JPH08145947A - 高比抵抗液体の液質監視方法、その液質監視装置、及びその液質監視システム - Google Patents

高比抵抗液体の液質監視方法、その液質監視装置、及びその液質監視システム

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JPH08145947A
JPH08145947A JP28383094A JP28383094A JPH08145947A JP H08145947 A JPH08145947 A JP H08145947A JP 28383094 A JP28383094 A JP 28383094A JP 28383094 A JP28383094 A JP 28383094A JP H08145947 A JPH08145947 A JP H08145947A
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陽 仲野
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高比抵抗液体の使用点においても測定可能な
高比抵抗液体の液質監視方法、その液質監視装置、及び
その液質監視システムを提供する。 【構成】 本発明の高比抵抗液体の液質監視方法は、高
比抵抗液体を流すために用いる配管部において、該高比
抵抗液体が接触する該配管部の一部が、少なくとも該配
管部と電気的に絶縁された導電性部材から構成されてお
り、該導電性部材からなるセンサー部の帯電量を検出す
ることを特徴とする。また、高比抵抗液体を取り出す使
用点近傍又は使用点端部に、前記センサー部を設けるこ
とを特徴とする。さらに、前記センサー部と接地点との
電荷移動量を測定することにより帯電量を検出すること
を特徴とする。本発明の高比抵抗液体の液質監視装置
は、上述した高比抵抗液体の液質監視方法を有すること
を特徴とする。本発明の高比抵抗液体の液質監視システ
ムは、警告を発する警告手段を有することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高比抵抗液体の液質監
視方法、その液質監視装置、及びその液質監視システム
に係る。より詳細には、配管部内にて、使用点にて、及
び被洗浄物を介して、高比抵抗液体の純度管理が可能な
高比抵抗液体の液質監視方法、その液質監視装置、及び
その液質監視システムに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体や各種電子部品、又は原子力など
のハイテク産業では、使用する超純水の抵抗率を管理す
ることが、高い良品率の実現、又は高い信頼性の実現に
つながる。特に、半導体分野では、洗浄工程に用いる純
水の抵抗率管理は、より集積密度の高い素子を製造する
場合のキーテクノロジーの1つである。
【0003】従来、高比抵抗液体の液質監視装置として
は、純水の導電率を測定するための素子と、純水の温度
を測定するための素子とを一体化した複合センサーが使
われている。例えば、導電率測定用としては、Tiから
なる2極の電極が絶縁体を介して設けられた素子が、温
度測定用としては、サーミスターが挙げられる。ここ
で、導電率とは、純水に含まれる電解質の総量を知る指
標であり、また、純水の純度を知る指標として用いる抵
抗率の逆数である。この複合センサーは、常時純水が流
れている配管系に設置し、水温の変化を補正しながら導
電率を高精度に測定できるという特長がある。
【0004】しかし、上記従来技術には、次のような問
題点がある。 (1)検出部を純水中に挿入して使用するタイプであ
り、配管内の純水が溜まり水となったり、又は、配管内
が外気と触れる使用点付近では使えない。 (2)配管系にセンサーを設置した場所でのみ測定可で
あり、配管系において自由な測定点を選択できない。 (3)センサー価格が高いため、配管系に多数個のセン
サーを設置して、多点測定する純水の液質監視システム
を構築するには、多額の費用を要する。
【0005】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は、高比抵
抗液体の使用点末端においても測定可能で、配管系にお
いて自由な測定点が選択でき、かつ、センサーが安価で
あるため高比抵抗液体の水質監視システム構築が容易な
高比抵抗液体の液質監視方法、その液質監視装置、及び
その液質監視システムを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、高比抵抗液体
を流すために用いる配管部において、該高比抵抗液体が
接触する該配管部の一部が、少なくとも該配管部と電気
的に絶縁された導電性部材から構成されており、該導電
性部材からなるセンサー部の帯電量を検出することを特
徴とする高比抵抗液体の液質監視方法に要旨が存在す
る。
【0007】
【作用】
(請求項1)請求項1に係る発明では、高比抵抗液体を
流すために用いる配管部の一部が、少なくとも該配管部
と電気的に絶縁された導電性部材から構成されているた
め、この導電性部材には配管部内を流れる高比抵抗液体
から電荷の帯電が生じる。その結果、この帯電量を検出
することによって、高比抵抗液体の抵抗率変化の測定が
可能となる。
【0008】また、配管部の一部を、少なくとも該配管
部と電気的に絶縁された導電性部材から構成するだけで
上記検出が可能となるため、多点測定を安価に実現する
ことができる。
【0009】(請求項2)請求項2に係る発明では、高
比抵抗液体を取り出す使用点近傍に、前記センサー部を
設けているため、該使用点から排出される直前の高比抵
抗液体の液質を検出することができる。その結果、該高
比抵抗液体が流れていない場合、配管内が外気となる使
用点付近において、精度の高い高比抵抗液体の液質監視
が可能となる。
【0010】(請求項3)請求項3に係る発明では、高
比抵抗液体を取り出す使用点端部に、前記センサー部を
設けているため、該使用点から噴出される使用直前の高
比抵抗液体の液質を検出できるばかりでなく、該センサ
ー部の形状は任意に選択可能となり、かつ、該センサー
部の脱着が何時でも可能となる。その結果、高比抵抗液
体を流すために用いる配管部を止めることなく、該セン
サー部の修理・点検・交換等が可能となる。
【0011】(請求項4)請求項4に係る発明では、前
記センサー部と接地点との電荷移動量を測定することに
より帯電量を検出するため、インラインでの高比抵抗液
体の液質モニタを、液に外乱を与えることなく容易に実
現することができる。その結果、高比抵抗液体に影響を
与えることのない液質管理が図れる。
【0012】(請求項5)請求項5に係る発明では、前
記センサー部は、該センサー内部を高比抵抗液体が通過
するリング形状としたため、該高比抵抗液体の流量に依
存せず、該センサー部は安定して該高比抵抗液体に接す
ることが可能となる。その結果、検出感度の安定化が図
れる。
【0013】(請求項6)請求項6に係る発明では、高
比抵抗液体が、純水又は重水であるため、微量不純物の
含有が問題となる半導体分野の洗浄水用途から原子力分
野の冷却水用途まで、広範囲な利用分野への適用ができ
る。
【0014】(請求項7)請求項7に係る発明では、前
記使用点から噴出された前記高比抵抗液体を、被洗浄物
の表面を介さずファラディケージに接続された導電性電
極に、直接的にかけることにより該高比抵抗液体にのっ
た電荷量を測定するため、該使用点と該導電性電極との
間にある空間内の汚れが、該高比抵抗液体に及ぼす影響
を検出することができる。その結果、該使用点と該導電
性電極との間にある空間内の清浄度管理が可能となる。
【0015】(請求項8)請求項8に係る発明では、前
記使用点から噴出された前記高比抵抗液体を、被洗浄物
の表面を介してファラディケージに接続された導電性電
極に、間接的にかけることにより該高比抵抗液体にのっ
た電荷量を測定するため、該被洗浄物の表面の清浄度、
すなわち洗浄された度合いを検出することができる。そ
の結果、該被洗浄物の汚染度が異なっても、各被洗浄物
ごとに最適な洗浄条件等を順次決めることができる。
【0016】(請求項9)請求項9に係る発明では、請
求項1乃至8のいずれか1項に記載の高比抵抗液体の液
質監視方法を有することにより、汎用性が高く、かつ、
安価な高比抵抗液体の液質監視装置がえられる。
【0017】(請求項10)請求項10に係る発明で
は、前記帯電量又は前記電荷量の値が変化した場合に、
警告を発する警告手段を有するため、前記高比抵抗液体
の液質監視をフィードバック制御することが可能とな
る。その結果、信頼性の高い高比抵抗液体の液質監視シ
ステムがえられる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。 (実施例1)本例では、高比抵抗液体を流すために用い
る配管部において、該高比抵抗液体が接触する該配管部
の一部が、少なくとも該配管部と電気的に絶縁された導
電性部材から構成した点が従来と異なる。該高比抵抗液
体としては純水を用い、該導電性部材からなるセンサー
部の帯電量を検出することによって、純水の導電率を検
出した。
【0019】以下では、図1及び図2を参照して本例に
ついて説明する。図1は、本発明の二次純水製造ライン
の一例を示す概略図である。図2は、図1の導電性部材
からなるセンサー部(a地点)付近の拡大図であり、図
2(a)が斜視図、図2(b)が図2(a)のA−A’
部分の断面図である。
【0020】本発明の二次純水製造ラインは、次の10
1〜111の各機器から構成した。
【0021】101は、一次純水製造ライン(図示せ
ず)にて処理された超純水(比抵抗が、MΩcmオーダ
ー)を溜める一次純水保管容器、102は、超純水を循
環させるためのポンプ、103は、超純水の温度を一定
に保つための熱交換器であり、24℃に保持した。10
4は、有機物を分解するための低圧UV酸化器、105
は、アニオン(負イオン)を除去するためのイオン交換
器(アニオンデミナー)であり、その主目的は前段の低
圧UV酸化器で発生する有機酸や炭酸イオンの除去にあ
る。106は、正負を問わずイオンをを除去するための
イオン交換器(デミナー)、107は、微粒子を除去す
るためのファイナルフィルター(UF)、108は、二
次純水を使用点に分岐する分岐ポイント、109は、二
次純水を使用点(デベロッパ)である。
【0022】図1に示すとおり、101〜108は環状
に、108と109は線状に、配管部110によって接
続した。配管部110の材質としては、絶縁性部材であ
るPVDF(Poly vinylidene fluoride)を用いた。配
管部110のa地点では、配管部110の一部を導電性
部材からなるセンサー部111に置き換えた。センサー
部111の材質としては、SUS304を用いた。
【0023】図2に示すとおり、センサー部111は、
配管部110の中を流れる超純水が直接触れる位置に設
けた。センサー部111には、超純水の流れによって帯
電が発生する。センサー部111と接地点との間には、
100kΩの抵抗112を配置し、抵抗112の両端に
かかる電圧値を測定した。すなわち、前記帯電による電
荷量の変化は、前記電圧値の変化として観測した。
【0024】本例では、上述した帯電量と電圧値の関係
を調べたところ、比抵抗が18MΩcmである正常な超
純水を流した場合、電圧値は約−0.3mVであった。
一方、この超純水の純度を低下させた場合、上記電圧値
は0mV方向へ絶対値が減少する傾向があることを見い
だした。したがって、本発明のセンサー部111を用い
ることによって、超純水の純度管理を行うことが可能で
あると判断した。
【0025】本例では、配管部110のa地点にセンサ
ー部111を配置したが、図1の環状部であればどこで
もよく、例えば、b地点やc地点であっても構わない。
また、本例では、高比抵抗液体を超純水としたが、重水
を用いても同様の結果が別途確認された。
【0026】(実施例2)本例では、導電性部材からな
るセンサー部を設ける位置を、高比抵抗液体を取り出す
使用点近傍とした点が実施例1と異なる。高比抵抗液体
を取り出す使用点近傍とは、図1におけるd地点を指
す。他の点は実施例1と同様とした。
【0027】図3は、使用点近傍超純水を流さず2時
間封止した後、超純水を60秒間噴出させた時の電圧値
を示した。超純水の流量は、430cc/分とした。横
軸は、超純水の噴出回数である。
【0028】図3から、噴出回数によって電圧値が変化
することが分かった。噴出回数が増すにつれて、電圧値
が−30mV程度に安定した。このことから、超純水の
封止によって使用点近傍は汚染されており、超純水を2
〜3回噴出させた後、超純水の利用を開始することによ
って、安定した純度で超純水を用いることが可能である
と判断した。
