JPH05211262A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05211262A JPH05211262A JP4001175A JP117592A JPH05211262A JP H05211262 A JPH05211262 A JP H05211262A JP 4001175 A JP4001175 A JP 4001175A JP 117592 A JP117592 A JP 117592A JP H05211262 A JPH05211262 A JP H05211262A
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- pellet
- heat spreader
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- resin thickness
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/321—Disposition
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱抵抗の低減と同時にパッケージの反り,クラ
ックを防止し、信頼性の高い製品を製造する。 【構成】ペレット搭載台の下面にヒートスプレッダーを
取り付ける。その際、ヒートスプレッダーが変形しても
インナーリードに接触しない様にインナーリード下面に
電気絶縁テープが貼付してある。あるいは、ヒートスプ
レッダー自体に電気絶縁膜を施し、ペレット搭載台の下
面に固着する。又、樹脂の上下厚を均一に、ペレット上
の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚を均一化す
る。
ックを防止し、信頼性の高い製品を製造する。 【構成】ペレット搭載台の下面にヒートスプレッダーを
取り付ける。その際、ヒートスプレッダーが変形しても
インナーリードに接触しない様にインナーリード下面に
電気絶縁テープが貼付してある。あるいは、ヒートスプ
レッダー自体に電気絶縁膜を施し、ペレット搭載台の下
面に固着する。又、樹脂の上下厚を均一に、ペレット上
の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚を均一化す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図3に
示すように、リードフレームのペレット搭載台7にペー
スト(接着剤)を塗布し、半導体ペレット(以下ペレッ
トと略記する)3をペレット搭載台7に固着させた後、
複数のインナーリード6とペレット3の電極パッドを金
属細線2で結線する。その後、エポキシ系樹脂1で一定
領域を封止し、アウターリードを連結するタイバーを切
り落とし、アウターリード全体の表面処理を実施する。
その後アウターリードをある一定の形状に成形し、電気
的選別後、製品として出荷される。
示すように、リードフレームのペレット搭載台7にペー
スト(接着剤)を塗布し、半導体ペレット(以下ペレッ
トと略記する)3をペレット搭載台7に固着させた後、
複数のインナーリード6とペレット3の電極パッドを金
属細線2で結線する。その後、エポキシ系樹脂1で一定
領域を封止し、アウターリードを連結するタイバーを切
り落とし、アウターリード全体の表面処理を実施する。
その後アウターリードをある一定の形状に成形し、電気
的選別後、製品として出荷される。
【0003】図4の例では、ペレット搭載台と同じ役割
をするヒートスプレッダー5が複数インナーリード6の
下に両面接着材を有するポリイミドテープ4を介して固
着され、前述した同じ工程を経て製品出荷に至る。
をするヒートスプレッダー5が複数インナーリード6の
下に両面接着材を有するポリイミドテープ4を介して固
着され、前述した同じ工程を経て製品出荷に至る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の図3に示す
樹脂封止型半導体装置では、ある一定のペレットサイズ
に対するペレット搭載台部のサイズは一律に決定される
のでおのずと熱抵抗に限界が生じ、消費電力の低い製品
のみの提供となる。又、図4に示す樹脂封止型半導体装
置では、両面接着材付ポリイミドテープのコストが高く
リードフレーム全体のコストが高く製品として原価率が
悪くなるというような問題点があった。
樹脂封止型半導体装置では、ある一定のペレットサイズ
に対するペレット搭載台部のサイズは一律に決定される
のでおのずと熱抵抗に限界が生じ、消費電力の低い製品
のみの提供となる。又、図4に示す樹脂封止型半導体装
置では、両面接着材付ポリイミドテープのコストが高く
リードフレーム全体のコストが高く製品として原価率が
悪くなるというような問題点があった。
【0005】又、ヒートスプレッダー付構造にするとペ
レット上の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚が均
等でなくなり樹脂クラックが発生し易いというような問
題点があった。
レット上の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚が均
等でなくなり樹脂クラックが発生し易いというような問
題点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、図3に示す様な通常形態のリードフレームの
ペレット搭載台部の下面にヒートスプレッダーを接着剤
にて固着し、ヒートスプレッダーが変形してインナーリ
ードに接触しない様にインナーリード下に電気的に絶縁
されているポリイミドテープを貼り付けた構造を備えて
いる。
体装置は、図3に示す様な通常形態のリードフレームの
ペレット搭載台部の下面にヒートスプレッダーを接着剤
にて固着し、ヒートスプレッダーが変形してインナーリ
ードに接触しない様にインナーリード下に電気的に絶縁
されているポリイミドテープを貼り付けた構造を備えて
いる。
【0007】又、通常形態のリードフレームのペレット
搭載台部の下面に電気的絶縁膜に覆われたヒートスプレ
ッダーを接着剤にて固着した構造を備えている。さら
に、パッケージの構造として樹脂の上下厚均一化ペレッ
ト上の樹脂厚とヒートスプレッダー下面の樹脂厚を均一
にした事を備えている。
搭載台部の下面に電気的絶縁膜に覆われたヒートスプレ
ッダーを接着剤にて固着した構造を備えている。さら
に、パッケージの構造として樹脂の上下厚均一化ペレッ
ト上の樹脂厚とヒートスプレッダー下面の樹脂厚を均一
にした事を備えている。
【0008】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の実施例1の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。構成はペレット搭載台部7に固着された
ペレット3の電極パッドとインナーリード6が金属細線
2で連結され、ペレット搭載台部7の下面にはヒートス
プレッダー5が固着されている。ヒートスプレッダー5
が変形してインナーリード6に接触しない様に、インナ
ーリード6の下面にポリイミドテープ4を貼付する。
る。図1は本発明の実施例1の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。構成はペレット搭載台部7に固着された
ペレット3の電極パッドとインナーリード6が金属細線
2で連結され、ペレット搭載台部7の下面にはヒートス
プレッダー5が固着されている。ヒートスプレッダー5
が変形してインナーリード6に接触しない様に、インナ
ーリード6の下面にポリイミドテープ4を貼付する。
【0009】この実施例によって得られる効果は熱抵抗
が非常に低く高消費電力の製品を搭載する事が可能にな
る。
が非常に低く高消費電力の製品を搭載する事が可能にな
る。
【0010】図2は本発明の実施例2の樹脂封止型半導
体装置の断面図である。構成はペレット搭載台部7に固
着されたペレット3の電極パッドとインナーリード6が
金属細線2で連結されペレット搭載台部7の下面には電
気的に絶縁されたヒートスプレッダー5が固着されてい
る。
体装置の断面図である。構成はペレット搭載台部7に固
着されたペレット3の電極パッドとインナーリード6が
金属細線2で連結されペレット搭載台部7の下面には電
気的に絶縁されたヒートスプレッダー5が固着されてい
る。
【0011】実施例2の効果はポリイミドテープが存在
しない為、安価であると同時に熱抵抗が非常に弱く高消
費電力の製品を搭載する事が可能になる。
しない為、安価であると同時に熱抵抗が非常に弱く高消
費電力の製品を搭載する事が可能になる。
【0012】又、実施例1.2共に上下の樹脂厚の均一
化(X=Y)及びペレット上の樹脂厚とヒートスプレッ
ダー下の樹脂厚の均一化(a=b)をする事によりパッ
ケージをクラック及び反りに対して有利になり信頼性の
高い製品を供給する事が可能になる。
化(X=Y)及びペレット上の樹脂厚とヒートスプレッ
ダー下の樹脂厚の均一化(a=b)をする事によりパッ
ケージをクラック及び反りに対して有利になり信頼性の
高い製品を供給する事が可能になる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は樹脂封止型
半導体装置においてペレット搭載台下にヒートスプレッ
ダーを取付ける事により熱抵抗の低減がはかられ高消費
電力の製品をプラスチックパッケージで供給できるとい
う効果を有する。又、上下の樹脂厚の均一化、ペレット
上の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚の均一化を
する事によりパッケージのクラック及び反りが低減され
信頼性の高い製品を供給する事が可能になるという効果
を有する。
半導体装置においてペレット搭載台下にヒートスプレッ
ダーを取付ける事により熱抵抗の低減がはかられ高消費
電力の製品をプラスチックパッケージで供給できるとい
う効果を有する。又、上下の樹脂厚の均一化、ペレット
上の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚の均一化を
する事によりパッケージのクラック及び反りが低減され
信頼性の高い製品を供給する事が可能になるという効果
を有する。
【図1】本発明の実施例1の断面図。
【図2】本発明の実施例2の断面図。
【図3】通常リードフレームを使用した従来例の断面
図。
図。
【図4】ヒートスプレッダー付リードフレームを使用し
た従来例の断面図である。
た従来例の断面図である。
1 樹脂 2 金属再選 3 ペレット 4 ポリイミドテープ 5 ヒートスプレッダー 6 インナーリード 7 ペレット搭載台
Claims (3)
- 【請求項1】 リードフレームのペレット搭載台に半導
体ペレットを搭載し、樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置において、前記リードフレームのインナーリードの
裏面にポリイミドテープが貼付され、ペレット搭載台の
下面に固着されたヒートスプレッダーを備えた事を特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】 リードフレームのペレット搭載台に半導
体ペレットを搭載し、樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置において、ペレット搭載台の下面に固着された電気
絶縁膜付ヒートスプレッダーを備えることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 請求項1および2記載の樹脂封止型半導
体装置において、樹脂上下厚が等しく、かつ、半導体ペ
レット上の樹脂厚とヒートスプレッダー下の樹脂厚が等
しいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4001175A JPH05211262A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4001175A JPH05211262A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05211262A true JPH05211262A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11494103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4001175A Withdrawn JPH05211262A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05211262A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5583371A (en) * | 1994-10-12 | 1996-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed semiconductor device capable of improving in heat radiation characteristics of resin-sealed semiconductor elements |
US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
JPH0945838A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Rohm Co Ltd | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 |
US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
US5652461A (en) * | 1992-06-03 | 1997-07-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with a convex heat sink |
US5693984A (en) * | 1992-06-03 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a heat radiator |
US5698899A (en) * | 1995-11-30 | 1997-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with first and second sealing resins |
US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
US6472730B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP4001175A patent/JPH05211262A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6472730B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |