensubstrats 2 nicht darauf be
grenzt, und es können andere piezoelektrische Einkristall
substrate mit anderen Schnittwinkeln und anderen Ausbrei
tungsrichtungen, z. B. X-ausgebreitetes Dreh-Y-Schnitt-LiNbO3,
X-ausgebreitetes Dreh-Y-Schnitt-LiTaO3 und ein
Dreh-Y-Schnitt-Kristall verwendet werden.
Obwohl das Oberflächenwellenbauelement 1 des ersten bevor
zugten Ausführungsbeispiels die IDT-Elektrode 3 und die Re
flektoren 4 und 5 aufweist, die jeweils aus dem laminierten
Metallfilm aufgebaut sind, bei dem die Aluminiumschicht und
die Wolframschicht in dieser Reihenfolge laminiert sind,
kann das Oberflächenwellenbauelement 1 die Reflektoren 4 und
5 aufweisen, die aus dem oben beschriebenen laminierten Me
tallfilm aufgebaut sind, wobei jedoch die IDT-Elektrode 3
aus einem anderen Material als der oben beschriebene lami
nierte Metallfilm aufgebaut ist, das die laminierte Anord
nung der Wolframschicht und der Aluminiumschicht aufweist.
Die IDT-Elektrode kann aus einer einzelnen Metallschicht,
wie z. B. Aluminium, gebildet sein, das allgemein als ein
Elektrodenmaterial bei dem Oberflächenwellenbauelement ver
wendet wird, und lediglich die Reflektoren 4 und 5 können
aus dem laminierten Metallfilm aufgebaut sein, der die
Wolframschicht und die Aluminiumschicht umfaßt. In diesem
Fall wird der Reflexionskoeffizient der Reflektoren 4 und 5
des oben laminierten Metallfilms erhöht, was einen kompakten
Entwurf und eine kompakte Anordnung der Reflektoren 4 und 5
erlaubt, und wodurch ein kompakter Entwurf und eine kompakte
Anordnung des gesamten Oberflächenwellenbauelements erlaubt
wird.
Wenn lediglich die Reflektoren 4 und 5 aus dem laminierten
Metallfilm, wie oben beschrieben, aufgebaut sind, können die
Wolframschicht und die Aluminiumschicht in dieser Reihen
folge auf dem Oberflächenwellensubstrat gebildet werden.
Da der Reflektor, der aus dem laminierten Metallfilm aus
der Aluminiumschicht und der Wolframschicht aufgebaut ist,
einen hohen Reflexionskoeffizienten erzeugt, einen kompakten
Entwurf und eine kompakte Anordnung des Reflektors, und
folglich des Oberflächenwellenbauelements erlaubt, weist der
Reflektor nicht nur Anwendungen bei dem Oberflächenbauele
ment 1, das in Fig. 1 gezeigt ist, sondern ferner bei be
kannten herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen mit
Reflektoren auf. Beispielsweise kann ein Oberflächenwellen
filter mit einem Reflektor, der die Rayleigh-Welle verwen
det, durch Aufbauen des Reflektors aus dem oben beschrie
benen laminierten Metallfilm wesentlich kompakter herge
stellt werden.
Bei noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel kann
lediglich die IDT-Elektrode 3 den laminierten Metallfilmauf
bau aufweisen, der die laminierten Wolfram- und Aluminium-Schichten
umfaßt, und die Reflektoren 4, 5 können aus einem
herkömmlichen Material, wie z. B. lediglich aus Aluminium,
gebildet sein.
Wie es im vorhergehenden erklärt wurde, erreicht das Ober
flächenwellenbauelement einen erhöhten Q-Faktor und einen
niedrigen Resonanzwiderstand, da das Oberflächenwellenbau
element der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegen
den Erfindung die IDT-Elektrode aufweist, die aus dem lami
nierten Metallfilm aufgebaut ist, bei dem die Wolframschicht
und die Aluminiumschicht zusammenlaminiert sind. Diese An
ordnung schafft ein Oberflächenwellenbauelement, das Anwen
dungen bei einer Vielzahl von piezoelektrischen Resonanz
komponenten findet, einschließlich einem piezoelektrischen
Resonator und einem Bandpaßfilter, die Love-Wellen verwen
den. Da die Verwendung des laminierten Metallfilms zu einem
erhöhten Reflexionskoeffizienten des Elektrodenfingers
führt, weist die IDT-Elektrode eine im wesentlichen redu
zierte und dünne Dicke im Vergleich zu der IDT-Elektrode
auf, die lediglich aus Al besteht, und ein maschinelles
Bearbeiten des Elektrodenfingers ist ohne weiteres möglich.
Die Kosten des Oberflächenwellenbauelements werden redu
ziert, da keine Notwendigkeit für die Verwendung von teueren
und schweren Metallen, wie z. B. Gold, Silber und Platin,
besteht.
Der laminierte Metallfilm aus der Wolframschicht und Alumi
niumschicht kann durch ein reaktives Ionenätzen gebildet
werden. Insbesondere ist es sehr schwierig, die Tantal
schicht durch ein reaktives Ionenätzen zu bilden, während
die Wolframschicht vorzugsweise in einem Plasma aus einem
Fluor-basierten Gas durch reaktives Ionenätzen gebildet
wird, und die Al-Schicht vorzugsweise in einem Plasma aus
einem Chlor-basierten Gas durch reaktives Ionenätzen gebil
det wird. Um die IDT-Elektrode der Wolframschicht und der
Aluminiumschicht aufzubauen, kann die gleiche Vakuumkammer
mit ausgetauschtem Gas verwendet werden, und der laminierte
Metallfilm wird ohne weiteres durch reaktives Ionenätzen
gebildet. Gemäß bevorzugter Ausführungsbeispiele der vor
liegenden Erfindung wird die IDT-Elektrode durch reaktives
Ionenätzen effizient gebildet, während eine breite Auswahl
an Elektrodenbildungstechniken verfügbar ist.
Für den Fall, bei dem das Oberflächenwellensubstrat auf sich
die IDT-Elektrode aufweist, bei der die Aluminiumschicht und
die Wolframschicht vorzugsweise in dieser Reihenfolge zusam
menlaminiert sind, weist die Wolframschicht auf der Ober
fläche derselben eine kleine Unregelmäßigkeit auf. Folglich
wird die Haftkraft des Photolacks bei der Photolithographie
durch die kleine Unregelmäßigkeit erhöht, was effektiv das
Seitenätzen während des Naßätzens verhindert. Der Q-Faktor
wird daher erhöht, und der Resonanzwiderstand wird folglich
abgesenkt.
Für den Fall, bei dem das Oberflächenwellensubstrat auf sich
die IDT-Elektrode aufweist, in der die Wolframschicht und
die Aluminiumschicht in dieser Reihenfolge zusammenlaminiert
sind, bewirkt die Wolframschicht, die eine kleine Unregel
mäßigkeit auf der Oberfläche derselben aufweist, eine Un
regelmäßigkeit auf der Oberfläche der Aluminiumschicht, die
auf der Oberseite der Wolframschicht aufgebracht ist. Daher
wird die Haftkraft dem Photolacks wesentlich erhöht, wodurch
das Seitenätzen während des Naßätzens gesteuert wird. Als
ein Resultat wird folglich der Q-Faktor erhöht, und der
Resonanzwiderstand wird folglich abgesenkt.
Wenn der Reflektor, der aus dem laminierten Metallfilm
aufgebaut ist, bei dem die Wolframschicht und die Alumi
niumschicht in dieser Reihenfolge zusammenlaminiert sind,
ferner vorgesehen wird, wird der Reflexionskoeffizient
wesentlich erhöht, und die Anzahl der Elektrodenfinger in
dem Reflektor wird wesentlich reduziert. Folglich ist das
Oberflächenwellenbauelement mit dem Reflektor im Vergleich
zu herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen extrem kom
pakt.
Zusätzlich kann ein Oberflächenwellenbauelement mit einem
niedrigen Resonanzwiderstand, das Love-Wellen verwendet,
geschaffen werden, wenn das Oberflächenwellensubstrat aus
dem X-ausgebreiteten Y-Schnitt-LiNbO3-Substrat hergestellt
ist.
Claims (20)
1. Oberflächenwellenbauelement (1) mit folgenden Merkma
len:
einem Oberflächenwellensubstrat (2);
einem Interdigitalwandler (3), der auf dem Oberflächen wellensubstrat (2) vorgesehen ist, und der eine Wolf ramschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10) auf weist.
einem Oberflächenwellensubstrat (2);
einem Interdigitalwandler (3), der auf dem Oberflächen wellensubstrat (2) vorgesehen ist, und der eine Wolf ramschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10) auf weist.
2. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 1, bei
dem die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) zusammenlaminiert sind, um einen einstückigen
laminierten Metallfilm (12) zu definieren.
3. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 1 oder
2, bei dem die Aluminiumschicht (10) auf dem Ober
flächenwellensubstrat (2) vorgesehen ist, und bei dem
die Wolframschicht (11) auf der Aluminiumschicht (10)
vorgesehen ist.
4. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 1 oder
2, bei dem die Wolframschicht (11) auf dem Oberflächen
wellensubstrat (2) vorgesehen ist, und bei dem die Alu
miniumschicht (10) auf der Wolframschicht (11) vorge
sehen ist.
5. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 4, das ferner ein Paar von Reflektoren
(4, 5) aufweist, die auf beiden Seiten des Inter
digitalwandlers (3) angeordnet sind.
6. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 5, bei
dem mindestens einer der Reflektoren (4, 5) eine
Wolframschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10)
aufweist.
7. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 6, bei
dem die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) von mindestens einem der Reflektoren (4, 5) zu
sammenlaminiert sind, um einen einstückigen laminierten
Metallfilm (12) zu definieren.
8. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 5, bei dem jeder der Reflektoren (4, 5)
eine Wolframschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10)
aufweist.
9. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 8, bei
der die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) jeder der Reflektoren (4, 5) zusammenlaminiert
sind, um einen einstückigen laminierten Metallfilm (12)
zu definieren.
10. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 9, bei dem das Oberflächenwellensubstrat
(2) ein X-ausgebreitetes Y-Schnitt-LiNbO3-Substrat ist.
11. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 10, bei dem das Oberflächenwellenbauele
ment (1) angepaßt ist, um eine Love-Welle zu verwenden.
12. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 11, das ferner eine Verbindungselektrode
(3c, 3d) aufweist, die auf dem Oberflächenwellensub
strat (2) vorgesehen ist, und die mit dem Interdigital
wandler (3) verbunden ist, wobei die Verbindungselek
trode (3c, 3d) eine Wolframschicht (11) und eine Alu
miniumschicht (10) aufweist.
13. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 12, bei
dem die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) der Verbindungselektrode (3c, 3d) zusammenlami
niert sind, um einen einstückigen laminierten Metall
film (12) zu definieren.
14. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 11, das ferner eine Verbindungselektrode
(3c, 3d) aufweist, die auf dem Oberflächenwellensub
strat (2) vorgesehen ist, und die mit dem Interdigital
wandler (3) verbunden ist, wobei die Verbindungselek
trode (3c, 3d) eine oberste Schicht aufweist, die aus
Aluminium (13) besteht.
15. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 1 bis 11, das ferner eine Verbindungselektrode
(3c, 3d) aufweist, die auf dem Oberflächenwellensub
strat (2) vorgesehen ist, und die mit dem Interdigital
wandler (3) verbunden ist, wobei die Verbindungselek
trode (3c, 3d) eine oberste Schicht (13), die aus Alu
minium besteht, und einen laminierten Metallfilm (12)
aufweist, bei dem eine Aluminiumschicht (10) und eine
Wolframschicht (11) zusammenlaminiert sind, und derart
angeordnet sind, daß die Aluminiumschicht (10) des
laminierten Metallfilms (12) auf dem Oberflächenwellen
substrat (2) vorgesehen ist, und daß die obere Alu
miniumschicht (13) auf der Wolframschicht (11) des
laminierten Metallfilms (12) vorgesehen ist.
16. Oberflächenwellenbauelement (1) mit folgenden Merkma
len:
einem Oberflächenwellensubstrat (2);
einem Interdigitalwandler (3), der auf dem Ober flächenwellensubstrat (2) vorgesehen ist; und
mindestens zwei Reflektoren (4, 5), die auf gegenüber liegenden Seiten des Interdigitalwandlers (3) angeord net sind, wobei mindestens einer der mindestens zwei Reflektoren (4, 5) eine Wolframschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10) aufweist.
einem Oberflächenwellensubstrat (2);
einem Interdigitalwandler (3), der auf dem Ober flächenwellensubstrat (2) vorgesehen ist; und
mindestens zwei Reflektoren (4, 5), die auf gegenüber liegenden Seiten des Interdigitalwandlers (3) angeord net sind, wobei mindestens einer der mindestens zwei Reflektoren (4, 5) eine Wolframschicht (11) und eine Aluminiumschicht (10) aufweist.
17. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 16, bei
dem die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) zusammenlaminiert sind, um einen einstückigen
laminierten Metallfilm (12) zu definieren.
18. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 16 oder
17, bei dem jeder der mindestens zwei Reflektoren (4,
5) eine Wolframschicht (11) und eine Aluminiumschicht
(10) aufweist.
19. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß Anspruch 18, bei
dem die Wolframschicht (11) und die Aluminiumschicht
(10) jeder der zwei Reflektoren (4, 5) zusammenlami
niert sind, um einen einstückigen laminierten Metall
film (12) zu definieren.
20. Oberflächenwellenbauelement (1) gemäß einem der An
sprüche 16 bis 19, bei dem der Interdigitalwandler (3)
aus Aluminium besteht.
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