KR100752653B1 - 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법 - Google Patents

약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100752653B1
KR100752653B1 KR1020060009808A KR20060009808A KR100752653B1 KR 100752653 B1 KR100752653 B1 KR 100752653B1 KR 1020060009808 A KR1020060009808 A KR 1020060009808A KR 20060009808 A KR20060009808 A KR 20060009808A KR 100752653 B1 KR100752653 B1 KR 100752653B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
chemical
housing
inert gas
heating
Prior art date
Application number
KR1020060009808A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070079242A (ko
Inventor
이병추
허동철
조모현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060009808A priority Critical patent/KR100752653B1/ko
Priority to US11/638,003 priority patent/US20070175497A1/en
Priority to CNA2007100083964A priority patent/CN101013663A/zh
Priority to JP2007022967A priority patent/JP2007208266A/ja
Publication of KR20070079242A publication Critical patent/KR20070079242A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100752653B1 publication Critical patent/KR100752653B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/48Treatment of water, waste water, or sewage with magnetic or electric fields
    • C02F1/481Treatment of water, waste water, or sewage with magnetic or electric fields using permanent magnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/30Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및 상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법을 제공한다. 적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 기판 습식 세정 장치를 제공한다. 상기 장치는 기판 처리용 케미컬(chemical)이 담겨지는 약액조(chemical bath)를 구비한다. 상기 약액조 내에 가열체 및 상기 가열체를 수용하는 하우징(housing)을 구비하는 가열부가 설치된다. 상기 하우징 내에 불활성 기체가 충전된다.

Description

약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및 상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법{Apparatus for substrate wet treating having heating part in chemical bath and method of heating chemical for substrate treating using the apparatus}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 습식 처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 습식 처리 장치의 일부분을 나타낸 개략도이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
101 : 내부 약액조 102 : 외부 약액조
150 : 하우징 155 : 가열체
163 : 불활성 기체 공급관 164 : 불활성 기체 배출관
161 : 기체 레귤레이터 162 : 질량유량계
165 : 기체 압력 센서 170 : 제어판
본 발명은 기판 습식 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 약액조 내 에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치에 관한 것이다.
기판 습식 처리 장치는 기판을 세정 또는 식각하는 장치로서, 상기 기판을 세정 또는 식각하기 위한 케미컬이 담겨지는 약액조를 구비한다. 상기 케미컬은 상기 기판의 세정 또는 식각을 원활하게 수행하기 위해서 소정의 온도로 가열될 수 있다.
상기 케미컬을 가열하는 방법에는 간접가열방식과 직접가열방식이 있다. 상기 간접가열방식은 상기 약액조 외부에서 상기 케미컬을 가열한 후 상기 약액조 내로 공급하는 방식이고, 상기 직접가열방식은 상기 약액조 내부에 상기 케미컬을 직접가열하는 방식이다. 상기 간접가열방식의 경우 케미컬을 가열한 후 공급하는 과정에서 열손실이 있어 케미컬의 온도를 높이는데 한계가 있다. 따라서, 현재는 상기 직접가열방식을 주로 채용하는 추세에 있다.
그러나, 상기 직접가열방식의 경우 상기 약액조 내에 가열부가 설치되고 상기 가열부는 상기 케미컬에 직접 접촉하므로, 상기 가열부는 상기 케미컬에 의해 손상될 염려가 있다. 상기 가열부가 손상되는 경우 상기 케미컬의 오염을 유발할 수 있을 뿐 아니라 화재의 위험이 있을 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 약액조 내의 케미컬의 오염을 방지함과 동시에 화재의 위험이 없는 기판 습식 처리 장치를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하 기 위한 것으로, 약액조 내의 케미컬의 오염을 방지함과 동시에 화재의 위험이 없는 기판 처리용 케미컬 가열 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 기판 습식 세정 장치를 제공한다. 상기 장치는 기판 처리용 케미컬(chemical)이 담겨지는 약액조(chemical bath)를 구비한다. 상기 약액조 내에 가열체 및 상기 가열체를 수용하는 하우징(housing)을 구비하는 가열부가 설치된다. 상기 하우징 내에 불활성 기체가 충전된다. 따라서, 상기 하우징이 상기 케미컬에 의해 부식되어 상기 하우징에 핀홀(pin hole)이 발생하더라도, 상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체는 상기 핀홀을 통해 버블(bubble) 형태로 유출되므로 상기 케미컬이 상기 하우징 내로 유입될 수 없다. 그 결과, 상기 케미컬과 상기 가열체간의 접촉이 방지되어, 상기 가열체의 부식으로 인한 상기 케미컬의 오염을 막을 수 있을 뿐 아니라 화재를 방지할 수 있다.
상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지할 수 있는 기체 압력 센서(gas pressure sensor)가 설치될 수 있다. 나아가, 상기 기체 압력 센서는 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보(alarm)를 발생시킬 수 있다. 그 결과, 작업자는 상기 하우징에 핀홀 발생여부를 신속하게 알 수 있어, 필요한 조치를 신속하게 취할 수 있다.
상기 기체 압력 센서에 제어판(control board)이 연결될 수 있다. 상기 제어판은 상기 기체 압력 센서에서 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가 열체의 작동을 중지시킬 수 있다.
상기 하우징에 불활성 기체 공급관과 불활성 기체 배출관이 더 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 기체 압력 센서는 상기 배출관에 연결될 수 있다. 또한, 상기 공급관에 기체 레귤레이터(gas regulator)가 연결될 수 있다. 또한, 상기 공급관에 질량유량계(Mass Flow Controller; MFC)가 연결될 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 기판 처리용 케미컬 가열 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판 처리용 케미컬이 담겨지는 약액조 내에 가열부를 설치하는 것을 구비한다. 이때, 상기 가열부는 가열체 및 상기 가열체를 수용하는 하우징을 구비한다. 상기 하우징 내에 불활성 기체를 충전시킨다. 따라서, 상기 하우징이 상기 케미컬에 의해 부식되어 상기 하우징에 핀홀이 발생하더라도, 상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체는 상기 핀홀을 통해 버블 형태로 유출되므로 상기 케미컬이 상기 하우징 내로 유입될 수 없다. 그 결과, 상기 케미컬과 상기 가열체간의 접촉이 방지되어, 상기 가열체의 부식으로 인한 상기 케미컬의 오염을 막을 수 있을 뿐 아니라 화재를 방지할 수 있다.
상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지할 수 있다. 나아가, 상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보를 발생시킬 수 있다. 그 결과, 작업자는 상기 하우징에 핀홀 발생여부를 신속하게 알 수 있어, 필요한 조치를 신속하게 취할 수 있다. 또한, 상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체의 작동을 중지시킬 수 있다.
상기 불활성 기체를 충전시키는 것은 상기 하우징 내에 불활성 기체를 공급 하면서 상기 하우징 내로부터 불활성 기체를 배출시킴으로써 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 배출되는 불활성 기체의 압력을 감지할 수 있다. 또한, 상기 공급되는 불활성 기체의 압력 및 유량은 일정하게 유지될 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, 기판 습식 세정 장치(100)는 기판 처리용 케미컬(chemical; C)이 담겨지는 약액조(chemical bath)를 구비한다. 상기 약액조는 내부 약액조(inner chemical bath; 101) 및 외부 약액조(outer chemical bath; 102)를 구비할 수 있다. 상기 내부 약액조(101)는 상부가 개방되고, 상기 개방된 상부를 통해 기판(W)이 침지될 수 있다. 상기 기판(W)은 반도체 소자를 형성하기 위한 기판일 수 있다. 상기 외부 약액조(102)는 상기 내부 약액조(101)를 둘러싸도록 설치될 수 있고, 상부에 뚜껑을 구비할 수 있다.
상기 내부 약액조(101) 내의 케미컬(C)은 상기 기판(W)을 세정하거나 상기 기판(W) 상에 형성된 소정의 막을 식각한다. 그 결과, 상기 내부 약액조(101) 내의 케미컬(C)에 부산물이 부유될 수 있다. 한편, 상기 케미컬(C)은 케미컬 순환 공급관(116)을 통해 상기 내부 약액조(101) 내로 계속적으로 공급된다. 그 결과, 상기 내부 약액조(101) 내의 케미컬(C)은 상기 부산물과 함께 넘쳐 흘러 상기 외부 약액조(102) 내로 유입된다. 상기 외부 약액조(102) 내로 유입된 케미컬(C)은 순환 펌프(110)에 의해 상기 내부 약액조(101) 내로 다시 공급된다. 이 때, 상기 순환 펌프(110)를 통과한 케미컬은 순환 필터(112)를 거치게 된다. 상기 순환 필터(112)는 상기 부유물 등을 필터링하여 상기 케미컬(C)의 순도를 높이는 역할을 한다.
상기 순환 공급관(116) 및 상기 내부 약액조(101)에 드레인 밸브(drain valve; 113)가 연결될 수 있다. 상기 드레인 밸브(113)는 온(on) 또는 오프(off)됨으로써 필요에 따라 상기 케미컬(C)을 외부로 배출시키는 역할을 한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 습식 처리 장치의 일부분을 나타낸 개략도이다.
도 2를 참조하면, 약액조 구체적으로, 내부 약액조(101) 내에 가열부가 설치된다. 상기 가열부는 가열체(155) 및 상기 가열체(155)를 수용하는 하우징(housing; 150)을 구비한다. 상기 가열체(155)는 금속 코일(metal coil)일 수 있다. 상기 가열체(155)는 전선(151)에 연결된다. 상기 전선(151)의 일단은 제어판(170)에 연결될 수 있다. 상기 제어판(170)은 상기 전선(151)의 일단에 전원을 공급 또는 차단하는 것을 제어하는 역할을 한다.
상기 하우징(150)의 재질은 석영(quarts) 또는 테프론(teflon)일 수 있으며, 상기 하우징(150) 내에는 불활성 기체가 충전된다. 상기 하우징(150)은 상기 케미컬(C)과 직접적으로 접촉한다. 한편, 상기 케미컬(C)은 불산(HF), 인산(H3PO4), 염산(HCl), 질산(HNO3), 염화나트륨(NaCl), 황산(H2SO4), 암모니아수(NH4OH) 또는 가성 소다(NaOH)일 수 있다. 이와 같이, 상기 케미컬(C)은 대부분 강산 또는 강염기이므로 부식성이 매우 강해 상기 하우징(150)을 부식시킬 수 있다. 따라서, 상기 하우징(150)에 상기 하우징(150)을 관통하는 핀홀(pin hole; P)이 발생될 수 있다. 이 경우, 상기 하우징(150) 내에 충전된 불활성 기체는 상기 핀홀(P)을 통해 버블(bubble; B) 형태로 상기 케미컬(C)을 통과하여 외부로 배출된다.
따라서, 상기 핀홀(P)을 통해 상기 케미컬(C)이 상기 하우징(150) 내로 침투되는 것을 막을 수 있다. 이에 따라, 상기 케미컬(C)과 상기 가열체(155) 간의 접촉이 방지된다. 그 결과, 상기 가열체(155)가 상기 케미컬(C)에 의해서 부식되어 상기 약액조(101) 내로 용출되는 것을 막을 수 있어, 상기 기판(W)의 오염을 막을 수 있다. 또한, 상기 케미컬(C)과 상가 가열체(155) 간의 접촉에 의한 스파크(spark)의 발생이 방지될 뿐 아니라 상기 가열체(155)의 전기적 쇼트(electrical short)가 방지되어, 화재 발생 위험이 감소된다.
또한, 상기 불활성 기체는 반응성이 없으므로 상기 케미컬(C)을 오염시키지 않을 수 있다. 나아가, 상기 불활성 기체는 질소일 수 있다.
한편, 상기 충전된 불활성 기체가 버블(B) 형태로 상기 케미컬(C)을 통과하여 외부로 배출되기 위해서는 상기 충전된 불활성 기체의 압력은 외부 기압보다 큰 것이 바람직하다. 특히, 상기 외부가 대기압인 경우 상기 불활성 기체의 압력은 대기압 이상인 것이 바람직하다.
상기 하우징(150) 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지할 수 있는 기체 압력 센서(gas pressure sensor; 165)가 설치된다. 상기 기체 압력 센서(165)는 감지한 기체의 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보(alarm)를 발생시키는 것이 바람직하다. 상기 기준 압력이란, 상기 하우징(150) 내에 핀홀(P)이 발생하지 않은 경우 상기 하우징(150) 내에 충전된 불활성 기체의 압력이다. 따라서, 상기 하우징(150)에 핀홀(P)이 발생한 경우, 상기 충전된 불활성 기체의 압력은 기준 압력에 비해 감소하게 되고, 이에 따라 상기 기체 압력 센서(165)는 이를 감지하여 경보를 발생시킬 수 있다. 그 결과, 작업자는 상기 하우징(150)의 핀홀 발생 여부를 신속하게 알 수 있어, 필요한 조치를 신속하게 취할 수 있다.
이에 더하여, 상기 기체 압력 센서(165)에 상기 제어판(control board; 170)이 연결될 수 있다. 상기 제어판(170)은 상기 기체 압력 센서(165)에서 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체(155)의 작동을 중지시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제어판(170)은 상기 가열체(155)에 연결된 상기 전선(151)에 전원의 공급을 중단할 수 있다. 따라서, 상기 약액조(101) 내의 상기 케미컬(C)의 가열이 중단될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제어판(170)은 상기 약액조(101) 내로 추가적인 기판(W)의 투입을 중단시켜 공정이 더 이상 진행되지 않도록 할 수 있다.
바람직하게는 상기 하우징(150)에 불활성 기체 공급관(163)과 불활성 기체 배출관(164)이 연결될 수 있다. 따라서, 상기 하우징(150) 내에 상기 불활성 기체를 충전시키는 것은 상기 공급관(163)을 통해 상기 하우징(150) 내에 불활성 기체(N)를 공급함과 동시에 상기 배출관(164)을 통해 상기 하우징(150) 내로부터 불활성 기체를 배출시킴으로써 수행될 수 있다.
이 경우, 상기 기체 압력 센서(165)는 상기 배출관(164)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 기체 압력 센서(165)는 상기 하우징(150)으로부터 배출되는 기체의 압력을 감지할 수 있다. 또한, 상기 배출관(164)에 배기 캡(166)이 설치될 수 있다. 상기 배기 캡(166)은 상기 하우징(150) 내의 압력이 과다하게 상승한 경우 선택적으로 오픈된다. 따라서, 상기 하우징(150) 내 압력의 과다한 상승을 방지할 수 있다.
한편, 상기 공급관(163)에 기체 레귤레이터(gas regulator; 161)가 연결될 수 있다. 상기 기체 레귤레이터(161)는 상기 하우징(150) 내로 공급되는 상기 불활성 기체의 압력을 일정하게 유지시켜 주는 역할을 한다. 또한, 상기 공급관(163)에 질량유량계(Mass Flow Meter; 162)가 연결될 수 있다. 상기 질량유량계(162)는 상기 하우징(150) 내로 공급되는 상기 불활성 기체의 유량을 일정하게 유지시켜 줄 수 있고, 상기 불활성 기체의 유량이 적정 범위를 벗어나는 경우 경보를 발생시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 하우징이 케미컬에 의해 부식되어 상기 하우징에 핀홀이 발생하더라도, 상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체가 상기 핀홀을 통해 버블 형태로 유출되므로 상기 케미컬이 상기 하우징 내로 유입될 수 없다. 그 결과, 상기 케미컬과 가열체 간의 접촉이 방지되어, 상기 가열체의 부식으로 인한 상기 케미컬의 오염을 막을 수 있을 뿐 아니라 화재를 예방할 수 있다.
나아가, 기체 압력 센서가 설치된 경우 작업자는 상기 하우징에 핀홀 발생여부를 신속하게 알 수 있어, 필요한 조치를 신속하게 취할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판 처리용 케미컬이 담겨지는 약액조;
    상기 약액조 내에 설치되고, 가열체 및 상기 가열체를 수용하는 하우징을 구비하는 가열부;
    상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체; 및
    상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지할 수 있는 기체 압력 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 압력 센서는 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보(alarm)를 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 압력 센서에 연결된 제어판을 더 포함하고,
    상기 제어판은 상기 기체 압력 센서에서 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체의 작동을 중지시키는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징에 연결된 불활성 기체 공급관과 불활성 기체 배출관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기체 압력 센서는 상기 배출관에 연결된 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기체 압력 센서는 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보를 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 기체 압력 센서에 연결된 제어판을 더 포함하고,
    상기 제어판은 상기 기체 압력 센서에서 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체의 작동을 중지시키는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 공급관에 연결된 기체 레귤레이터(gas regulator)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 공급관에 연결된 질량유량계(MFC)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 습식 세정 장치.
  11. 기판 처리용 케미컬이 담겨지는 약액조 내에 가열부를 설치하되, 상기 가열부는 가열체 및 상기 가열체를 수용하는 하우징을 구비하고;
    상기 하우징 내에 불활성 기체를 충전시키고;
    상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보를 발생시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체의 작동을 중지시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 불활성 기체를 충전시키는 것은
    상기 하우징 내에 불활성 기체를 공급하면서 상기 하우징 내로부터 불활성 기체를 배출시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 하우징 내에 충전된 불활성 기체의 압력을 감지하는 것은 상기 배출되는 불활성 기체의 압력을 감지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 경보를 발생시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 감지된 압력이 기준 압력보다 낮은 경우 상기 가열체의 작동을 중지시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 공급되는 불활성 기체의 압력 및 유량은 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 케미컬 가열 방법.
KR1020060009808A 2006-02-01 2006-02-01 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법 KR100752653B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009808A KR100752653B1 (ko) 2006-02-01 2006-02-01 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법
US11/638,003 US20070175497A1 (en) 2006-02-01 2006-12-13 Apparatus having heating portion in chemical bath for substrate wet treatment and method of heating chemical for substrate wet treatment using the apparatus
CNA2007100083964A CN101013663A (zh) 2006-02-01 2007-01-29 基片湿法处理设备及使用该设备对化学物质加热的方法
JP2007022967A JP2007208266A (ja) 2006-02-01 2007-02-01 基板湿式処理装置及び基板処理用ケミカルの加熱方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009808A KR100752653B1 (ko) 2006-02-01 2006-02-01 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070079242A KR20070079242A (ko) 2007-08-06
KR100752653B1 true KR100752653B1 (ko) 2007-08-29

Family

ID=38320810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060009808A KR100752653B1 (ko) 2006-02-01 2006-02-01 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070175497A1 (ko)
JP (1) JP2007208266A (ko)
KR (1) KR100752653B1 (ko)
CN (1) CN101013663A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270713A1 (ko) * 2020-08-25 2022-12-29 주식회사 제우스 기판세정장치 및 그 제어방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009022477A1 (de) * 2009-05-25 2010-12-16 Universität Konstanz Verfahren zum Texturieren einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates sowie Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
KR101255328B1 (ko) * 2012-03-13 2013-04-16 피셈주식회사 기판 처리용 약액 온도 조절 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064076A (ja) 2000-08-21 2002-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 強透過性薬液加熱装置
JP2004085158A (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Nichias Corp 流体加熱装置
KR20050045702A (ko) * 2003-11-12 2005-05-17 동부아남반도체 주식회사 구역별 온도제어가 가능한 용액조 및 그 온도제어방법
JP2005303128A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液の温調用ヒータおよび処理液加熱装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2622381B1 (fr) * 1987-10-21 1990-03-16 Electricite De France Thermoplongeur electrique
IT1245778B (it) * 1991-04-05 1994-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Apparecchio di riscaldamento per vaschette chimiche
JP2875458B2 (ja) * 1993-07-16 1999-03-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板の熱処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002064076A (ja) 2000-08-21 2002-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 強透過性薬液加熱装置
JP2004085158A (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Nichias Corp 流体加熱装置
KR20050045702A (ko) * 2003-11-12 2005-05-17 동부아남반도체 주식회사 구역별 온도제어가 가능한 용액조 및 그 온도제어방법
JP2005303128A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液の温調用ヒータおよび処理液加熱装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270713A1 (ko) * 2020-08-25 2022-12-29 주식회사 제우스 기판세정장치 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070079242A (ko) 2007-08-06
JP2007208266A (ja) 2007-08-16
CN101013663A (zh) 2007-08-08
US20070175497A1 (en) 2007-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002343762A (ja) 湿式洗浄装置および方法
US20150228518A1 (en) Fume removal device and substrate treatment device
KR100752653B1 (ko) 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법
JPH11345778A (ja) 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構
JP5394722B2 (ja) 基板処理装置
US20190219532A1 (en) Conductivity sensor and system and method for processing substrates incorporating the same
TWI679718B (zh) 基板處理系統
JP2005072598A (ja) 半導体基板洗浄装置及び洗浄方法
JP2001237211A (ja) 基板処理装置
JPH0799175A (ja) 処理液の供給方法及び供給装置
JPH11351943A (ja) バッファードフッ酸用液面検知装置
JP4014573B2 (ja) 洗浄処理装置
TWI391592B (zh) 處理溶液之具感測器的閥以及使用該閥處理基板的裝置與方法
JP2005217089A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR20070023406A (ko) 열배기덕트를 채택하는 반도체 제조장비
JP2001296186A (ja) 温度測定装置及び方法
JP2002134459A (ja) 洗浄装置およびその管理方法
JP2007218500A (ja) 恒温装置
JP2022080098A (ja) エッチング装置、エッチング方法及び物品の製造方法
KR100816213B1 (ko) 반도체기판 과식각 방지장치 및 그 식각방법
JP3519603B2 (ja) 基板処理装置
JP3648681B2 (ja) 管ヒータ装置
KR20110114016A (ko) 약액 가열용 히터 및 이를 구비하는 약액 공급 장치
JP2995179B1 (ja) 浸漬液恒温供給システム
JPH0942600A (ja) 薬液供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120801

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130731

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee