JPH08191114A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置は、素子設置面1
6を有する内部放熱部10と、この内部放熱部10の素
子設置面16に接合された半導体素子30と、この半導
体素子30に対して離間して配設された複数のリード3
2と、これらのリード32と半導体素子30の電極部と
を電気的に接続するワイヤ34と、内部放熱部10とリ
ード32との間に設けられた絶縁部40と、内部放熱部
10の一部を露出する状態で形成された樹脂封止部50
と、内部放熱部10の露出面14aに、ハンダ層70を
介して接合された放熱フィン60と、を含む。内部放熱
部10の露出面14aの面積をS1、放熱フィン60の
前記ハンダ層70との接合端面66aの面積をS2とす
ると、S1≧S2が成立する。
Description
放熱部を有する樹脂封止型半導体装置およびその製造方
法に関する。
化の傾向にあり、それに伴い半導体チップの発熱量が大
きくなっている。このような発熱量の大きい半導体チッ
プのパッケージとしては、通常、耐熱性が優れたセラミ
ックスパッケージが用いられる。しかし、セラミックス
パッケージは、装置が大型化すること、製造プロセスの
工程数が多いこと、コストが高いことなどの難点を有
し、そのため樹脂封止型のパッケージの適用が試みられ
ている。
性を得る手段としては、材料の面からは、リードフレー
ムや封止用樹脂の熱伝導性を高めることが検討され、構
造の面からは、リードフレームのデザイン変更や放熱体
の付加による技術が検討されている。特に、放熱体の付
加によるパッケージの放熱特性の改善は、消費電力が一
チップあたり2〜3W程度のLSIにおいては最も有効
な対策と考えられている。
307251号後方に開示された技術がある。この技術
は、図13に示すように、金属細線4を介して内部リー
ド2に電気的に接続された半導体チップ3と、半導体チ
ップ3、金属細線4および内部リード2を封止する樹脂
体1とを有し、前記樹脂体1の一部に開口部を設けてい
る。この開口部は半導体チップ3の一面に達し、その内
部に高熱伝導性接着剤5が封入され、さらにこの接着剤
5の表面に放熱フィン6が形成されている。
的熱伝導性の良好なシリコーン樹脂系接着剤5により取
り付けられていることから、ある程度の放熱特性は期待
されるものの、放熱フィン6が半導体チップ3と樹脂
(接着剤5)を介して接合されているため、熱伝導性の
点でやや劣ること、および金属製の放熱フィン6と樹脂
製の接着剤5とは異なる材質から形成されているため両
者の接着強度が劣ることなどの問題を有している。
ものであり、その目的は、高い放熱特性を有し高出力の
半導体装置にも適用することができる樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法を提供することにある。
半導体装置は、半導体素子と直接的にもしくは素子載置
部を介して間接的に接合され、かつ一部が樹脂封止部か
ら露出する露出面を有する内部放熱部と、この内部放熱
部の前記露出面に設けられるハンダ層と、このハンダ層
に接合される接合端面を有し、前記ハンダ層を介して前
記内部放熱部に取り付けられる外部放熱部と、を含み、
前記露出面及び前記接合端面は、前記ハンダ層が溶融状
態のときに表面張力によって前記露出面を前記接合端面
の方向に引き寄せたときに、前記露出面が前記接合端面
の中央に位置する形状をなす。
して熱を発生する半導体素子と内部放熱部とが直接的も
しくはリードフレームのアイランドなどの素子載置部を
介して間接的に接合され、かつ前記内部放熱部と外部放
熱部とがハンダ層を介して接合されているため、高い放
熱効果を得ることができる。つまり、前記内部放熱部お
よび外部放熱部をともに金属で形成し、これらをハンダ
によって接合することにより、放熱体全体を熱伝導性の
高いものとすることができる。
の露出面の形状と外部放熱部の接合端面の形状とを、前
記関係に設定することにより、両者の接合時の溶融ハン
ダの表面張力を利用して外部放熱部の位置決めを自動的
に行うことができ、位置精度の高い組立を容易かつ確実
に行うことができる。
と固体との間の付着力)によって露出面及び接合端面に
付着し、これらに付着した部分が表面張力(液体の凝集
力)によって引き寄せ合うことで、外部放熱部は溶融し
たハンダ層の表面上を移動する。そして、接合端面の外
端部のいずれの部分でもほぼ均一な表面張力が作用する
ところで外部放熱部は停止し、これによって外部放熱部
が自動的に位置決めされる。
導体素子と直接的にもしくは素子載置部を介して間接的
に接合され、かつ一部が樹脂封止部から露出する露出面
を有する内部放熱部と、この内部放熱部の前記露出面
に、ハンダ層を介して固着された外部放熱部と、を含
み、前記内部放熱部の露出面の面積をS1、前記外部放
熱部の前記ハンダ層との接合端面の面積をS2とする
と、S1≧S2が成立する。
の面積と外部放熱部の接合端面の面積とを前記関係に設
定することにより、両者の接合時の溶融ハンダの表面張
力を利用して外部放熱部の位置決めを自動的に行うこと
ができる。
記内部放熱部の露出面の面積S1は、前記外部放熱部の
前記ハンダ層との接合端面の面積S2に対し、前記ハン
ダ層が溶融状態のときに形成されるフィレット部の前記
露出面に面する面積にほぼ相当する面積S3だけ大きく
設定されていることが望ましい。
の表面張力によって形成される。詳しくは、フィレット
部は、溶融したハンダの露出面及び接合端面に対する付
着力と、溶融したハンダの凝集力と、によって形成され
る。
積S2との関係をこのように設定することにより、内部
放熱部と外部放熱部との接合時に、外部放熱部の位置あ
わせをより確実に再現性よく行うことができる。
記内部放熱部の露出面は、前記外部放熱部の前記ハンダ
層との接合端面の形状と相似形をなすことが望ましい。
熱部の接合端面の形状とを相似形とすることにより、前
記接合端面の端部に対して露出面の中央方向に作用する
溶融ハンダの表面張力が各端部においてつり合うと、接
合端面は露出面の中央に配置されるので、外部放熱部の
位置決めをより正確に行うことができる。
導体素子を設置するための素子設置面を有する内部放熱
部と、この内部放熱部の前記素子設置面に接合された半
導体素子と、この半導体素子に対して離間して配設され
た複数のリードと、これらのリードと前記半導体素子の
電極部とを電気的に接続するワイヤと、前記内部放熱部
と前記リードとの間に設けられた絶縁部と、少なくとも
前記内部放熱部の一部を露出面として形成された樹脂封
止部と、前記内部放熱部の前記露出面に設けられるハン
ダ層と、このハンダ層に接合される接合端面を有し、前
記ハンダ層を介して前記内部放熱部に取り付けられる外
部放熱部と、を含み、前記露出面及び前記接合端面は、
前記ハンダ層が溶融状態のときに表面張力によって前記
露出面を前記接合端面の方向に引き寄せたときに、前記
露出面が前記接合端面の中央に位置する形状をなす。
述した露出面及び接合端面の形状を規定したことによる
機能に加え、内部放熱部に半導体素子を直接接合してい
ることにより、放熱効果をより高めることができる。
導体素子を設置するための素子設置面を有する内部放熱
部と、この内部放熱部の前記素子設置面に接合された半
導体素子と、この半導体素子に対して離間して配設され
た複数のリードと、これらのリードと前記半導体素子の
電極部とを電気的に接続するワイヤと、前記内部放熱部
と前記リードとの間に設けられた絶縁部と、少なくと
も、前記内部放熱部の一部を露出する状態で形成された
樹脂封止部と、前記内部放熱部の露出面に、ハンダ層を
介して接合された外部放熱部と、を含み、前記内部放熱
部の露出面の面積をS1、前記外部放熱部の前記ハンダ
層との接合端面の面積をS2とすると、S1≧S2が成
立する。
述した面積S1およびS2を規定したことによる機能に
加え、内部放熱部に半導体素子を直接接合していること
により、放熱効果をより高めることができる。
工程(a)〜(c)を含む製造方法によって得られる。
のリードを含むリードフレームを固定し、かつ半導体素
子を前記内部放熱部に直接的もしくは素子載置部を介し
て間接的に接合し、さらに前記リードと前記半導体素子
の電極部とをワイヤによって電気的に接続する工程、
(b)樹脂のモールディングによって、少なくとも、前
記内部放熱部の一部を露出面とする状態で樹脂封止を行
って樹脂封止部を形成する工程、(c)前記内部放熱部
の露出面と外部放熱部の接合端面との間にハンダ層を設
け、このハンダ層を加熱して溶融状態とし、表面張力に
よって前記露出面を前記接合端面の方向に引き寄せたと
きに、前記露出面を前記接合端面の中央に位置させる工
程。
は、以下の工程(a)〜(c)を含む製造方法によって
得られる。
のリードを含むリードフレームを固定し、かつ半導体素
子を前記内部放熱部に直接的もしくは素子設置部を介し
て間接的に接合し、さらに前記リードと前記半導体素子
の電極部とをワイヤによって電気的に接続する工程、
(b)樹脂のモールディングによって、少なくとも、前
記内部放熱部の一部が露出する状態で樹脂封止部を形成
する工程、(c)前記内部放熱部の露出面の面積をS
1、この露出面に接合される外部放熱部の接合端面の面
積をS2とすると、S1≧S2が成立し、前記露出面お
よび前記接合端面の少なくとも一方にハンダ層が形成さ
れ、前記外部放熱部を所定温度に加熱してその接合端面
と前記露出面とを接合する工程。
に、内部放熱部と外部放熱部との接合時に、溶融したハ
ンダ層によって外部放熱部が自動的に前記露出面の所定
位置に位置決めできることから、内部放熱部と外部放熱
部との組立を容易かつ確実に行うことができる。
外部放熱部の接合端面の少なくとも一方に形成されれば
よいが、好ましくは両者の面に形成される。ハンダ層が
前記露出面および前記接合端面の両者に形成されると、
露出面および接合端面の両面へのハンダぬれがスムーズ
に行われ、良好な接合を行うことができる。また、前記
ハンダ層が前記露出面あるいは前記接合端面のいずれか
に形成される場合には、より大きな面積を有する内部放
熱部の露出面に形成されることが望ましい。このよう
に、ハンダ層がより表面積の大きい露出面に形成される
ことにより、溶融ハンダの表面張力による外部放熱部の
位置決めが容易にできる。そして、充分なハンダ量を確
保すれば、安定した接合が可能になる。
法においては、前記工程(c)において、前記外部放熱
部は好ましくは180〜250℃、より好ましくは18
0〜200℃にあらかじめ設定されていることが望まし
い。同様に、工程(c)においては、前記工程(b)で
形成された樹脂封止部が、好ましくは100〜200
℃、より好ましくは125〜180℃にあらかじめ設定
されていることが好ましい。このように、外部放熱部お
よび樹脂封止部を特定の温度に設定しておくことによ
り、ハンダ層の溶融を確実にするとともに、急激な熱変
化による熱応力によって半導体素子や樹脂封止部に与え
る悪影響を抑制することができる。
について図面を参照しながら説明する。
の縦断面を模式的に示す図であり、図2は、樹脂封止部
および外部放熱部を除いた状態で、図1のA−A線に沿
ってみた平面図である。
放熱部10と、この内部放熱部10に対して絶縁部40
を介して配置されたリード32と、ハンダ層70を介し
て前記内部放熱部10に接合された外部放熱部(以下、
「放熱フィン」という)60とを含む。
2と、この基部12より径の小さい突出部14とを有
し、この突出部14は基部12のほぼ中央に位置してい
る。そして、基部12の、前記突出部14と反対側の面
は素子設置面16を構成し、この素子設置面16のほぼ
中央に半導体素子30が銀ペーストなどの接着剤層36
を介して接合されている。また、前記突出部14の上面
は露出面14aを構成する。
料、例えば銅、アルミニウム、銀、金等の金属あるいは
これらの各金属を主成分とする合金から構成されること
が望ましく、経済性を考慮すれば特に銅が好ましい。
距離離間した状態で配置され、その中途部は前記絶縁部
40によって支持されている。そして、これらのリード
32と半導体素子30の電極パッド30a(図2参照)
は、金、銀等のワイヤ(ボンディングワイヤ)34によ
って電気的に接続されている。
部放熱部10の素子設置面16の周縁に沿って連続的に
形成されている。この絶縁部40は、十分な電気的絶縁
性を有すること、リード32を安定に支持できること、
リード32の先端(インナーリード)およびワイヤ34
と内部放熱部10とがそれぞれ接触しないスペースを確
保できる十分な厚みを有すること、ならびに熱加工時に
変形、変質が少ないこと、などが要求される。
性を有する樹脂、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂などを用いることができる。また、絶
縁部40は、前記樹脂からなるテープ状部材から構成さ
れることが好ましい。
露出面14aを露出した状態で形成される。
先端側に多数の突起62が形成され、基端側には接合用
突部66が形成されている。このような接合用突部66
を形成することにより、放熱フィン60の接合領域を特
定しやすい。そして、接合用突部66の端面(以下、
「接合端面」という)66aと内部放熱部10の露出面
14aとがハンダ層70によって接合されている。内部
放熱部10と放熱フィン60との接合領域を図3に拡大
して示す。放熱フィン60は、熱電導率が高い材料、例
えば銅、アルミニウム、金、銀、鉄等の金属あるいはこ
れらの各金属を主成分とする合金から構成されることが
望ましく、軽量性ならびに経済性を考慮すれば特にアル
ミニウムが好ましい。
うに、内部放熱部10の露出面14aの面積をS1と
し、放熱フィン60の接合用突部66の接合端面66a
の面積をS2とすると、S1>S2の関係が成立する。
そして、内部放熱部10の露出面14aと放熱フィン6
0の接合端面66aとは相似形をなしている。本実施の
形態では、各面14a,66aは、正方形であるが、こ
の形状は特に限定されず、例えば円形、長方形など他の
形状であってもよい。
6aは内部放熱部10の露出面14aより小さい面積を
有することにより、ハンダ層70は、図3に示すよう
に、接合端面66aの外周から露出面14aの外周にか
けて徐々に厚みが薄くなる、いわゆるフィレット部72
を形成する。すなわち、露出面14aの径をL1、接合
端面66aの径をL2、フィレット部72の幅をL3と
すると、以下の式が成り立つ。
部10の露出面14aの面積をS1、外部放熱部の接合
端面66aの面積をS2とすると、図4に示すように、
面積S1は、面積S2に対し、ハンダ層70におけるフ
ィレット部72の前記露出面14aに面する部分の面積
S3だけ大きく設定されていることになる。
ン60の接合端面66aとが上述したような形状および
面積(大きさ)に規定されることにより、内部放熱部1
0と放熱フィン60とを接合する際に、特に位置決め操
作をすることなく、放熱フィン60を所定の位置で、つ
まり図4に示すように、接合端面66aが露出面14a
のほぼ中央に位置する状態で、両者の接合が可能とな
る。この点について、図5を参照しながら、さらに詳し
く説明する。
ン60が所定位置よりずれた状態(この場合には所定位
置より右側にずれた状態)を示し、鎖線は所定の位置に
放熱フィン60が接合された状態を示す。まず、溶融し
たハンダ層74上に放熱フィン60の接合用突部66を
載置すると、接合端面66aは溶融ハンダ層74の表面
張力(詳しくは液体と固体との間の付着力)によってこ
の層74に密着し、さらに放熱フィン60には図5にお
いて矢印Bで示すように表面張力(詳しくは液体の凝集
力)により溶融ハンダ層74の中央に向かう張力が作用
する。この張力によって放熱フィン60は溶融ハンダ層
74の表面上を移動し、そして、接合端面66aの外端
部のいずれの部分でもほぼ均一な表面張力が作用する点
で放熱フィン60は停止する。
に、内部放熱部10の露出面14aと放熱フィン60の
接合端面66aとがそれぞれ対称的な形状を有し、かつ
相互に相似形をなしていることから、接合端面66aの
周囲のいずれの部分でもほぼ均一な表面張力が作用する
点とは、露出面14aの中心と接合端面66aの中心と
が重なる点を意味し、つまり接合端面66aは露出面1
4aに対して同心状に配置することとなる。したがっ
て、本実施の形態においては、溶融ハンダ層74の表面
張力を利用することにより、放熱フィン60の接合端面
66aを内部放熱部10の露出面14aのほぼ中央に自
動的に位置させた状態で接合することができる。
は、主として熱を発生する半導体素子30を内部放熱部
10に接合し、さらに内部放熱部10の露出面14aに
放熱フィン60を設けることにより、きわめて高い放熱
効果を得ることができる。つまり、金属製の内部放熱部
10と金属製の放熱フィン60とをハンダによって接合
することにより、放熱体全体を高い熱伝導率にすること
ができ、効率のよい放熱を行うことができる。また、金
属製の内部放熱部10と金属製の放熱フィン60との接
合をハンダ層70によって行っているため、両者の接合
強度を十分に大きなものとすることができ、高い機械的
強度を得ることができる。
凸状とすることにより、内部放熱部10の表面積を増大
させることができ、放熱効果を高めることができる。ま
た、露出面14aから半導体素子30が搭載された素子
設置面16にいたる距離を大きくすることができ、外部
からのガスあるいは水分等の侵入による素子特性の劣化
を抑制することができる。
部10の露出面14aと放熱フィン60の接合端面66
aとを、前述した特定の形状および大きさに設定し、か
つ両者をハンダによって接合することにより、両者の接
合時に溶融ハンダの表面張力を利用して放熱フィン60
の位置決めを自動的に行うことができ、組立てを容易か
つ確実に行うことができる。
の製造プロセスを概略的に示す断面図である。
(a)に示すように、内部放熱部10の素子設置面16
上の所定位置に銀ペーストなどの接着剤層36を介して
半導体素子30を接合する。そして、内部放熱部10の
素子設置面16上に、素子設置面16の周縁に沿って絶
縁部40を配置し(図2参照)、さらに絶縁部40上
に、複数のリード32を含むリードフレーム38を配置
し、3者を例えばエポキシ樹脂等の接着剤を用いて熱圧
着し、内部放熱部10、絶縁部40およびリードフレー
ム38を相互に固定する。
絶縁部40およびリードフレーム38の接合方法および
接合順序は特に制限されるものではない。
aと対応するリード32とを所定の配線パターンでワイ
ヤ34によって電気的に接続する。
通常のモールディング手段を用いて樹脂封止部50が形
成され、パッケージPが完成する。このとき、内部放熱
部10の露出面14aは樹脂封止部50から露出した状
態で形成される。つまり、図示しない成形金型の下の壁
面と内部放熱部10の露出面14aとが接する状態で、
図6(a)で形成された被封入体をキャビティ内にセッ
トし、内部放熱部10の露出面14aが樹脂封止部50
に覆われないように樹脂封止を行って、露出面14aを
露出した状態にする。
は、露出面14aにニッケルやハンダの膜を形成してお
いてもよい。こうすることで、次の工程に移るまでにし
ばらく期間が経過しても、露出面14aに緑青が生成す
るのを防止できる。
表面全域にわたって第1のハンダ層70aを形成する。
第1のハンダ層70aの膜厚は、必要とされる溶融ハン
ダの量や放熱フィン60の接合端面66aの大きさなど
を考慮して設定される。
た場合には、ニッケルにハンダが付きにくいことから、
電気メッキの方法によりハンダメッキを施しておくこと
が好ましい。また、ハンダメッキは、リード32にハン
ダメッキを施すのと同時に、電気メッキの方法により形
成することが好ましい。
放熱フィン60を内部放熱部10に接合する。この工程
においては、まず、放熱フィン60の接合端面66aの
表面に第2のハンダ層70bが形成される。
って形成されている場合には、アルミニウムとハンダと
は接着しないため、接合端面66aに、電気メッキの方
法によって予めハンダメッキをしてから、第2のハンダ
層70bを形成することが好ましい。あるいは、接合端
面66aに、ハンダと合金を形成することが可能な金
属、例えばスズ、銀、金、パラジウムなどからなる金属
層をあらかじめ形成するか、これらの金属層を形成する
代わりに接合端面66aをイオンプラズマ洗浄によって
あらかじめ洗浄しておいてもよい。
熱手段によって好ましくは180〜250℃、より好ま
しくは180〜200℃の温度にあらかじめ加熱してお
く。この加熱手段は、放熱フィン60を着脱自在に保持
して所定位置から接合位置まで移動させることが可能な
支持手段(ハンドラー)を兼ねていることが望ましい。
前記温度範囲のうち下限の180℃は、ハンダの溶融温
度にほぼ対応している。放熱フィン60、特に接合用突
部66の温度が180℃より低いと、接合時にハンダを
十分に溶解することができない。また、前記温度範囲の
上限値である250℃は、図6(b)に示すプロセスで
得られたパッケージPの熱によるストレスを考慮したも
のである。放熱フィン60が250℃より高いと、放熱
フィン60を内部放熱部10に接触させた時に、半導体
素子30や樹脂封止部50に過大な熱応力を与えること
なるため望ましくない。
0〜200℃、より好ましくは125〜180℃の温度
に予熱されている。このように樹脂封止部50を予熱す
ることにより、高温な放熱フィン60に接触したときの
パッケージPの熱応力を抑制することができる。予熱温
度が100℃よりも低いと、高温な放熱フィン60に接
触したときのパッケージPの温度変化が急激となって熱
応力の抑制が不十分となる。また、予熱温度が200℃
を超えると半導体素子30などに悪影響を与える。
の表面張力を利用して放熱フィン60を位置合わせする
が、表面張力は液体の温度にも依存するので、この点か
らも上記温度とすることが好ましい。
び樹脂封止部50の予熱が完了した状態で、放熱フィン
60を内部放熱部10の露出面14aに向けて降下さ
せ、第1のハンダ層70aと第2のハンダ層70bとを
接触させる。すると、第1のハンダ層70aは、放熱フ
ィン60の熱によってほぼ瞬時にないしは数秒間で溶解
し、溶融ハンダ層74が形成される。そして、溶融ハン
ダ層74の表面に載置された放熱フィン60は、前述し
た作用(図5参照)によってその接合用突部66が内部
放熱部10の露出面14aのほぼ中央に位置し、さらに
冷却されることによりハンダ層70が形成される。
てフレームおよびダムバーなどが切断され、さらに必要
に応じて外部に突出するアウターリードの曲げ形成やハ
ンダメッキなどが行われる。
装置100が形成される。
述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、種
々の変更が可能である。
放熱部10の露出面14aと放熱フィン60の接合用突
部66の接合端面66aとの形状を相似形としたが、各
面の形状はこれに限定されず、種々の形態を取り得る。
ただし、両者の面に作用する溶融ハンダの表面張力を均
一にすることを考慮すれば、両者の面はいずれも対称的
な形状であることが好ましい。例えば、図7に示すよう
に、内部放熱部10の露出面14aを矩形とし、放熱フ
ィン60の接合端面66bを円形とし、両者の形状を異
なったものとすることも可能である。
層70は、内部放熱部10の露出面14a上に形成され
た第1のハンダ層70aと放熱フィン60の接合端面6
6aに形成された第2のハンダ層70bとによって構成
されたが、いずれか一方の面にハンダ層70を形成して
もよい。すなわち、ハンダ層70を、露出面14aに形
成してもよく、接合端面66aに形成してもよい。ただ
し、面積の大きい内部放熱部10の露出面14aに形成
されることが好ましい。
面積S1と放熱フィン60の接合端面66aの面積S2
とは、放熱フィンの位置決め精度の観点からはS1>S
2であることが好ましいが、S1=S2の場合であって
も本発明の目的をほぼ達成することができる。
状、大きさ等も前記実施の形態に限定されない。例え
ば、放熱フィンは、前記実施の形態においては接合用突
部66を有していたが、この接合用突部66は必ずしも
必要ではなく、図8に示すように、平坦な面に接合領域
を構成するハンダ層70cを形成してもよい。また放熱
フィンを形成する突起の形状等も限定されるものではな
い。
素子と内部放熱部とが直接接合されていたが両者の接合
関係はこれに限定されず、例えばリードフレームのアイ
ランドの一面に半導体素子を接合し他面に内部放熱部を
接合した構造としてもよい。
体装置200を示す図であり、図10は、図9に示す半
導体装置200から外部放熱部260を取り除いた状態
を示す図である。
の円板部262が、所定間隔をあけて、中央部で小径の
柱部(図示せず)を介して連結された形状をなしてい
る。このような形状とすることで、各円板部262の表
裏面の大部分が露出し、外部放熱部260全体の表面積
が大きくなって、空冷されやすくなっている。外部放熱
部260の材質については、図1の外部放熱部60と同
様である。
放熱しやすいことから、表面を黒化処理すると放熱効果
が高まる。この黒化処理は、外部放熱部260がアルミ
ニウムで構成されているときには、アルミニウムを湿式
で酸化処理することで行われる。
ことから、外部放熱部260における内部放熱部210
の露出面214aとの接合端面に、電気メッキの方法に
よりハンダメッキを施しておくことが好ましく、酸化処
理とハンダメッキとの、いずれを先に行うかで2種類の
工程が考えられる。
部260におけるハンダメッキをしない部分をレジスト
で覆ってハンダメッキを行い、レジストを除去し、その
後、ハンダメッキされた部分をレジストで覆って酸化処
理を行って黒化処理する。この方法ではレジストで外部
放熱部260を覆う工程が2回必要である。
は、まず、外部放熱部260全体の酸化処理を行って黒
化処理し、次に、ハンダメッキしない部分をレジストで
覆って黒化処理を除去する。こうして、ハンダメッキす
る部分の黒化処理が除去されるので、この部分にハンダ
メッキを行う。この方法によれば、レジストで覆う工程
が1回で済む。
10の露出面214aの形状は、図1に示す半導体装置
100の内部放熱部10の露出面14aと異なる。この
露出面214aは、正方形の全ての角部が丸く窪むよう
に切り欠かれた形状になっている。このような形状とし
たのは次の理由からである。
は、上記半導体装置100に関して上述したのと同様
に、内部放熱部210の露出面214aが樹脂で覆われ
ないように、この露出面214aを成形金型のキャビテ
ィ面に接触させて内部放熱部210を配置する必要があ
る。また、成形金型を用いた樹脂成形の工程において
は、エジェクタピンを成形金型から突き出して成形品を
押し出すことで、成形金型から成形品を離型するように
なっている。このエジェクタピンは、成形品に凸部が形
成されないように、樹脂の射出中においても成形金型の
キャビティ面からわずかに突出した状態となっている。
したがって、エジェクタピンが露出面214aに接触す
ると、成形金型のキャビティ面と露出面214aとの間
に隙間が形成されて、樹脂が入り込んでしまう。そこ
で、エジェクタピンの端面(図10において破線で示
す)を避けるために、露出面214aを上記形状とし
た。
角部全てを切り欠いた形状となっている。したがって、
二本のエジェクタピンによって成形品を離型する場合で
も、半導体装置200の方向を決める必要がない。つま
り、図10に示す状態から90度回転した状態でも、露
出面214aはエジェクタピンを避けられるようになっ
ている。なお、これ以外の構成については、特開平5−
55410号公報に開示されている。
板部262を有するものであるが、円板部を3枚にして
もよい。
62を有する外部放熱部360を、樹脂封止された内部
放熱部310の露出面314aに取り付ける工程を示す
概略図である。
の露出面314aには、ハンダペーストによるハンダ層
370が形成されている。詳しくは、露出面314aに
ハンダメッキが施され、このハンダメッキ上にハンダ層
370が形成されている。
ンダ層370上に載置された状態が示されている。詳し
くは、外部放熱部360の接合端面366aにハンダメ
ッキが施され、このハンダメッキがハンダ層370上に
接触した状態となっている。
370を介して露出面314a上に載置して、次に、図
11(c)に示すように、ヒータ380によって樹脂封
止部350を加熱する。この加熱は、ハンダ層370を
溶かすための加熱によって樹脂封止部350が急激に加
熱されて破損されるのを防ぐために行われ、125℃程
度で行われることが好ましい。
熱部360を、他のヒータ390によって180〜20
0℃程度に加熱して、ハンダ層370を溶かす。このと
き、ヒータ380による樹脂封止部350の加熱も継続
させることが好ましい。
でに説明したように、溶融したハンダの表面張力によっ
て外部放熱部360の接合端面366aが、露出面31
4aの中央に引き寄せられて、図11(e)に示す状態
となる。
製造される。そして、この半導体装置300は、リフロ
ーの工程によってリードに供給されたハンダが溶融され
て、基板に実装される。
体装置300の温度を測定した結果を示すグラフであ
る。このグラフにおいて、リードの最高温度は245℃
を指している。外部放熱部を設けない半導体装置であれ
ば、樹脂封止部の表面もこの程度の温度となる。一方、
本実施例における半導体装置300によれば、樹脂封止
部350の最高温度は170℃となっている。この温度
は、樹脂封止部350が外部放熱部360によって冷却
されて得られた温度である。ここで、外部放熱部360
と内部放熱部310とを接着しているハンダ層370
は、180℃程度にならないと溶融しない。したがっ
て、樹脂封止部350の最高温度は170℃であるた
め、ハンダ層370は溶融せず、内部放熱部310から
外部放熱部360が外れないようになっている。
部360の接着性においても優れた効果を達成できる。
に示す縦断面図である。
いた状態で、A−A線に沿ってみた半導体装置の平面図
である。
ィンとの接合部分を拡大して示す縦断面図である。
と放熱フィンの接合端面の関係を示す図である。
移動する状態を示す模式図である。
造プロセスを模式的に示した縦断面図である。
形状の変形例を示した図である。
る。
除いた状態を示す図である。
止された内部放熱部の露出面に取り付ける工程を示す概
略図である。
測定した結果を示す図である。
縦断面図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体素子と直接的にもしくは素子載置
部を介して間接的に接合され、かつ一部が樹脂封止部か
ら露出する露出面を有する内部放熱部と、 この内部放熱部の前記露出面に設けられるハンダ層と、 このハンダ層に接合される接合端面を有し、前記ハンダ
層を介して前記内部放熱部に取り付けられる外部放熱部
と、 を含み、 前記露出面及び前記接合端面は、前記ハンダ層が溶融状
態のときに表面張力によって前記露出面を前記接合端面
の方向に引き寄せたときに、前記露出面が前記接合端面
の中央に位置する形状をなす樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】 半導体素子と直接的にもしくは素子載置
部を介して間接的に接合され、かつ一部が樹脂封止部か
ら露出する露出面を有する内部放熱部と、 この内部放熱部の前記露出面に、ハンダ層を介して固着
された外部放熱部と、 を含み、 前記内部放熱部の露出面の面積をS1、前記外部放熱部
の前記ハンダ層との接合端面の面積をS2とすると、S
1≧S2が成立する、樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 請求項2において、 前記内部放熱部の露出面の面積S1は、前記外部放熱部
の前記ハンダ層との接合端面の面積S2に対し、前記ハ
ンダ層が溶融状態のときに形成されるフィレット部の前
記露出面に面する面積にほぼ相当する面積S3だけ大き
く設定されている樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかにおい
て、 前記内部放熱部の露出面は、前記外部放熱部の前記接合
端面の形状と相似形をなす樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項5】 半導体素子を設置するための素子設置面
を有する内部放熱部と、 この内部放熱部の前記素子設置面に接合された半導体素
子と、 この半導体素子に対して離間して配設された複数のリー
ドと、 これらのリードと前記半導体素子の電極部とを電気的に
接続するワイヤと、 前記内部放熱部と前記リードとの間に設けられた絶縁部
と、 少なくとも前記内部放熱部の一部を露出面として形成さ
れた樹脂封止部と、 前記内部放熱部の前記露出面に設けられるハンダ層と、 このハンダ層に接合される接合端面を有し、前記ハンダ
層を介して前記内部放熱部に取り付けられる外部放熱部
と、を含み、 前記露出面及び前記接合端面は、前記ハンダ層が溶融状
態のときに表面張力によって前記露出面を前記接合端面
の方向に引き寄せたときに、前記露出面が前記接合端面
の中央に位置する形状をなす樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項6】 半導体素子を設置するための素子設置面
を有する内部放熱部と、 この内部放熱部の前記素子設置面に接合された半導体素
子と、 この半導体素子に対して離間して配設された複数のリー
ドと、 これらのリードと前記半導体素子の電極部とを電気的に
接続するワイヤと、 前記内部放熱部と前記リードとの間に設けられた絶縁部
と、 少なくとも、前記内部放熱部の一部を露出する状態で形
成された樹脂封止部と、 前記内部放熱部の露出面に、ハンダ層を介して接合され
た外部放熱部と、を含み、 前記内部放熱部の露出面の面積をS1、前記外部放熱部
の前記ハンダ層との接合端面の面積をS2とすると、S
1≧S2が成立する、樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項7】 以下の工程(a)〜(c)を含む樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 (a)内部放熱部に、絶縁部を介して複数のリードを含
むリードフレームを固定し、かつ半導体素子を前記内部
放熱部に直接的もしくは素子載置部を介して間接的に接
合し、さらに前記リードと前記半導体素子の電極部とを
ワイヤによって電気的に接続する工程、 (b)樹脂のモールディングによって、少なくとも、前
記内部放熱部の一部を露出面とする状態で樹脂封止を行
って樹脂封止部を形成する工程、 (c)前記内部放熱部の露出面と外部放熱部の接合端面
との間にハンダ層を設け、このハンダ層を加熱して溶融
状態とし、表面張力によって前記露出面を前記接合端面
の方向に引き寄せたときに、前記露出面を前記接合端面
の中央に位置させる工程。 - 【請求項8】 以下の工程(a)〜(c)を含む樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 (a)内部放熱部に、絶縁部を介して複数のリードを含
むリードフレームを固定し、かつ半導体素子を前記内部
放熱部に直接的もしくは素子載置部を介して間接的に接
合し、さらに前記リードと前記半導体素子の電極部とを
ワイヤによって電気的に接続する工程、 (b)樹脂のモールディングによって、少なくとも、前
記内部放熱部の一部が露出する状態で樹脂封止を行って
樹脂封止部を形成する工程、 (c)前記内部放熱部の露出面の面積をS1、この露出
面に接合される外部放熱部の接合端面の面積をS2とす
ると、S1≧S2が成立し、前記露出面と前記接合端面
との間にハンダ層を設け、前記ハンダ層を加熱して溶融
させて前記接合端面と前記露出面とを接合する工程。 - 【請求項9】 請求項7又は請求項8において、 前記工程(c)において、前記ハンダ層は、前記露出面
および前記接合端面の両者に予め設けられている樹脂封
止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】 請求項7又は請求項8において、 前記工程(c)において、前記ハンダ層は、前記露出面
に予め設けられている樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項11】 請求項7から請求項10のいずれかに
おいて、 前記工程(c)において、前記外部放熱部を180〜2
50℃に加熱して前記ハンダ層を溶融する樹脂封止半導
体装置の製造方法。 - 【請求項12】 請求項7から請求項11のいずれかに
おいて、 前記工程(c)において、前記工程(b)で形成された
樹脂封止部は、あらかじめ100〜200℃の温度範囲
に加熱されている樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24541795A JP3367299B2 (ja) | 1994-11-11 | 1995-08-30 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
TW084110036A TW360958B (en) | 1994-11-11 | 1995-09-26 | Resin sealing type semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR1019950039514A KR100414254B1 (ko) | 1994-11-11 | 1995-10-31 | 수지봉지형반도체장치및그제조방법 |
EP95117538A EP0712158B1 (en) | 1994-11-11 | 1995-11-07 | Resin sealing type semiconductor device with cooling member and method of making the same |
DE69525420T DE69525420T2 (de) | 1994-11-11 | 1995-11-07 | In Harz eingegossenes Halbleiterbauelement mit Kühlteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
SG1995001803A SG45124A1 (en) | 1994-11-11 | 1995-11-10 | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
US08/555,016 US5719442A (en) | 1994-11-11 | 1995-11-13 | Resin sealing type semiconductor device |
HK98115062A HK1013733A1 (en) | 1994-11-11 | 1998-12-23 | Resin sealing type semiconductor device with cooling member and method of making the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6-303238 | 1994-11-11 | ||
JP30323894 | 1994-11-11 | ||
JP24541795A JP3367299B2 (ja) | 1994-11-11 | 1995-08-30 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08191114A true JPH08191114A (ja) | 1996-07-23 |
JP3367299B2 JP3367299B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=26537218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24541795A Expired - Fee Related JP3367299B2 (ja) | 1994-11-11 | 1995-08-30 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5719442A (ja) |
EP (1) | EP0712158B1 (ja) |
JP (1) | JP3367299B2 (ja) |
KR (1) | KR100414254B1 (ja) |
DE (1) | DE69525420T2 (ja) |
HK (1) | HK1013733A1 (ja) |
SG (1) | SG45124A1 (ja) |
TW (1) | TW360958B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6090689A (en) * | 1998-03-04 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Method of forming buried oxide layers in silicon |
JP2011035267A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
JP2012199596A (ja) * | 2012-07-25 | 2012-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
JP2013183038A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2014003258A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016096267A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | 株式会社デンソー | 電子機器 |
WO2024004024A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール及び電力変換装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6001672A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink |
US6159764A (en) * | 1997-07-02 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages |
US6190945B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Integrated heat sink |
SE512710C2 (sv) * | 1998-07-08 | 2000-05-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Kapsel för högeffekttransistorchip för höga frekvenser innefattande en elektriskt och termiskt ledande fläns |
US6146921A (en) * | 1998-09-16 | 2000-11-14 | Intel Corporation | Cavity mold cap BGA package with post mold thermally conductive epoxy attach heat sink |
US7220615B2 (en) * | 2001-06-11 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Alternative method used to package multimedia card by transfer molding |
US6444501B1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module |
US8193633B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-06-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat conductive sheet and method for producing same, and powder module |
US9054077B2 (en) * | 2010-03-10 | 2015-06-09 | Altera Corporation | Package having spaced apart heat sink |
US8766102B2 (en) * | 2012-10-29 | 2014-07-01 | Kinsus Interconnect Technology Corp. | Chip support board structure |
US8921989B2 (en) * | 2013-03-27 | 2014-12-30 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North, America, Inc. | Power electronics modules with solder layers having reduced thermal stress |
CN105047364B (zh) * | 2015-05-09 | 2016-11-30 | 陈学福 | 可拆卸连接有外翅片固接有内翅片的变压器散热器 |
CN105047366B (zh) * | 2015-05-09 | 2017-03-08 | 陈学福 | 固接有外翅片可拆卸连接有内翅片的变压器散热器 |
CN105047363B (zh) * | 2015-05-09 | 2017-03-08 | 陈学福 | 固接有内翅片的变压器散热器 |
DE102017120753B4 (de) | 2017-09-08 | 2021-04-29 | Infineon Technologies Austria Ag | SMD-Package mit Oberseitenkühlung |
DE102017120747B4 (de) | 2017-09-08 | 2020-07-30 | Infineon Technologies Austria Ag | SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung und Verfahren zu seiner Bereitstellung |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL280148A (ja) * | 1961-06-26 | |||
US3290564A (en) * | 1963-02-26 | 1966-12-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device |
US3965277A (en) * | 1972-05-09 | 1976-06-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Photoformed plated interconnection of embedded integrated circuit chips |
JPS52124865A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Sharp Corp | Semiconductor device |
JPS54124678A (en) * | 1978-03-20 | 1979-09-27 | Nec Corp | Lead frame |
JPS56122134A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Toshiba Corp | Resin-sealed type semiconductor device |
JPS5812341A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS59110127A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-26 | Matsushita Electric Works Ltd | ヒ−トシンク |
JPS59207645A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム |
DE3578830D1 (de) * | 1984-06-14 | 1990-08-30 | Advanced Micro Devices Inc | Mehrschicht-waermesenkpackung fuer integrierte schaltung. |
JPH0770778B2 (ja) * | 1984-10-09 | 1995-07-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JPS61166051A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPS6297358A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体集積回路装置 |
US4684975A (en) * | 1985-12-16 | 1987-08-04 | National Semiconductor Corporation | Molded semiconductor package having improved heat dissipation |
KR880002260A (ko) * | 1986-07-09 | 1988-04-30 | 로버트 에스. 헐스 | 열적으로 향상된 대규모 집적회로 패키지 및 집적회로 다이의 장착방법 |
JPS63179557A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-23 | Nec Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
JPS63240053A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US4942497A (en) * | 1987-07-24 | 1990-07-17 | Nec Corporation | Cooling structure for heat generating electronic components mounted on a substrate |
JPH0666351B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
US5050040A (en) * | 1988-10-21 | 1991-09-17 | Texas Instruments Incorporated | Composite material, a heat-dissipating member using the material in a circuit system, the circuit system |
JP2618475B2 (ja) * | 1989-03-27 | 1997-06-11 | 古河電気工業株式会社 | Ledアレイチップとヒートシンク基板との接合方法 |
US5157478A (en) * | 1989-04-19 | 1992-10-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape automated bonding packaged semiconductor device incorporating a heat sink |
JP2667510B2 (ja) * | 1989-05-20 | 1997-10-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびこれを用いた電子装置 |
JPH02307251A (ja) | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0382060A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5208188A (en) * | 1989-10-02 | 1993-05-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for making a multilayer lead frame assembly for an integrated circuit structure and multilayer integrated circuit die package formed by such process |
JPH0719876B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1995-03-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2517691B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2850462B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1999-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0410558A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Hitachi Ltd | 放熱体付き半導体装置 |
JPH0411758A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH0427145A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US5227662A (en) * | 1990-05-24 | 1993-07-13 | Nippon Steel Corporation | Composite lead frame and semiconductor device using the same |
DE4017697C2 (de) * | 1990-06-01 | 2003-12-11 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung |
US5202288A (en) * | 1990-06-01 | 1993-04-13 | Robert Bosch Gmbh | Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink |
JP2983620B2 (ja) * | 1990-07-20 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3047986B2 (ja) * | 1990-07-25 | 2000-06-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP2725448B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
EP0500965B1 (en) * | 1990-09-13 | 1996-01-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having heat radiating fin assembly and case for containing the same |
JP2901091B2 (ja) * | 1990-09-27 | 1999-06-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5105259A (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-14 | Motorola, Inc. | Thermally enhanced semiconductor device utilizing a vacuum to ultimately enhance thermal dissipation |
JPH04158556A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04162556A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2841854B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JPH04316357A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5172213A (en) * | 1991-05-23 | 1992-12-15 | At&T Bell Laboratories | Molded circuit package having heat dissipating post |
US5200809A (en) * | 1991-09-27 | 1993-04-06 | Vlsi Technology, Inc. | Exposed die-attach heatsink package |
JP2602380B2 (ja) * | 1991-10-23 | 1997-04-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH05211262A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-08-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5328870A (en) * | 1992-01-17 | 1994-07-12 | Amkor Electronics, Inc. | Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices |
US5262927A (en) * | 1992-02-07 | 1993-11-16 | Lsi Logic Corporation | Partially-molded, PCB chip carrier package |
JPH06120374A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-04-28 | Amkor Electron Inc | 半導体パッケージ構造、半導体パッケージ方法及び半導体パッケージ用放熱板 |
JP3572628B2 (ja) * | 1992-06-03 | 2004-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3322429B2 (ja) * | 1992-06-04 | 2002-09-09 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US5367196A (en) * | 1992-09-17 | 1994-11-22 | Olin Corporation | Molded plastic semiconductor package including an aluminum alloy heat spreader |
JPH0697326A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Apic Yamada Kk | 半導体装置およびその放熱部材 |
JPH06209054A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP24541795A patent/JP3367299B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-26 TW TW084110036A patent/TW360958B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-10-31 KR KR1019950039514A patent/KR100414254B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-07 DE DE69525420T patent/DE69525420T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-07 EP EP95117538A patent/EP0712158B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-10 SG SG1995001803A patent/SG45124A1/en unknown
- 1995-11-13 US US08/555,016 patent/US5719442A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-12-23 HK HK98115062A patent/HK1013733A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6222253B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Buried oxide layer in silicon |
US6090689A (en) * | 1998-03-04 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Method of forming buried oxide layers in silicon |
JP2011035267A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
JP2013183038A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2014003258A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012199596A (ja) * | 2012-07-25 | 2012-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
JP2016096267A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | 株式会社デンソー | 電子機器 |
WO2024004024A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール及び電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5719442A (en) | 1998-02-17 |
KR100414254B1 (ko) | 2004-03-30 |
SG45124A1 (en) | 1998-01-16 |
EP0712158A3 (en) | 1997-03-26 |
TW360958B (en) | 1999-06-11 |
DE69525420D1 (de) | 2002-03-21 |
EP0712158B1 (en) | 2002-02-13 |
EP0712158A2 (en) | 1996-05-15 |
JP3367299B2 (ja) | 2003-01-14 |
DE69525420T2 (de) | 2002-10-17 |
KR960019676A (ko) | 1996-06-17 |
HK1013733A1 (en) | 1999-09-03 |
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JP2929764B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11163229A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |