JPH04263469A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04263469A JPH04263469A JP3023419A JP2341991A JPH04263469A JP H04263469 A JPH04263469 A JP H04263469A JP 3023419 A JP3023419 A JP 3023419A JP 2341991 A JP2341991 A JP 2341991A JP H04263469 A JPH04263469 A JP H04263469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- receiving section
- solid
- vertical register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 18
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に、受光部表面に正電荷蓄積領域を有するＣＣＤ固体
撮像装置に関する。
特に、受光部表面に正電荷蓄積領域を有するＣＣＤ固体
撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＣＣＤカメラ等に用いられるＣ
ＣＤ固体撮像装置としては、飽和電荷を横方向に掃き捨
てるタイプのもの（横型オーバーフローＣＣＤ）と基板
方向、即ち縦方向に掃き捨てるタイプのもの（縦型オー
バーフローＣＣＤ）とがある。前者の横型オーバーフロ
ーＣＣＤは、受光部の空乏層外で光電変換された電荷が
垂直レジスタに侵入し、偽信号（スミア）を発生させる
という問題があるが、後者の縦型オーバーフローＣＣＤ
は、受光部の空乏層外で光電変換された電荷を基板側に
掃き捨てることができるため、上記横型オーバーフロー
ＣＣＤよりもスミアの発生が少ない。
ＣＤ固体撮像装置としては、飽和電荷を横方向に掃き捨
てるタイプのもの（横型オーバーフローＣＣＤ）と基板
方向、即ち縦方向に掃き捨てるタイプのもの（縦型オー
バーフローＣＣＤ）とがある。前者の横型オーバーフロ
ーＣＣＤは、受光部の空乏層外で光電変換された電荷が
垂直レジスタに侵入し、偽信号（スミア）を発生させる
という問題があるが、後者の縦型オーバーフローＣＣＤ
は、受光部の空乏層外で光電変換された電荷を基板側に
掃き捨てることができるため、上記横型オーバーフロー
ＣＣＤよりもスミアの発生が少ない。
【０００３】従来の縦型オーバーフローＣＣＤによる固
体撮像装置の構成は、図４に示すように、Ｎ型シリコン
基板３１上の第１のＰ型ウェル領域３２内にＮ型の受光
部３３と垂直レジスタ３４並びにＰ型のチャンネル・ス
トッパ領域３５が形成され、受光部３３表面にＰ型の正
電荷蓄積領域３６が、垂直レジスタ３４直下に第２のＰ
型ウェル領域３７が夫々形成され、更に、第１のＰ型ウ
ェル領域３２上に３層構造のゲート絶縁膜３８を介して
多結晶シリコン層による転送電極３９が選択的に形成さ
れ、この転送電極３９上に層間膜４０を介してＡｌ遮光
層４１が形成されて構成されている。尚、受光部３３と
垂直レジスタ３４間のＰ型領域は読出しゲート４２を構
成する。
体撮像装置の構成は、図４に示すように、Ｎ型シリコン
基板３１上の第１のＰ型ウェル領域３２内にＮ型の受光
部３３と垂直レジスタ３４並びにＰ型のチャンネル・ス
トッパ領域３５が形成され、受光部３３表面にＰ型の正
電荷蓄積領域３６が、垂直レジスタ３４直下に第２のＰ
型ウェル領域３７が夫々形成され、更に、第１のＰ型ウ
ェル領域３２上に３層構造のゲート絶縁膜３８を介して
多結晶シリコン層による転送電極３９が選択的に形成さ
れ、この転送電極３９上に層間膜４０を介してＡｌ遮光
層４１が形成されて構成されている。尚、受光部３３と
垂直レジスタ３４間のＰ型領域は読出しゲート４２を構
成する。
【０００４】また、上記Ａｌ遮光層４１は、受光部３３
上において選択的にエッチング除去されており、光Ｌは
、このエッチング除去によって形成された開口４３を通
じて受光部３３内に入射されるようになっている。
上において選択的にエッチング除去されており、光Ｌは
、このエッチング除去によって形成された開口４３を通
じて受光部３３内に入射されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＣＤ固体撮像装置においては、層間膜４０上にＡｌ遮
光層４１を形成したのち、該Ａｌ遮光層４１を受光部３
３上において選択的にエッチング除去するようにしてい
るため、Ａｌ遮光層４１の開口４３下部から垂直レジス
タ３４上部までゲート絶縁膜３８及び層間膜４０等の透
明な膜が連続的に形成されたかたちとなる。そのため、
受光部３３側に入射した光Ｌのうち、その回折光が層間
膜４０及びゲート絶縁膜３８を通じて垂直レジスタ３４
側に導波し、その導波した光成分のうちの一部が垂直レ
ジスタ３４に入射してスミアを発生させるという問題が
あった。
ＣＣＤ固体撮像装置においては、層間膜４０上にＡｌ遮
