JPH06310701A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH06310701A JPH06310701A JP5097834A JP9783493A JPH06310701A JP H06310701 A JPH06310701 A JP H06310701A JP 5097834 A JP5097834 A JP 5097834A JP 9783493 A JP9783493 A JP 9783493A JP H06310701 A JPH06310701 A JP H06310701A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤ固体撮像素子において、Ａｌ遮光膜−
半導体領域間を通って入射する光成分によるスミアの低
減を図る。 【構成】 受光部１０の１側に垂直転送レジスタ５が配
され、垂直転送レジスタ５上を覆ってＡｌ遮光膜１８が
形成されてなる固体撮像素子において、Ａｌ遮光膜の受
光部１０側へはり出したはり出し部１８ａ下の絶縁膜１
２を着色して（着色領域２３参照）構成する。
半導体領域間を通って入射する光成分によるスミアの低
減を図る。 【構成】 受光部１０の１側に垂直転送レジスタ５が配
され、垂直転送レジスタ５上を覆ってＡｌ遮光膜１８が
形成されてなる固体撮像素子において、Ａｌ遮光膜の受
光部１０側へはり出したはり出し部１８ａ下の絶縁膜１
２を着色して（着色領域２３参照）構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スミアの低減化を図っ
た固体撮像素子に関する。
た固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＣＣＤ固体撮像素子の一
例を示す。このＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例
えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即ちＰ
形のウェル領域３内にＮ形の不純物拡散領域４と、垂直
転送レジスタ５を構成するＮ形転送チャネル領域６並び
にＰ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記Ｎ形
の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷蓄積領域８が、Ｎ
形の転送チャネル領域６の直下に第２のＰ形ウェル領域
９が夫々形成されている。
例を示す。このＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例
えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即ちＰ
形のウェル領域３内にＮ形の不純物拡散領域４と、垂直
転送レジスタ５を構成するＮ形転送チャネル領域６並び
にＰ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記Ｎ形
の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷蓄積領域８が、Ｎ
形の転送チャネル領域６の直下に第２のＰ形ウェル領域
９が夫々形成されている。
【０００３】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域４とＰ形ウ
ェル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して形成される。
ェル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して形成される。
【０００４】そして、垂直転送レジスタ５を構成する転
送チャネル領域６、チャネルストップ領域７及び後述す
る読み出しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜１２を介してＳ
ｉＮ膜１３が積層される。このＳｉＯ2 膜１２及びＳｉ
Ｎ膜１３による２層構造のゲート絶縁膜１５上に多結晶
シリコンからなる転送電極１６が形成され、転送チャネ
ル領域６、ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣ
ＣＤ構造の垂直転送レジスタ５が構成される。
送チャネル領域６、チャネルストップ領域７及び後述す
る読み出しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜１２を介してＳ
ｉＮ膜１３が積層される。このＳｉＯ2 膜１２及びＳｉ
Ｎ膜１３による２層構造のゲート絶縁膜１５上に多結晶
シリコンからなる転送電極１６が形成され、転送チャネ
ル領域６、ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣ
ＣＤ構造の垂直転送レジスタ５が構成される。
【０００５】転送電極１６の表面にはＳｉＯ2 膜１４が
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、ＰＳＧ（リン・シリケートガラ
ス）からなる層間絶縁膜１７が積層され、更に転送電極
１６上に上記層間絶縁膜１７を介してＡｌ遮光膜１８が
選択的に形成される。
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、ＰＳＧ（リン・シリケートガラ
ス）からなる層間絶縁膜１７が積層され、更に転送電極
１６上に上記層間絶縁膜１７を介してＡｌ遮光膜１８が
選択的に形成される。
【０００６】Ａｌ遮光膜１８には、受光部１０から直接
垂直転送レジスタ５に入射される光（斜めに入射される
光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長するは
り出し部１８ａが一体に設けられる。そして、このＡｌ
遮光膜１８を含む全面上に例えばプラズマＳｉＮ膜１９
及び平坦化膜２０が順次形成される。この平坦化膜２０
上にカラーフィルタ層２１が形成され、更に、カラーフ
ィルタ層２１上の受光部１０に対応する位置にオンチッ
プマイクロレンズ２２が形成される。
垂直転送レジスタ５に入射される光（斜めに入射される
光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長するは
り出し部１８ａが一体に設けられる。そして、このＡｌ
遮光膜１８を含む全面上に例えばプラズマＳｉＮ膜１９
及び平坦化膜２０が順次形成される。この平坦化膜２０
上にカラーフィルタ層２１が形成され、更に、カラーフ
ィルタ層２１上の受光部１０に対応する位置にオンチッ
プマイクロレンズ２２が形成される。
【０００７】転送電極１６は、垂直転送レジスタ５と受
光部１０間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲー
ト部１１が構成される。
光部１０間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲー
ト部１１が構成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年、固体撮像素子に
おいては、小型化が進められてきている。この小型化に
伴い、オンチップマイクロレンズ２２の曲率や平坦化膜
２０などの膜厚を調節しても、受光部１０上に焦点を作
ることは不可能である。
おいては、小型化が進められてきている。この小型化に
伴い、オンチップマイクロレンズ２２の曲率や平坦化膜
２０などの膜厚を調節しても、受光部１０上に焦点を作
ることは不可能である。
【０００９】従って、オンチップマイクロレンズ２２を
通過した光Ｌが完全集光しないため、一部の光成分Ｌ1
が、Ａｌ遮光膜１８のはり出し部１８ａとシリコン領域
との間で多重反射を繰り返し垂直転送レジスタ５に直接
入り込むという、いわゆる垂直転送レジスタ５への光の
もれ込みが増加し、スミア増加の主な原因となってい
る。
通過した光Ｌが完全集光しないため、一部の光成分Ｌ1
が、Ａｌ遮光膜１８のはり出し部１８ａとシリコン領域
との間で多重反射を繰り返し垂直転送レジスタ５に直接
入り込むという、いわゆる垂直転送レジスタ５への光の
もれ込みが増加し、スミア増加の主な原因となってい
る。
【００１０】本発明は、上述の点に鑑み、スミアの低減
化を図ることができる固体撮像素子を提供するものであ
る。
化を図ることができる固体撮像素子を提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部１０の
１側に垂直転送レジスタ５が配され、垂直転送レジスタ
５上を覆って遮光膜１８が形成されてなる固体撮像素子
において、遮光膜１８の受光部１０側へはり出したはり
出し部１８ａ下の絶縁膜１２（又は１７と１２）を着色
して構成する。
１側に垂直転送レジスタ５が配され、垂直転送レジスタ
５上を覆って遮光膜１８が形成されてなる固体撮像素子
において、遮光膜１８の受光部１０側へはり出したはり
出し部１８ａ下の絶縁膜１２（又は１７と１２）を着色
して構成する。
【００１２】
【作用】本発明においては、遮光膜１８の受光部１０側
へはり出したはり出し部１８ａ下の絶縁膜１２（又は１
７と１２）が着色されるので、遮光膜１８のはり出し部
１８ａ下に入射された光成分Ｌ1 によるはり出し部−半
導体領域間で生ずる多重反射が減衰し、垂直転送レジス
タ５への光のもれ込みが減少してスミアの発生が低減す
る。
へはり出したはり出し部１８ａ下の絶縁膜１２（又は１
７と１２）が着色されるので、遮光膜１８のはり出し部
１８ａ下に入射された光成分Ｌ1 によるはり出し部−半
導体領域間で生ずる多重反射が減衰し、垂直転送レジス
タ５への光のもれ込みが減少してスミアの発生が低減す
る。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１４】図１は本発明によるＣＣＤ固体撮像素子の
一例を示す。本例のＣＣＤ固体撮像素子３０において
は、第１導電形例えばＮ形のシリコン基板２上の第１の
第２導電形即ちＰ形のウェル領域３内にＮ形の不純物拡
散領域４と、垂直転送レジスタ５を構成するＮ形転送チ
ャネル領域６並びにＰ形のチャネルストップ領域７が形
成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷
蓄積領域８が、またＮ形の転送チャネル領域６の直下に
第２のＰ形ウェル領域９が夫々形成される。
一例を示す。本例のＣＣＤ固体撮像素子３０において
は、第１導電形例えばＮ形のシリコン基板２上の第１の
第２導電形即ちＰ形のウェル領域３内にＮ形の不純物拡
散領域４と、垂直転送レジスタ５を構成するＮ形転送チ
ャネル領域６並びにＰ形のチャネルストップ領域７が形
成され、上記Ｎ形の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷
蓄積領域８が、またＮ形の転送チャネル領域６の直下に
第２のＰ形ウェル領域９が夫々形成される。
【００１５】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域４とＰ形ウ
エル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して形成される。
エル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換部）１０が構成される。この
受光部１０は画素に対応して形成される。
【００１６】そして、垂直転送レジスタ５を構成する転
送チャネル領域６、チャネルストップ領域７及び読み出
しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜１２を介してＳｉＮ膜１
３が積層される。このＳｉＯ2 膜１２及びＳｉＮ膜１３
による２層構造のゲート絶縁膜１５上に多結晶シリコン
からなる転送電極１６が形成され、転送チャネル領域
６、ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣＣＤ構
造の垂直転送レジスタ５が構成される。
送チャネル領域６、チャネルストップ領域７及び読み出
しゲート部１１上にＳｉＯ2 膜１２を介してＳｉＮ膜１
３が積層される。このＳｉＯ2 膜１２及びＳｉＮ膜１３
による２層構造のゲート絶縁膜１５上に多結晶シリコン
からなる転送電極１６が形成され、転送チャネル領域
６、ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣＣＤ構
造の垂直転送レジスタ５が構成される。
【００１７】転送電極１６の表面にはＳｉＯ2 膜１４が
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、ＰＳＧ（リン・シリケートガラ
ス）からなる層間絶縁膜１７が積層され、更に転送電極
１６上に上記層間絶縁膜１７を介してＡｌ遮光膜１８が
選択的に形成される。
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、ＰＳＧ（リン・シリケートガラ
ス）からなる層間絶縁膜１７が積層され、更に転送電極
１６上に上記層間絶縁膜１７を介してＡｌ遮光膜１８が
選択的に形成される。
【００１８】Ａｌ遮光膜１８には受光部１０から直接垂
直転送レジスタ５に入射される光（斜めに入射される
光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長するは
り出し部１８ａが一体に設けられる。
直転送レジスタ５に入射される光（斜めに入射される
光）を阻止するために、受光部１０側に一部延長するは
り出し部１８ａが一体に設けられる。
【００１９】このＡｌ遮光膜１８を含む全面上に例えば
プラズマＳｉＮ膜１９及び平坦化膜２０が順次形成さ
れ、この平坦化膜２０上にカラーフィルタ層２１が形成
され、更にカラーフィルタ層２１上の受光部１０に対応
する位置に入射光を受光部１０に集光させるためのオン
チップマイクロレンズ２２が形成される。
プラズマＳｉＮ膜１９及び平坦化膜２０が順次形成さ
れ、この平坦化膜２０上にカラーフィルタ層２１が形成
され、更にカラーフィルタ層２１上の受光部１０に対応
する位置に入射光を受光部１０に集光させるためのオン
チップマイクロレンズ２２が形成される。
【００２０】そして、本例では、特にＡｌ遮光部１８の
はり出し部１８ａの下部に位置する部分の絶縁膜例えば
ＳｉＯ2 膜１２を低反射、高吸収率の色（例えば黒色、
その他の色等）に着色するようになす。２３はこの絶縁
膜の着色領域を示す。ＳｉＯ 2 膜１２の着色は例えばカ
ーボンをイオン注入することによりなされる。
はり出し部１８ａの下部に位置する部分の絶縁膜例えば
ＳｉＯ2 膜１２を低反射、高吸収率の色（例えば黒色、
その他の色等）に着色するようになす。２３はこの絶縁
膜の着色領域を示す。ＳｉＯ 2 膜１２の着色は例えばカ
ーボンをイオン注入することによりなされる。
【００２１】また、Ａｌ遮光膜１８の下部、少なくとも
そのはり出し部１８ａの下部に低反射膜２４を形成す
る。低反射膜２４としては、例えばＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ
膜等にて形成することができる。
そのはり出し部１８ａの下部に低反射膜２４を形成す
る。低反射膜２４としては、例えばＴｉＯＮ膜、ＴｉＮ
膜等にて形成することができる。
【００２２】図２及び図３は、上記ＳｉＯ2 膜１２の着
色領域２３を形成するための製法例を示す。先ず、図２
Ａに示すように、転送チャネル領域６、第２のＰ形ウェ
ル領域９及びチャネルストップ領域７を形成した第１の
Ｐ形ウェル領域３の表面全面に、ＳｉＯ2 膜１２を形成
し、このＳｉＯ2 膜１２の一部（即ち受光部１０を除く
部分）上に選択的にＳｉＮ膜１３及び多結晶シリコンに
よる転送電極１６を形成する。次で、爾後形成するＡｌ
遮光部１８のはり出し部１８ａに対応する部分を除いて
受光部１０に対応するＳｉＯ2 膜１２上及び転送電極１
８上にフォトレジストマスク２６を選択的に形成する。
色領域２３を形成するための製法例を示す。先ず、図２
Ａに示すように、転送チャネル領域６、第２のＰ形ウェ
ル領域９及びチャネルストップ領域７を形成した第１の
Ｐ形ウェル領域３の表面全面に、ＳｉＯ2 膜１２を形成
し、このＳｉＯ2 膜１２の一部（即ち受光部１０を除く
部分）上に選択的にＳｉＮ膜１３及び多結晶シリコンに
よる転送電極１６を形成する。次で、爾後形成するＡｌ
遮光部１８のはり出し部１８ａに対応する部分を除いて
受光部１０に対応するＳｉＯ2 膜１２上及び転送電極１
８上にフォトレジストマスク２６を選択的に形成する。
【００２３】次に、図２Ｂに示すように、フォトレジス
トマスク２６を介してＳｉＯ2 膜１２のＡｌ遮光膜１８
のはり出し部１８ａ下に対応する部分に着色材例えばカ
ーボン２７をイオン注入する。
トマスク２６を介してＳｉＯ2 膜１２のＡｌ遮光膜１８
のはり出し部１８ａ下に対応する部分に着色材例えばカ
ーボン２７をイオン注入する。
【００２４】次いでフォトレジストマスク２６を除去す
ることにより、図３Ｃに示すように、ＳｉＯ2 膜１２の
目的の位置にカーボンによって黒色に着色された着色領
域２３が選択的に形成される。
ることにより、図３Ｃに示すように、ＳｉＯ2 膜１２の
目的の位置にカーボンによって黒色に着色された着色領
域２３が選択的に形成される。
【００２５】次に、図３Ｄに示すように、第１のＰ形ウ
ェル領域３の受光部１０に対応する領域にＮ形の不純物
拡散領域４及びＰ形の正電荷蓄積領域８をイオン注入に
より形成する。次いで転送電極１６の表面にＳｉＯ2 膜
１４を形成したのち、ＰＳＧの層間絶縁膜１７を形成
し、更にＡｌ遮光膜１８を形成する。以後、図示せざる
もプラズマＳｉＮ膜１９、平坦化膜２０、カラーフィル
タ層２１及びオンチップマイクロレンズ２２が形成され
る。
ェル領域３の受光部１０に対応する領域にＮ形の不純物
拡散領域４及びＰ形の正電荷蓄積領域８をイオン注入に
より形成する。次いで転送電極１６の表面にＳｉＯ2 膜
１４を形成したのち、ＰＳＧの層間絶縁膜１７を形成
し、更にＡｌ遮光膜１８を形成する。以後、図示せざる
もプラズマＳｉＮ膜１９、平坦化膜２０、カラーフィル
タ層２１及びオンチップマイクロレンズ２２が形成され
る。
【００２６】なお、受光部１０を構成するＮ形の不純物
拡散領域４、Ｐ形の正電荷蓄積領域８を形成するための
イオン注入工程と、着色領域２３を形成するためのカー
ボンのイオン注入工程との順序は、いずれが先でも可能
である。また、上例ではＳｉＯ2 膜１２及びＳｉＮ膜１
３の２層構造でゲート絶縁膜１５を形成したが、その
他、ＳｉＯ2 膜１２、ＳｉＮ膜１３さらにその上のＳｉ
Ｏ 2 膜の３層構造でゲート絶縁膜を構成することもでき
る。
拡散領域４、Ｐ形の正電荷蓄積領域８を形成するための
イオン注入工程と、着色領域２３を形成するためのカー
ボンのイオン注入工程との順序は、いずれが先でも可能
である。また、上例ではＳｉＯ2 膜１２及びＳｉＮ膜１
３の２層構造でゲート絶縁膜１５を形成したが、その
他、ＳｉＯ2 膜１２、ＳｉＮ膜１３さらにその上のＳｉ
Ｏ 2 膜の３層構造でゲート絶縁膜を構成することもでき
る。
【００２７】上述した本実施例によれば、Ａｌ遮光膜１
８のはり出し部１８ａ下のＳｉＯ2膜１２をカーボンに
よって着色し、ここに低反射、高吸収率の着色領域２３
を形成することにより、Ａｌ遮光膜１８下に入射され、
Ａｌはり出し部１８ａ−シリコン領域８間で多重反射す
る光成分Ｌ1 は、着色領域２３で減衰される。また、多
重反射する光成分Ｌ1 はＡｌ遮光膜１８のはり出し部１
８ａの下面に形成された低反射膜２４によっても減衰さ
れる。
８のはり出し部１８ａ下のＳｉＯ2膜１２をカーボンに
よって着色し、ここに低反射、高吸収率の着色領域２３
を形成することにより、Ａｌ遮光膜１８下に入射され、
Ａｌはり出し部１８ａ−シリコン領域８間で多重反射す
る光成分Ｌ1 は、着色領域２３で減衰される。また、多
重反射する光成分Ｌ1 はＡｌ遮光膜１８のはり出し部１
８ａの下面に形成された低反射膜２４によっても減衰さ
れる。
【００２８】この結果、垂直転送レジスタ５への光のも
れ込みが減少し、Ａｌはり出し部１８ａとシリコン領域
８間での多重反射によるスミアの発生を低減することが
できる。
れ込みが減少し、Ａｌはり出し部１８ａとシリコン領域
８間での多重反射によるスミアの発生を低減することが
できる。
【００２９】なお、上例ではＳｉＯ2 膜１２の厚み方向
の全体を着色したが、ＳｉＯ2 膜１２の表面のみを着色
するようにしてもよい。
の全体を着色したが、ＳｉＯ2 膜１２の表面のみを着色
するようにしてもよい。
【００３０】図４は他の実施例を示す。本例はＡｌ遮光
膜１８のはり出し部１８ａ下の絶縁膜のすべて、即ちＰ
ＳＧからなる層間絶縁膜１７及びその下のＳｉＯ2 膜１
２を共に低反射、高吸収率の色（例えば黒色、その他の
色）に着色して着色領域２３を形成する。この構成では
はり出し部１８ａとシリコン領域間の多重反射の減衰効
果が更に高くなり、よりスミアの発生を低減できる。
膜１８のはり出し部１８ａ下の絶縁膜のすべて、即ちＰ
ＳＧからなる層間絶縁膜１７及びその下のＳｉＯ2 膜１
２を共に低反射、高吸収率の色（例えば黒色、その他の
色）に着色して着色領域２３を形成する。この構成では
はり出し部１８ａとシリコン領域間の多重反射の減衰効
果が更に高くなり、よりスミアの発生を低減できる。
【００３１】図５は更に他の実施例を示す。本例は、Ａ
ｌ遮光膜１８のはり出し部１８ａの下の絶縁膜に対し、
その膜厚方向の途中まで、図５では層間絶縁膜１７を含
み、その下のＳｉＯ2 膜１２の途中まで、低反射、高吸
収率の色に着色して着色領域２３を形成する。この構成
では、スミアの発生を低減できると共に、着色領域２３
がシリコン領域８に接触しないので、シリコン領域８が
着色領域２３の影響を受けることがない。
ｌ遮光膜１８のはり出し部１８ａの下の絶縁膜に対し、
その膜厚方向の途中まで、図５では層間絶縁膜１７を含
み、その下のＳｉＯ2 膜１２の途中まで、低反射、高吸
収率の色に着色して着色領域２３を形成する。この構成
では、スミアの発生を低減できると共に、着色領域２３
がシリコン領域８に接触しないので、シリコン領域８が
着色領域２３の影響を受けることがない。
【００３２】上述の本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子
は、フレームインターライン転送方式、インターライン
転送方式等のＣＣＤ固体撮像素子に適用できる。
は、フレームインターライン転送方式、インターライン
転送方式等のＣＣＤ固体撮像素子に適用できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、垂直転送レジスタを覆
う遮光膜の受光部側にはり出したはり出し部の下の絶縁
膜を着色することにより、受光部の開口を通して遮光膜
下に入射された光成分の多重反射を減衰させることがで
き、遮光膜−半導体領域間を通って入射する光成分によ
るスミアを低減することができる。
う遮光膜の受光部側にはり出したはり出し部の下の絶縁
膜を着色することにより、受光部の開口を通して遮光膜
下に入射された光成分の多重反射を減衰させることがで
き、遮光膜−半導体領域間を通って入射する光成分によ
るスミアを低減することができる。
【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製法例を示
す製造工程図（その１）である。
す製造工程図（その１）である。
【図３】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の製法例を示
す製造工程図（その２）である。
す製造工程図（その２）である。
【図４】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の他の例を示
す要部の断面図である。
す要部の断面図である。
【図５】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子のさらに他の
例を示す要部の断面図である。
例を示す要部の断面図である。
【図６】従来のＣＣＤ固体撮像素子の例を示す断面図で
ある。
ある。
１，３０ ＣＣＤ固体撮像素子 ２ Ｎ形シリコン基板 ３ 第１のＰ形ウェル領域 ４ Ｎ形不純物拡散領域 ５ 垂直転送レジスタ ６ 転送チャネル領域 ７ チャネルストップ領域 ８ 正電荷蓄積領域 ９ 第２のＰ形ウェル領域 １０ 受光部 １１ 読み出し部 １２ ＳｉＯ2 膜 １３ ＳｉＮ膜 １４ ＳｉＯ2 膜 １５ ゲート絶縁膜 １６ 転送電極 １７ 層間絶縁膜 １８ Ａｌ遮光膜 １８ａ はり出し部 １９ プラズマＳｉＮ膜 ２０ 平坦化膜 ２１ カラーフィルタ層 ２２ オンチップマイクロレンズ ２３ 着色領域 ２４ 低反射膜 ２６ フォトレジストマスク ２７ カーボン
Claims (1)
- 【請求項１】 受光部の１側に垂直転送レジスタが配さ
れ、該垂直転送レジスタ上を覆って遮光膜が形成されて
なる固体撮像素子において、 前記遮光膜の前記受光部側へはり出したはり出し部下の
絶縁膜が着色されて成ることを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097834A JPH06310701A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097834A JPH06310701A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310701A true JPH06310701A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14202751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5097834A Pending JPH06310701A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310701A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3194B (en) | 1991-07-19 | 1995-03-27 | Alkaloida Vegyeszeti Gyar | Novel unhygroscopic ammonium salts |
| JP2006261633A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、固体撮像素子の製造方法、薄膜デバイスの製造方法及びプログラム |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5097834A patent/JPH06310701A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3194B (en) | 1991-07-19 | 1995-03-27 | Alkaloida Vegyeszeti Gyar | Novel unhygroscopic ammonium salts |
| JP2006261633A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、固体撮像素子の製造方法、薄膜デバイスの製造方法及びプログラム |
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