JPH0737857A - 処理液監視装置 - Google Patents
処理液監視装置Info
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- JPH0737857A JPH0737857A JP18114693A JP18114693A JPH0737857A JP H0737857 A JPH0737857 A JP H0737857A JP 18114693 A JP18114693 A JP 18114693A JP 18114693 A JP18114693 A JP 18114693A JP H0737857 A JPH0737857 A JP H0737857A
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- processing liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング処理液等の処理雨期の濃度等の管
理を自動化し、半導体集積回路の製造作業能率を向上す
ること。 【構成】 処理槽３には半導体ウエハを処理するエッチ
ング液２が収容されており、このエッチング液２の濃度
は濃度測定器１１により検出され、エッチング液２内の
異物の数は異物数測定器１２により検出される。それぞ
れの検出結果は、濃度表示部と異物数表示部に表示され
る。それぞれの測定器１１，１２の検出結果に基づい
て、処理槽３内には純水や薬液が供給され、エッチング
液２は常に所定の濃度範囲に維持される。また、異物の
数や濃度が異常状態となった場合には、それぞれアラー
ムが作動して、異常状態が作業者に知らされる。
理を自動化し、半導体集積回路の製造作業能率を向上す
ること。 【構成】 処理槽３には半導体ウエハを処理するエッチ
ング液２が収容されており、このエッチング液２の濃度
は濃度測定器１１により検出され、エッチング液２内の
異物の数は異物数測定器１２により検出される。それぞ
れの検出結果は、濃度表示部と異物数表示部に表示され
る。それぞれの測定器１１，１２の検出結果に基づい
て、処理槽３内には純水や薬液が供給され、エッチング
液２は常に所定の濃度範囲に維持される。また、異物の
数や濃度が異常状態となった場合には、それぞれアラー
ムが作動して、異常状態が作業者に知らされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路を製造す
る際に使用されるエッチング液等の処理液が適正状態と
なっているか否かを監視する処理液監視装置に関する。
る際に使用されるエッチング液等の処理液が適正状態と
なっているか否かを監視する処理液監視装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造プロセスにあって
は、半導体ウエハの表面に汚染物が残らないように、酸
化、気相成長、イオン注入等の工程前に汚染物の除去が
なされている。有機汚染物と無機汚染物とを除去するた
めに、通常、半導体ウエハの表面は酸洗浄処理がなされ
ている。
は、半導体ウエハの表面に汚染物が残らないように、酸
化、気相成長、イオン注入等の工程前に汚染物の除去が
なされている。有機汚染物と無機汚染物とを除去するた
めに、通常、半導体ウエハの表面は酸洗浄処理がなされ
ている。
【０００３】酸洗浄の処理液としては、硫酸、硝酸、フ
ッ酸、塩酸等があり、フッ酸は酸化Ｓi 膜の除去に用い
られている。また、この酸洗浄によって汚染物が除去さ
れるが、その際に半導体ウエハの表面に形成された酸化
Ｓi 膜を除去するために、表面処理としてのエッチング
処理がなされている。この際のエッチング処理液として
は、フッ酸、フッ化アンモニウム水溶液等が用いられ
る。
ッ酸、塩酸等があり、フッ酸は酸化Ｓi 膜の除去に用い
られている。また、この酸洗浄によって汚染物が除去さ
れるが、その際に半導体ウエハの表面に形成された酸化
Ｓi 膜を除去するために、表面処理としてのエッチング
処理がなされている。この際のエッチング処理液として
は、フッ酸、フッ化アンモニウム水溶液等が用いられ
る。
【０００４】このような工程を経て、半導体ウエハはそ
の表面に回路パターンを形成するためにホトレジスト膜
の塗布、これに対するパターン形成、そしてエッチング
処理がなされる。
の表面に回路パターンを形成するためにホトレジスト膜
の塗布、これに対するパターン形成、そしてエッチング
処理がなされる。
【０００５】表面処理として使用されるエッチング処理
に際しては、所定の処理時間に対して所定のエッチレー
トが得られるようにＨＦ（フッ酸）溶液の濃度を所定値
に維持するとともに、ＨＦ溶液の中に異物が含まれない
ように処理液の管理を行う必要がある。
に際しては、所定の処理時間に対して所定のエッチレー
トが得られるようにＨＦ（フッ酸）溶液の濃度を所定値
に維持するとともに、ＨＦ溶液の中に異物が含まれない
ように処理液の管理を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来では、製品化され
る半導体ウエハ以外にサンプル用の半導体ウエハを処理
液つまりＨＦ溶液内に浸漬してこれらを同時に処理し、
サンプル用の半導体ウエハについてエッチング処理前後
の膜厚差を測定することにより、処理液が所定の濃度と
なっているか否かのエッチレートを測定しており、さら
にサンプル用の半導体ウエハに付着した異物の数を測定
するようにしている。
る半導体ウエハ以外にサンプル用の半導体ウエハを処理
液つまりＨＦ溶液内に浸漬してこれらを同時に処理し、
サンプル用の半導体ウエハについてエッチング処理前後
の膜厚差を測定することにより、処理液が所定の濃度と
なっているか否かのエッチレートを測定しており、さら
にサンプル用の半導体ウエハに付着した異物の数を測定
するようにしている。
【０００７】このような処理液監視方式では、処理液を
オフラインで作業者がモニタしており、処理液の濃度が
所定の規定値を外れているか否かを判別するとともに、
半導体ウエハとともに持ち込まれた粒子等の異物が処理
液の単位容積当たり所定の数を超えた場合にはフィルタ
の交換を行うようにしている。このように、従来ではオ
フラインで処理液の状態をモニタしているので、作業能
率が良好とならないだけでなく、生産能率が低下する要
因となっている。また、エッチレートが規格値から外れ
た場合には、そのエッチング液を排液して、再度調合し
なけばならなかった。
オフラインで作業者がモニタしており、処理液の濃度が
所定の規定値を外れているか否かを判別するとともに、
半導体ウエハとともに持ち込まれた粒子等の異物が処理
液の単位容積当たり所定の数を超えた場合にはフィルタ
の交換を行うようにしている。このように、従来ではオ
フラインで処理液の状態をモニタしているので、作業能
率が良好とならないだけでなく、生産能率が低下する要
因となっている。また、エッチレートが規格値から外れ
た場合には、そのエッチング液を排液して、再度調合し
なけばならなかった。
【０００８】本発明の目的は、エッチング処理液等の処
理液の濃度等の管理を自動化し、半導体集積回路の製造
作業能率を向上することにある。
理液の濃度等の管理を自動化し、半導体集積回路の製造
作業能率を向上することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、処理液が収容された処理槽には
処理液の濃度を検出する濃度測定手段が設けられてお
り、この濃度測定手段により検出された濃度の値は濃度
表示部に表示される。処理液内に含有する異物の数は異
物数測定手段により検出され、この異物数測定手段によ
り検出された異物の数は異物数表示部に表示される。ま
た、処理液の濃度が所定の規格値を外れた場合には、純
水供給管からの純水と薬液供給手段からの薬液とにより
適正の濃度に自動的に調整される。
処理液の濃度を検出する濃度測定手段が設けられてお
り、この濃度測定手段により検出された濃度の値は濃度
表示部に表示される。処理液内に含有する異物の数は異
物数測定手段により検出され、この異物数測定手段によ
り検出された異物の数は異物数表示部に表示される。ま
た、処理液の濃度が所定の規格値を外れた場合には、純
水供給管からの純水と薬液供給手段からの薬液とにより
適正の濃度に自動的に調整される。
【００１２】
【作用】上記した本発明の処理液監視装置にあっては、
エッチング処理液等の処理液の濃度は自動的に調整され
ることになり、処理液内の異物の数を作業者は常に監視
することができる。したがって、頻繁にサンプリングし
て処理液の濃度を測定する必要がなくなるとともに、異
物を除去するためのフィルタの交換を適切な時期に行う
ことができ、半導体集積回路の製造作業の作業能率が大
幅に向上する。
エッチング処理液等の処理液の濃度は自動的に調整され
ることになり、処理液内の異物の数を作業者は常に監視
することができる。したがって、頻繁にサンプリングし
て処理液の濃度を測定する必要がなくなるとともに、異
物を除去するためのフィルタの交換を適切な時期に行う
ことができ、半導体集積回路の製造作業の作業能率が大
幅に向上する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は半導体ウエハに回路パターンを形成
する前の表面処理としてのエッチングを行うためのエッ
チング処理に本発明を適用した場合を示す図であり、図
２はその一部を示す拡大正面図である。
する前の表面処理としてのエッチングを行うためのエッ
チング処理に本発明を適用した場合を示す図であり、図
２はその一部を示す拡大正面図である。
【００１５】エッチング装置本体１には、内部に処理液
としてのエッチング液２が収容された処理槽３が設けら
れており、この処理槽３内には図示しない半導体ウエハ
が搬入されて浸漬されるようになっている。この処理槽
３に隣接して、エッチング装置本体１には水洗槽４が配
置されており、エッチング処理がなされた後の半導体ウ
エハは、この水洗槽４内で水洗いされる。
としてのエッチング液２が収容された処理槽３が設けら
れており、この処理槽３内には図示しない半導体ウエハ
が搬入されて浸漬されるようになっている。この処理槽
３に隣接して、エッチング装置本体１には水洗槽４が配
置されており、エッチング処理がなされた後の半導体ウ
エハは、この水洗槽４内で水洗いされる。
【００１６】図２に示すように、処理槽３内には純水供
給管５を介して純水供給ポンプ６の作動により純水が供
給されるとともに、薬液供給管７を介して薬液供給ポン
プ８の作動によりフッ酸等の薬液が供給されるようにな
っている。
給管５を介して純水供給ポンプ６の作動により純水が供
給されるとともに、薬液供給管７を介して薬液供給ポン
プ８の作動によりフッ酸等の薬液が供給されるようにな
っている。
【００１７】エッチング装置本体１には、処理槽３内の
エッチング液２の濃度を検出するために濃度測定器１１
が配置されており、この測定器１１にはパイプ１１ａに
より処理槽３内のエッチング液２が供給される。さらに
エッチング液２内の異物の数を検出するために異物数測
定器１２がエッチング装置本体１に配置されており、こ
の異物数測定器１２にはパイプ１２ａにより処理槽３内
のエッチング液２が供給される。
エッチング液２の濃度を検出するために濃度測定器１１
が配置されており、この測定器１１にはパイプ１１ａに
より処理槽３内のエッチング液２が供給される。さらに
エッチング液２内の異物の数を検出するために異物数測
定器１２がエッチング装置本体１に配置されており、こ
の異物数測定器１２にはパイプ１２ａにより処理槽３内
のエッチング液２が供給される。
【００１８】濃度測定器１１により検出された濃度値
は、図３に示す濃度表示部１３に点灯表示され、異物数
測定器１２により検出された異物の数は、異物数表示部
１４に点灯表示されるようになっている。これらの表示
部１３，１４は、図１に示すエッチング処理装置本体１
の所定の部分に配置されている。
は、図３に示す濃度表示部１３に点灯表示され、異物数
測定器１２により検出された異物の数は、異物数表示部
１４に点灯表示されるようになっている。これらの表示
部１３，１４は、図１に示すエッチング処理装置本体１
の所定の部分に配置されている。
【００１９】図４は制御回路を示すブロック図であり、
濃度測定器１１および異物数測定器１２はそれぞれＣＰ
Ｕ等からなる制御部１５に接続されており、それぞれの
測定器１１、１２からの検出信号は制御部１５に送られ
るようになっており、それぞれの検出値は制御部１５を
介して表示部１３，１４に点灯表示される。したがっ
て、作業者は常にエッチング液２の濃度とその中の異物
の数を目視してエッチング液２の状態を監視することが
できる。
濃度測定器１１および異物数測定器１２はそれぞれＣＰ
Ｕ等からなる制御部１５に接続されており、それぞれの
測定器１１、１２からの検出信号は制御部１５に送られ
るようになっており、それぞれの検出値は制御部１５を
介して表示部１３，１４に点灯表示される。したがっ
て、作業者は常にエッチング液２の濃度とその中の異物
の数を目視してエッチング液２の状態を監視することが
できる。
【００２０】さらに、制御部１５からの信号により前述
した純水供給ポンプ６と薬液供給ポンプ８にそれぞれ作
動信号が送られるようになっている。制御部１５に内蔵
あるいは外付けされたメモリ内には、適正濃度値のデー
タが格納されており、そのデータを読み出して、処理槽
３内の処理液の濃度が適正濃度を外れたときには、純水
供給ポンプ６、薬液供給ポンプ８が作動するようになっ
ている。
した純水供給ポンプ６と薬液供給ポンプ８にそれぞれ作
動信号が送られるようになっている。制御部１５に内蔵
あるいは外付けされたメモリ内には、適正濃度値のデー
タが格納されており、そのデータを読み出して、処理槽
３内の処理液の濃度が適正濃度を外れたときには、純水
供給ポンプ６、薬液供給ポンプ８が作動するようになっ
ている。
【００２１】したがって、予め設定された適正な濃度と
なるように自動的に処理液の濃度が制御されるので、従
来のようにオフラインでのサンプリングデータに基づく
濃度検査や異物数の検査が不要となり、作業性が大幅に
向上して生産効率が向上するとともに製造コストの低減
が可能となる。また、作業者がサンプリングデータを採
取する必要がなくなるので、作業の安全性が向上する。
なるように自動的に処理液の濃度が制御されるので、従
来のようにオフラインでのサンプリングデータに基づく
濃度検査や異物数の検査が不要となり、作業性が大幅に
向上して生産効率が向上するとともに製造コストの低減
が可能となる。また、作業者がサンプリングデータを採
取する必要がなくなるので、作業の安全性が向上する。
【００２２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２３】たとえば、図４に示すように、濃度アラー
ム１６を設けることにより、濃度測定器１１からの検出
信号に基づいてエッチング液２の濃度が規格値を外れた
ときに異常状態を作業者に知らせるようにしても良い。
同様に、異物アラーム１７を設けることにより、異物数
測定器１２からの検出信号に基づいて、エッチング液２
内の異物の数が所定値よりも増加したときに異常状態を
作業者に知らせるようにしても良い。
ム１６を設けることにより、濃度測定器１１からの検出
信号に基づいてエッチング液２の濃度が規格値を外れた
ときに異常状態を作業者に知らせるようにしても良い。
同様に、異物アラーム１７を設けることにより、異物数
測定器１２からの検出信号に基づいて、エッチング液２
内の異物の数が所定値よりも増加したときに異常状態を
作業者に知らせるようにしても良い。
【００２４】それぞれのアラーム１６，１７としては、
警報ランプあるいは警報ブザーを用いることができ、こ
れらの一方あるいは両方を作動させることにより、作業
者に異常状態を知らせることができる。このように、ア
ラーム１６，１７を用いる場合には、処理液２の濃度を
自動的に制御するための薬液供給管７や純水供給管５を
用いなくても良い。
警報ランプあるいは警報ブザーを用いることができ、こ
れらの一方あるいは両方を作動させることにより、作業
者に異常状態を知らせることができる。このように、ア
ラーム１６，１７を用いる場合には、処理液２の濃度を
自動的に制御するための薬液供給管７や純水供給管５を
用いなくても良い。
【００２５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその利用分野であるエッチング装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえば、ウエットエッチング用のエッチン
グ装置、洗浄装置等のように薬液を用いて半導体ウエハ
を処理する場合であれば、本発明を適用できる。
なされた発明をその利用分野であるエッチング装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえば、ウエットエッチング用のエッチン
グ装置、洗浄装置等のように薬液を用いて半導体ウエハ
を処理する場合であれば、本発明を適用できる。
【００２６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００２７】(1).エッチング液等の処理液の濃度が自動
的に設定されるので、作業者による処理液の濃度を測定
する作業が不要となり、半導体集積回路の製造作業能率
および生産能率が大幅に向上する。
的に設定されるので、作業者による処理液の濃度を測定
する作業が不要となり、半導体集積回路の製造作業能率
および生産能率が大幅に向上する。
【００２８】(2).処理液内に含まれる異物の数が自動的
に測定されるので、作業者による異物の数の測定作業が
不要となり、半導体集積回路の製造作業能率および生産
能率が大幅に向上する。
に測定されるので、作業者による異物の数の測定作業が
不要となり、半導体集積回路の製造作業能率および生産
能率が大幅に向上する。
【００２９】(3).また、自動的に処理液の濃度が設定さ
れるので、作業の安全性が向上する。
れるので、作業の安全性が向上する。
【００３０】(4).さらに、半導体集積回路の製造コスト
を低減させることができる。
を低減させることができる。
【図１】本発明の一実施例である処理液監視装置を示す
概略正面図である。
概略正面図である。
【図２】図１の要部を示す拡大正面図である。
【図３】表示部を示す正面図である。
【図４】制御回路を示すブロック図である。
１ エッチング装置本体 ２ エッチング液 ３ 処理槽 ４ 水洗槽 ５ 純水供給管 ６ 純水供給ポンプ ７ 薬液供給管 ８ 薬液供給ポンプ １１ 濃度測定器 １１ａ パイプ １２ 異物数測定器 １２ａ パイプ １３ 濃度表示部 １４ 異物数表示部 １５ 制御部（濃度制御手段） １６ 濃度アラーム １７ 異物アラーム
フロントページの続き (72)発明者 内藤 徳雄 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウエハを処理する処理液が収容さ
れた処理槽と、前記処理液の濃度を検出する濃度測定手
段と、当該濃度測定手段により検出された値を表示する
濃度表示部とを有する処理液監視装置。 - 【請求項２】 前記処理液内の異物の数を検出する異物
数測定手段と、当該異物数測定手段により検出された異
物の数を表示する異物数表示部とを有する請求項１記載
の処理液監視装置。 - 【請求項３】 前記処理槽内に純水を供給する純水供給
手段と、前記処理槽内にエッチング液等の薬液を供給す
る薬液供給手段と、前記濃度測定手段により検出された
前記処理液の濃度が規格値を外れたときに前記純水供給
手段と前記薬液供給手段を制御する濃度制御手段とを有
する請求項１記載の処理液監視装置。 - 【請求項４】 前記濃度測定手段により検出された前記
処理液の濃度が規格値を外れたときに異常状態を作業者
に知らせる濃度アラームを有する請求項１記載の処理液
監視装置。 - 【請求項５】 前記異物数測定手段により検出された前
記処理液内の異物の数が所定値よりも増加したときに異
常状態を作業者に知らせる異物アラームを有する請求項
２記載の処理液監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114693A JPH0737857A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 処理液監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114693A JPH0737857A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 処理液監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737857A true JPH0737857A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16095696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18114693A Withdrawn JPH0737857A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 処理液監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737857A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650409B1 (en) | 1991-04-02 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system |
| WO2008038366A1 (fr) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | expanseur à spirale |
| CN110364452A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP18114693A patent/JPH0737857A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650409B1 (en) | 1991-04-02 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system |
| WO2008038366A1 (fr) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Mitsubishi Electric Corporation | expanseur à spirale |
| US8128388B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-03-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Scroll-type expansion machine |
| CN110364452A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-10-22 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| CN110364452B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-04-07 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
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