KR960019676A - 수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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테츄야 오오츄키
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야스까와 히데아키
세코 에푸손 가부시키가이샤
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Abstract

수지형 반도체 장치는 소자 설치면을 갖는 내부 방열기와 이 내부 방열기의 소자 설치면에 접합된 반도체 소자와 이 반도체 소자에 대해서 이격시켜 배열 설치된 리드와 리드와 반도체 소자의 전극을 전기적으로 접속하는 와이어와 내부 방열기와 리드 간에 설치된 절연체와 내부 방열기의 일부를 노출하는 상태로 형성된 수지 패키지와 내부 방열기의 노출면에 땜납층을 거쳐서 접합된 방열핀을 포함한다. 내부 방열기의 노출면의 면적을 S1, 방열핀의 상기 땜납층과의 접합면의 면적을 S2로 하면 S1≥S2 가 성립한다.

Description

수지 봉지형 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 실시예의 일형태의 반도체 장치를 모식적으로 도시한 종단면도.
제2도는 제1도의 수지 패키지 및 방열 핀을 제외한 상태에서 A-A선을 따라서 본 반도체장치의 평면도.
제3도는 제1도에 도시하는 반도체 장치의 내부 방열기와 방열핀과의 접합부분을 확대해서 도시한 종단면도.

Claims (28)

  1. 반도체 소자와, 상기 반도체 소자를 장착하는 내부 방열기와, 상기 내부 방열기의 일부를 노출면으로서 정의하고 봉지하는 수지 패키지와, 상기 노출면에 설치되는 땜납층과, 상기 땜납층에 접합되어 상기 내부 방열기에 부착되는 접합면을 갖는 외부 방열기를 포함하며, 상기 노출면 및 상기 접합면은 상기 땜납층이 용융상태일 때의 땜납의 표면 장력에 의해서 상기 노출면을 상기 접합면의 중앙 방향으로 끌어당기게 형성하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  2. 전극을 갖는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자를 장착하기 위한 소자 설치면을 갖는 내부 방열기와, 상기 반도체 소자에 대해서 이격시켜 배열 설치된 리드와, 상기 리드와 상기 전극을 전기적으로 접속하는 와이어와, 상기 내부 방열기와 상기 리드 사이에 설치된 절연체와, 상기 내부 방열기의 일부를 노출면으로 정의하고 봉지하는 수지 패키지와, 상기 노출면에 설치되는 땜납층과, 상기 땜납층에 접착되어 상기 내부 방열기에 부착되는 접합면을 갖는 외부 방열기를 포함하며, 상기 노출면 및 상기 접합면은 상기 땜납층이 용융상태일 때의 땜납의 표면 장력에 의해서 상기 노출면을 상기 접합면의 중앙 방향으로 끌어당기듯이 형성하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  3. 반도체 소자와, 상기 반도체 소자를 장착하는 내부 방열기와, 상기 내부 방열기의 일부를 노출면으로서 정의하고 봉지하는 수지 패키지와, 상기 노출면에 설치되는 땜납층과, 상기 땜납층에 접합되어 상기 내부 방열기에 부착되는 접합면을 갖는 외부 방열기를 포함하며, 상기 노출면은 상기 접합면 이상으로 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  4. 전극을 갖는 반도체 소자와, 상기 반도체 소자를 장착하기 위한 소자 설치면을 갖는 내부 방열기와, 상기 반도체 소자에 대해서 이격시켜 배열 설치된 리드와, 상기 리드와 상기 전극을 전기적으로 접속하는 와이어와, 상기 내부 방열기와 상기 리드와 새에 설치된 절연체와, 상기 내부 방열기의 일부를 노출면으로 정의하고 봉지하는 수지 패키지와, 상기 노출면에 설치되는 땜납층과, 상기 땜납층에 접착되어 상기 내부 방열기에 부착되는 접합면을 갖는 외부 방열기를 포함하며, 상기 노출면은 상기 접합면 이상으로 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 땜납층은 용융상태일 때의 표면 장력에 의해서 필렛을 가지며, 상기 노출면은 상기 필렛의 상기 노출면으로의 투영 면적만큼 상기 접합면보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  6. 제2항에 있어서, 땜납층은 용융상태일 때의 표면 장력에 의해서 필렛을 가지며, 상기 노출면은 상기 필렛의 상기 노출면으로의 투영 면적만큼 상기 접합면보다 넓은 것을 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  7. 제3항에 있어서, 땜납층은 용융상태인 때의 표면 장력에 의해서 필렛을 가지며, 상기 노출면은 상기 필렛의 상기 노출면으로외 투영 면적만큼 상기 접합면보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 땜납층은 용융상태인 때의 표면 장력에 의해서 필렛을 가지며, 상기 노출면은 상기 필렛의 상기 노출면으로의 투영 면적만큼 상기 접합면보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 노출면은 상기 접합면과 상사형을 이루는 것을 특징으로 하는 수지봉지형 반도체 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 노출면은 상기 접합면과 상사형을 이루는 것을 특징으로 하는 봉지형 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 반도체 소자와 내부 방열기를 간접적으로 고정하기 위해서 상기 반도체 소자를 얹는 면을 가지며 상기 내부 방열기에 고정되는 소자 레시버를 갖는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
  12. 내부 방열기에 리드를 갖는 리드프레임을 절연체를 거처서 고정하고 반도체 소자를 상기 내부 방열기에 장착하고 상기 리드와 상기 반도체 소자의 전극을 와이어에 의해서 전기적으로 접속하는 단계(A)와, 내부 방열기의 일부를 노출면으로 정의하고 수지의 몰딩에 의해서 수지 패키지를 형성하는 단계(B)와, 땜납층을 개재시켜서 내부 방열기의 노출면을 외부 방열기의 접합면에 접합하는 단계(C) 및, 땜납층을 가열하여 용융상태로 하고 용융상태의 땜납의 표면 장력이 상기 노출면을 상기 접합면의 중앙 방향으로 끌어당기게 하는 단계(D)를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 내부 방열기에 리드를 갖는 리드프레임을 절연체를 거쳐서 고정하고 반도체 소자를 상기 내부 방열기에 장착하여 상기 리드와 상기 반도체 소자의 전극을 와이어에 의해서 전기적으로 접속하는 단계(A)와, 상기 내부 방열기의 일부를 노출면으로서 정의하고 수지의 몰딩에 의해서 수지 패키지를 형성하는 단계(B)와, 땜납층을 개재시켜서 상기 내부 방열기의 노출면을 외부 방열기의 접합면에 접합하는 단계(C) 및, 상기 땜납층을 가열하고 용융상태로 하고 용융상태의 땜납의 표면 장력이 상기 노출면을 상기 접합면의 중앙 방향으로 끌어당기게 하는 단계(D)를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 단계(C)의 땜납층을 노출면 및 접합면의 양자에 설치한 후, 상기 노출면을 상기 접합면에 접합시키는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 단계(C)의 땜납층을 노출면 및 접합면의 양자에 설치한 후, 상기 노출면을 상기 땜납면에 접합시키는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서, 단계(C)의 땜납층을 노출면 및 접합면의 양자에 설치한 후, 상기 노출면을 상기 땜납면에 접합시키는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서, 단계(C)의 땜납층을 노출면 및 접합면의 양자에 설치한 후, 상기 노출면을 상기 땜납면에 접합시키는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 단계(D)의 외부 방열기를 180∼250℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 단계(D)의 외부 방열기를 180∼250℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제12항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 온도에 가열한 후, 상기 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제13항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼20O℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제14항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  23. 제15항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  24. 제16항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  25. 제17항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  26. 제18항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 상기 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  27. 제19항에 있어서, 단계(D)의 수지 패키지를 100∼200℃로 가열한 후, 땜납층을 가열하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
  28. 제27항에 있어서, 단계(A)는 소자 레시버에 반도체 소자를 얹는 부단계와 소자 레시버를 내부 방열기에 고정하는 부단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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