光層４１を形成したのち、該Ａｌ遮光層４１を受光部３
３上において選択的にエッチング除去するようにしてい
るため、Ａｌ遮光層４１の開口４３下部から垂直レジス
タ３４上部までゲート絶縁膜３８及び層間膜４０等の透
明な膜が連続的に形成されたかたちとなる。そのため、
受光部３３側に入射した光Ｌのうち、その回折光が層間
膜４０及びゲート絶縁膜３８を通じて垂直レジスタ３４
側に導波し、その導波した光成分のうちの一部が垂直レ
ジスタ３４に入射してスミアを発生させるという問題が
あった。
【０００６】一方、受光部３３に入射した光Ｌによって
発生した電子と正孔のうち、正孔は外部に捨て去る必要
があるが、従来の固体撮像装置の場合、上記正孔をＰ型
のチャンネル・ストッパ領域３５を通じて逃がすしか方
法がなく、しかも、このチャンネル・ストッパ領域３５
は、そのコンダクタンスが小さいため、溜った正孔を全
て逃がすことができず、結局、正孔が受光部３３付近に
残留するという現象が生じる。
発生した電子と正孔のうち、正孔は外部に捨て去る必要
があるが、従来の固体撮像装置の場合、上記正孔をＰ型
のチャンネル・ストッパ領域３５を通じて逃がすしか方
法がなく、しかも、このチャンネル・ストッパ領域３５
は、そのコンダクタンスが小さいため、溜った正孔を全
て逃がすことができず、結局、正孔が受光部３３付近に
残留するという現象が生じる。
【０００７】その結果、受光部３３から垂直レジスタ３
４に転送される電荷量としては、図５に示すように、受
光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓであるこ
とが好ましいが、従来の固体撮像装置の場合、垂直レジ
スタ３４に転送される電荷中、飽和電荷量Ｑｏから信号
電荷量Ｑｓを差し引いた分の電荷量、即ち、受光量に対
して非線形特性を有する電荷量Ｑｋｎｅｅが、上記信号
電荷量Ｑｓに加えて増加し、出力信号として変換した場
合のリニヤリティーが劣化するという不都合が生じる。
４に転送される電荷量としては、図５に示すように、受
光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓであるこ
とが好ましいが、従来の固体撮像装置の場合、垂直レジ
スタ３４に転送される電荷中、飽和電荷量Ｑｏから信号
電荷量Ｑｓを差し引いた分の電荷量、即ち、受光量に対
して非線形特性を有する電荷量Ｑｋｎｅｅが、上記信号
電荷量Ｑｓに加えて増加し、出力信号として変換した場
合のリニヤリティーが劣化するという不都合が生じる。
【０００８】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、回折光の垂直レジス
タへの導波を防止でき、スメアの低減化を図ることがで
きると共に、出力信号のリニヤリティーを向上させるこ
とができる固体撮像装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、回折光の垂直レジス
タへの導波を防止でき、スメアの低減化を図ることがで
きると共に、出力信号のリニヤリティーを向上させるこ
とができる固体撮像装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部３表面
に正電荷蓄積領域６を有する固体撮像装置において、受
光部３の周縁部分に形成された遮光膜１６と正電荷蓄積
領域６とを電気的に接続して構成する。
に正電荷蓄積領域６を有する固体撮像装置において、受
光部３の周縁部分に形成された遮光膜１６と正電荷蓄積
領域６とを電気的に接続して構成する。
【００１０】
【作用】上述の本発明の構成によれば、受光部３の周縁
部分に形成された遮光膜１６によって、回折光Ｌの垂直
レジスタ４側への導波を阻止することができるため、回
折光Ｌの垂直レジスタ４への入射により発生するスメア
を低減させることができる。また、正電荷蓄積領域６と
遮光膜１６とを電気的に接続するようにしたので、遮光
膜１６に例えば接地電位Ｖｓｓを印加することにより、
正電荷蓄積領域６に溜った正孔を遮光膜１６を通じて逃
がすことができる。その結果、垂直レジスタ４に転送さ
れる電荷量のうち、受光量に対して非線形特性を有する
電荷量Ｑｋｎｅｅが減少し、上記転送電荷量としては、
受光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓの割合
が増え、出力信号のリニヤリティーが向上する。
部分に形成された遮光膜１６によって、回折光Ｌの垂直
レジスタ４側への導波を阻止することができるため、回
折光Ｌの垂直レジスタ４への入射により発生するスメア
を低減させることができる。また、正電荷蓄積領域６と
遮光膜１６とを電気的に接続するようにしたので、遮光
膜１６に例えば接地電位Ｖｓｓを印加することにより、
正電荷蓄積領域６に溜った正孔を遮光膜１６を通じて逃
がすことができる。その結果、垂直レジスタ４に転送さ
れる電荷量のうち、受光量に対して非線形特性を有する
電荷量Ｑｋｎｅｅが減少し、上記転送電荷量としては、
受光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓの割合
が増え、出力信号のリニヤリティーが向上する。
【００１１】
【実施例】以下、図１〜図３を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装置
の要部を示す構成図である。
施例を説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装置
の要部を示す構成図である。
【００１２】この固体撮像装置は、図示する如く、Ｎ型
シリコン基板１上の第１のＰ型ウェル領域２内にＮ型の
受光部３と垂直レジスタ４並びにＰ型のチャンネル・ス
トッパ領域５が形成され、受光部３表面にＰ型の正電荷
蓄積領域６が、垂直レジスタ直４下に第２のＰ型ウェル
領域７が夫々形成されている。尚、受光部３と垂直レジ
スタ４間のＰ型領域は読出しゲート８を構成する。
シリコン基板１上の第１のＰ型ウェル領域２内にＮ型の
受光部３と垂直レジスタ４並びにＰ型のチャンネル・ス
トッパ領域５が形成され、受光部３表面にＰ型の正電荷
蓄積領域６が、垂直レジスタ直４下に第２のＰ型ウェル
領域７が夫々形成されている。尚、受光部３と垂直レジ
スタ４間のＰ型領域は読出しゲート８を構成する。
【００１３】そして、第１のＰ型ウェル領域２の上記チ
ャンネル・ストッパ領域５、垂直レジスタ４及び読出し
ゲート８並びに正電荷蓄積領域６の中央部分上には、夫
々Ｓｉ０２からなる酸化膜９が形成され、更に、垂直レ
ジスタ４及びチャンネル・ストッパ領域５上には上記酸
化膜９を介してＳｉ３Ｎ４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１
が順次積層される。この垂直レジスタ及びチャンネル・
ストッパ領域上の酸化膜９、Ｓｉ３Ｎ４ 膜及びＳｉ０
２膜は３層構造のゲート絶縁膜１２を構成する。また、
第１のＰ型ウェル領域２上の上記ゲート絶縁膜１２上に
、多結晶シリコン層による転送電極１３及びＳｉ０２に
よる酸化膜１４が選択的に形成され、更に、転送電極１
３上の酸化膜１４上及び正電荷蓄積領域６上の酸化膜９
上に夫々ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）等からな
る層間膜１５が積層されている。
ャンネル・ストッパ領域５、垂直レジスタ４及び読出し
ゲート８並びに正電荷蓄積領域６の中央部分上には、夫
々Ｓｉ０２からなる酸化膜９が形成され、更に、垂直レ
ジスタ４及びチャンネル・ストッパ領域５上には上記酸
化膜９を介してＳｉ３Ｎ４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１
が順次積層される。この垂直レジスタ及びチャンネル・
ストッパ領域上の酸化膜９、Ｓｉ３Ｎ４ 膜及びＳｉ０
２膜は３層構造のゲート絶縁膜１２を構成する。また、
第１のＰ型ウェル領域２上の上記ゲート絶縁膜１２上に
、多結晶シリコン層による転送電極１３及びＳｉ０２に
よる酸化膜１４が選択的に形成され、更に、転送電極１
３上の酸化膜１４上及び正電荷蓄積領域６上の酸化膜９
上に夫々ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）等からな
る層間膜１５が積層されている。
【００１４】しかして、本例においては、Ａｌ遮光膜１
６を転送電極１３上及び受光部３周縁部分のシリコン露
出部分にかけて連続的に形成して構成される。即ち、こ
のＡｌ遮光膜１６は、受光部３の中央部分上に形成され
た層間膜１５上において選択的にエッチング除去されて
おり、光Ｌは、このエッチング除去によって形成された
開口１７を通じて受光部３内に入射される。また、Ａｌ
遮光膜１６は、受光部３の周縁部分において、正電荷蓄
積領域６と接触したかたちとなっており、Ａｌ遮光膜１
６に例えば接地電位（零電位）Ｖｓｓを印加することに
より、正電荷蓄積領域６は、Ａｌ遮光膜１６と同電位の
接地電位Ｖｓｓに固定される。
６を転送電極１３上及び受光部３周縁部分のシリコン露
出部分にかけて連続的に形成して構成される。即ち、こ
のＡｌ遮光膜１６は、受光部３の中央部分上に形成され
た層間膜１５上において選択的にエッチング除去されて
おり、光Ｌは、このエッチング除去によって形成された
開口１７を通じて受光部３内に入射される。また、Ａｌ
遮光膜１６は、受光部３の周縁部分において、正電荷蓄
積領域６と接触したかたちとなっており、Ａｌ遮光膜１
６に例えば接地電位（零電位）Ｖｓｓを印加することに
より、正電荷蓄積領域６は、Ａｌ遮光膜１６と同電位の
接地電位Ｖｓｓに固定される。
【００１５】次に、本例に係るＣＣＤ固体撮像装置の製
造方法を図２及び図３の工程図に基いて説明する。尚、
図１と対応するものについては同符号を記す。まず、図
２Ａに示すように、Ｎ型シリコン基板１上の第１のＰ型
ウェル領域２上にＳｉ０２からなる酸化膜９を形成した
のち、第１のＰ型ウェル領域２内にＮ型及びＰ型の不純
物を選択的に導入（イオン注入）して、Ｎ型の垂直レジ
スタ４及びＰ型のチャンネル・ストッパ領域５並びに第
２のＰ型ウェル領域７を形成する。
造方法を図２及び図３の工程図に基いて説明する。尚、
図１と対応するものについては同符号を記す。まず、図
２Ａに示すように、Ｎ型シリコン基板１上の第１のＰ型
ウェル領域２上にＳｉ０２からなる酸化膜９を形成した
のち、第１のＰ型ウェル領域２内にＮ型及びＰ型の不純
物を選択的に導入（イオン注入）して、Ｎ型の垂直レジ
スタ４及びＰ型のチャンネル・ストッパ領域５並びに第
２のＰ型ウェル領域７を形成する。
【００１６】次に、図２Ｂに示すように、第１のＰ型ウ
ェル領域２上の酸化膜９上全面にＳｉ３Ｎ４ 膜１０及
びＳｉ０２膜１１を順次積層したのち、後に受光部３と
なる部分のＳｉ３Ｎ４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１を選
択的にエッチング除去する。ここで、垂直レジスタ４及
びチャンネル・ストッパ領域５上の酸化膜９，Ｓｉ３Ｎ
４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１がゲート絶縁膜１２を構
成する。その後、ゲート絶縁膜１２上に多結晶シリコン
層による転送電極１３を形成する。
ェル領域２上の酸化膜９上全面にＳｉ３Ｎ４ 膜１０及
びＳｉ０２膜１１を順次積層したのち、後に受光部３と
なる部分のＳｉ３Ｎ４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１を選
択的にエッチング除去する。ここで、垂直レジスタ４及
びチャンネル・ストッパ領域５上の酸化膜９，Ｓｉ３Ｎ
４ 膜１０及びＳｉ０２膜１１がゲート絶縁膜１２を構
成する。その後、ゲート絶縁膜１２上に多結晶シリコン
層による転送電極１３を形成する。
【００１７】次に、図２Ｃに示すように、上記転送電極
１３をマスクとしてＮ型の不純物を第１のＰ型ウェル領
域２内に選択的に導入（イオン注入）して、Ｎ型の受光
部３を形成する。更に、上記転送電極１３をマスクとし
てＰ型の不純物を受光部３表面に選択的に導入（イオン
注入）してＰ型の正電荷蓄積領域６を形成する。これら
受光部３等の不純物拡散領域を形成するために不純物の
導入後、活性化アニール処理が施される。そして、この
活性化アニール処理、特に酸化性雰囲気中での熱処理に
よって、転送電極１３の表面が酸化され、該転送電極１
３上にＳｉ０２からなる酸化膜１４が形成される。
１３をマスクとしてＮ型の不純物を第１のＰ型ウェル領
域２内に選択的に導入（イオン注入）して、Ｎ型の受光
部３を形成する。更に、上記転送電極１３をマスクとし
てＰ型の不純物を受光部３表面に選択的に導入（イオン
注入）してＰ型の正電荷蓄積領域６を形成する。これら
受光部３等の不純物拡散領域を形成するために不純物の
導入後、活性化アニール処理が施される。そして、この
活性化アニール処理、特に酸化性雰囲気中での熱処理に
よって、転送電極１３の表面が酸化され、該転送電極１
３上にＳｉ０２からなる酸化膜１４が形成される。
【００１８】次に、図３Ａに示すように、全面にＰＳＧ
等からなる層間膜１５を形成したのち、受光部３の周縁
部分における酸化膜９及び層間膜１５を選択的にエッチ
ング除去して窓１８を形成する。この窓１８を通して下
層の正電荷蓄積領域６が露出する。
等からなる層間膜１５を形成したのち、受光部３の周縁
部分における酸化膜９及び層間膜１５を選択的にエッチ
ング除去して窓１８を形成する。この窓１８を通して下
層の正電荷蓄積領域６が露出する。
【００１９】次に、図３Ｂに示すように、全面にＡｌ遮
光膜１６を形成したのち、受光部３の中央部分、即ち、
酸化膜９及び層間膜１５が形成されている部分のＡｌ遮
光膜１６を選択的にエッチング除去して開口１７を形成
する。このとき、Ａｌ遮光膜１６は、受光部３の周縁部
分に形成された窓１８を介して下層の正電荷蓄積領域６
と接触する。このＡｌ遮光膜１６の接触により、ゲート
絶縁膜１２方向への光Ｌの入射が遮光されたかたちにな
る（図１参照）。
光膜１６を形成したのち、受光部３の中央部分、即ち、
酸化膜９及び層間膜１５が形成されている部分のＡｌ遮
光膜１６を選択的にエッチング除去して開口１７を形成
する。このとき、Ａｌ遮光膜１６は、受光部３の周縁部
分に形成された窓１８を介して下層の正電荷蓄積領域６
と接触する。このＡｌ遮光膜１６の接触により、ゲート
絶縁膜１２方向への光Ｌの入射が遮光されたかたちにな
る（図１参照）。
【００２０】上述のように、本例によれば、受光部３上
に形成された酸化膜９及び層間膜１５をその周縁部分に
おいて一部除去して窓１８を形成したのち、Ａｌ遮光膜
１６を堆積させ、このＡｌ遮光膜１６と受光部３表面に
形成された正電荷蓄積領域６とを窓１８を介して接触さ
せるようにしたので、回折光Ｌの垂直レジスタ４側への
導波を阻止することができ、回折光Ｌの垂直レジスタ４
への入射により発生するスメアを低減させることができ
る。また、正電荷蓄積領域６とＡｌ遮光膜１６とが電気
的に接続されるため、Ａｌ遮光膜１６に例えば接地電位
Ｖｓｓを印加することにより、正電荷蓄積領域６に溜っ
た正孔をＡｌ遮光膜１６を通じて逃がすことができる。 その結果、図５に示すように、垂直レジスタ４に転送さ
れる電荷量のうち、受光量に対して非線形特性を有する
電荷量Ｑｋｎｅｅが減少し、上記転送電荷量としては、
受光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓの割合
が増え、それに伴い、垂直レジスタ４によって転送され
る電荷を出力信号として変換する場合のリニヤリティー
が向上し、後段での信号処理が容易になると共に、画質
の向上を効率よく図ることができる。
に形成された酸化膜９及び層間膜１５をその周縁部分に
おいて一部除去して窓１８を形成したのち、Ａｌ遮光膜
１６を堆積させ、このＡｌ遮光膜１６と受光部３表面に
形成された正電荷蓄積領域６とを窓１８を介して接触さ
せるようにしたので、回折光Ｌの垂直レジスタ４側への
導波を阻止することができ、回折光Ｌの垂直レジスタ４
への入射により発生するスメアを低減させることができ
る。また、正電荷蓄積領域６とＡｌ遮光膜１６とが電気
的に接続されるため、Ａｌ遮光膜１６に例えば接地電位
Ｖｓｓを印加することにより、正電荷蓄積領域６に溜っ
た正孔をＡｌ遮光膜１６を通じて逃がすことができる。 その結果、図５に示すように、垂直レジスタ４に転送さ
れる電荷量のうち、受光量に対して非線形特性を有する
電荷量Ｑｋｎｅｅが減少し、上記転送電荷量としては、
受光量に対して線形特性を有する信号電荷量Ｑｓの割合
が増え、それに伴い、垂直レジスタ４によって転送され
る電荷を出力信号として変換する場合のリニヤリティー
が向上し、後段での信号処理が容易になると共に、画質
の向上を効率よく図ることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、回
折光の垂直レジスタへの導波を防止でき、回折光の垂直
レジスタへの入射により発生するスメアの低減化を図る
ことができると共に、出力信号のリニヤリティーを向上
させることができる
折光の垂直レジスタへの導波を防止でき、回折光の垂直
レジスタへの入射により発生するスメアの低減化を図る
ことができると共に、出力信号のリニヤリティーを向上
させることができる
【図１】本実施例に係る固体撮像装置の要部を示す構成
図。
図。
【図２】本実施例に係る固体撮像装置の製造方法を示す
工程図（その１）。
工程図（その１）。
【図３】本実施例に係る固体撮像装置の製造方法を示す
工程図（その２）。
工程図（その２）。
【図４】従来例に係る固体撮像装置の要部を示す構成図
。
。
【図５】受光量に対する電荷量の発生特性を示す特性図
。
。
１ シリコン基板
２ 第１のＰ型ウェル領域
３ 受光部
４ 垂直レジスタ
５ チャンネル・ストッパ領域
６ 正電荷蓄積領域
７ 第２のＰ型ウェル領域
８ 読出しゲート
９，１４ 酸化膜
１０ Ｓｉ３Ｎ４ 膜
１１ Ｓｉ０２膜
１２ ゲート絶縁膜
１３ 転送電極
１５ 層間膜
１６ Ａｌ遮光膜
１７ 開口
Claims (1)
- 【請求項１】 受光部表面に正電荷蓄積領域を有する
固体撮像装置において、上記受光部の周縁部分に形成さ
れた遮光膜と上記正電荷蓄積領域とが電気的に接続され
ていることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023419A JPH04263469A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023419A JPH04263469A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263469A true JPH04263469A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12109984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023419A Pending JPH04263469A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263469A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352475A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-07 | Samsung Electron Co Ltd | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US5654565A (en) * | 1994-06-30 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Charge coupled device with filling film and method of manufacture thereof |
| JP2002246584A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006261229A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2010539675A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-12-16 | ウードゥヴェ セミコンダクターズ | 光学的クロストークの改善を伴うカラー画像センサ |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023419A patent/JPH04263469A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352475A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-07 | Samsung Electron Co Ltd | Ｃｃｄ固体撮像素子 |
| US5654565A (en) * | 1994-06-30 | 1997-08-05 | Nec Corporation | Charge coupled device with filling film and method of manufacture thereof |
| JP2002246584A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006261229A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2010539675A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-12-16 | ウードゥヴェ セミコンダクターズ | 光学的クロストークの改善を伴うカラー画像センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2848268B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH04286361A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04355964A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US4742027A (en) | Method of fabricating a charge coupled device | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04263469A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3008163B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| KR100494645B1 (ko) | 스페이서 블록마스크를 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 | |
| JPS6089967A (ja) | 光電変換素子 | |
| KR980012580A (ko) | 고체 촬상소자 | |
| JPH07142696A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05152551A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP4449298B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
| KR20000008283A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 | |
| JP2002190587A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH0590551A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0832045A (ja) | 固体撮像素子及びその製法 | |
| JPH0425756B2 (ja) | ||
| JPH08306895A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS60102769A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04225563A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62190870A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH06310701A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06204443A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2004363473A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |