JPH0794699A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH0794699A JPH0794699A JP5236842A JP23684293A JPH0794699A JP H0794699 A JPH0794699 A JP H0794699A JP 5236842 A JP5236842 A JP 5236842A JP 23684293 A JP23684293 A JP 23684293A JP H0794699 A JPH0794699 A JP H0794699A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子における暗電流、Ｑｓむら、ス
ミア成分の低減化を図る。 【構成】 単結晶半導体基板（４２，４３）内に受光部
（光電変換素子）３２及び電荷転送部３３が設けられて
なる固体撮像素子において、受光部３２の正電荷蓄積領
域４８の全域上に之に接するように、ＩＴＯ等よりなる
透明導電膜５３を形成し、この透明導電膜５３を接地さ
れるＡｌ遮光膜５６に接続して構成する。
ミア成分の低減化を図る。 【構成】 単結晶半導体基板（４２，４３）内に受光部
（光電変換素子）３２及び電荷転送部３３が設けられて
なる固体撮像素子において、受光部３２の正電荷蓄積領
域４８の全域上に之に接するように、ＩＴＯ等よりなる
透明導電膜５３を形成し、この透明導電膜５３を接地さ
れるＡｌ遮光膜５６に接続して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のＣＣＤ固体撮像素子の一
例を示す。このＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例
えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即ちＰ
形のウエル領域３内にＮ形の不純物拡散領域４と、垂直
転送レジスタ５を構成するＮ形転送チャンネル領域６並
びにＰ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記Ｎ
形の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷蓄積領域８が、
Ｎ形の転送チャネル領域６の直下に第２のＰ形ウエル領
域９が夫々形成されている。
例を示す。このＣＣＤ固体撮像素子１は、第１導電形例
えばＮ形のシリコン基板２上の第１の第２導電形即ちＰ
形のウエル領域３内にＮ形の不純物拡散領域４と、垂直
転送レジスタ５を構成するＮ形転送チャンネル領域６並
びにＰ形のチャネルストップ領域７が形成され、上記Ｎ
形の不純物拡散領域４上にＰ形の正電荷蓄積領域８が、
Ｎ形の転送チャネル領域６の直下に第２のＰ形ウエル領
域９が夫々形成されている。
【０００３】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域４とＰ形ウ
エル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換素子）１０が構成される。こ
の受光部１０は画素に対応して形成される。
エル領域３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオードＰＤ
によって受光部（光電変換素子）１０が構成される。こ
の受光部１０は画素に対応して形成される。
【０００４】そして、受光部１０上を含んで、垂直転送
レジスタ５を構成する転送チャネル領域６、チャネルス
トップ領域７及び後述する読み出しゲート部１１上にＳ
ｉＯ 2 膜によるゲート絶縁膜１５上に多結晶シリコンか
らなる転送電極１６が形成され、転送チャネル領域６、
ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣＣＤ構造の
垂直転送レジスタ５が構成される。
レジスタ５を構成する転送チャネル領域６、チャネルス
トップ領域７及び後述する読み出しゲート部１１上にＳ
ｉＯ 2 膜によるゲート絶縁膜１５上に多結晶シリコンか
らなる転送電極１６が形成され、転送チャネル領域６、
ゲート絶縁膜１５及び転送電極１６によりＣＣＤ構造の
垂直転送レジスタ５が構成される。
【０００５】転送電極１６の表面にはＳｉＯ2 膜１４が
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、リフロー膜であるＰＳＧ（リン・
シリケート・ガラス）からなる層間絶縁膜１７が積層さ
れ、更に転送電極１６上に上記層間絶縁膜１７を介して
Ａｌ遮光膜１８が選択的に形成される。
形成され、この転送電極１６及び受光部の正電荷蓄積領
域８上を含む全面に、リフロー膜であるＰＳＧ（リン・
シリケート・ガラス）からなる層間絶縁膜１７が積層さ
れ、更に転送電極１６上に上記層間絶縁膜１７を介して
Ａｌ遮光膜１８が選択的に形成される。
【０００６】Ａｌ遮光膜１８は、図示の例では２層膜構
造とされ、垂直転送レジスタ５上を帯状に延長する第１
のＡｌ遮光膜１９と、この第１のＡｌ遮光膜１９上を覆
い受光部１０から直接垂直転送レジスタ５に入射される
光（斜めに入射される光）を阻止するために受光部１０
側に一部延長するはり出し部２０ａが一体に設けられた
第２のＡｌ遮光膜２０とで構成される。
造とされ、垂直転送レジスタ５上を帯状に延長する第１
のＡｌ遮光膜１９と、この第１のＡｌ遮光膜１９上を覆
い受光部１０から直接垂直転送レジスタ５に入射される
光（斜めに入射される光）を阻止するために受光部１０
側に一部延長するはり出し部２０ａが一体に設けられた
第２のＡｌ遮光膜２０とで構成される。
【０００７】そして、このＡｌ遮光膜１８を含む全面上
に例えばプラズマＳｉＮ膜２１及び平坦化膜２２が順次
形成される。この平坦化膜２２上にカラーフィルタ層２
３が形成され、更に、カラーフィルタ層２１上の受光部
１０に対応する位置にオンチップマイクロレンズ２４が
形成される。
に例えばプラズマＳｉＮ膜２１及び平坦化膜２２が順次
形成される。この平坦化膜２２上にカラーフィルタ層２
３が形成され、更に、カラーフィルタ層２１上の受光部
１０に対応する位置にオンチップマイクロレンズ２４が
形成される。
【０００８】転送電極１６は、垂直転送レジスタ５と受
光部１０間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲー
ト部１１が構成される。
光部１０間に延長形成され、ここにおいて読み出しゲー
ト部１１が構成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した固
体撮像素子１では、次のような問題点があった。
体撮像素子１では、次のような問題点があった。
【００１０】（ｉ）受光部１０において、図４に示すよ
うに、層間絶縁膜であるリン・シリケートガラス膜１７
内に存在する不純物イオン（正のイオン）２５等によ
り、絶縁膜１５と正電荷蓄積領域８の界面における空乏
層２６が広げられ、これが暗電流増加の原因となってい
た。この暗電流は、空乏層２６内の再結晶中心の働きに
よって生じる電子−正孔対によるものである。
うに、層間絶縁膜であるリン・シリケートガラス膜１７
内に存在する不純物イオン（正のイオン）２５等によ
り、絶縁膜１５と正電荷蓄積領域８の界面における空乏
層２６が広げられ、これが暗電流増加の原因となってい
た。この暗電流は、空乏層２６内の再結晶中心の働きに
よって生じる電子−正孔対によるものである。
【００１１】（ii）受光部１０の正電荷蓄積領域８に蓄
積されたホール（正孔）を掃き出すためのいわゆるホー
ルドレインとして、チャネルストップ領域７が用いら
れ、このチャネルストップ領域７を通じて正電荷蓄積領
域８に蓄積されたホールが掃き出される。しかし、垂直
方向に延びるチャネルストップ領域７は抵抗を有するた
め、垂直方向に関する上下の受光部１０でのホールの掃
き出し量が異なり、これが同じ光を当てたときの信号電
荷量Ｑｓのむらの原因となっていた。
積されたホール（正孔）を掃き出すためのいわゆるホー
ルドレインとして、チャネルストップ領域７が用いら
れ、このチャネルストップ領域７を通じて正電荷蓄積領
域８に蓄積されたホールが掃き出される。しかし、垂直
方向に延びるチャネルストップ領域７は抵抗を有するた
め、垂直方向に関する上下の受光部１０でのホールの掃
き出し量が異なり、これが同じ光を当てたときの信号電
荷量Ｑｓのむらの原因となっていた。
【００１２】（iii ）近年、固体撮像素子においては、
小型化が進められてきている。この小型化に伴い、オン
チップマイクロレンズ２４の曲率や平坦化膜２２などの
膜厚を調整しても、図３に示すように、受光部１０上に
焦点をつくることが困難である。従って、オンチップマ
イクロレンズ２４を通過した光Ｌが完全集光しないた
め、Ａｌ遮光膜１８のはり出し部２０ａ下部から垂直転
送レジスタ５への光のもれ込みが増え、スミア成分が多
くなる。
小型化が進められてきている。この小型化に伴い、オン
チップマイクロレンズ２４の曲率や平坦化膜２２などの
膜厚を調整しても、図３に示すように、受光部１０上に
焦点をつくることが困難である。従って、オンチップマ
イクロレンズ２４を通過した光Ｌが完全集光しないた
め、Ａｌ遮光膜１８のはり出し部２０ａ下部から垂直転
送レジスタ５への光のもれ込みが増え、スミア成分が多
くなる。
【００１３】本発明は、上述の点に鑑み、暗電流、Ｑｓ
むら及びスミア成分の低減化を図ることができる固体撮
像素子を提供するものである。
むら及びスミア成分の低減化を図ることができる固体撮
像素子を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶半導体
基体４２，４３に光電変換素子３２と電荷転送部３３が
設けられてなる固体撮像素子において、光電変換素子３
２の直上に該光電変換素子３２に接して接地された透明
導電膜５３を形成して構成する。
基体４２，４３に光電変換素子３２と電荷転送部３３が
設けられてなる固体撮像素子において、光電変換素子３
２の直上に該光電変換素子３２に接して接地された透明
導電膜５３を形成して構成する。
【００１５】
【作用】本発明においては、光電変換素子３２に直接接
して接地された透明導電膜５３が形成されるので、この
透明導電膜５３が光電変換された一方の電荷のドレイン
として作用し、Ｑｓむらを低減することができる。
して接地された透明導電膜５３が形成されるので、この
透明導電膜５３が光電変換された一方の電荷のドレイン
として作用し、Ｑｓむらを低減することができる。
【００１６】また、透明導電膜５３を通して光電変換素
子３２の表面が接地電位となるので、光電変換素子３２
の界面での空乏化が防止され、暗電流を低減することが
できる。
子３２の表面が接地電位となるので、光電変換素子３２
の界面での空乏化が防止され、暗電流を低減することが
できる。
【００１７】さらに、透明導電膜５３の屈折率により、
光電変換素子３２を通り、遮光膜５６のはり出し部５５
ａ下から入射する光Ｌが内方（光電変換素子側）に屈折
され、感度向上、並びにスミア成分の低減化が可能とな
る。
光電変換素子３２を通り、遮光膜５６のはり出し部５５
ａ下から入射する光Ｌが内方（光電変換素子側）に屈折
され、感度向上、並びにスミア成分の低減化が可能とな
る。
【００１８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１９】図１（全体図）及び図２（Ａ−Ａ線上の断
面）は、本発明によるＣＣＤ固体撮像素子の一例を示
す。図１に示すＣＣＤ固体撮像素子３１は、複数の受光
部（光電変換素子）３２がマトリックス状に配列され、
各受光部列の一側に受光部３２からの信号電荷を垂直方
向に転送するためのＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３３
が形成され、さらに各垂直転送レジスタ３３の端部に接
続して信号電荷を水平方向に転送するＣＣＤ構造の水平
転送レジスタ３４が形成され、水平転送レジスタ３４の
終段に出力部３７が接続されて成る。各受光部列と隣り
合う垂直転送レジスタ３３間にはチャネルストップ領域
３５が形成され、夫々端部で連結される。チャネルスト
ップ領域３５は接地することができる。
面）は、本発明によるＣＣＤ固体撮像素子の一例を示
す。図１に示すＣＣＤ固体撮像素子３１は、複数の受光
部（光電変換素子）３２がマトリックス状に配列され、
各受光部列の一側に受光部３２からの信号電荷を垂直方
向に転送するためのＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３３
が形成され、さらに各垂直転送レジスタ３３の端部に接
続して信号電荷を水平方向に転送するＣＣＤ構造の水平
転送レジスタ３４が形成され、水平転送レジスタ３４の
終段に出力部３７が接続されて成る。各受光部列と隣り
合う垂直転送レジスタ３３間にはチャネルストップ領域
３５が形成され、夫々端部で連結される。チャネルスト
ップ領域３５は接地することができる。
【００２０】本例のＣＣＤ固体撮像素子３１において
は、図２の断面で示すように、第１導電形例えばＮ形の
シリコン基板４２上の第１の第２導電形即ちＰ形のウエ
ル領域４３内にＮ形の不純物拡散領域４４と、垂直転送
レジスタ３３を構成するＮ形の転送チャネル領域４６並
びにＰ形のチャネルストップ領域３５が形成され、上記
Ｎ形の不純物拡散領域４４上にＰ形の正電荷蓄積領域４
８が、またＮ形の転送チャネル領域４６の直下に第２の
Ｐ形ウエル領域４９が夫々形成される。
は、図２の断面で示すように、第１導電形例えばＮ形の
シリコン基板４２上の第１の第２導電形即ちＰ形のウエ
ル領域４３内にＮ形の不純物拡散領域４４と、垂直転送
レジスタ３３を構成するＮ形の転送チャネル領域４６並
びにＰ形のチャネルストップ領域３５が形成され、上記
Ｎ形の不純物拡散領域４４上にＰ形の正電荷蓄積領域４
８が、またＮ形の転送チャネル領域４６の直下に第２の
Ｐ形ウエル領域４９が夫々形成される。
【００２１】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域４４とＰ形
ウエル領域４３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオード
ＰＤによって受光部（光電変換素子）３２が構成され
る。
ウエル領域４３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオード
ＰＤによって受光部（光電変換素子）３２が構成され
る。
【００２２】垂直転送レジスタ３３を構成する転送チャ
ネル領域４６、チャネルストップ領域３５及び読み出し
ゲート部３６上に例えばＳｉＯ2 によるゲート絶縁膜５
０が形成される。このゲート絶縁膜５０上に多結晶シリ
コンからなる転送電極５１が形成され、転送チャネル領
域４６、ゲート絶縁膜５０及び転送電極５１によりＣＣ
Ｄ構造の垂直転送レジスタ３３が構成される。転送電極
５１の表面にはＳｉＯ 2 膜５２が形成される。
ネル領域４６、チャネルストップ領域３５及び読み出し
ゲート部３６上に例えばＳｉＯ2 によるゲート絶縁膜５
０が形成される。このゲート絶縁膜５０上に多結晶シリ
コンからなる転送電極５１が形成され、転送チャネル領
域４６、ゲート絶縁膜５０及び転送電極５１によりＣＣ
Ｄ構造の垂直転送レジスタ３３が構成される。転送電極
５１の表面にはＳｉＯ 2 膜５２が形成される。
【００２３】そして、本例では、特に受光部３２の正電
荷蓄積領域４８の全域に直接接触するように、受光部３
２及び垂直転送レジスタ３３を含む全面に例えばＩＴＯ
（酸化インジウム錫）膜等による透明導電膜５３が形成
される。また、この透明導電膜５３に電気的に接続され
るように、垂直転送レジスタ３３に対応する部分の透明
導電膜５３上に金属遮光膜、例えば第１のＡｌ遮光膜５
４が形成される。
荷蓄積領域４８の全域に直接接触するように、受光部３
２及び垂直転送レジスタ３３を含む全面に例えばＩＴＯ
（酸化インジウム錫）膜等による透明導電膜５３が形成
される。また、この透明導電膜５３に電気的に接続され
るように、垂直転送レジスタ３３に対応する部分の透明
導電膜５３上に金属遮光膜、例えば第１のＡｌ遮光膜５
４が形成される。
【００２４】第１のＡｌ遮光膜５４を除く全面にリフロ
ー膜であるＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）からな
る層間絶縁膜５７が積層され、更に、転送電極５１上に
金属遮光膜例えば第２のＡｌ遮光膜５５が選択的に形成
される。このＰＳＧによる層間絶縁膜５７は、ここに含
まれる水素がアニール時に拡散して結晶欠陥の回復に役
立つ。第２のＡｌ遮光膜５５は、第１のＡｌ遮光膜５４
と接続されると共に、受光部３２から直接垂直転送レジ
スタ３３に入射される光（斜めに入射される光）を阻止
するために受光部３２側に一部延長するはり出し部５５
ａが一体に設けられる。
ー膜であるＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）からな
る層間絶縁膜５７が積層され、更に、転送電極５１上に
金属遮光膜例えば第２のＡｌ遮光膜５５が選択的に形成
される。このＰＳＧによる層間絶縁膜５７は、ここに含
まれる水素がアニール時に拡散して結晶欠陥の回復に役
立つ。第２のＡｌ遮光膜５５は、第１のＡｌ遮光膜５４
と接続されると共に、受光部３２から直接垂直転送レジ
スタ３３に入射される光（斜めに入射される光）を阻止
するために受光部３２側に一部延長するはり出し部５５
ａが一体に設けられる。
【００２５】かかる第１及び第２のＡｌ遮光膜５４及び
５５により全体としてのＡｌ遮光膜５６が構成される。
このＡｌ遮光膜５６は接地される。以後、前述と同様
に、Ａｌ遮光膜５６を含む全面上に例えばプラズマＳｉ
Ｎ膜５９及び平坦化膜６０が順次形成され、この平坦化
膜６０上にカラーフィルタ層６１が形成され、更にカラ
ーフィルタ層６１上の受光部３２に対応する位置に、入
射光を受光部３２に集光させるためのオンチップマイク
ロレンズ６２が形成される。
５５により全体としてのＡｌ遮光膜５６が構成される。
このＡｌ遮光膜５６は接地される。以後、前述と同様
に、Ａｌ遮光膜５６を含む全面上に例えばプラズマＳｉ
Ｎ膜５９及び平坦化膜６０が順次形成され、この平坦化
膜６０上にカラーフィルタ層６１が形成され、更にカラ
ーフィルタ層６１上の受光部３２に対応する位置に、入
射光を受光部３２に集光させるためのオンチップマイク
ロレンズ６２が形成される。
【００２６】上述した本実施例によれば、受光部３３の
正電荷蓄積領域４８の表面に直接接触するように透明導
電膜５３を形成し、この透明導電膜５３を接地されるＡ
ｌ遮光膜５６に接続して構成することにより、透明導電
膜５３がいわゆるホールドレインとして作用し、各受光
部３２での正電荷蓄積領域４８に蓄積されたホール（正
孔）は透明導電膜５３より低抵抗のＡｌ遮光膜５６を通
じて掃き出される。従って、同じ光量を受けたときの信
号電荷量Ｑｓが、垂直方向の上下の受光部３２で同程度
となり、いわゆるＱｓむらを低減することができる。
正電荷蓄積領域４８の表面に直接接触するように透明導
電膜５３を形成し、この透明導電膜５３を接地されるＡ
ｌ遮光膜５６に接続して構成することにより、透明導電
膜５３がいわゆるホールドレインとして作用し、各受光
部３２での正電荷蓄積領域４８に蓄積されたホール（正
孔）は透明導電膜５３より低抵抗のＡｌ遮光膜５６を通
じて掃き出される。従って、同じ光量を受けたときの信
号電荷量Ｑｓが、垂直方向の上下の受光部３２で同程度
となり、いわゆるＱｓむらを低減することができる。
【００２７】また、接地された透明導電膜５３が正電荷
蓄積領域４８全域に直接形成されるので、正電荷蓄積領
域４８の表面は接地電位となる。従って、正電荷蓄積領
域４８では、層間絶縁膜５７内存在する正の不純物イオ
ンの影響を受けず、正電荷蓄積領域４８界面の空乏化を
防止することができ、暗電流を低減することができる。
蓄積領域４８全域に直接形成されるので、正電荷蓄積領
域４８の表面は接地電位となる。従って、正電荷蓄積領
域４８では、層間絶縁膜５７内存在する正の不純物イオ
ンの影響を受けず、正電荷蓄積領域４８界面の空乏化を
防止することができ、暗電流を低減することができる。
【００２８】さらに、透明導電膜５３であるＩＴＯ膜は
屈折率が２．０であるので、Ａｌ遮光膜５６のはり出し
部５５ａ下に入射した光Ｌは内側（受光部側）に屈折さ
れることになる。この結果、光Ｌが受光部３２に集中し
感度を向上すると共に、はり出し部５５ａ下に入射した
光によるスミア成分を低減することができる。
屈折率が２．０であるので、Ａｌ遮光膜５６のはり出し
部５５ａ下に入射した光Ｌは内側（受光部側）に屈折さ
れることになる。この結果、光Ｌが受光部３２に集中し
感度を向上すると共に、はり出し部５５ａ下に入射した
光によるスミア成分を低減することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子におい
て、その光電変換素子上に直接、透明光電膜を形成する
ことにより、暗電流の発生、各光電変換素子間のＱｓむ
らを低減することができ、且つ光の漏れ込みによるスミ
ア成分の低減を図ることができる。従って、信頼性の高
い固体撮像素子を提供することができる。
て、その光電変換素子上に直接、透明光電膜を形成する
ことにより、暗電流の発生、各光電変換素子間のＱｓむ
らを低減することができ、且つ光の漏れ込みによるスミ
ア成分の低減を図ることができる。従って、信頼性の高
い固体撮像素子を提供することができる。
【図１】本発明に係る固体撮像素子の一例を示す全体の
構成図である。
構成図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】従来の固体撮像素子を示す断面図である。
【図４】従来例の説明に供する要部の断面図である。
１，３１ 固体撮像素子 １０，３２ 受光部 ５，３３ 垂直転送レジスタ ３４ 水平転送レジスタ ７，３５ チャネルストップ領域 １１，３６ 読み出しゲート部 ３７ 出力部 ２，４２ シリコン基板 ３，４３ 第１のウエル領域 ４，４４ Ｎ形不純物拡散領域 ６，４６ 転送チャネル領域 ８，４８ 正電荷蓄積領域 ９，４９ 第２のウエル領域 １５，５０ ゲート絶縁膜 １６，５１ 転送電極 １４，５２ 絶縁膜 ５３ 透明導電膜 １８，１９，２０，５４，５５，５６ Ａｌ遮光膜 ２１，５９ プラズマＳｉＮ膜 ２２，６０ 平坦化膜 ２３，６１ カラーフィルタ層 ２４，６２ オンチップマイクロレンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶半導体基体に光電変換素子と電荷
転送部が設けられてなる固体撮像素子において、 上記光電変換素子の直上に該光電変換素子に接して接地
された透明導電膜が形成されて成ることを特徴とする固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236842A JPH0794699A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236842A JPH0794699A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794699A true JPH0794699A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17006605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236842A Pending JPH0794699A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794699A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809359B2 (en) | 2001-05-16 | 2004-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and method for driving the same |
| JP2007124635A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像装置 |
| WO2010013368A1 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| EP2506304A2 (en) | 2011-03-29 | 2012-10-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
-
1993
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