JP2008041847A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】各受光部の入射光の回折効果による入射光広がりによる感度低下を抑制する。
【解決手段】少なくとも受光部8の一部上を含む電極3上に入射光の位相を反転させる遮光膜6を形成することにより、各受光部8の入射光の回折効果による入射光広がりが抑制され、受光部8の入射光量が増加するとともに受光部8以外へのノイズ成分が低減されるために、感度増大およびスミア増加を効果的に低減することができる。
【選択図】図1
【解決手段】少なくとも受光部8の一部上を含む電極3上に入射光の位相を反転させる遮光膜6を形成することにより、各受光部8の入射光の回折効果による入射光広がりが抑制され、受光部8の入射光量が増加するとともに受光部8以外へのノイズ成分が低減されるために、感度増大およびスミア増加を効果的に低減することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は受光部で取り込んだ入力光をCCDを通して取り出す固体撮像装置に関するものである。
現在、固体撮像装置としては信号電荷の読み出しにCCD(電荷結合素子)を使用したものが主流となっている。この固体撮像装置は、図7の従来の固体撮像装置における入力光変換機構を示す図に示すように、入力した光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換蓄積部である受光部8を2次元配置し、蓄積された信号電荷を垂直CCD部9及び水平CCD部21を通して取り出すものである。
図6は従来の固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図であり、図6(a)は従来の固体撮像装置を示す断面図、図6(b),図6(c)は断面位置に対応した特性を示す図である。
固体撮像装置は、光電変換によって信号電荷を得るための受光部(フォトダイオード)8を形成したシリコン基板1上に絶縁膜2を介して転送電極3が形成され、さらに、熱酸化膜とCVD法で形成された絶縁膜4、ならびに、受光部8上方に開口を有する遮光膜6、酸化膜からなる層間絶縁膜7および層内レンズ12と、図示しないが層内レンズ上に表面保護膜、平坦化膜、カラーフィルタ、およびマイクロレンズが順に積層された構造を有している。受光部8はCCD部と交互に並ぶように2次元的に配置されており、一対の受光部8とCCD部が一画素を構成している。
層内レンズ12で集光された入射可視光は、カラーフィルタにより、画素ごとに赤色光(R)、緑色光(G)、および青色光(B)の3原色に分離される。分離された赤色光はR用受光部に入射され、緑色光はG用受光部に入射され、青色光はB用受光部に入射される。
このような固体撮像装置においては、シリコン酸化膜(ゲート酸化膜6)、ならびに表面保護膜や平坦化膜として用いられるシリコン酸化膜系材料とシリコン基板1の屈折率の差により、シリコン基板1表面において入射光が反射するために受光部8まで到達する光が損失し、感度の低下を招くため、受光部8の上方にシリコン窒化膜からなる反射防止膜5を設けることにより、多重干渉効果を利用して入射光の反射を低減し、感度の向上を図られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平4−109673号公報
ところで、近年固体撮像装置の高画素化に伴い、受光部面積が小さくなり遮光膜開口がフォトダイオードへの入射光の波長以下になっており、回折効果により受光部以外に入射光が広がり感度低下、スミアの原因となる。図6(b)は受光部の遮光膜上の入射光振幅分布,図6(c)は受光部での入射光強度分布を示している。図6(c)に示すように遮光部の開口幅が入射光の波長より小さくなるとフレネル回折によりN型の受光部以外の領域にも入射光が広がるため、受光部以外で発生した電子が垂直CCD部に流れ込むためにスミアが発生する上、入射光が受光部以外に流出するために感度が低下するという問題がある。
さらに、文献1に示すようにHD用固体撮像装置において高速転送のために転送ゲートに裏打ちされた第1の金属膜で読み出し方向の遮光を行い、第1の金属膜と直交して形成された第2金属膜が、第1金属間金属膜で形成されていない受光素子間のチャンネルストップ領域を覆う2重遮光構造が採用されている。しかしながらこのような2重遮光を用いると、第2金属膜で形成された遮光膜と受光部間距離がひろがり、ますます受光部外への入射光の回折による広がりにより感度、スミアがより低下するという問題がある。
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制し、出力画像の画質が良好で高感度な固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の請求項1記載の固体撮像装置は、複数の受光部と前記受光部と1対1で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るCCDと、前記フォトダイオードおよび前記CCDを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、前記反射防止膜を露出して少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第1の遮光膜とを有することを特徴とする。
請求項2記載の固体撮像装置は、複数の受光部と前記受光部と1対1で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るCCDと、前記フォトダイオードおよび前記CCDを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、前記反射防止膜を露出して前記電極上に形成されて少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第1の遮光膜と、前記第1の遮光膜と直交して形成される第2の遮光膜と有することを特徴とする。
