JPS59207645A - 半導体装置およびリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置およびリ−ドフレ−ム

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JPS59207645A
JPS59207645A JP58081962A JP8196283A JPS59207645A JP S59207645 A JPS59207645 A JP S59207645A JP 58081962 A JP58081962 A JP 58081962A JP 8196283 A JP8196283 A JP 8196283A JP S59207645 A JPS59207645 A JP S59207645A
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JP
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semiconductor chip
lead
heat sink
mold layer
resin
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Masaru Katagiri
優 片桐
Kenji Minami
健治 南
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は樹脂封止型の半導体装置と、これを製造するた
めのリードフレームの改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
第１図は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
同図において、１はベッド部である。
該ベッド部１上には銀−エポキシ系接着剤等のマウント
剤２を介して半導体チップ３がマウントされている。こ
の半導体チップ３の表面に形成された内部端子は、がン
ディングヮイヤ４を介してベッド部１の周囲に配設され
たり−ド５に接続されている。そして、ベッド部１、半
導体ベレット３．ポンディングワイヤ４およびリード５
の一部はエポキシ樹脂等の樹脂モールド層６で封止され
ている。また、リード５は樹脂モールド層５の側壁から
外部に延出され、下方に折夛曲けられている。
上記従来の樹脂封止型半導体装置は第２図に示すような
り−ＰフレームＡを用いて製造される。このリードフレ
ームＡは銅あるいはＮ　ｉ／Ｆ’ｅ合金等の導電性金属
板をプレス加工、エツチング加工等によって所定のノ４
ターン形状としたものである。第２図のリードフレーム
Ａでは、外枠８によって３つの領域に区画され、夫々の
領域内に同一のパターンが形成されている。即ち、左端
の単位・リーンに示すように、夫々の領域の略中夫には
ベッド部１が配置され、該ベッド部１はタイバー９１を
介して外枠８に連結され、支持されている。ベッド部１
の周囲には多数のリード５・・・がベッド部を取シ囲ん
で配設され、該リード５・・・は夫々外枠８に連結され
ている。
また、同じ方向に延出されるリード５・・・はタイバー
９２で連結され、該タイバー９２は外枠８に連結されて
いる。このタイバー９＝を境にして、リード５・・・は
内部リード５１　と外部リード５２とに分けられている
。
第２図のリードフレームによシ第１図の樹脂封止型半導
体装置を製造するには、まず第２図における中間の単位
／ＩＰターンに示したように、ベッド部１上に半導体チ
ップ３をマウントする。
続いて、がンディングワイヤ４でがンディングパッドと
内部リード５１の先端部との間を接続した後、右端の単
位パターンに示すように所定領域を樹脂モールド層６で
封止する。次に、タイバー９１．９−を切除すると共に
、外部リード５２を外枠８から切９離した後、分離され
た夫々の外部リード５２を所定方向に折シ曲げれば第１
図の構造をもった樹脂封止型半導体装置が得られる。
このように、’）　　）’フレームは半導体チップ３と
リード５とを所定の位置関係に保持し、特にポンディン
グワイヤ４による接続を確実に行なう機能を有するもの
で、樹脂封止型半導体装置を製造するだめの直接的な器
具に類するものである。
なお、ベッド部１を支持しているタイバー９１も樹脂封
止されて第１図の半導体装置内に残存し、かつその切断
面は樹脂モールド層６の端面に露出することになる。そ
して、このタイバーの露出した切断面は基板バイアスを
加えて動作させる半導体装置においては基板電位を測定
するために利用されている。
〔背景技術の問題点〕
ところで、上記の樹脂封止型半導体装置は一般に外囲器
の放熱性が低いという問題があった。
このため、半導体チップ３の消費電力が大きい場合には
、樹脂モールド層６を熱抵抗の小さい樹脂材料で形成す
るとか、第３図に示すように５− 樹脂モールド層６の頂面に放熱板１０を接着剤で外付け
する等の対策が従来とられている。
しかしながら、熱抵抗の小さい封止樹脂（例えば商標名
ＥＭＥ−２１ｏｒ　）は一般に熱衝撃によりいため、樹
脂モールド層６にひび割れを生じ易いという問題があっ
た。
また、外付は放熱板１０を採用する場合にも、この放熱
板１０を樹脂モールド層６に強固かつ均一に接着するの
が難かしいため、例えばオートハンドラー等で製品テス
トを行なっているときに落下したシすると、その衝撃で
放熱板１０が剥がれてしまうという問題があった。
他方、従来のリードフレームでは、インナーリード５１
・・・が片持梁で支持されているためその先端に浮き沈
みを生じたシ、タイバー９１が捻れてベッド部１に傾斜
を生じ易く、その結果、ワイヤデンディング時にデンデ
ィングミスを生じ易いという問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、６− 優れた放熱性を有し、消費電力の大きなＩＣに適した樹
脂封止型半導体装置と、これ？：Ｍ造するためのリード
フレームを提供することを目的とするものである。
また、本発明のもう一つの目的は、インナーＩＪ−）’
オよびベッド部の安定した上記リードフレームを提供す
ることである。
〔発明の概要〕
本発明による半導体装置は、肉厚部および肉薄部を有す
る金属製の放熱板と、該放熱板の表面に熱良導性のマウ
ント剤を介して連結された半導体チップと、該半導体チ
ップから離間してその周囲に配設され、かつ前記放熱板
から電気的に絶縁して設けられた金属製のリードと、該
リードの一端部と前記半導体チップとを接続するがンデ
ィングワイヤと、前記放熱板、半導体チップ、リードの
一端部およびデンディングワイヤを封止する樹脂モール
ド層とを具備し、前記放熱板の肉厚部における前記半導
体チップの連結面とは反対側の表面が樹脂モールド層か
ら露出され、前記リードの他端部が樹脂モールド層から
外方に延出されていることを特徴とするものである。
上記本発明の半導体装置では、熱良導性のマウント剤を
介して半導体チップに連結され、かつ一部表面を露出さ
せた放熱板の寄与によって優れた熱放散性を有し、しか
もこの放熱板の肉薄部は樹脂モールド層に埋設されてい
るから従来の外付は放熱板のように脱落することがない
。
一方、本発明によるリードフレームは、リード・リーン
を支持固定する金属製の外枠と、該外枠に連結支持され
てこの外枠で囲まれた領域内に延設され、かつその先端
が半導体チップの設置予定領域を取シ囲むように配設さ
れた多数の金属製リードパターンと、該リードパターン
の片面側に耐熱性合成樹脂からなる絶縁性のフィルム乃
至薄板を介して接着固定され、かつ前記半導体チップの
設置予定領域を覆って設けられた肉厚部および肉薄部を
有する金属製の放熱板とを具備し、前記半導体チップの
設置予定領域の少なくとも一部において前記放熱板表面
が露出されていることを特徴とするものである。
上記本発明によるリードフレームは、各リード／ｌター
ンの先端部が絶縁性のフィルム乃至薄板を介して前記放
熱板に固定されているから、リード・母ターン先端部の
浮き沈みといった変形を防止でき、ワイヤボンディング
時のがンディングミスを防止できる。
〔発明の実施例〕
以下、第４図〜第１０図を参照して本発明の詳細な説明
する。
第４図体）は本発明の一実施例になるリードフレームの
平面図であｐ、第４図（Ｂ）はこのリードフレームに設
けられている放熱板部材の平面図、第４図（Ｃ）は同図
（Ｂ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第４図■）は同図（Ｂ
）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
第４図（Ａ）から明らかなように、とのり−Ｐフレーム
１は第２図の従来のリードフレームと略同じパターンを
有しおり、同一部分には同一の参照番号を付しである。
即ち、１はベッド部、５１９− はインナーリード、５３は外部リード、８は外枠、９１
１９意はタイバーである。そして、この実施例ではベッ
ド部１を貫通する開孔部１１１が形成されている。また
、第４図（Ｂ）〜（Ｄ）に示す放熱板部材Ｌノがベッド
部１、インナーリード５１およびタイバー９１の下面に
接着されている。該放熱板部材Ｌノは、第４図（Ｃ）　
Ｏ））に示すように鉄、銅、アルミニウムあるいはこれ
らの合金等の熱良導体でできた放熱板１３と、該放熱板
１３の片面を被覆して設けられたポリイミド樹脂膜１４
からなっている。放熱板１３は中央の肉厚部１３１およ
び両側の肉薄部１３２を有し、ポリイミド樹脂膜１４に
はベッド部１に形成された開孔部１１１に連通する開孔
部１１゜が形成されている。また、放熱板部材１２の両
側部にはポリイミド樹脂膜１４および放熱板１３の肉薄
部１３冨を貫通する多数の貫通孔１５・・・が設けられ
ている。
上記のリードフレームによる樹脂封止型半導体装置の製
造について説明すれば次の通シであ−１０＝ る。
第５図（Ａ）は上記実施例のリードフレーム７の断１■
構造を示している。まず、々ラド部１およびポリイミド
樹脂膜１４に設けた開孔部１１１゜１ノ鵞で形成される
四部１１内に銀−エポキン系のマウント剤２を充填し、
該マウント剤２を介して半導体チップ３をベッド部１上
にマウントする。このとき、マウント剤２の量を開孔部
１１内におさまるようにコントロールすることによって
、マウント剤２が第３図に示すような形で半導体チップ
３の周囲にはみ出すのを防止できる。続いてワイヤデン
ディングを行ない、がンディングワイヤ４により半導体
チップ３とインナーリーＰ５１の先端部とを接続して第
５図（Ｂ）の状態に組み立てる。このとき、ベッド部１
とインナーリード５！　とは両者共にポリイミド樹脂膜
Ｊ４上に接着固定されているため、相互に浮き沈みを生
じることなく極めて安定で、ミス日？ンディングを生じ
ることなく確実なワイヤゲンディングを行なうことがで
きる。
第６図（Ａ）（６）は、夫々第４図（４）〜（Ｄ）のリ
ードフレームによって製造された本発明の樹脂封止型半
導体装置の一実施例を示す断面図である。第６図体）は
第４図（Ｃ）に対応する断面を示し、第６図（Ｂ）は第
４図（ロ）に対応する断面を示している。
この半導体装置は、第５図１１３）の状態に組み立てた
後、従来と同様に樹脂そ一ルド層６による封止工程およ
びリードフォーミング工程を経て製造される。ただし、
その場合に樹脂モール２層６は放熱板１３の肉厚部１３
１表面が露出するようにして形成されている。また、第
６図中）に示すように、樹脂モールド層６は放熱板両側
部に設けられた多数の貫通孔１５・・・内に侵入して形
成されている。更に、放熱板１３の肉厚部１３１が露出
されているため、リード５はその露出面とは逆向きの方
向に折シ曲げてリードフォーミングされている。
上記第６図（Ａ）■）の実施例になる半導体装置では、
図示のように熱良導体であるマウント剤２を介して放熱
板１３が半導体テラｆ３に接続されており、しかも放熱
板の肉厚部１３１の表面は樹脂モールド層６から露出さ
れているため、放熱板１３の寄与に主って優れた熱放散
性が得られる。従って、樹脂モールド層６の熱抵抗性は
特に考慮する必要がなく、耐熱衝撃性の大きい封止樹脂
を選択できるため、樹脂モールド層６の割れを防止して
信頼性を向上することができる。
また、放熱板１３はその肉薄部１３２が樹脂モールド層
６に封止されているから、第３図で説明した従来の外付
は放熱板のような脱落は生じない。更に、第６図（ｉ３
）に示されるように樹脂モールド層６が放熱板部材１２
の貫通孔１５・・・内に貫入して形成されているから、
放熱板部材１２は確実に固定され、樹脂モールド層６内
で位置づれを生じることもない。
加えて、上記実施例の樹脂封止型半導体装置では、既述
のようにマウント剤２が半導体チッｆ３の周囲にはみ出
すのを防止できるため、耐湿性が向上するといった効果
が得られる。即ち。
１３− 樹脂モールド層６の外部から侵入した水分がマウント剤
２に接触すると、マウント剤２に含まれるハロゲンおよ
びアルカリイオン（Ｃｊ−＊　Ｎａ”＋Ｋａ＋等〕が活
性化され、半導体チップ３表面のＡｔ配線やＰｕｄの腐
食を促進することになる。この点において、上記実施例
の半導体装置ではマウント剤２と侵入してきた水分との
接触が阻止されるから耐湿性の向上がもたらされる。
第７図は本発明の他の実施例になるリードフレームを示
す平面図である。この実施例のリードフレームは、図示
のようにベッド部１が設けられていない点を除き、総て
第４図（Ａ）〜（Ｄ）のリードフレームと同じ構成にな
っている。
上記実施例のリードフレームによる樹脂封止型半導体装
置の製造は、半導体チップをポリイミド樹脂膜１４上に
マウントする点を除き、第５図（Ａ）■）について説明
したのと同様にして行なう。この場合、既述したと同じ
効果が得られる他、第５図（Ｂ）においてベッド部１が
存在しないととから明らかなように、がンディングワイ
ヤ１４− ４がベッド部１に接触して生じる所謂ベッドタッチショ
ートを防止できるという効果が得られる。
第８図は本発明の他の実施例になる樹脂封止型半導体装
置の断面図で、第７図のリードフレームによシ製造され
たものである。図示の構造から明らかなように、この樹
脂封止型半導体装置は放熱性、信頼性および耐湿性等の
点で第６図で説明したのと同じ効果を得ることができる
。
またＲヮド部Ｉが存在しないことから、ベッド部１と樹
脂モールド層６との熱膨張率差に起因して従来特にベッ
ド部１の周縁に沿って発生しやすかった樹脂モールド層
６のひび割れを防止できる効果が得られる。
第９図は第７図の実施例の変形例になるリードフレーム
を示す平面図である。この変形例では、ＩＰ　＋Ｊイミ
ド樹脂膜１４に形成された開孔部１１２が半導体チップ
３の面積よυも大きくなっておシ、その他の構成は第７
図の実施例と総て同じである。従って、このリードフレ
ームによって製造された樹脂封止型半導体装置は８ｇ１
０図に示す構造となる。これらの変形例によっても本発
明の基本的な効果が得られることは明らかである。即ち
、ポリイミド樹脂膜１４に要求される最低限の機能は、
リード５と放熱板１３との間を電気的に絶縁することで
ある。従って、ポリイミド樹脂膜１４は最低限インナー
リード５１と放熱板１３との接着面にのみ介在して設け
られていればよい。
なお、第４図（５））〜■）、第７図および第９図のリ
ードフレームにおいて、何れの場合もタイバー９１は設
けなくともよい。即ち、本発明のリードフレームでは従
来のようにタイバー９１でぺ、ド部１を支持する必要が
ないからである。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明によれば放熱性、信頼性お
よび耐湿性に優れた樹脂封止型半導体装置と、これを製
造するための形状安定性に優れたリードフレームを提供
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の一般的な樹脂封止型半導体装置を示す断
面図、第２図は従来のリードフレームと、該リードフレ
ームによる樹脂封止型半導体装置の製造工程を説明する
ための平面図、第３図は放熱性を改善した従来の樹脂封
止型半導体装置を示す断面図、第４図（４）は本発明の
一実施例になるリードフレームの平面図であり、第４図
（Ｂ）はこのリードフレームに設けられた放熱板部材の
平面図、第４図働および第４図の）は夫夫第４図の）の
Ｃ−Ｃ線およびＤ−Ｄ線に沿う断面図、第５図（Ａ）　
（Ｂ）は第４図（Ａ）〜（Ｄ）のリードフレームによる
樹脂封止型半導体装置の製造工程を説明するための断面
図、第６図（ハ））（Ｂ）は本発明の一実施例になる樹
脂封止型半導体装置を示す断面図、第７図は本発明の他
の実施例になるリードフレームの平面図、第８図は本発
明の他の実施例になる樹脂封止型半導体装置を示す断面
図、第９図は第７図のリードフレームの変形例を示す平
面図、第１０図は第７図の樹脂封止型半導１７一 体装置の変形例を示す断面図である。 １・・・ベッド部、２・・・マウント剤、３・・・半導
体チップ、４・・・？ンディングワイヤ、５・・・リー
ド、５１・・・インナーリード、５２・・・外部リード
、６・・・樹脂モールド層、工・・・リードフレーム、
８・・・外枠、９１＋９２・・・タイバー、１０・・・
外付は放熱板、１２・・・放熱板部材、１３・・・放熱
板、１３１・・・肉厚部、１３２・・・肉薄部、１４・
・・ポリイミド樹脂膜、１５・・・貫通孔。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦１８−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　肉厚部および肉薄部を有する金属製の放熱板
    と、該放熱板の表面に熱良導性のマウント剤を介して連
    結された半導体チップと、該半導体チラノから離間して
    その周囲に配設され、かつ前記放熱板から電気的に絶縁
    して設けられた金属製のリードと、該リードの一端部と
    前記半導体チップとを接続するポンディングワイヤと、
    前記放熱板、半導体チップ、リードの一端部およびポン
    ディングワイヤを封止する樹脂モールド層とを具備し、
    前記放熱板の肉厚部における前記半導体チップの連結面
    とは反対側の表面が樹脂モールド層から露出され、前記
    リードの他端部が樹脂モールド層から外方に延出されて
    いることを特徴とする半導体装置。
  2. （２）　　リードパターンを支持固定する金属製の外枠
    と、該外枠に連結支持されてこの外枠で囲まれた領域内
    に延設され、かつその先端が半導体チップの設置予定領
    域を取シ囲むように配設された多数の金属製リードパタ
    ーンと、該リード／ＩＰターンの片面側に耐熱性合成樹
    脂からなる絶縁性のフィルム乃至薄板を介して接着固定
    され、かつ前記半導体チップの設置予定領域を覆って設
    けられた肉厚部および肉薄部を有する金属製の放熱板と
    を具備し、前記半導体チップの設置予定領域の少なくと
    も一部において前記放熱板表面が露出されていることを
    特徴とするリードフレーム。
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Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6389263U (ja) * 1986-11-28 1988-06-10
JPS63301531A (ja) * 1987-06-01 1988-12-08 Nec Corp 混成集積回路装置
US4890152A (en) * 1986-02-14 1989-12-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded chip carrier package and method of fabricating the same
JPH02130865A (ja) * 1988-10-24 1990-05-18 Motorola Inc モールド型半導体パッケージ
JPH0350U (ja) * 1989-05-18 1991-01-07
US5068708A (en) * 1989-10-02 1991-11-26 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
JPH0555409A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05218233A (ja) * 1992-02-06 1993-08-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH05315510A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
WO1995001651A1 (en) * 1993-07-01 1995-01-12 National Semiconductor Corporation Moisture barrier for plastic package with heat spreader
JPH0834225B2 (ja) * 1989-05-01 1996-03-29 モトローラ・インコーポレーテッド 超高密度パッドアレイ・チップキャリアを接地する方法
US5559369A (en) * 1989-10-02 1996-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
US5594282A (en) * 1993-12-16 1997-01-14 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5633529A (en) * 1994-07-13 1997-05-27 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
US5719442A (en) * 1994-11-11 1998-02-17 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device
US5777380A (en) * 1995-03-17 1998-07-07 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads
US5801435A (en) * 1995-02-27 1998-09-01 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5834842A (en) * 1996-01-17 1998-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device, semiconductor module, and radiating fin
US5949138A (en) * 1996-10-31 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Heat spreader
US6111308A (en) * 1991-06-05 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
US7245004B2 (en) 2003-05-20 2007-07-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2008545278A (ja) * 2005-06-30 2008-12-11 サンディスク コーポレイション 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ
WO2012025448A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Robert Bosch Gmbh Elektrische schaltung mit zu kühlender schaltungskomponente, kühlkörper und verfahren zur abgedichteten einbettung einer elektrischen schaltung
WO2017122491A1 (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社 村田製作所 半導体モジュール

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4890152A (en) * 1986-02-14 1989-12-26 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded chip carrier package and method of fabricating the same
JPS6389263U (ja) * 1986-11-28 1988-06-10
JPS63301531A (ja) * 1987-06-01 1988-12-08 Nec Corp 混成集積回路装置
JPH02130865A (ja) * 1988-10-24 1990-05-18 Motorola Inc モールド型半導体パッケージ
JPH0834225B2 (ja) * 1989-05-01 1996-03-29 モトローラ・インコーポレーテッド 超高密度パッドアレイ・チップキャリアを接地する方法
JPH0350U (ja) * 1989-05-18 1991-01-07
US5068708A (en) * 1989-10-02 1991-11-26 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
US5559369A (en) * 1989-10-02 1996-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
US6111308A (en) * 1991-06-05 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
JPH0555409A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05218233A (ja) * 1992-02-06 1993-08-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH05315510A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
US5652461A (en) * 1992-06-03 1997-07-29 Seiko Epson Corporation Semiconductor device with a convex heat sink
US5653891A (en) * 1992-06-03 1997-08-05 Seiko Epson Corporation Method of producing a semiconductor device with a heat sink
WO1995001651A1 (en) * 1993-07-01 1995-01-12 National Semiconductor Corporation Moisture barrier for plastic package with heat spreader
US5594282A (en) * 1993-12-16 1997-01-14 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5891759A (en) * 1993-12-16 1999-04-06 Seiko Epson Corporation Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device
US5633529A (en) * 1994-07-13 1997-05-27 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5719442A (en) * 1994-11-11 1998-02-17 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device
US5801435A (en) * 1995-02-27 1998-09-01 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of making the same
US5777380A (en) * 1995-03-17 1998-07-07 Seiko Epson Corporation Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads
US5834842A (en) * 1996-01-17 1998-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device, semiconductor module, and radiating fin
US5949138A (en) * 1996-10-31 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Heat spreader
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
US7245004B2 (en) 2003-05-20 2007-07-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2008545278A (ja) * 2005-06-30 2008-12-11 サンディスク コーポレイション 非対称なリードフレームコネクションを有するダイパッケージ
WO2012025448A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Robert Bosch Gmbh Elektrische schaltung mit zu kühlender schaltungskomponente, kühlkörper und verfahren zur abgedichteten einbettung einer elektrischen schaltung
WO2017122491A1 (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社 村田製作所 半導体モジュール
JP6390803B2 (ja) * 2016-01-14 2018-09-19 株式会社村田製作所 半導体モジュール

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