JPH07147301A - 半導体素子接続方法 - Google Patents
半導体素子接続方法Info
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Abstract
時の位置ズレを根本的に無くした半導体素子接続方法の
提供。 【構成】半導体素子を異方導電性接着シートを介して仮
固定した被接続基板を平滑なステージ1上に配置し加圧
装置2により半導体素子を加圧すると同時に加熱する熱
圧着工程より構成され、加圧装置2がパルス状電流によ
り発熱する金属製ブロックである、または高温に保持さ
れた加熱ブロックと圧接部材からなるものであり、金属
または圧接部材が、熱圧着工程における被接続基板と加
圧装置の到達温度差に対応し両者の熱膨張による寸法変
化値がほぼ一致するような熱膨張係数を持つものであ
る。 【効果】異方導電性接着シートを用いた高精度の接続が
要求されるカラー液晶パネルの製造を高精度に可能とす
るものである。
Description
の実装方法に関し、特に高精度が得られる接続方法に関
する。
子を基板に接続する技術は、熱および圧力を加えるのみ
で狭ピッチ電極の接続が容易に得られるため近年広く用
いられるようになった。特に液晶表示装置における液晶
パネルへの駆動LSIの接続は透明電極と金属という異
種材料間の接続のため、LSIがボンディングされたテ
ープキャリアを異方導電性接着シートを用いて熱圧着接
続する方法が一般的である。次に図を用いて、従来の液
晶パネルと駆動LSIの接続方法を説明する。
ープ上に形成した銅箔のリードに半導体チップをボンデ
ィングしたいわゆるテープキャリアパッケージ(以後T
CPと略す)の形状をしたものを用いる。図9に示すよ
うに液晶パネル20の端子21上に異方導電性接着シー
ト22を仮止めした後TCP23の端子と液晶パネル端
子との位置整合を行い、異方導電性接着シート22の粘
着性を利用して仮固定する。通常液晶パネルの端子1辺
につき複数個のTCP23が接続されるためこの工程を
TCP23の個数だけ繰り返す。これは異方導電性接着
シート22の熱硬化には一定の時間がかかるため時間当
たりの生産量を増大するため個々のTCP23について
熱圧着工程を行わずに、少なくとも1辺のTCP23は
同時に熱圧着工程を行うためである。
ステージ上に配置し、高温の加圧装置25にてTCP2
3の端子上を加圧し異方導電性接着シート22に圧力お
よび熱を与えることにより、異方導電性接着シート22
中の導電粒子が液晶パネル20とTCP23の両電極間
に挟持された状態で接着剤が硬化し機械的かつ電気的な
接続を得る。
急速に進んでおり、それと共に駆動LSIとの接続端子
電極の狭ピッチ化が進んでいる。特に表示のカラー化に
より画素密度が3倍になった結果端子電極ピッチは3分
の1になり、液晶パネル端子とTCP端子の接続位置精
度に対する要求は格段に高まっている。
と駆動用TCPの相互接続位置精度について、前記従来
の方法では液晶パネルをステージ上に配置し高温の加圧
装置にてTCP端子上を加圧し異方導電性接着シート中
の接着剤を硬化させる工程において原理的な位置ズレが
発生することが判明した。このメカニズムを図を用いて
説明する。
子21に電極の位置整合を行った後異方導電性接着シー
ト22の粘着力を利用して仮固定した状態である。この
状態においては材料加工上の誤差を無視すればTCP電
極26と液晶パネル電極27の両者の位置は整合してい
る。図11(b)は液晶パネル20をステージ上に固定
した後高温の加圧装置25が上方より下降しTCP23
に接した瞬間である。この後加圧装置の熱が液晶パネル
20に伝導し液晶パネル20は徐々に昇温する、また加
圧装置は熱伝導により短時間的には温度降下するがヒー
ターより熱が供給されるため降下量は少ない。図11
(c)は図11(b)より一定時間経過後の状態を示
し、昇温した液晶パネル20には熱膨張による寸法変化
が生じている。一方、異方導電性接着シート22は軟化
しTCP23と液晶パネル20間の摩擦係数が低下して
いるため両者間には滑りが発生し易く、TCP23は液
晶パネル20の寸法変化に追随せずむしろ加圧装置25
に密着し追随している。図11(d)に示すように一定
時間経過後異方導電性接着シート22の熱硬化が終了
し、液晶パネル20とTCP23は図11(c)の位置
関係のまま固定され、加圧装置が上昇し液晶パネル20
が室温にまで冷却されても両者の位置関係は変化しな
い。TCP23と液晶パネル20の両端子の位置ズレ量
は1個のTCP23内では寸法スケールが小さいため顕
著ではないが、ズレ量は熱圧着の寸法スケールに比例す
るため複数個のTCP23が接続された液晶パネル20
の端子1辺全体においては重大な位置ズレとなり接続不
良の原因となる。
たブロックではなく直接電流を印可できる形状に加工し
た金属ブロックであり、TCP23端子上を加圧した後
パルス状電流を印加しブロックを発熱させる方式の場合
でも発生する。この場合、金属ブロックは熱ひずみを防
止するためにスーパーインバーなどの非常に熱膨張係数
が小さい金属が使用される。よって、金属ブロックが発
熱しある程度時間が経過した場合は図11(c)と同様
な状態となり位置ズレが発生する。
ずつ圧着しズレを低減する方法があるが、圧着時間はT
CP1個当たり15〜20秒必要であり多数のTCPを
用いる大型の液晶パネルでは工程時間が増大し実用的で
はない。
続方法の課題を考慮し、熱圧着時に原理的に生じる位置
ズレを根本的に無くす半導体素子接続方法を提供するこ
とを目的とするものである。
方法は、異方導電性接着シートを介して半導体素子を被
接続基板に仮固定する工程、前記被接続基板を平滑なス
テージ上に配置した後加圧装置により前記半導体素子を
加圧し同時に加熱する熱圧着工程より構成され、前記加
圧装置がパルス状電流により発熱する金属製ブロックか
らなり、かつ前記金属が、前記熱圧着工程における被接
続基板と加圧装置の到達温度差に対応し両者の熱膨張に
よる寸法変化値がほぼ一致するような熱膨張係数を持つ
ものである。 あるいは、上記加圧装置が高温に保持さ
れた加熱ブロックと前記半導体素子に直接接する圧接部
材からなり、前記圧接部材が、前記熱圧着工程における
被接続基板と圧接部材の到達温度差に対応し両者の熱膨
張による寸法変化値がほぼ一致するような熱膨張係数を
持つものである。
導体素子が仮固定された被接続基板をステージに配置し
た後加圧装置にて半導体素子を加圧する。次に加圧装置
を構成する金属ブロックにパルス状電流を印加し加圧装
置を一定時間加熱する。熱は半導体素子及び異方導電性
接着シートを介して被接続基板に伝導し基板は昇温し一
定温度に到達する。この時加圧装置及び被接続基板には
熱膨張による寸法変化が生じる、また被接続基板は熱が
ステージに伝導するため加圧装置とは温度差が生じ基板
の方が低温になる。加圧装置を構成する金属ブロックの
熱膨張係数をα1到達温度をt1、被接続基板の熱膨張係
数をα2到達温度をt2とし、圧着作業前の両者の温度を
t0とする。単位長さ当たりの寸法変化は、加圧装置に
ついて、(数1)で、また、被接続基板について、(数
2)で表現される。
を(数3)で表される値にすれば到達温度における加圧
装置と被接続基板の寸法変化量は一致する。
続基板に対する相対的な位置変化は生じない。
ロックと前記半導体素子に直接接する圧接部材からなる
場合は次のような工程になる。
が仮固定された被接続基板をステージに配置した後加圧
装置の圧接部材が半導体素子を加圧する。次に高温に保
持された加熱ブロックを圧接部材に近接あるいは密接さ
せ圧接部材を一定時間加熱する。熱は半導体素子及び異
方導電性接着シートを介して被接続基板に伝導し基板は
昇温し一定温度に到達する。この時加圧装置の圧接部材
及び被接続基板には熱膨張による寸法変化が生じる。ま
た被接続基板は熱がステージに伝導するため圧接部材と
は温度差が生じ基板の方が低温になる。この時圧接部材
の熱膨張係数をα1到達温度をt1、被接続基板の熱膨張
係数をα2到達温度をt2とし、圧着作業前の両者の温度
をt0とすると前記説明と同様なメカニズムにより、圧
接部材の熱膨張係数α1を(数3)で表される値にする
ことで到達温度における圧接部材と被接続基板の寸法変
化は一致する。よって両者に挟持された半導体素子の被
接続基板に対する相対的な位置変化は生じない。
て説明する。
子接続方法に用いられる装置の側面図である。半導体素
子を被接続基板に圧着する加圧装置2は図2に示す形状
にモリブデン製のブロック5を加工したものであり矢印
の向きに電流を流すことにより圧接面7が発熱する。図
1に示すように加圧装置2全体はエアシリンダ4により
上下に移動し、ステージ1上に置かれた被接続基板の端
子部を加圧することができる。
成するガラス基板であり、接続される半導体素子はテー
プキャリアパッケージ(TCP)実装されたLSIであ
る。
パネル8の端子9上の電極パターンを位置整合した状態
で異方導電性接着シート11の粘着性を利用して仮接着
した。
9が接続装置の加圧装置2の直下に来るように配置し、
加圧装置2を降下させ液晶パネル端子9上のTCP10
を約1.96MPaの圧力で加圧した。次に加圧装置2
に電流を20秒間印加し昇温させ液晶パネル8の端子9
を加熱した。本実施例では加圧装置2は電流印加前は2
5℃であり電流印加3秒後に250℃に達し、20秒後
までほぼその温度を維持した。この時液晶パネル端子1
1の温度は25℃から160℃まで上昇した。次に、加
圧装置2への印加電流を停止しエアシリンダ4を動作さ
せ加圧装置2が上昇後液晶パネル8をステージ1より取
り出し圧着部を顕微鏡観察したところ液晶パネル端子部
9の電極パターンとTCP10の電極パターンの位置ズ
レは見られなく、電気検査により接続が確認できた。
板であり、熱膨張係数は、約8×10-6/Kである。圧
着前の温度は加圧装置およびガラス基板共25℃であ
り、圧着時の到達温度は加圧装置は250℃、ガラス基
板は160℃である。よって(数3)により加圧装置2
に求められる熱膨張係数は、4.8×10-6/Kとな
る。
は熱膨張係数が、約4.8×10-6/Kであり、かつ耐
熱性や機械的強度も優れており本用途に適したものであ
る。ただし加圧装置に使用できる材料はモリブデンに限
るものではなく、他にニッケル−鉄合金やタングステン
など熱膨張係数が前記計算値にほぼ一致しかつ耐熱性お
よび機械的強度が本用途に耐えられるものならば使用可
能である。なお当然ながら前記計算に用いる各パラメー
タは基板、接続装置、接続温度条件が異なると値が変化
するためα1の計算値も異なった値となる。
法に用いられる装置の側面図である。半導体素子を被接
続基板に圧着する加圧装置は図6に示すようにモリブデ
ン製のブロックを加工した圧接部材15と上下可動式の
加熱ブロック16より構成される。加熱ブロック16は
真鍮製のブロックに円筒状ヒーター17を埋め込んだ構
造であり、温度センサ19にて温度を検出しヒーター電
流を制御することにより加熱ブロックを一定の温度に保
つことができ、エアシリンダ18の動作により加熱ブロ
ック16を圧接部材15に近接または密着させることに
より圧接部材を加熱し昇温させることができる。このよ
うに加熱ブロックと圧接部材を分離した構造は、実施例
1における図2に示す加圧装置のような複雑かつ高精度
な加工を要する部材が不要、パルス状大電流を供給する
電源が不要、温度の均一性が高いといった利点がある。
図5に示すように加圧装置全体はエアシリンダ4により
上下に移動し、ステージ1上に置かれた被接続基板の端
子部を加圧することができる。
成するガラス基板であり、接続される半導体素子はテー
プキャリアパッケージ(TCP)実装されたLSIであ
る。
パネル8の端子11上の電極パターンを位置整合した状
態で異方導電性接着シート12の粘着性を利用して仮接
着した。
9が加圧装置の圧接部材15の直下に来るように配置
し、エアシリンダ14の動作により圧接部材を降下させ
液晶パネル端子11上のTCP10を約1.96MPa
の圧力で加圧した。次にエアシリンダ18の動作により
265℃に保持した加熱ブロック16を下降させ圧接部
材15に密着し、圧接部材を介して液晶パネル8の端子
11を加熱する。本実施例では圧接部材15は加熱ブロ
ック密着前は25℃であり密着5秒後に250℃に達
し、20秒後までほぼその温度を維持した。この時液晶
パネル端子9の温度は25℃から160℃まで上昇し
た。図8は加熱ブロック16が圧接部材15に密着して
いる状態を示す。次に加熱ブロック16を圧接部材15
より分離した後エアシリンダ14の動作により加圧装置
を上昇させ、その後液晶パネル8をステージ1より取り
出し圧着部を顕微鏡観察したところ液晶パネル端子部の
電極パターンとTCPの電極パターンの位置ズレは見ら
れなく、電気検査により接続が確認できた。
板であり、熱膨張係数は、約8×10-6/Kである。圧
着前の温度は圧接部材およびガラス基板共25℃であ
り、圧着時の到達温度は加圧装置は250℃、ガラス基
板は160℃である。よって(数3)により加圧装置に
求められる熱膨張係数は、4.8×10-6/Kとなる。
は熱膨張係数が、約4.8×10-6/Kであり、かつ耐
熱性や機械的強度も優れており本用途に適したものであ
る。ただし加圧装置に使用できる材料はモリブデンに限
るものではなく、他にニッケル−鉄合金やタングステン
など熱膨張係数が前記計算値にほぼ一致しかつ耐熱性お
よび機械的強度が本用途に耐えられるものならば使用可
能である。
本発明の半導体素子接続方法は、異方導電性接着シート
を用いた熱圧着工法でありながら、熱圧着時に原理的に
生じる位置ズレを根本的に無くしたものであり、高精度
の接続が要求される高表示画素密度のカラー液晶パネル
等の製造を可能にするものである。
導電性接着シートを用いた接続工法において広く適用で
き、非常に高い位置精度が容易に得られるという工業的
価値の大なるものである。
の側面図
置の側面図
は、同上液晶パネルの断面図、(c)は、同上液晶パネ
ルの断面図、(d)は、同上液晶パネルの断面図
フレーム 4エアシリンダー 5金属ブロック 6温度
センサー 7圧接面 8液晶パネル 9液晶
パネル端子 10テープキャリアパッケージ(TCP) 11異
方導電性接着シート 12半導体チップ 13ステージ 14エ
アシリンダ 15圧接部材 16加熱ブロック 17円
筒状ヒーター 18エアシリンダ 19温度センサー 20液
晶パネル 21端子 22異方導電性接着シート 23テープキャリアパッケージ(TCP) 24半
導体チップ 25加圧装置 26TCP電極 27液
晶パネル電極
Claims (2)
- 【請求項1】異方導電性接着シートを介して半導体素子
を被接続基板に仮固定する工程と、前記被接続基板をス
テージ上に配置した後加圧装置により前記半導体素子を
加圧し同時に加熱する熱圧着工程とを備え、前記加圧装
置がパルス状電流により発熱する金属製ブロックであ
り、前記金属が、前記熱圧着工程における前記被接続基
板と加圧装置の到達温度差に対応し両者の熱膨張による
寸法変化値が実質上一致するような熱膨張係数を持つこ
とを特徴とする半導体素子接続方法。 - 【請求項2】異方導電性接着シートを介して半導体素子
を被接続基板に仮固定する工程と、前記被接続基板をス
テージ上に配置した後加圧装置により前記半導体素子を
加圧し同時に加熱する熱圧着工程とを備え、前記加圧装
置が高温に保持された加熱ブロックと前記半導体素子に
直接接する圧接部材を有し、前記圧接部材が、前記熱圧
着工程における前記被接続基板と圧接部材の到達温度差
に対応し両者の熱膨張による寸法変化値が実質上一致す
るような熱膨張係数を持つことを特徴とする半導体素子
接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29309393A JP3361583B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体素子接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29309393A JP3361583B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体素子接続方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07147301A true JPH07147301A (ja) | 1995-06-06 |
JP3361583B2 JP3361583B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=17790343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29309393A Expired - Fee Related JP3361583B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 半導体素子接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3361583B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120815A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
CN100407881C (zh) * | 2004-10-13 | 2008-07-30 | 友达光电股份有限公司 | 压合装置 |
JP2016058581A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP29309393A patent/JP3361583B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100407881C (zh) * | 2004-10-13 | 2008-07-30 | 友达光电股份有限公司 | 压合装置 |
JP2006120815A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
JP2016058581A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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---|---|
JP3361583B2 (ja) | 2003-01-07 |
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