請求項3記載の固体撮像装置は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜は透過率が5%〜40%であるであることを特徴とする。
請求項4記載の固体撮像装置は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜は受光部上では透過率が5%〜40%であり、前記電極上では透過率が1%以下であることを特徴とする。
請求項5記載の固体撮像装置は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜はポリシリコンの単一の材料からなることを特徴とする。
請求項6記載の固体撮像装置は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜は位相反転する材料と透過率を制御する材料の2層からなることを特徴とする。
請求項7記載の固体撮像装置は、請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜の膜厚は、前記入射光受光部へ赤色の波長に対して位相反転作用を有する膜厚とすることを特徴とする。
以上により、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制することができる。
本発明によれば、少なくとも受光部の一部上を含む電極上に入射光の位相を反転させる遮光膜を形成することにより、各受光部の入射光の回折効果による入射光広がりが抑制され、受光部の入射光量が増加するとともに受光部以外へのノイズ成分が低減されるために、感度増大およびスミア増加を効果的に低減することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
(実施の形態1)
図1は実施の形態1における固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図であり、図1(a)は実施の形態1における固体撮像装置を示す断面図、図1(b),図1(c)は断面位置に対応した特性を示す図である。図1では受光部と垂直CCD部の1対が示されているが、通常は、図7のように、受光部が複数個並んで2次元的に配列され、いくつかの受光部毎に対応するCCD部が挿入される構成となる。
(実施の形態1)
図1は実施の形態1における固体撮像装置を示す断面図および断面に対応した特性を示す図であり、図1(a)は実施の形態1における固体撮像装置を示す断面図、図1(b),図1(c)は断面位置に対応した特性を示す図である。図1では受光部と垂直CCD部の1対が示されているが、通常は、図7のように、受光部が複数個並んで2次元的に配列され、いくつかの受光部毎に対応するCCD部が挿入される構成となる。
図7において、固体撮像装置は受光部8を構成する光電変換を行う半導体基板の表面に形成されたフォトダイオードと垂直転送CCD部9とからなる撮像領域と垂直転送CCD部9から転送された信号電荷を出力部に転送する水平転送CCD部21からなっている。
図1において、1は半導体基板としてここではシリコン基板、2は該シリコン基板1上に形成されたゲート絶縁膜、3は金属ゲートより成る垂直転送電極、4は層間絶縁膜である。
さらに、6は透過率が5〜40%でフォトダイオード上への入射光に対して位相が反転するハーフトーン遮光膜であり、少なくとも一部が受光部8上に形成される。ハーフトーン遮光膜厚6は、t=λ/a(Nx―No)(ただし、λは赤色フィルターを中心波長、Nxはハーフトーン遮光膜の屈折率、Noはシリコン酸化膜の屈折率、aは1.3≦a≦4の範囲の値である)の関係となるように調整する。
また、5は受光部8であるフォトダイオードの上層を成す層として形成された反射防止膜で、例えば、厚さ20nmから40nmのLP−SiNからなり、固体撮像装置において全面的に形成されている。7はBPSGからなる層間絶縁膜、8はシリコン基板1の表面部に形成された受光部、9は各受光部8の垂直列に対応して形成された垂直CCD部、10は受光部と垂直CCD部9との間に形成された読み出しゲート部、11はチャンネルストップ、12は層内レンズである。
なお、この固体撮像装置では、図示はしないがその上にシリコン酸化膜系材料からなる表面保護膜、平坦化膜、カラーフィルタ、およびマイクロレンズが順に形成されている。 次に、図1(b)はフォトダイオードの電場分布、図1(c)はフォトダイオードへの入射光振幅分布を示し、横軸は、図1(a)の断面図の幅方向に対応する。
図1(b)に示すようにポリシリコンのハーフトーン遮光膜6を通過した入射光は、遮光膜6が入射光の位相を反転させるため、遮光膜6のエッジ部で受光部8であるフォトダイオードへの入射光の位相が反転し、ポリシリコン開口部との入射光と干渉して、図1(c)に示すように、反射防止膜5で覆われた光透過部とハーフトーン遮光膜6の境界の直下で光強度はほぼ0となる。その結果光強度分布の広がりが押さえられ、感度向上およびスミア低減効果が得られる。
なお、上記透過率の設定は、本発明の効果を得るには5%以上が望ましく、さらに透過率の上限は実用的なプロセスのばらつき等を考慮すると30%程度が望ましいが、これ以上でも効果は得られる。さらに、本発明においてゲート電極材料として金属材料がもちいられているために転送電極下の透過率は1%以下となる。
また、カラーフィルタを通過した入射光は、カラーフィルタの性能により波長分散があるがカラーフィルタを通過した赤色近傍の波長を有する入射光に対して、ハーフトーン遮光膜6による位相の反転効果により遮光膜エッジで干渉して開口からの入射光広がりが抑制される。
また、ハーフトーン遮光膜6の材料は、主にポリシリコンの単一材料が用いられるがポリシリコンに限らず、所望の透過率が得られ、かつ透過した光の位相が遮光膜の開口部を通過した光の位相に対しほぼ反転できれば、如何なる材料でも適用可能である。
また、上記実施の形態ではハーフトーン遮光膜6を単一の膜で構成したが、図2の実施の形態1における2層遮光膜を設ける固体撮像装置を示す断面図に示すように、位相と透過率を両立するために例えばポリシリコンとW膜などの2層構造を用いて、位相反転をポリシリコン膜15、透過率をW膜16で制御してもよい。
また、本発明の実施の形態では、受光部への入射光の中でもっとも長波長で回折広がりが大きな赤色に関して説明したが、フィルター毎に入射光の波長に対して遮光膜の位相を180度位相反転させるようにハーフトーン遮光膜の膜厚を調整することにより各色毎での回折光広がりを抑制し、感度およびスミアを向上することもできる。
次に、本実施の形態における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。
図3は実施の形態1における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
先ず、p型シリコン基板1にn型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部8を形成し、熱酸化によって膜厚50nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2を成長させる。
図3は実施の形態1における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
先ず、p型シリコン基板1にn型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部8を形成し、熱酸化によって膜厚50nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2を成長させる。
次に、ゲート絶縁膜2上にCVD法によりポリシリコン膜13を成膜し、さらに、WSi(シリサイド)膜14を例えばスパッタにより積層して形成し、リソグラフィ工程によりCCD電極形成領域上にポジレジストを形成してWSi膜14およびポリシリコン膜13を選択エッチングすることにより転送電極3を形成する。
その後、熱酸化とCVD法により転送電極3をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜4とする。
その後、例えば、LP−CVD法により、受光部8を部分的に覆うようにSiNからなる反射防止膜5を成膜し、全面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。該シリコン酸化膜22は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである(図3(a))。
その後、例えば、LP−CVD法により、受光部8を部分的に覆うようにSiNからなる反射防止膜5を成膜し、全面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。該シリコン酸化膜22は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである(図3(a))。
次に、例えばCVD法によりポリシリコン膜15を全面的に堆積し(図3(b))、さらにポリシリコン膜15からなるハーフトーン遮光膜を選択的にエッチングすることにより各受光部8上に受光窓を形成する(図3(c))。
赤色波長を700nmとするとポリシリコン膜15の屈折率は4.3,層間絶縁膜4の膜厚は1.5nmなので、そのときのポリシリコン膜15の膜厚は110nmまたは330nmになる。また消衰係数は、0.18なので透過率を40%以下にするためにポリシリコン膜15の膜厚は330nmとなる。
その後、図示しないが、CVD法により層間絶縁膜としてBPSG膜を成膜後、800℃の高温でリフローする。さらに、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用PSG膜を全面的に形成し、その上に、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成し、固体撮像装置を得る。
本発明の実施例では、ハーフトーン遮光膜の透過率を調整するために 位相を180度の3倍の膜厚としたが、ハーフトーン遮光膜を、ポリシリコン100nm、W20nmの積層構造にして位相差を180度にすると層内レンズと受光部間距離が小さくなるので、さらに感度、スミアが改善する。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。
図4は実施の形態2における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
実施の形態1との相違点は、転送電極が、金属膜でなく入射光が転送電極に照射されないよう転送電極上にW膜などの遮光膜を形成することである。
実施の形態1との相違点は、転送電極が、金属膜でなく入射光が転送電極に照射されないよう転送電極上にW膜などの遮光膜を形成することである。
先ず、p型シリコン基板1にn型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部8を形成し、熱酸化によって膜厚50nmのシリコン酸化膜からなる絶縁膜2を成長させる。
次に、ポリシリコン膜13をCVDにより形成し、リソグラフィ工程によりCCD電極形成領域上にポジレジストを形成してポリシリコン膜13を選択エッチングすることにより転送電極を形成する。
その後、熱酸化とCVD法により転送電極をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜4とする。
その後、受光部8を部分的に覆うように、例えばLP−CVD法によりSiNからなる反射防止膜5を成膜し、全面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。このシリコン酸化膜22は後で形成されるからなる遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
その後、受光部8を部分的に覆うように、例えばLP−CVD法によりSiNからなる反射防止膜5を成膜し、全面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。このシリコン酸化膜22は後で形成されるからなる遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
次に、例えばCVD法によりW膜18を全面的に形成し、W膜18を選択的にエッチングすることによりポリシリコン膜13よりなる転送電極を遮光する遮光膜を形成する(図4(a))。
次に、プラズマCVD装置を用いて全面的に、位相を反転させるハーフトーン遮光膜となるポリシリコン膜15を110nm厚成膜し(図4(b))、次に、ポリシリコン膜15を選択的にエッチングすることにより各受光部8上に受光窓を形成する(図4(c))。
その後、図示しないが、CVD法により層間絶縁膜としてBPSG膜を成膜後、800℃の高温でリフローする。さらに、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用PSG膜を全面的に形成し、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成して固体撮像装置を得る。本発明により転送電極上に光が入射されないために転送電極として金属以外のポリシリコン材料を使用することができる。
以上のように、遮光膜としてW膜を用いても、光強度分布の広がりが押さえられ、感度向上およびスミア低減効果が得られる。
(実施の形態3)
次に、実施の形態3における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。図5は実施の形態3における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図であり、図5(a)は固体撮像装置の受光部と転送ゲートに対する遮光膜のレイアウト、図5(b)は読みだし方向の断面図、(c)は垂直分離方向の断面図である。
(実施の形態3)
次に、実施の形態3における固体撮像装置の製造方法について、一例を説明する。図5は実施の形態3における固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図であり、図5(a)は固体撮像装置の受光部と転送ゲートに対する遮光膜のレイアウト、図5(b)は読みだし方向の断面図、(c)は垂直分離方向の断面図である。
実施の形態1との相違点は、図5(a)に示すように第1の遮光膜19と直交して形成された第2の遮光膜20が、第1の遮光膜19で遮光されていない受光部8間のチャンネルストップの領域を覆う2重遮光構造が採用されている点である。
実施の形態3に示す固体撮像装置の製造に際しては、先ず、p型シリコン基板1にn型不純物をイオン注入することによってフォトダイオードである受光部8を形成し、熱酸化によって膜厚50nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2を成長させる。
次に、ポリSi膜をCVDにより形成し、リソグラフィ工程によりCCD電極形成領域上にポジレジストを形成してポリシリコン膜を選択エッチングすることにより転送電極3を形成する。図5(c)は垂直分離方向断面図を示すが、本発明の実施の形態では、第1の転送電極3横に第2の転送電極33が垂直分離チャンネルストップ層24上に同じマスク合わせ工程で形成されている。
次に、熱酸化とCVD法により転送電極3をシリコン酸化膜で被覆し、層間絶縁膜4とする。
次に、例えばLP−CVD法によりSiNからなる反射防止膜5を成膜し、さらに、前面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。シリコン酸化膜22は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
次に、例えばLP−CVD法によりSiNからなる反射防止膜5を成膜し、さらに、前面にシリコン酸化膜22をCVDにより形成する。シリコン酸化膜22は後で形成される遮光膜の選択エッチングの際にバッファ層とするためのものである。
次に、例えばCVD法によりW膜18を全面的に形成し、さらに、遮光膜であるW膜18を選択的にエッチングすることにより第1の遮光膜19を形成する。
次に、CVD法によりBPSG膜23を成膜後、プラズマCVD装置を用いて全面的に、位相を反転させる遮光膜となるポリシリコン膜を110nm厚成膜し、次にタングステンで遮光されたストライプ型の第1の遮光膜19に直交して、ポリシリコン膜を選択的にエッチングすることにより各受光部8上に第2の遮光膜20を形成する。
次に、CVD法によりBPSG膜23を成膜後、プラズマCVD装置を用いて全面的に、位相を反転させる遮光膜となるポリシリコン膜を110nm厚成膜し、次にタングステンで遮光されたストライプ型の第1の遮光膜19に直交して、ポリシリコン膜を選択的にエッチングすることにより各受光部8上に第2の遮光膜20を形成する。
この場合、第2の遮光膜20の透過率を制御するためポリシリコン上に、タングステンを10から20nm積層で堆積するとよい。
その後、図示しないが、CVD法によりBPSG膜を成膜後、800℃の高温でリフローする。
その後、図示しないが、CVD法によりBPSG膜を成膜後、800℃の高温でリフローする。
最後に、周知の技術を用いてシリコン窒化膜からなる層内レンズを形成後、保護用PSG膜を全面的に形成し、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズを形成し、固体撮像装置を得る。
本発明を用いることにより、遮光膜構造が2層に構成される場合、より受光部から離れた垂直分離チャンネルストップ上の第2の遮光膜からの入射光広がりが低減されるので感度向上、スミア低減が実現できる。さらに、本発明の実施の形態1で示したように読み出しゲート上に形成した第1の遮光膜も位相を180度反転させることにより読み出し方向の遮光膜からの入射光の広がりも低減できる。また、第1と第2の重なった領域では、第2の遮光膜を通過することで入射光強度が大部分低減されるため、上層の第2の遮光膜の位相反転効果により入射光広がりは低減される。
以上説明を行ったように、本実施の形態の固体撮像装置によれば、R用受光部に入射する赤色光に対して位相を180反転させる遮光膜を用いることにより開口部エッジでの回折効果による入射光広がりを小さくすることが可能となり、感度を20%向上することが可能となる。また、同時に遮光膜エッジからの回折反射光によるスミア成分が低下する。その結果出力画像の画質が良好で高感度の固体撮像装置を得ることができる。
本発明に係る固体撮像装置は、受光部に入射する全ての波長領域の可視光に対して入射光の回折効果による広がりによる感度低下、スミアを効果的に抑制することができ、受光部で取り込んだ入力光をCCDを通して取り出す固体撮像装置等に有用である。
1 シリコン基板
2 ゲート絶縁膜
3 転送電極
4 層間絶縁膜
5 反射防止膜
6 ハーフトーン遮光膜
7 層間絶縁膜
8 受光部
9 垂直CCD部
10 読み出しゲート部
11 チャネルストップ
12 層内レンズ
13 ポリシリコン膜
14 WSi
15 ポリシリコン膜
16 W膜
18 W膜
19 第1の遮光膜
20 第2の遮光膜
21 水平CCD部
22 シリコン酸化膜
23 BPSG膜
24 垂直分離チャンネルストップ
33 転送電極
2 ゲート絶縁膜
3 転送電極
4 層間絶縁膜
5 反射防止膜
6 ハーフトーン遮光膜
7 層間絶縁膜
8 受光部
9 垂直CCD部
10 読み出しゲート部
11 チャネルストップ
12 層内レンズ
13 ポリシリコン膜
14 WSi
15 ポリシリコン膜
16 W膜
18 W膜
19 第1の遮光膜
20 第2の遮光膜
21 水平CCD部
22 シリコン酸化膜
23 BPSG膜
24 垂直分離チャンネルストップ
33 転送電極
Claims (7)
- 複数の受光部と前記受光部と1対1で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、
半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、
前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るCCDと、
前記フォトダイオードおよび前記CCDを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、
前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、
前記反射防止膜を露出して少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第1の遮光膜と
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 複数の受光部と前記受光部と1対1で対応する電荷読み出し部より成る固体撮像装置であって、
半導体基板表面に形成されて入射光を電荷に変換する受光部と成るフォトダイオードと、
前記半導体基板表面に前記フォトダイオードと前記半導体基板をはさんで形成される電荷読み出し部と成るCCDと、
前記フォトダイオードおよび前記CCDを含む前記半導体基板表面全面に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記フォトダイオードを部分的に覆って形成される反射防止膜と、
前記反射防止膜の形成領域外の前記絶縁膜上に形成される電極と、
前記反射防止膜を露出して前記電極上に形成されて少なくとも一部が前記フォトダイオード上部に形成されて前記入射光の位相を反転させる第1の遮光膜と、
前記第1の遮光膜と直交して形成される第2の遮光膜と
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の遮光膜は透過率が5%〜40%であるであることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の遮光膜は受光部上では透過率が5%〜40%であり、前記電極上では透過率が1%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の遮光膜はポリシリコンの単一の材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の遮光膜は位相反転する材料と透過率を制御する材料の2層からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1の遮光膜の膜厚は、前記入射光受光部へ赤色の波長に対して位相を180度反転させる膜厚とすることを特徴とする請求項1または請求項2記載の固体撮像装置。
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US8514309B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor |
EP2372769A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-05 | Sony Corporation | Solid- state imaging device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus and camera module |
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