JPH0942600A - 薬液供給装置 - Google Patents
薬液供給装置Info
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- JPH0942600A JPH0942600A JP19722695A JP19722695A JPH0942600A JP H0942600 A JPH0942600 A JP H0942600A JP 19722695 A JP19722695 A JP 19722695A JP 19722695 A JP19722695 A JP 19722695A JP H0942600 A JPH0942600 A JP H0942600A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液漏れを直ちに検知できる薬液供給装置を提
供する。 【構成】 半導体ウエハＷをエッチング液Ｌ1 に浸漬し
てこの半導体ウエハＷにエッチング処理を施す処理槽２
と、処理槽２にエッチング液Ｌ1 を供給する薬液供給管
４とを有している。薬液供給管４の途中には、エッチン
グ液Ｌ1 を処理槽２に向かって流すポンプ５が設けられ
ている。また、薬液供給管４を包囲するようにして、流
入口７ａより薬液供給管４の外周に沿って流れて流出口
７ｂから流出する純水Ｌ2 によりエッチング液Ｌ1 を所
定の温度に調節するクールニクス７が取り付けられてい
る。クールニクス７の流出口７ｂ近傍には、純水Ｌ2 中
のイオン量から薬液供給管４を流れるエッチング液Ｌ1
の漏洩を検知するイオン電極式液漏れセンサ８が設置さ
れている。
供する。 【構成】 半導体ウエハＷをエッチング液Ｌ1 に浸漬し
てこの半導体ウエハＷにエッチング処理を施す処理槽２
と、処理槽２にエッチング液Ｌ1 を供給する薬液供給管
４とを有している。薬液供給管４の途中には、エッチン
グ液Ｌ1 を処理槽２に向かって流すポンプ５が設けられ
ている。また、薬液供給管４を包囲するようにして、流
入口７ａより薬液供給管４の外周に沿って流れて流出口
７ｂから流出する純水Ｌ2 によりエッチング液Ｌ1 を所
定の温度に調節するクールニクス７が取り付けられてい
る。クールニクス７の流出口７ｂ近傍には、純水Ｌ2 中
のイオン量から薬液供給管４を流れるエッチング液Ｌ1
の漏洩を検知するイオン電極式液漏れセンサ８が設置さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハなどのワー
クに所定の処理を施すための薬液供給装置に関するもの
である。
クに所定の処理を施すための薬液供給装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】たとえば半導体ウエハ（ワーク）の表面
上に形成された薄膜をウエット・エッチングする場合に
は、この半導体ウエハを薬液供給装置の処理槽に入れら
れたエッチング液つまり薬液に浸漬して行っている。そ
して、エッチング液は薬液供給管によって処理槽に供給
される。
上に形成された薄膜をウエット・エッチングする場合に
は、この半導体ウエハを薬液供給装置の処理槽に入れら
れたエッチング液つまり薬液に浸漬して行っている。そ
して、エッチング液は薬液供給管によって処理槽に供給
される。
【０００３】薬液供給装置では、ピンホールやリーク点
から漏洩した薬液が外部に拡散して人体へ悪影響を及ぼ
したり周辺環境を汚染することを未然に防止するため、
薬液供給管に液漏れセンサを設置してこれを検知してい
る。
から漏洩した薬液が外部に拡散して人体へ悪影響を及ぼ
したり周辺環境を汚染することを未然に防止するため、
薬液供給管に液漏れセンサを設置してこれを検知してい
る。
【０００４】なお、薬液供給装置を詳しく記載している
例としては、たとえば、工業調査会発行、「超ＬＳＩ製
造・試験装置ガイドブック＜1994年版＞」（1993年11月
20日発行）、P157〜P162がある。
例としては、たとえば、工業調査会発行、「超ＬＳＩ製
造・試験装置ガイドブック＜1994年版＞」（1993年11月
20日発行）、P157〜P162がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した装置
では、液漏れセンサが漏洩した薬液を直接検知する構造
とされているために、漏れ出た薬液が液漏れセンサにま
で到達しなければ液漏れを検知することができず、液漏
れ箇所が液漏れセンサから遠い場合には多量の液漏れを
許容してしまうことになるのみならず、液漏れの発生か