【0029】また、従来測定できなかった配管部内が外
気と触れる使用点付近でも、本例のセンサー部を用いる
ことによって、超純水の純度管理が可能となった。
【0030】(実施例3)本例では、導電性部材からな
るセンサー部を設ける位置を、高比抵抗液体を取り出す
使用点端部とした点が実施例2と異なる。
【0031】高比抵抗液体を取り出す使用点端部として
は、図4に示した構造体を用いた。図4の使用点端部で
は、SUS304からなるノズルがセンサー部401で
あり、該センサー部401には、超純水を導入する配管
部402と、窒素ガスを導入する配管部403を接続し
た。超純水と窒素ガスを同時に供給することによって、
センサー部401から噴霧状となった超純水を噴出させ
た。他の点は実施例2と同様とした。
【0032】本例でも、実施例2と同様の結果が得られ
た。したがって、導電性部材からなるセンサー部を設け
る位置が、高比抵抗液体を取り出す使用点端部でもよい
ことから、センサー部の形状は任意に選択可能となり、
かつ、各使用点ごとに何時でも脱着可能となった。
【0033】(実施例4)本例では、実施例1にもすで
に示したように、センサー部と接地点との間に抵抗を配
置し、該抵抗にセンサー部を流れる高比抵抗液体の液質
に応じて発生する電荷を流し、該抵抗の両端にかかる電
圧値を測定した。
【0034】本例では、従来の液質監視装置に比べ、安
価で容易な測定が可能となった。また、本例では、抵抗
の両端に発生する電圧を電圧計で測定する構成とした
が、センサー部と接地点との間に微小電流計を配置した
ものでも同様の結果が別途確認された。
【0035】(実施例5)本例では、センサー部の形状
を、該センサー内部を高比抵抗液体が通過するリング形
状とした点が実施例1と異なる。他の点は実施例1と同
様とした。
【0036】本例では、実施例1とほぼ同様の結果が得
られた。しかし、本例の場合、高比抵抗液体との接触面
積が大きいため、実施例1の形状よりも検出感度の安定
化が図れた。
【0037】また、本例では、センサー部の形状をリン
グ形状としたが、リング形状内に導電性材料でメッシュ
を設けたものでも同様の結果が別途確認された。
【0038】(実施例6)本例では、前記使用点から噴
出された前記高比抵抗液体を、被洗浄物の表面を介さず
ファラディケージに接続された導電性電極に、直接的に
かけることにより該高比抵抗液体にのった電荷量を測定
した。図5は、本例における各測定機器の配置を示す概
略図である。
【0039】高比抵抗液体を取り出す使用点端部として
は、図4と同様にSUS304からなるノズルをセンサ
ー部501とした。該ノズルから噴出された超純水が照
射される位置に、導電性電極502を設けた。該導電性
電極502はファラデーゲージ503に接続されてお
り、噴出される超純水にのった電荷を、該導電性電極5
02を介して、ファラデーゲージ503で測定した。
【0040】図6は、使用点近傍に超純水を流さず2時
間封止した後、超純水を60秒間噴出させた時の噴出さ
れる超純水にのった電荷量を示した。超純水の流量は、
430cc/分とした。横軸は、超純水の噴出回数であ
る。
【0041】図6から、噴出回数によって、噴出される
超純水にのった電荷量が変化することが分かった。特
に、噴出回数が4回以上になると、該電荷量は120n
C程度に安定した。また、この安定した電荷量と実施例
3で検出される電荷量とは極性が異なり、絶対値は±3
%のバラツキ内で同じであることも確かめられた。
【0042】一方、使用点近傍又は使用点端部に設けた
センサー部の結果(実施例2又は実施例3)では、噴出
回数が2回以上で超純水の純度は回復していた。
【0043】この2つの結果から、本例の方がより多数
回噴出させないと超純水の純度が回復しないのは、該使
用点と該導電性電極との間にある空間内の汚れの影響と
判断した。この結果、本発明によって、該使用点と該導
電性電極との間にある空間内の清浄度管理が可能となっ
た。
【0044】(実施例7)本例では、前記使用点から噴
出された前記高比抵抗液体を、被洗浄物の表面を介して
ファラディケージに接続された導電性電極に、間接的に
かけることにより該高比抵抗液体にのった電荷量を測定
した。
【0045】図7は、本例における各測定機器の配置を
示す概略図である。高比抵抗液体を取り出す使用点端部
としては、図4と同様にSUS304からなるノズルを
センサー部701とした。該ノズルから噴出された超純
水が照射される位置に、被洗浄物としてガラスにAlを
成膜した基板704を設けた。該基板704は、真空チ
ャック機構を有する基板支持台705の上に載置され
た。該基板704を超純水で洗浄する際は、該基板支持
台705を自転させた。この自転によって、該基板70
4から飛散された超純水が照射される位置に、導電性電
極702を設けた。該導電性電極702はファラデーゲ
ージ703に接続されており、飛散される超純水にのっ
た電荷を、該導電性電極702を介して、ファラデーゲ
ージ703で測定した。
【0046】図8は、使用点近傍に超純水を流さず2時
間封止した後、超純水を60秒間噴出させた時、基板か
ら飛散された超純水にのった電荷量を示した。超純水の
流量は、430cc/分とした。横軸は、超純水の噴出
回数である。
【0047】図8から、噴出回数によって、基板から飛
散された超純水にのった電荷量が変化することが分かっ
た。特に、噴出回数が10回以上になると、該電荷量は
120nC程度に安定した。この結果も、実施例6と同
様に実施例3で検出される電荷量と極性が異なり、絶対
値は±3%以内のバラツキで同じであった。
【0048】一方、使用点から噴出された高比抵抗液体
を、被洗浄物の表面を介さずファラディケージに接続さ
れた導電性電極に、直接的にかけることにより該高比抵
抗液体にのった電荷量を測定した結果(実施例6)で
は、噴出回数が4回以上で超純水の純度は回復してい
た。
【0049】この2つの結果から、本例の方がより多数
回噴出させないと超純水の純度が回復しないのは、被洗
浄物である基板704の清浄度、すなわち洗浄された度
合いの影響と判断した。この結果、本発明によって、被
洗浄物の汚染度が異なっても、各被洗浄物ごとに最適な
洗浄条件等を順次決めることが可能となった。
【0050】上述したとおり、実施例1〜7に示した高
比抵抗液体の液質監視方法は、既設の二次純水製造ライ
ンに容易に組み込むことが可能である。また、センサー
部の構造が単純で、かつ、汎用品の利用も可能であるこ
とから、従来より低コストな高比抵抗液体の液質監視装
置の提供が可能となった。
【0051】さらに、前記帯電量又は前記電荷量の値が
変化した場合に、警告を発する警告手段を設けることに
よって、前記高比抵抗液体の液質監視をフィードバック
制御することができる高比抵抗液体の液質監視システム
の提供が可能となった。
【0052】
【発明の効果】
(請求項1)以上説明したように、請求項1に係る発明
によれば、多点測定を安価で、かつ容易に実現できる高
比抵抗液体の液質監視方法がえられる。
【0053】(請求項2)請求項2に係る発明によれ
ば、高比抵抗液体を取り出す使用点近傍において検出可
能な高比抵抗液体の液質監視方法がえられる。
【0054】(請求項3)請求項3に係る発明によれ
ば、センサー部の形状は任意に選択でき、かつ、センサ
ー部の脱着が何時でも可能な高比抵抗液体の液質監視方
法がえられる。
【0055】(請求項4)請求項4に係る発明によれ
ば、高比抵抗液体に影響を与えることのない高比抵抗液
体の液質監視方法がえられる。
【0056】(請求項5)請求項5に係る発明によれ
ば、検出感度の安定な高比抵抗液体の液質監視方法がえ
られる。
【0057】(請求項6)請求項6に係る発明によれ
ば、広範囲な利用分野への適用ができる高比抵抗液体の
液質監視方法がえられる。
【0058】(請求項7)請求項7に係る発明によれ
ば、使用点と導電性電極との間にある空間内の清浄度管
理ができる高比抵抗液体の液質監視方法がえられる。
【0059】(請求項8)請求項8に係る発明によれ
ば、被洗浄物ごとに最適な洗浄条件等を順次決めること
ができる高比抵抗液体の液質監視方法がえられる。
【0060】(請求項9)請求項9に係る発明によれ
ば、汎用性が高く、かつ、安価な高比抵抗液体の液質監
視装置がえられる。
【0061】(請求項10)請求項10に係る発明によ
れば、信頼性の高い高比抵抗液体の液質監視システムが
えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の二次純水製造ラインの一例を示す概略
図である。
【図2】図1の導電性部材からなるセンサー部(a地
点)付近の拡大図である。
【図3】実施例2に係る超純水の噴出回数と電圧値との
関係を示したグラフである。
【図4】実施例3に係る高比抵抗液体を取り出す使用点
端部の構造体を示した概略図である。
【図5】実施例6に係る各測定機器の配置を示す概略図
である。
【図6】実施例6に係る超純水の噴出回数と電荷量との
関係を示したグラフである。
【図7】実施例7に係る各測定機器の配置を示す概略図
である。
【図8】実施例7に係る超純水の噴出回数と電荷量との
関係を示したグラフである。
【符号の説明】
101 一次純水保管容器、 102 ポンプ、 103 熱交換器、 104 低圧UV酸化器、 105 アニオンデミナー、 106 デミナー、 107 UF、 108 分岐ポイント、 109 デベロッパ、 110 配管部、 111、401、501、701 センサー部、 112 抵抗、 402 超純水を導入する配管部、 403 窒素ガスを導入する配管部、 502、702 導電性電極、 503、703 ファラデーゲージ、 704 基板、 705 基板支持台。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高比抵抗液体を流すために用いる配管部
    において、該高比抵抗液体が接触する該配管部の一部
    が、少なくとも該配管部と電気的に絶縁された導電性部
    材から構成されており、該導電性部材からなるセンサー
    部の帯電量を検出することを特徴とする高比抵抗液体の
    液質監視方法。
  2. 【請求項2】 高比抵抗液体を取り出す使用点近傍に、
    前記センサー部を設けることを特徴とする請求項1に記
    載の高比抵抗液体の液質監視方法。
  3. 【請求項3】 高比抵抗液体を取り出す使用点端部に、
    前記センサー部を設けることを特徴とする請求項1に記
    載の高比抵抗液体の液質監視方法。
  4. 【請求項4】 前記センサー部と接地点との電荷移動量
    を測定することにより帯電量を検出することを特徴とす
    る請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高比抵抗液体
    の液質監視方法。
  5. 【請求項5】 前記センサー部は、該センサー内部を高
    比抵抗液体が通過するリング形状であることを特徴とす
    る請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高比抵抗液体
    の液質監視方法。
  6. 【請求項6】 高比抵抗液体は、純水又は重水であるこ
    とを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
    高比抵抗液体の液質監視方法。
  7. 【請求項7】 前記使用点から噴出された前記高比抵抗
    液体を、被洗浄物の表面を介さずファラディケージに接
    続された導電性電極に、直接的にかけることにより該高
    比抵抗液体にのった電荷量を測定することを特徴とする
    請求項1乃至6のいずれか1項に記載の高比抵抗液体の
    液質監視方法。
  8. 【請求項8】 前記使用点から噴出された前記高比抵抗
    液体を、被洗浄物の表面を介してファラディケージに接
    続された導電性電極に、間接的にかけることにより該高
    比抵抗液体にのった電荷量を測定することを特徴とする
    請求項1乃至7のいずれか1項に記載の高比抵抗液体の
    液質監視方法。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の
    高比抵抗液体の液質監視方法を有することを特徴とする
    高比抵抗液体の液質監視装置。
  10. 【請求項10】 前記帯電量又は前記電荷量の値が変化
    した場合に、警告を発する警告手段を有することを特徴
    とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の高比抵抗
    液体の液質監視システム。
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