JP3519603B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、プ
ラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、
プリント基板等の薬液処理された基板の表面をリンス処
理する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ、プラズマディスプ
レイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、プリント基板等
の各種基板の製造プロセスにおいて、基板を薬液に浸漬
して表面に種々の処理を施す基板処理装置が汎用されて
いる。このような基板処理装置は、薬液の供給される基
板処理槽を有する薬液処理部と、リンス液である純水の
供給される基板処理槽を有するリンス処理部とを備えて
おり、基板を薬液の供給された基板処理槽に浸漬して表
面に薬液処理を施した後、リンス液の供給された基板処
理槽に浸漬する一方、そのリンス液の供給された基板処
理槽内にリンス液を供給し続けることにより表面に付着
している薬液を洗い流すリンス処理を施すようになって
いる。

【０００３】また、上記のような薬液とリンス液とが個
別に供給される複数の基板処理槽を備えた多槽式の基板
処理装置の他に、単槽式の基板処理装置も汎用されてい
る。この単槽式の基板処理装置は、１つの基板処理槽に
薬液及びリンス液が順に供給されるように構成されたも
ので、基板を収納した基板処理槽内に薬液を供給するこ
とにより基板の表面に薬液処理を施す一方、薬液処理が
終了すると基板処理槽内にリンス液である純水を供給す
ることにより薬液を基板処理槽外に流し出してリンス液
と置換した後、さらにリンス液を供給し続けることによ
り基板の表面に付着している薬液を洗い流すリンス処理
を施すようにしたものである。

【０００４】ところで、上記のような基板処理装置で
は、多槽式であれ単槽式であれ、基板の表面に薬液が残
留していると必要以上に薬液処理が進行したり、パーテ
ィクルの発生原因となったりするため、リンス処理が十
分に行われたかどうかを確認してからリンス処理を終了
させる必要がある。このため、基板処理槽から排出され
るリンス液の排液経路に、リンス液中の薬液の混入度合
を検出する検出手段としての比抵抗測定器の計測部を配
設しておき、リンス処理後のリンス液の比抵抗が所定値
以上になったときにリンス処理が終了したと判断するよ
うになっている。

【０００５】すなわち、リンス処理が十分に行われてい
ないときにはリンス液中に混入している薬液によりその
比抵抗が低くなるが、リンス処理が十分に行われてリン
ス液中に薬液がほとんど混入しなくなるとその比抵抗が
高くなるので、比抵抗が所定値に達した段階でリンス処
理が終了したと判断する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な基板処理装置においては、検出手段である比抵抗測定
器の計測部が常に排液経路に配設された状態となってい
るので、多槽式の場合にはその計測部が薬液の混入した
リンス液に浸漬されることになり、単槽式の場合にはそ
の計測部が薬液及び薬液の混入したリンス液に浸漬され
ることになる。そのため、時間の経過と共に計測部を構
成している電極等が薬液により腐食されて測定誤差が生
じ易くなるという虞があった。

【０００７】従って、本発明は、リンス液中の薬液の混
入度合を検出する検出手段の薬液による腐食を可及的に
抑制することができる基板処理装置を提供することを目
的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に係る基板処理装置は、薬液又は薬液を洗
い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリン
ス処理を施す基板処理槽と、基板処理槽に薬液又はリン
ス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽のリンス
液中への薬液の混入度合を検出する検出手段と、基板処
理槽の薬液又はリンス液を検出手段に導く導入手段と、
導入手段によって検出手段に導かれる薬液を希釈する希
釈手段とを備えたことを特徴としている。

【０００９】この構成によれば、基板処理槽の薬液が導
入手段により検出手段に導かれるとき、その薬液が希釈
手段により希釈される。このため、検出手段は薬液処理
時であっても希釈された薬液にしか接触しないことにな
り、薬液による腐食が抑制される。

【００１０】また、請求項２に係る基板処理装置は、薬
液処理された基板の表面をリンス処理するものであっ
て、リンス液により基板の表面がリンス処理される基板
処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合
を検出する検出手段と、基板処理槽のリンス液を検出手
段に導く導入手段と、リンス処理開始後、所定時間が経
過するまで、導入手段によって検出手段に導かれるリン
ス液を希釈する希釈手段とを備えたことを特徴としてい
る。

【００１１】この構成によれば、基板処理槽のリンス液
が導入手段により検出手段に導かれるとき、リンス処理
開始後、所定時間が経過するまでそのリンス液が希釈手
段により希釈される。このため、検出手段は薬液の混入
度合の高いリンス液には接触しないことになり、薬液に
よる腐食が抑制される。

【００１２】また、請求項３に係る基板処理装置は、請
求項１又は２に係るものにおいて、希釈手段が、検出手
段に向けて希釈液を供給する希釈液供給手段を有するこ
とを特徴としている。

【００１３】この構成によれば、検出手段に導かれる薬
液又はリンス液が希釈液により希釈される。このため、
検出手段は薬液又は薬液の混入度合の高いリンス液には
接触しないことになり、薬液による腐食が抑制される。

【００１４】また、請求項４に係る基板処理装置は、薬
液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬
液処理又はリンス処理を施す基板処理槽と、基板処理槽
に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板
処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出する検出
手段と、基板処理槽の薬液又はリンス液を検出手段に導
く導入手段と、検出手段の周囲を保護液で覆うことによ
って検出手段に導かれる薬液から検出手段を保護する保
護手段とを備えたことを特徴としている。

【００１５】この構成によれば、基板処理槽の薬液が導
入手段により検出手段に導かれるとき、検出手段の周囲
が保護手段により保護液で覆われる。このため、検出手
段は薬液処理時であっても薬液に接触しないことにな
り、薬液による腐食が抑制される。

【００１６】また、請求項５に係る基板処理装置は、薬
液処理された基板の表面をリンス処理するものであっ
て、リンス液により基板の表面がリンス処理される基板
処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合
を検出する検出手段と、基板処理槽のリンス液を検出手
段に導く導入手段と、リンス処理開始後、所定時間が経
過するまで、検出手段の周囲を保護液で覆うことによっ
て検出手段に導かれる薬液から検出手段を保護する保護
手段とを備えたことを特徴としている。

【００１７】この構成によれば、基板処理槽のリンス液
が導入手段により検出手段に導かれるとき、リンス処理
開始後、所定時間が経過するまで検出手段の周囲が保護
手段により保護液で覆われる。このため、検出手段は薬
液の混入度合の高いリンス液には接触しないことにな
り、薬液による腐食が抑制される。

【００１８】また、請求項６に係る基板処理装置は、請
求項４又は５に係るものにおいて、保護手段が、検出手
段の周囲に保護液を供給する保護液供給手段を有するこ
とを特徴としている。

【００１９】この構成によれば、薬液又は薬液の混入度
合の高いリンス液が導入手段により検出手段に導かれる
とき、検出手段の周囲に保護液供給手段により保護液が
供給される。このため、検出手段は薬液又は薬液の混入
度合の高いリンス液には接触しないことになり、薬液に
よる腐食が抑制される。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。この図
において、基板処理装置は、薬液中又はリンス液中に半
導体ウエハ等の基板Ｂを浸漬し、基板Ｂに対して薬液処
理又はリンス処理を施す基板処理槽１０と、この基板処
理槽１０内に複数種類の薬液を選択的に供給する薬液供
給部１２と、基板処理槽１０内にリンス液である純水を
供給する純水供給部１４と、これらの薬液供給部１２か
らの薬液又は純水供給部１４からの純水の供給によって
基板処理槽１０の上部開口からオーバーフローした薬液
又は純水を排出する処理液排出部１６と、装置全体の動
作を制御する制御部１８とを備えている。

【００２１】基板処理槽１０は、石英ガラス等により側
面視略Ｖ字状で平面視略矩形状に構成される一方、その
内部に基板Ｂを収容した図略のキャリアが搬送用ロボッ
トにより挟持されて搬入されるようになっており、その
底部には薬液と純水の供給路を兼ねた処理液供給管２０
が連結されている。この処理液供給管２０には、導入弁
連結管２２、スタティックミキサ２４及び給排液切替弁
２６が上流側から下流側に向けて順に配設されている。
また、導入弁連結管２２には、薬液供給部１２からの薬
液を導入する薬液導入弁２８，３０，３２，３４，３６
が連結されている。

【００２２】なお、導入弁連結管２２は、各薬液導入弁
２８，３０，３２，３４，３６を介して薬液供給部１２
からの各薬液を個別に導入するものである。また、スタ
ティックミキサ２４は、薬液供給部１２からの薬液と純
水供給部１４からの純水を混合して所定濃度の薬液を生
成するものである。また、給排液切替弁２６は、薬液又
は純水を基板処理槽１０内に供給するか又は、基板処理
槽１０内の薬液又は純水を後述する排液管７６及び排液
ドレン７８を介して装置外部に排出するものである。

【００２３】薬液供給部１２は、複数種類の薬液Ｑ_A，
Ｑ_B，Ｑ_C，Ｑ_D，Ｑ_Eを貯留する薬液容器３８，４０，４
２，４４，４６と、各薬液導入弁２８，３０，３２，３
４，３６及び各薬液容器３８，４０，４２，４４，４６
の間をそれぞれ連通する薬液供給管４８，５０，５２，
５４，５６と、各薬液供給管４８，５０，５２，５４，
５６をそれぞれ開閉する薬液切替弁４８１，５０１，５
２１，５４１，５６１と、薬液Ｑ_A，Ｑ_B，Ｑ_C，Ｑ_D，Ｑ
_Eをそれぞれ処理液供給管２０側にそれぞれ圧送する圧
送ポンプ４８２，５０２，５２２，５４２，５６２と、
各圧送ポンプ４８２，５０２，５２２，５４２，５６２
の上流側にそれぞれ配設された薬液供給量測定器４８
３，５０３，５２３，５４３，５６３と、各圧送ポンプ
４８２，５０２，５２２，５４２，５６２の下流側にそ
れぞれ配設された薬液フィルタ４８４，５０４，５２
４，５４４，５６４とを備えている。

【００２４】純水供給部１４は、純水Ｗを図略の純水供
給源から処理液供給管２０側に圧送する純水供給管５８
と、この純水供給管５８に上流側から下流側にかけて順
に配設された純水加熱部６０、純水開閉弁６２、圧力調
整レギュレータ６４、純水圧力測定器６６及び純水フィ
ルタ６８とを備えている。なお、圧力調整レギュレータ
６４は、空気圧制御によって純水供給管５８内を圧送さ
れる純水流量を制御するものである。

【００２５】処理液排出部１６は、基板処理槽１０の上
部外周に配設され、基板処理槽１０の上部開口からオー
バーフローする薬液又は純水を受け入れる排液槽７０
と、この排液槽７０の側部開口から排出される薬液又は
純水を受け入れる排液容器７２と、この排液容器７２の
底部に形成された排出口７４に一端が連結された排液管
７６と、この排液管７６の他端に連結された排液ドレン
７８とを備えている。これらの排液槽７０、排液容器７
２、排液管７６及び排液ドレン７８により排液経路が構
成される。

【００２６】図２は、排液槽７０及び排液容器７２の構
成を詳細に示す斜視図である。すなわち、排液槽７０
は、側壁７０１の一部が切り欠かれて形成された開口７
０２と、この開口７０２の底部に下方向に傾斜して配設
された排出傾斜板７０３とを備えている。このため、基
板処理槽１０の上部開口からオーバーフローした薬液又
は純水は、開口７０２から排出されて排出傾斜板７０３
を経由して排液容器７２に排出される。

【００２７】排液容器７２は、一端が側壁７２１の上端
に取り付けられ、他端が対向する側壁７２２に向けて下
方向に緩やかに傾斜して配設された受入傾斜板７２３を
備えており、排液槽７０の排出傾斜板７０３を介して流
れ出た薬液又は純水が受入傾斜板７２３上に排出される
ようになっている。この受入傾斜板７２３上に排出され
た薬液又は純水は、受入傾斜板７２３上を経由して他端
から排液容器７２の底部に流れ込んで貯留される。な
お、排液容器７２内に流れ込んだ薬液又は純水が一定レ
ベルを越えると、排液管７６から外部に排出されること
になる。

【００２８】また、排液容器７２には、純水中への薬液
の混入度合を検出する検出手段としての純水の比抵抗を
測定する比抵抗測定器８０が取り付けられ、その計測部
８０１が排液容器７２内の受入傾斜板７２３下方であっ
て薬液又は純水中に浸漬される位置に水平方向に配設さ
れている。

【００２９】また、排液容器７２には、内部に排出され
る薬液又は薬液の混入度合の高い純水を希釈する希釈液
供給管８２が取り付けられ、その先端側の希釈液供給部
８２１が受入傾斜板７２３下方であって比抵抗測定器８
０の計測部８０１の近傍位置に並設されている。また、
希釈液供給管８２は、通路を開閉するエアーバルブ等の
開閉手段８４を介して純水供給管５８に接続されてお
り、開閉手段８４が開放されたときに純水が計測部８０
１に向けて放出されるようになっている。

【００３０】なお、この実施形態では、排液槽７０の排
出傾斜板７０３と、排液容器７２の受入傾斜板７２３と
で基板処理槽１０の薬液又は純水を比抵抗測定器８０の
計測部８０１に導く導入手段を構成する。

【００３１】図１に戻り、制御部１８は、図示を省略す
るが、所定の演算処理を行うＣＰＵ、所定の処理プログ
ラムが記憶されているＲＯＭ及び処理データを一時的に
記憶するＲＡＭから構成されており、上記所定の処理プ
ログラムに従って基板処理装置の動作を制御する。

【００３２】すなわち、制御部１８には、薬液供給量測
定器４８３，５０３，５２３，５４３，５６３、純水圧
力測定器６６、及び比抵抗測定器８０が接続され、所定
の出力信号が入力されるようになっている。また、制御
部１８には、給排液切替弁２６、薬液導入弁２８，３
０，３２，３４，３６、薬液切替弁４８１，５０１，５
２１，５４１，５６１、圧送ポンプ４８２，５０２，５
２２，５４２，５６２、純水加熱部６０、純水開閉弁６
２、圧力調整レギュレータ６４及び開閉手段８４が接続
され、上記出力信号に基づきそれぞれの動作が制御され
るようになっている。

【００３３】次に、上記のように構成された基板処理装
置の動作について説明する。まず、図略のスタートスイ
ッチがＯＮされると、純水開閉弁６２が開かれる一方、
図略の純水供給源から供給された純水Ｗが純水加熱部６
０で所定温度に加熱され、処理液供給管２０を介して基
板処理槽１０内に供給される。このとき、薬液導入弁２
８，３０，３２，３４，３６は閉じられており、純水だ
けが基板処理槽１０内に継続して供給される。そして、
基板処理槽１０の上部開口からオーバーフローした純水
は排液槽７０内に排出されると共に、その開口７０２の
排出傾斜板７０３を介して排液容器７２に排出され、排
液管７６及び排液ドレン７８を介して装置外部に排出さ
れる。

【００３４】このように、純水が基板処理槽１０からオ
ーバーフローするようになると、基板Ｂが基板処理槽１
０内に搬入される。その後、基板処理槽１０内に給送さ
れる１の薬液Ｑ_A，Ｑ_B，Ｑ_C，Ｑ_D，Ｑ_Eに対応した薬液
導入弁２８，３０，３２，３４，３６が開かれる一方、
その１の薬液Ｑ_A，Ｑ_B，Ｑ_C，Ｑ_D，Ｑ_Eに対応する１の
圧送ポンプ４８２，５０２，５２２，５４２，５６２が
駆動されて所定の薬液（原液）が導入弁連結管２２を介
してスタティックミキサ２４に給送される。このスタテ
ィックミキサ２４に給送されてきた薬液はスタティック
ミキサ２４内で純水供給部１４から給送されてきた純水
と混合され、所定濃度の薬液とされた上で基板処理槽１
０内に供給される。

【００３５】そして、この動作が継続されることで基板
処理槽１０内の純水が薬液に置換され、これにより基板
Ｂの表面に対して薬液処理が施される。なお、このと
き、１の薬液導入弁２８，３０，３２，３４，３６が開
かれていることから薬液処理であると判断され、純水供
給源から給送される純水Ｗは圧力調整レギュレータ６４
によりリンス処理の場合よりも少ない流量となるように
制御されてスタティックミキサ２４に給送される。

【００３６】また、基板処理槽１０に所定濃度の薬液が
継続して供給されることにより、その薬液は上部開口か
らオーバーフローして排液槽７０内に排出される。排液
槽７０内に排出された薬液は、純水の場合と同様に開口
７０２の排出傾斜板７０３を介して排液容器７２に排出
され、排液管７６及び排液ドレン７８を介して装置外部
に排出される。

【００３７】また、上記のように薬液処理であると判断
されたときには、開閉手段８４により希釈液供給管８２
の通路が開放されて希釈液供給部８２１から純水（希釈
液）が比抵抗測定器８０の計測部８０１に向けて放出さ
れ、計測部８０１周辺の薬液又は薬液の混入された純水
が希釈されるようになっている。この結果、比抵抗測定
器８０の計測部８０１は薬液又は薬液の混入度合の高い
純水に浸漬されないようになり、計測部８０１の電極等
の薬液による腐食が抑制される。

【００３８】そして、一定時間が経過して基板Ｂに対す
る薬液処理が終了すると、開いていた１の薬液導入弁２
８，３０，３２，３４，３６が閉じられ、対応する１の
圧送ポンプ４８２，５０２，５２２，５４２，５６２の
駆動が停止される。なお、このとき、薬液導入弁２８，
３０，３２，３４，３６がすべて閉じられていることか
らリンス処理であると判断され、純水供給源から給送さ
れる純水Ｗは圧力調整レギュレータ６４により薬液処理
の場合よりも多い流量となるように制御されて基板処理
槽１０内に給送される。

【００３９】そして、純水のみが基板処理槽１０内に供
給されると、基板処理槽１０内の薬液が上部開口からオ
ーバーフローして排液槽７０に排出されることにより基
板処理槽１０内の薬液が純水と置換される。排液槽７０
に排出された薬液は、上記と同様にして排液ドレン７８
を介して装置外部に排出される。このように、基板処理
槽１０の薬液が純水で置換されることにより、基板Ｂの
表面に対して薬液を洗い流すリンス処理が施されること
になる。このリンス処理時に基板処理槽１０からオーバ
ーフローした純水は、排出傾斜板７０３及び受入傾斜板
７２３を介して排液容器７２に排出され、上記と同様に
して排液ドレン７８を介して装置外部に排出される。

【００４０】希釈液供給管８２からの純水の放出は、リ
ンス処理が開始されて所定時間が経過するまで継続して
行われ、これにより比抵抗測定部８０の計測部８０１が
薬液の混入度合の高い純水に接触することがないように
なっている。所定時間が経過した後は、開閉手段８４に
より通路が閉じられて希釈液供給管８２からの純水の放
出が停止される一方、比抵抗測定器８０の計測部８０１
により排液容器７２に排出された純水の比抵抗が継続し
て測定される。

【００４１】なお、排液槽７０に排出された純水は排出
傾斜板７０３及び受入傾斜板７２３を経由して排液容器
７２に排出されることにより、排液容器７２内への排出
途中における純水への気泡の巻き込みが抑制され、純水
中の気泡の混在による比抵抗の測定誤差を小さくするこ
とができる。

【００４２】そして、比抵抗測定器８０からの出力が所
定値（例えば、１８ＭΩｃｍ）を越えたとき、リンス処
理が終了したと判断して基板処理槽１０への純水Ｗの供
給が停止され、基板Ｂが基板処理槽１０から搬出されて
次工程へと搬送される。

【００４３】本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
上記のように排液容器７２に排出されるリンス処理後の
純水中への薬液の混入度合を比抵抗測定器８０により検
出する一方、排液容器７２に薬液や薬液の混入度合の高
い純水が排出されるときには希釈液供給部８２１から純
水を放出して薬液や薬液の混入度合の高い純水を希釈す
ることにより比抵抗測定器８０の計測部８０１が薬液や
薬液の混入度合の高い純水に浸漬されないようにしてい
るので、比抵抗測定器８０の計測部８０１の薬液による
腐食を可及的に抑制することができ、長期に亘って純水
の比抵抗を正確に測定することができるようになる。

【００４４】また、この実施形態に係る基板処理装置で
は、比抵抗測定器８０が基板処理槽１０と分離して配設
されているので、計測部８０１等で解離した金属イオン
等の影響を受けることなく基板処理槽１０において基板
を処理することができる。また、比抵抗測定器８０が基
板処理槽１０から離反して配設されているので、比抵抗
測定器８０の交換等のメンテナンス作業を容易に行うこ
とができる。

【００４５】なお、希釈液供給管８２の希釈液供給部８
２１からの純水の放出を停止するタイミングはリンス処
理開始後であればいつでも良いが、経験的にリンス処理
が概ね終了する時間を所定時間とし、該所定時間を制御
部１８に記憶させておき、リンス処理開始後、該所定時
間が経過したときに純水の放出を停止させればより好ま
しい。このようにしてリンス処理が概ね終了する時間ま
で比抵抗測定器８０の計測部８０１が薬液の混入した純
水に接触することを防止することにより、計測部８０１
の腐食をより効果的に抑制することができる。

【００４６】また、この実施形態では、希釈液供給部８
２１から比抵抗測定器８０の計測部８０１に向けて純水
が放出されるようにしているので計測部８０１の周囲の
薬液又は薬液の混入した純水を容易に希釈することがで
きるが、必ずしも計測部８０１に向けて純水を放出させ
る必要はない。要は、排液容器７２内に純水が放出され
るようになっておれば、排液容器７２に排出された薬液
又は薬液の混入した純水が希釈液供給部８２１から放出
された純水で希釈されるので、計測部８０１が薬液や薬
液の混入度合の高い純水に直接接触することが防止さ
れ、計測部８０１の薬液による腐食を抑制することがで
きる。

【００４７】また、この実施形態では、希釈液供給部８
２１から純水を放出させることにより排液容器７２に排
出される薬液又は薬液の混入した純水を希釈するように
しているが、例えば希釈液供給部８２１から比抵抗測定
器８０の計測部８０１に向けて多量の純水を放出するよ
うにし、計測部８０１の周囲を純水で覆うようにしても
よい。こうした場合、計測部８０１を薬液や薬液の混入
した純水から保護することができ、計測部８０１の薬液
による腐食を効果的に抑制することができる。

【００４８】このように計測部８０１の周囲を純水で覆
うようにする場合、例えば計測部８０１の周囲に複数の
希釈液供給部８２１を配設したり、希釈液供給部８２１
を円環状に構成して計測部８０１の周囲に配設したりす
れば、計測部８０１の周囲をより効果的に純水で覆うこ
とができる。なお、排液容器７２に排出される薬液又は
薬液の混入した純水を希釈する場合には、希釈液供給部
８２１は希釈手段を構成することになり、計測部８０１
の周囲を純水で覆うようにする場合には、希釈液供給部
８２１は計測部８０１を純水（保護液）で覆って保護す
る保護手段を構成することになる。

【００４９】また、この実施形態では、基板処理装置と
して単槽式のものについて説明しているが、薬液処理部
及びリンス処理部を有し、薬液処理が施された基板をリ
ンス処理部の基板処理槽内に搬入してリンス処理を行う
多槽式の基板処理装置においても該リンス処理部の基板
処理槽に上記のような構成を適用することができる。

【００５０】このような構成では、例えば、初期状態で
希釈液供給部８２１から純水を放出しておき、薬液処理
部で処理された基板がリンス処理部の基板処理槽内に搬
入されてから所定時間後に純水の放出を停止して排出さ
れた純水の比抵抗を測定するようにすればよい。このと
きの所定時間はリンス処理開始後であればいつでもよい
が、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を求めてお
き、これを所定時間とすればより好ましい。こうするこ
とによって、薬液の混入度合の高い純水が計測部８０１
に接触することを防止でき、比抵抗測定器の腐食を抑制
することができる。

【００５１】また、この実施形態では、排出傾斜板７０
３及び受入傾斜板７２３を設けることにより、排液容器
７２に排出される純水への気泡の巻き込みを抑制するよ
うにしているが、必ずしも排出傾斜板７０３及び受入傾
斜板７２３の両方を設ける必要はなく、いずれか一方が
設けられておれば気泡の巻き込みを効果的に抑制するこ
とができる。

【００５２】また、排液槽７０に開口７０２を形成せず
に、排液槽７０の底部に取り付けた配管を介して排液槽
７０に排出された処理液を排液容器７２に流し込むよう
にしてもよい。この場合、排液槽７０の配管から排液容
器７２の受入傾斜板７２３に流し込むようにしてもよい
し、受入傾斜板７２３を除去して排液容器７２の底部等
に直接流し込むようにしてもよい。この場合は、配管及
び受入傾斜板７２３、又は配管が、基板処理槽の薬液又
は純水を計測部８０１に導く導入手段を構成することに
なる。

【００５３】また、リンス液は純水に限るものではな
く、純水中にオゾンを含むようにしたもの等であっても
よい。また、薬液や薬液の混入度合の高い純水を希釈す
る希釈液や計測部８０１の周囲を覆って保護する保護液
も純水に限るものではなく純水中にオゾンを含むように
したもの等であってもよい。さらには、リンス液中への
薬液の混入度合を検出する検出手段として比抵抗測定器
８０を使用しているが、比抵抗以外の物性を測定する他
の測定器を使用することも可能である。

【００５４】また、計測部８０１の電極等の材料とし
て、使用されるすべての薬液に対して耐蝕性を有するも
の（例えば、白金やカーボン等）を用いるようにする
と、電極等の劣化による誤動作等を防止することが可能
となる。

【００５５】

【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に
薬液処理又はリンス処理を施す基板処理槽と、基板処理
槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基
板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出する検
出手段と、基板処理槽の薬液又はリンス液を検出手段に
導く導入手段と、導入手段によって検出手段に導かれる
薬液を希釈する希釈手段とを備えているので、検出手段
の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。

【００５６】また、請求項２の発明によれば、薬液処理
された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であっ
て、リンス液により基板の表面がリンス処理される基板
処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合
を検出する検出手段と、基板処理槽のリンス液を検出手
段に導く導入手段と、リンス処理開始後、所定時間が経
過するまで、導入手段によって検出手段に導かれるリン
ス液を希釈する希釈手段とを備えているので、検出手段
の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。

【００５７】また、請求項３の発明によれば、希釈手段
が、検出手段に向けて希釈液を供給する希釈液供給手段
を有するものであるので、検出手段の薬液による腐食を
確実に抑制することができる。

【００５８】また、請求項４の発明によれば、薬液又は
薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理
又はリンス処理を施す基板処理槽と、基板処理槽に薬液
又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽
のリンス液中への薬液の混入度合を検出する検出手段
と、基板処理槽の薬液又はリンス液を検出手段に導く導
入手段と、検出手段の周囲を保護液で覆うことによって
検出手段に導かれる薬液から検出手段を保護する保護手
段とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を可
及的に抑制することができる。

【００５９】また、請求項５の発明によれば、薬液処理
された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であっ
て、リンス液により基板の表面がリンス処理される基板
処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合
を検出する検出手段と、基板処理槽のリンス液を検出手
段に導く導入手段と、リンス処理開始後、所定時間が経
過するまで、検出手段の周囲を保護液で覆うことによっ
て検出手段に導かれる薬液から検出手段を保護する保護
手段とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を
可及的に抑制することができる。

【００６０】また、請求項６の発明によれば、保護手段
が、検出手段の周囲に保護液を供給する保護液供給手段
を有するものであるので、検出手段の薬液による腐食を
確実に抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略
構成を示す図である。

【図２】図１に示す基板処理装置の排液槽と排液容器の
斜視図である。

【符号の説明】

１０ 基板処理槽 １２ 薬液供給部（液供給手段） １４ 純水供給部（液供給手段） １６ 処理液排出部 ７０ 排液槽 ７２ 排液容器 ８０ 比抵抗測定器（検出手段） ８２ 希釈液供給管（希釈手段） ７０３ 排出傾斜板（導入手段） ７２３ 受入傾斜板（導入手段） Ｂ 基板 Ｗ 純水（リンス液）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−219386（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−246226（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−21036（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 648 B08B 3/04 C03C 17/00 C23G 3/00

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次
   貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施す基板処理
   槽と、 前記基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供
   給手段と、 前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出
   する検出手段と、 前記基板処理槽の薬液又はリンス液を前記検出手段に導
   く導入手段と、 前記導入手段によって前記検出手段に導かれる薬液を希
   釈する希釈手段と、を備えたことを特徴とする基板処理
   装置。
2. 【請求項２】 薬液処理された基板の表面をリンス処理
   する基板処理装置であって、 リンス液により基板の表面がリンス処理される基板処理
   槽と、 前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出
   する検出手段と、 前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導く導入手
   段と、 リンス処理開始後、所定時間が経過するまで、前記導入
   手段によって前記検出手段に導かれるリンス液を希釈す
   る希釈手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の基板処理装置にお
   いて、前記希釈手段は、前記検出手段に向けて希釈液を
   供給する希釈液供給手段を有することを特徴とする基板
   処理装置。
4. 【請求項４】 薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次
   貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施す基板処理
   槽と、 前記基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供
   給手段と、 前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出
   する検出手段と、 前記基板処理槽の薬液又はリンス液を前記検出手段に導
   く導入手段と、 前記検出手段の周囲を保護液で覆うことによって前記検
   出手段に導かれる薬液から該検出手段を保護する保護手
   段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 薬液処理された基板の表面をリンス処理
   する基板処理装置であって、 リンス液により基板の表面がリンス処理される基板処理
   槽と、 前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合を検出
   する検出手段と、 前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導く導入手
   段と、 リンス処理開始後、所定時間が経過するまで、前記検出
   手段の周囲を保護液で覆うことによって前記検出手段に
   導かれる薬液から該検出手段を保護する保護手段と、を
   備えたことを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項４又は５記載の基板処理装置にお
   いて、前記保護手段は、前記検出手段の周囲に保護液を
   供給する保護液供給手段を有することを特徴とする基板
   処理装置。