ら検知までにタイムラグが生じることになる。
では、液漏れセンサが漏洩した薬液を直接検知する構造
とされているために、漏れ出た薬液が液漏れセンサにま
で到達しなければ液漏れを検知することができず、液漏
れ箇所が液漏れセンサから遠い場合には多量の液漏れを
許容してしまうことになるのみならず、液漏れの発生か
ら検知までにタイムラグが生じることになる。
【０００６】また、液漏れが微量の場合には、薬液が液
漏れセンサに到達することができずに検出そのものが困
難になる。
漏れセンサに到達することができずに検出そのものが困
難になる。
【０００７】さらに、液漏れの検出能力が液漏れセンサ
の取り付け場所に大きく依存し、安定的な検知ができな
くなる。
の取り付け場所に大きく依存し、安定的な検知ができな
くなる。
【０００８】そして、薬液供給装置には、薬液供給管の
外周に沿って溶液を流すことにより薬液を所定の温度に
調節するクールニクスつまり温度調節部が取り付けられ
ているものも多いが、このように外周に溶液が存在する
部位には液漏れセンサが取り付けられず、最も液漏れし
やすい温度調節部での液漏れの検知ができない。
外周に沿って溶液を流すことにより薬液を所定の温度に
調節するクールニクスつまり温度調節部が取り付けられ
ているものも多いが、このように外周に溶液が存在する
部位には液漏れセンサが取り付けられず、最も液漏れし
やすい温度調節部での液漏れの検知ができない。
【０００９】そこで、本発明の目的は、薬液供給管から
の液漏れを直ちに検知することのできる薬液供給装置を
提供することにある。
の液漏れを直ちに検知することのできる薬液供給装置を
提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、薬液供給管からの微
量の液漏れも確実に検知することのできる薬液供給装置
を提供することにある。
量の液漏れも確実に検知することのできる薬液供給装置
を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、液漏れセンサ
の取り付け場所に拘束されることなく、薬液供給管から
の液漏れを検知することのできる薬液供給装置を提供す
ることにある。
の取り付け場所に拘束されることなく、薬液供給管から
の液漏れを検知することのできる薬液供給装置を提供す
ることにある。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、温度調節部に
おける薬液供給管からの薬液の漏れを検知することので
きる薬液供給装置を提供することにある。
おける薬液供給管からの薬液の漏れを検知することので
きる薬液供給装置を提供することにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１５】すなわち、本発明の薬液供給装置は、ワー
クを薬液に浸漬して該ワークに所定の処理を施す処理槽
と、この処理槽に薬液を供給する薬液供給管とを有して
いる。薬液供給管の途中には、薬液を処理槽に向かって
流すポンプが設けられている。また、薬液供給管を包囲
するようにして、流入口より薬液供給管の外周に沿って
流れて流出口から流出する溶液により薬液を所定の温度
に調節する温度調節部が取り付けられている。温度調節
部には、溶液の特性の変化から薬液供給管を流れる薬液
の漏洩を検知する液漏れセンサが設置されている。
クを薬液に浸漬して該ワークに所定の処理を施す処理槽
と、この処理槽に薬液を供給する薬液供給管とを有して
いる。薬液供給管の途中には、薬液を処理槽に向かって
流すポンプが設けられている。また、薬液供給管を包囲
するようにして、流入口より薬液供給管の外周に沿って
流れて流出口から流出する溶液により薬液を所定の温度
に調節する温度調節部が取り付けられている。温度調節
部には、溶液の特性の変化から薬液供給管を流れる薬液
の漏洩を検知する液漏れセンサが設置されている。
【００１６】また、本発明の薬液供給装置は、ワークを
薬液に浸漬して該ワークに所定の処理を施す処理槽と、
この処理槽に薬液を供給する薬液供給管とを有してい
る。薬液供給管の途中には、薬液を処理槽に向かって流
すポンプが設けられている。また、所定の間隔を開けて
薬液供給管のほぼ全体を被うようにして、一方端に形成
された流入口より溶液を導入してこれを薬液供給管の外
周に沿って流して流出口から流出させる外殻配管が設け
られている。外殻配管には、溶液の特性の変化から薬液
供給管を流れる薬液の漏洩を検知する液漏れセンサが設
置されている。
薬液に浸漬して該ワークに所定の処理を施す処理槽と、
この処理槽に薬液を供給する薬液供給管とを有してい
る。薬液供給管の途中には、薬液を処理槽に向かって流
すポンプが設けられている。また、所定の間隔を開けて
薬液供給管のほぼ全体を被うようにして、一方端に形成
された流入口より溶液を導入してこれを薬液供給管の外
周に沿って流して流出口から流出させる外殻配管が設け
られている。外殻配管には、溶液の特性の変化から薬液
供給管を流れる薬液の漏洩を検知する液漏れセンサが設
置されている。
【００１７】これらの装置において、液漏れセンサは温
度調節部の流出口近傍に設置することが望ましい。温度
調節部や外殻配管の溶液には純水を用いることができ
る。さらに、液漏れセンサとしては、イオン電極式液漏
れセンサ、電気伝導度計式液漏れセンサあるいはｐＨ計
式液漏れセンサを用いることができる。
度調節部の流出口近傍に設置することが望ましい。温度
調節部や外殻配管の溶液には純水を用いることができ
る。さらに、液漏れセンサとしては、イオン電極式液漏
れセンサ、電気伝導度計式液漏れセンサあるいはｐＨ計
式液漏れセンサを用いることができる。
【００１８】
【作用】上記のような構成の薬液供給装置によれば、温
度調節部や外殻配管内を流れる溶液の特性の変化を液漏
れセンサが検出することによって薬液供給管からの薬液
の漏洩発生を検知することとしているので、液漏れを発
生後直ちに検知することが可能になる。
度調節部や外殻配管内を流れる溶液の特性の変化を液漏
れセンサが検出することによって薬液供給管からの薬液
の漏洩発生を検知することとしているので、液漏れを発
生後直ちに検知することが可能になる。
【００１９】また、溶液中に混入した薬液を検出するこ
ととしているので、微量の液漏れも検知することができ
る。
ととしているので、微量の液漏れも検知することができ
る。
【００２０】液漏れセンサを流出口近傍に設置すること
により、液漏れ箇所が該センサから遠い位置であって
も、確実にこれを検知することができる。
により、液漏れ箇所が該センサから遠い位置であって
も、確実にこれを検知することができる。
【００２１】溶液の特性の変化を利用して液漏れを検知
しているので、漏洩が最も発生しやすい温度調節部にお
ける液漏れの検知が可能になる。
しているので、漏洩が最も発生しやすい温度調節部にお
ける液漏れの検知が可能になる。
【００２２】そして、外殻配管で薬液供給管全体を被う
ことによって、薬液供給管のいずれの箇所で漏洩した薬
液も１台の液漏れセンサにより検知することが可能にな
る。
ことによって、薬液供給管のいずれの箇所で漏洩した薬
液も１台の液漏れセンサにより検知することが可能にな
る。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。
細に説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返し
の説明は省略する。
【００２４】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る薬液供給装置を示す概略図である。
る薬液供給装置を示す概略図である。
【００２５】本実施例の薬液供給装置は、たとえば半導
体装置のエッチング（ウエット・エッチング）にて用い
られるものであり、フッ酸（ＨＦ）やフッ化アンモニウ
ム（ＮＨ4 Ｆ）あるいはその混合液（ＮＨ4 ＨＦ）とい
ったエッチング液（薬液）Ｌ1 により半導体ウエハ（ワ
ーク）Ｗにエッチング処理を施すものである。なお、エ
ッチング液Ｌ1 はこれら以外の薬液であってもよい。
体装置のエッチング（ウエット・エッチング）にて用い
られるものであり、フッ酸（ＨＦ）やフッ化アンモニウ
ム（ＮＨ4 Ｆ）あるいはその混合液（ＮＨ4 ＨＦ）とい
ったエッチング液（薬液）Ｌ1 により半導体ウエハ（ワ
ーク）Ｗにエッチング処理を施すものである。なお、エ
ッチング液Ｌ1 はこれら以外の薬液であってもよい。
【００２６】カセット１に保持された半導体ウエハＷを
エッチング液Ｌ1 に浸漬してこれにエッチング処理を施
す処理槽２の外側には液受け槽３が設けられており、処
理槽２と液受け槽３とはそれぞれの底面に接続された薬
液供給管４で連通されている。この薬液供給管４は内壁
が電解研磨で鏡面仕上げとされたステンレス鋼により構
成されており、薬液供給管４を通過するときにおけるエ
ッチング液Ｌ1 の汚染が未然に防止されている。
エッチング液Ｌ1 に浸漬してこれにエッチング処理を施
す処理槽２の外側には液受け槽３が設けられており、処
理槽２と液受け槽３とはそれぞれの底面に接続された薬
液供給管４で連通されている。この薬液供給管４は内壁
が電解研磨で鏡面仕上げとされたステンレス鋼により構
成されており、薬液供給管４を通過するときにおけるエ
ッチング液Ｌ1 の汚染が未然に防止されている。
【００２７】薬液供給管４の途中にはエッチング液Ｌ1
を処理槽２に向かって流すポンプ５およびエッチング液
Ｌ1 を濾過するフィルタ６が設けられている。したがっ
て、本薬液供給装置では処理槽２でエッチング処理に供
されたエッチング液Ｌ1 がオーバーフローして液受け槽
３に流れ出し、これがポンプ５により薬液供給管４を経
てフィルタ６で浄化されて再び処理槽２に至る循環系が
形成されている。なお、このような循環系を構成するの
ではなく、エッチング液Ｌ1 が貯蔵された薬液槽と処理
槽２とを薬液供給管４によって接続し、薬液層から処理
槽２へ供給されたエッチング液Ｌ1 を処理後に廃棄する
ようにしてもよい。
を処理槽２に向かって流すポンプ５およびエッチング液
Ｌ1 を濾過するフィルタ６が設けられている。したがっ
て、本薬液供給装置では処理槽２でエッチング処理に供
されたエッチング液Ｌ1 がオーバーフローして液受け槽
３に流れ出し、これがポンプ５により薬液供給管４を経
てフィルタ６で浄化されて再び処理槽２に至る循環系が
形成されている。なお、このような循環系を構成するの
ではなく、エッチング液Ｌ1 が貯蔵された薬液槽と処理
槽２とを薬液供給管４によって接続し、薬液層から処理
槽２へ供給されたエッチング液Ｌ1 を処理後に廃棄する
ようにしてもよい。
【００２８】薬液供給管４にはエッチング液Ｌ1 を最適
処理温度であるたとえば24℃に調節するクールニクス
（温度調節部）７が取り付けられている。このクールニ
クス７は薬液供給管４に沿ってこれを包囲するように設
けられており、その一方端には温調器と接続されてたと
えば24℃の純水（溶液）Ｌ2 が流入する流入口７ａが、
他方端には該純水Ｌ2 が流出する流出口７ｂがそれぞれ
形成されている。そして、流入口７ａより導入された純
水Ｌ2 は薬液供給管４の外周に沿って流れてエッチング
液Ｌ1 を前記した温度に調節した後、流出口７ｂから排
出されて温調器へ戻される。なお、薬液供給管４はクー
ルニクス７の位置において蛇行形状に形成されて純水Ｌ
2 との接触面積が広くとられ、純水Ｌ2 による調温が確
実に行われるようになっている。なお、調温手段として
は、本実施例のような純水Ｌ2 以外にも、たとえば水道
水など他の溶液を用いることも可能である。
処理温度であるたとえば24℃に調節するクールニクス
（温度調節部）７が取り付けられている。このクールニ
クス７は薬液供給管４に沿ってこれを包囲するように設
けられており、その一方端には温調器と接続されてたと
えば24℃の純水（溶液）Ｌ2 が流入する流入口７ａが、
他方端には該純水Ｌ2 が流出する流出口７ｂがそれぞれ
形成されている。そして、流入口７ａより導入された純
水Ｌ2 は薬液供給管４の外周に沿って流れてエッチング
液Ｌ1 を前記した温度に調節した後、流出口７ｂから排
出されて温調器へ戻される。なお、薬液供給管４はクー
ルニクス７の位置において蛇行形状に形成されて純水Ｌ
2 との接触面積が広くとられ、純水Ｌ2 による調温が確
実に行われるようになっている。なお、調温手段として
は、本実施例のような純水Ｌ2 以外にも、たとえば水道
水など他の溶液を用いることも可能である。
【００２９】クールニクス７の流出口７ｂの近傍にはイ
オン電極式液漏れセンサ（液漏れセンサ）８が設置され
ている。このイオン電極式液漏れセンサ８には、薬液と
して用いられたたとえばフッ酸のＦ- イオンに対応して
フッ素イオン電極が用いられており、該フッ素イオン電
極と比較電極とが共に純水Ｌ2 に浸漬されている。そし
て、純水Ｌ2 中にエッチング液Ｌ1 であるフッ酸が混入
することによって捕獲されるＦ- のイオンで両電極間に
発生する電位差が所定の値以上になることにより、漏洩
の可能性が高いクールニクス７の部位における薬液供給
管４からのエッチング液Ｌ1 の液漏れが検知されるよう
になっている。ここで、エッチング液Ｌ1 が塩酸の場合
には塩素イオン電極が、アンモニアの場合にはアンモニ
アイオン電極が用いられる。
オン電極式液漏れセンサ（液漏れセンサ）８が設置され
ている。このイオン電極式液漏れセンサ８には、薬液と
して用いられたたとえばフッ酸のＦ- イオンに対応して
フッ素イオン電極が用いられており、該フッ素イオン電
極と比較電極とが共に純水Ｌ2 に浸漬されている。そし
て、純水Ｌ2 中にエッチング液Ｌ1 であるフッ酸が混入
することによって捕獲されるＦ- のイオンで両電極間に
発生する電位差が所定の値以上になることにより、漏洩
の可能性が高いクールニクス７の部位における薬液供給
管４からのエッチング液Ｌ1 の液漏れが検知されるよう
になっている。ここで、エッチング液Ｌ1 が塩酸の場合
には塩素イオン電極が、アンモニアの場合にはアンモニ
アイオン電極が用いられる。
【００３０】なお、エッチング液Ｌ1 の漏洩を確実に検
知するためには、このようにイオン電極式液漏れセンサ
８を純水Ｌ2 の流れの下流に当たる流出口７ｂ近傍に設
置するのが好ましいと考えられるが、他の箇所に設置し
てもよい。
知するためには、このようにイオン電極式液漏れセンサ
８を純水Ｌ2 の流れの下流に当たる流出口７ｂ近傍に設
置するのが好ましいと考えられるが、他の箇所に設置し
てもよい。
【００３１】検知されたエッチング液Ｌ1 の漏洩をアラ
ームによって作業者に知らせるため、イオン電極式液漏
れセンサ８には警報発生部９が接続されている。なお、
警報発生部９による漏洩発生の警報は、たとえば警告灯
の点滅などアラーム以外の他の手段を用いてもよい。
ームによって作業者に知らせるため、イオン電極式液漏
れセンサ８には警報発生部９が接続されている。なお、
警報発生部９による漏洩発生の警報は、たとえば警告灯
の点滅などアラーム以外の他の手段を用いてもよい。
【００３２】本薬液供給装置における薬液供給管４から
のエッチング液Ｌ1 の漏洩は次のようにして検知され
る。
のエッチング液Ｌ1 の漏洩は次のようにして検知され
る。
【００３３】半導体ウエハＷにエッチング処理を施すた
め、フィルタ６に濾過されたエッチング液Ｌ1 をクール
ニクス７で調温して処理槽２に供給している状態におい
て、継ぎ目や溶接箇所などの多いクールニクス７の位置
でリークがあると、漏洩したエッチング液Ｌ1 は調温の
ため薬液供給管４に沿って流れている純水Ｌ2 中に流れ
出す。したがって、純水Ｌ2 中にはエッチング液Ｌ1 の
イオン、たとえばＦ−イオンが存在するようになる。
め、フィルタ６に濾過されたエッチング液Ｌ1 をクール
ニクス７で調温して処理槽２に供給している状態におい
て、継ぎ目や溶接箇所などの多いクールニクス７の位置
でリークがあると、漏洩したエッチング液Ｌ1 は調温の
ため薬液供給管４に沿って流れている純水Ｌ2 中に流れ
出す。したがって、純水Ｌ2 中にはエッチング液Ｌ1 の
イオン、たとえばＦ−イオンが存在するようになる。
【００３４】漏洩したエッチング液Ｌ1 は純水Ｌ2 とと
もに流出口７ｂに向かって流される。そして、流出口７
ｂの近傍に設けられてイオン量を連続モニタしているイ
オン電極式液漏れセンサ８のフッ素イオン電極にエッチ
ング液Ｌ1 のＦ- イオンが検出されると、比較電極との
間に電位差が発生する。この電位差が規定の数値以上に
なった場合にエッチング液Ｌ1 の漏洩として検知され
る。
もに流出口７ｂに向かって流される。そして、流出口７
ｂの近傍に設けられてイオン量を連続モニタしているイ
オン電極式液漏れセンサ８のフッ素イオン電極にエッチ
ング液Ｌ1 のＦ- イオンが検出されると、比較電極との
間に電位差が発生する。この電位差が規定の数値以上に
なった場合にエッチング液Ｌ1 の漏洩として検知され
る。
【００３５】イオン電極式液漏れセンサ８により漏洩が
検知されると、警報発生部９からアラームが鳴ってこれ
が作業者に知らされ、漏洩情報を受領した作業者は装置
を停止して製品の着工を中止し、漏洩箇所を修復する方
策を講じることになる。
検知されると、警報発生部９からアラームが鳴ってこれ
が作業者に知らされ、漏洩情報を受領した作業者は装置
を停止して製品の着工を中止し、漏洩箇所を修復する方
策を講じることになる。
【００３６】このように、本実施例による薬液供給装置
によれば、クールニクス７内を流れる純水Ｌ2 に混入し
た薬液供給管４からのエッチング液Ｌ1 のイオンの有無
をイオン電極式液漏れセンサ８により検出し、これによ
り漏洩発生を検知することとしているので、クールニク
ス７における液漏れがタイムラグなく発生後直ちに検知
される。
によれば、クールニクス７内を流れる純水Ｌ2 に混入し
た薬液供給管４からのエッチング液Ｌ1 のイオンの有無
をイオン電極式液漏れセンサ８により検出し、これによ
り漏洩発生を検知することとしているので、クールニク
ス７における液漏れがタイムラグなく発生後直ちに検知
される。
【００３７】また、純水Ｌ2 中に混入したエッチング液
Ｌ1 を検出することとしているので、僅かの液漏れも検
知することができる。
Ｌ1 を検出することとしているので、僅かの液漏れも検
知することができる。
【００３８】さらに、イオン電極式液漏れセンサ８を流
出口７ｂの近傍に設置しているので、液漏れ箇所が該イ
オン電極式液漏れセンサ８から遠い位置であっても、１
台のイオン電極式液漏れセンサ８で確実にこれを検知す
ることができる。
出口７ｂの近傍に設置しているので、液漏れ箇所が該イ
オン電極式液漏れセンサ８から遠い位置であっても、１
台のイオン電極式液漏れセンサ８で確実にこれを検知す
ることができる。
【００３９】そして、純水Ｌ2 を利用して液漏れを検知
しているので、クールニクス７の部位のように薬液供給
管４の外周に溶液が存在する部位における液漏れの検知
が可能になる。
しているので、クールニクス７の部位のように薬液供給
管４の外周に溶液が存在する部位における液漏れの検知
が可能になる。
【００４０】（実施例２）図２は本発明の他の実施例で
ある薬液供給装置を示す概略図である。
ある薬液供給装置を示す概略図である。
【００４１】本実施例の薬液供給装置では、薬液供給管
４と所定の間隔を開けてこの薬液供給管４のほぼ全体を
被うようにして外殻配管１０が設けられている点で、前
記した実施例１による薬液供給装置と異なっている。
４と所定の間隔を開けてこの薬液供給管４のほぼ全体を
被うようにして外殻配管１０が設けられている点で、前
記した実施例１による薬液供給装置と異なっている。
【００４２】外殻配管１０の一方端には純水Ｌ2 が流入
する流入口１０ａが、他方端には該純水Ｌ2 が流出する
流出口１０ｂがそれぞれ形成されており、導入された純
水Ｌ2 は薬液供給管４の外周に沿って流れるようになっ
ている。また、流出口１０ｂの近傍にはイオン電極式液
漏れセンサ８が取り付けられている。
する流入口１０ａが、他方端には該純水Ｌ2 が流出する
流出口１０ｂがそれぞれ形成されており、導入された純
水Ｌ2 は薬液供給管４の外周に沿って流れるようになっ
ている。また、流出口１０ｂの近傍にはイオン電極式液
漏れセンサ８が取り付けられている。
【００４３】このように外殻配管１０で薬液供給管４全
体を被うことによって、液受け槽３から処理槽２に至る
薬液供給管４のいずれの箇所で漏洩したエッチング液Ｌ
1 もイオン電極式液漏れセンサ８により検出されるよう
になるので、循環系全体における液漏れを１台のイオン
電極式液漏れセンサ８で直ちに検知することが可能にな
る。
体を被うことによって、液受け槽３から処理槽２に至る
薬液供給管４のいずれの箇所で漏洩したエッチング液Ｌ
1 もイオン電極式液漏れセンサ８により検出されるよう
になるので、循環系全体における液漏れを１台のイオン
電極式液漏れセンサ８で直ちに検知することが可能にな
る。
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４５】たとえば、本実施例においては、液漏れセ
ンサとしてイオン電極式液漏れセンサ８が用いられてい
るが、純水Ｌ2 の特性の変化から液漏れを検出すること
のできる他の種々の液漏れセンサを用いることができ
る。たとえば、イオンにより変化する溶液の電気伝導率
（導電率）を利用して薬液の漏洩を検知する電気伝導計
式液漏れセンサや、溶液における酸性、アルカリ性の度
合いの変化を利用して薬液の漏洩を検知するｐＨ計式液
漏れセンサを用いることなどが可能である。
ンサとしてイオン電極式液漏れセンサ８が用いられてい
るが、純水Ｌ2 の特性の変化から液漏れを検出すること
のできる他の種々の液漏れセンサを用いることができ
る。たとえば、イオンにより変化する溶液の電気伝導率
（導電率）を利用して薬液の漏洩を検知する電気伝導計
式液漏れセンサや、溶液における酸性、アルカリ性の度
合いの変化を利用して薬液の漏洩を検知するｐＨ計式液
漏れセンサを用いることなどが可能である。
【００４６】また、本実施例において供給される薬液は
エッチング液Ｌ1 であるが、これに限定されるものでは
なく、たとえば硫酸、塩酸、硝酸、過酸化水素、アンモ
ニア水など洗浄用あるいはフォトレジスト用の種々の薬
液を供給することが可能である。ワークとしての半導体
ウエハＷについても、たとえばプリント配線基板など他
の種々のものを適用することが可能である。なお、この
場合の薬液としては洗浄用のエタノールを供給すること
などが考えられる。
エッチング液Ｌ1 であるが、これに限定されるものでは
なく、たとえば硫酸、塩酸、硝酸、過酸化水素、アンモ
ニア水など洗浄用あるいはフォトレジスト用の種々の薬
液を供給することが可能である。ワークとしての半導体
ウエハＷについても、たとえばプリント配線基板など他
の種々のものを適用することが可能である。なお、この
場合の薬液としては洗浄用のエタノールを供給すること
などが考えられる。
【００４７】さらに、本発明による薬液供給装置は半導
体の製造における薬液供給装置に限定されるものではな
く、他の種々の分野の薬液供給装置として用いることが
可能である。
体の製造における薬液供給装置に限定されるものではな
く、他の種々の分野の薬液供給装置として用いることが
可能である。
【００４８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
【００４９】(1).すなわち、本発明による薬液供給装置
によれば、温度調節部や外殻配管内を流れる溶液の特性
の変化を液漏れセンサが検出することによって薬液供給
管からの薬液の漏洩発生を検知することとしているの
で、液漏れを発生後直ちに感度よく検知することが可能
になる。
によれば、温度調節部や外殻配管内を流れる溶液の特性
の変化を液漏れセンサが検出することによって薬液供給
管からの薬液の漏洩発生を検知することとしているの
で、液漏れを発生後直ちに感度よく検知することが可能
になる。
【００５０】(2).また、溶液中に混入した薬液を検出す
ることとしているので、微量の液漏れも検知することが
できる。
ることとしているので、微量の液漏れも検知することが
できる。
【００５１】(3).液漏れセンサを流出口近傍に設置する
ことにより、液漏れ箇所が該センサから遠い位置であっ
ても、確実にこれを検知することができる。
ことにより、液漏れ箇所が該センサから遠い位置であっ
ても、確実にこれを検知することができる。
【００５２】(4).溶液の特性の変化を利用して液漏れを
検知しているので、漏洩が最も発生しやすい温度調節部
における液漏れの検知が可能になる。
検知しているので、漏洩が最も発生しやすい温度調節部
における液漏れの検知が可能になる。
【００５３】(5).外殻配管で薬液供給管全体を被うこと
によって、薬液供給管のいずれの箇所で漏洩した薬液も
１台の液漏れセンサにより検知することが可能になる。
によって、薬液供給管のいずれの箇所で漏洩した薬液も
１台の液漏れセンサにより検知することが可能になる。
【００５４】(6).前記した(1) 〜(5) により、液漏れに
よる薬液の無駄や薬品ガスの雰囲気への散乱による作業
者への悪影響、製品への二次汚染などを未然に防止する
ことができ、さらには装置自体の腐食を防止することが
できる。
よる薬液の無駄や薬品ガスの雰囲気への散乱による作業
者への悪影響、製品への二次汚染などを未然に防止する
ことができ、さらには装置自体の腐食を防止することが
できる。
【図１】本発明の実施例１による薬液供給装置を示す概
略図である。
略図である。
【図２】本発明の実施例２による薬液供給装置を示す概
略図である。
略図である。
１ カセット ２ 処理槽 ３ 液受け槽 ４ 薬液供給管 ５ ポンプ ６ フィルタ ７ クールニクス（温度調節部） ７ａ 流入口 ７ｂ 流出口 ８ イオン電極式液漏れセンサ（液漏れセンサ） ９ 警報発生部 １０ 外殻配管 １０ａ 流入口 １０ｂ 流出口 Ｌ1 エッチング液（薬液） Ｌ2 純水（溶液） Ｗ 半導体ウエハ（ワーク）
Claims (5)
- 【請求項１】 ワークを薬液に浸漬して該ワークに所定
の処理を施す処理槽と、 前記処理槽に薬液を供給する薬液供給管と、 前記薬液供給管の途中に設けられ、前記薬液を前記処理
槽に向かって流すポンプと、 前記薬液供給管を包囲するようにして取り付けられ、流
入口より前記薬液供給管の外周に沿って流れて流出口か
ら流出する溶液により前記薬液を所定の温度に調節する
温度調節部と、 前記温度調節部に設置され、前記溶液の特性の変化から
前記薬液供給管を流れる前記薬液の漏洩を検知する液漏
れセンサとを有することを特徴とする薬液供給装置。 - 【請求項２】 ワークを薬液に浸漬して該ワークに所定
の処理を施す処理槽と、 前記処理槽に薬液を供給する薬液供給管と、 前記薬液供給管の途中に設けられ、前記薬液を前記処理
槽に向かって流すポンプと、 所定の間隔を開けて前記薬液供給管のほぼ全体を被うよ
うに設けられ、一方端に形成された流入口より溶液を導
入してこれを前記薬液供給管の外周に沿って流して流出
口から流出させる外殻配管と、 前記外殻配管に設置され、前記溶液の特性の変化から前
記薬液供給管を流れる前記薬液の漏洩を検知する液漏れ
センサとを有することを特徴とする薬液供給装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の薬液供給装置に
おいて、前記液漏れセンサは前記流出口近傍に設置され
ていることを特徴とする薬液供給装置。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の薬液供給装
置において、前記溶液は純水であることを特徴とする薬
液供給装置。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の薬液供
給装置において、前記液漏れセンサはイオン電極式液漏
れセンサ、電気伝導度計式液漏れセンサまたはｐＨ計式
液漏れセンサであることを特徴とする薬液供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19722695A JPH0942600A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薬液供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19722695A JPH0942600A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薬液供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0942600A true JPH0942600A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16370944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19722695A Pending JPH0942600A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薬液供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0942600A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105065914A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种湿法刻蚀工艺中刻蚀液输送管路***及输送方法 |
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN108204525A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种维持内漏水冷器安全运行的装置及方法 |
| CN110107811A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-09 | 惠州市鸿宇泰科技有限公司 | 一种碱性蚀刻液生产的管道*** |
-
1995
- 1995-08-02 JP JP19722695A patent/JPH0942600A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9881818B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-01-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN105065914A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种湿法刻蚀工艺中刻蚀液输送管路***及输送方法 |
| CN108204525A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种维持内漏水冷器安全运行的装置及方法 |
| CN108204525B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-09-27 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种维持内漏水冷器安全运行的装置及方法 |
| CN110107811A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-09 | 惠州市鸿宇泰科技有限公司 | 一种碱性蚀刻液生产的管道*** |
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