JPH0832045A - 固体撮像素子及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の
低減につながる界面特性の安定化を共に達成させる。 【構成】 Ｎ形のシリコン基板１１に形成された第１の
Ｐ形ウェル領域１２に受光部１と転送チャネル領域１４
がそれぞれ配列・形成され、この転送チャネル領域１４
上にゲート絶縁膜１９を介して転送電極２０が選択的に
形成され、この転送電極２０を含む全面にＰＳＧ膜２２
が形成され、このＰＳＧ膜２２上に転送電極２０を覆う
ようにＡＬ遮光膜２４が形成されたイメージセンサにお
いて、受光部１の周辺部にＰ−ＳｉＮ膜２３をサイドウ
ォール形状に形成し、少なくとも受光部１に対応する部
分にＰＳＧ膜２２とほぼ同じ光屈折率を有するＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２５を少なくとも受光部１を覆うように形成して構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子、特に暗
電流の低減と分光特性の改善を図った固体撮像素子及び
その製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電荷転送型の固体撮像素子（Ｃ
ＣＤ固体撮像素子）は、ＣＶＤ法にて積層されたＰＳＧ
（リン・シリケート・ガラス）膜とプラズマ窒化（Ｐ−
ＳｉＮ）膜によるパッシベーション膜で覆われる（例え
ば、特開昭６０−６６８２６号公報参照）。

【０００３】従来のＣＣＤ固体撮像素子は、図５に示す
ように、Ｐ形のシリコン基板１０１に、Ｎ形の不純物を
導入して成るＮ形の不純物拡散領域１０２と上記シリコ
ン基板とのＰＮ接合によって構成されるフォトダイオー
ドによる受光部１０３と、上記Ｎ形の不純物拡散領域１
０２とは別の領域に導入されたＮ形の不純物によるＮ形
の不純物拡散領域による転送チャネル領域１０４と、Ｐ
形の不純物を導入して成るＰ形のチャネル・ストッパ領
域１０５とが形成されている。

【０００４】そして、上記転送チャネル領域１０４上に
ゲート絶縁膜１０６を介して多結晶シリコン層による転
送電極１０７が選択的に形成されている。この転送電極
１０７の表面には、熱酸化処理によってシリコン酸化膜
１０８が形成されている。この転送電極１０７を含む全
面にはＰＳＧ膜１０９が形成され、更にこのＰＳＧ膜１
０９上に、下層の転送電極１０７を覆うように遮光用の
Ａｌ膜１１０（Ａｌ遮光膜と記す）が形成され、このＡ
ｌ遮光膜１１０を含む全面にプラズマＣＶＤ法によるシ
リコン窒化膜（以下、単にＰ−ＳｉＮ膜と記す）１１１
が形成されている。

【０００５】ここで、上記ＰＳＧ膜１０９及びＰ−Ｓｉ
Ｎ膜１１１が受光部上のパッシベーション膜を構成し、
受光部１０２と転送チャネル領域１０４間のＰ型領域は
読出しゲート１１２を構成する。

【０００６】また、上記Ａｌ遮光膜１１０は、受光部１
０２上において選択的にエッチング除去されており、光
は、このエッチング除去によって形成された開口１１０
ａを通じて受光部１０２に入射されるようになってい
る。

【０００７】上記Ｐ−ＳｉＮ膜１１１中には、多量の水
素が含まれていることが知られており、このＰ−ＳｉＮ
膜１１１形成後に例えば温度４００℃にて１時間程度の
熱処理を施すことにより、Ｐ−ＳｉＮ膜１１１からシリ
コン基板１０１側に多量の水素イオンが容易に拡散する
ため、界面準位が十分に低減され、暗電流が実用レベル
まで低減する（この効果を一般に水素アニール効果と称
している）ことになる。これにより、暗電流に起因する
ノイズの発生が低減され、再生撮像信号の高Ｓ／Ｎを図
ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＣＤ固体撮像素子においては、パッシベーション膜を
ＰＳＧ膜１０９とＰ−ＳｉＮ膜１１１で構成するように
しているため、両者の屈折率の違いから、以下に示すよ
うな光学的な欠点がある。

【０００９】即ち、Ｐ−ＳｉＮ膜１１１の光屈折率は約
２．０であり、下層のＰＳＧ膜１０９の光屈折率１．５
前後と比べてかなり大きいため、干渉効果等による分光
感度特性の変動が大きく、必要とされる分光特性を得る
には、各膜１０９及び１１１の膜厚が限定されてしま
い、設計上の自由度が狭まるという不都合がある。

【００１０】また、ＣＣＤ固体撮像素子の周辺部におい
て、斜めに入射した光Ｌが、上記Ｐ−ＳｉＮ膜１１１と
ＰＳＧ膜１０９との境界部分で大きく屈折することにな
り、これによって、上記斜め光Ｌが転送チャネル領域１
０４に直接入り込んで、再生画像にすじ状のノイズ（一
般にスミアという）が生じる原因となる問題があった。

【００１１】上記光学的欠点を解消する手法として、夫
々の屈折率がほぼ同じである膜を用いてパッシベーショ
ン膜を構成することが考えられ、その一案として、上記
Ｐ−ＳｉＮ膜１１１に代えてプラズマ酸化（Ｐ−Ｓｉ
Ｏ）膜を用いるという技術が有望視されている。このＰ
−ＳｉＯ膜は、その光屈折率が１．５程度と小さいの
で、上記分光感度特性とスミアの問題を改善することが
できる。しかしながら、Ｐ−ＳｉＯ膜は、水素を多く含
有しないため、上記水素アニール効果が期待できず、上
記暗電流を低減させることができなうという新たな問題
が生じる。

【００１２】このように、従来においては、分光感度な
どの光学的特性及び界面特性安定のための水素アニール
効果を兼ね備えることが困難であった。

【００１３】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、分光感度等の光学的特
性の向上及び暗電流の低減につながる界面特性の安定化
を共に達成させることができる固体撮像素子を提供する
ことにある。

【００１４】また、本発明の他の目的は、分光感度等の
光学的特性の向上及び暗電流の低減につながる界面特性
の安定化を共に達成させることができる固体撮像素子を
容易に作製することができる固体撮像素子の製法を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、同一基板１１
に受光部１と転送チャネル領域１４がそれぞれ配列・形
成され、この転送チャネル領域１４上にゲート絶縁膜１
９を介して転送電極２０が選択的に形成され、該転送電
極２０を含む全面に層間絶縁膜２２が形成され、該層間
絶縁膜２２上に転送電極２０を覆うように遮光膜２４が
形成された固体撮像素子において、受光部１の周辺部に
水素含有膜２３をサイドウォール状に形成し、少なくと
も受光部１に対応する部分に層間絶縁膜２２とほぼ同じ
光屈折率を有する保護絶縁膜２５を少なくとも受光部１
を覆うように形成して構成する。

【００１６】この場合、水素含有膜２３を層間絶縁膜２
２上における受光部１の周辺部に形成された段差部分に
形成して構成してもよい。また、遮光膜２４を転送電極
２０及び水素含有膜２３を覆うように形成してもよい。

【００１７】そして、層間絶縁膜２２をＰＳＧ膜、水素
含有膜２３をプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリ
コン窒化膜、保護絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法によっ
て成膜されたシリコン酸化膜とすることができる。

【００１８】また、本発明は、同一基板１１に受光部１
と転送チャネル領域１４がそれぞれ配列・形成され、転
送チャネル領域１４上にゲート絶縁膜１９を介して転送
電極２０が選択的に形成された固体撮像素子の製法にお
いて、転送電極２０を含む全面に層間絶縁膜２２を形成
する工程と、受光部１の周辺部に水素含有膜２３をサイ
ドウォール状に形成する工程と、転送電極２０を覆うよ
うに遮光膜２４を形成する工程と、少なくとも受光部１
を覆うように保護絶縁膜２５を形成する工程と、全面に
熱処理を施す工程とを有することを特徴とする。

【００１９】受光部１の周辺部に水素含有膜２３をサイ
ドウォール状に形成する場合は、層間絶縁膜２２上全面
に水素含有膜２３を形成した後、水素含有膜２３に対し
て異方性エッチング処理を施し、ＰＳＧ膜２２上におけ
る受光部１の周辺部に形成された段差部分に水素含有膜
２３を残すことにより達成させることができる。

【００２０】この場合、遮光膜２４を転送電極２０及び
水素含有膜２３を覆うように形成するようにしてもよ
い。そして、層間絶縁膜２２をＰＳＧ膜とし、水素含有
膜２３をプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリコン
窒化膜とし、保護絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法によっ
て成膜されたシリコン酸化膜としてもよい。

【００２１】

【作用】本発明に係る固体撮像素子においては、受光部
１の周辺部に水素含有膜２３がサイドウォール状に形成
されていることから、受光部１上に形成されるパッシベ
ーション膜が、層間絶縁膜２２と保護絶縁膜２５で構成
されることになる。

【００２２】この層間絶縁膜２２と保護絶縁膜２５は、
互いの光屈折率がほぼ同じであるため、干渉効果等によ
る分光感度特性の変動が少なくなり、その結果、層間絶
縁膜２２と保護絶縁膜２５の各膜厚によって分光特性が
変動するということがなくなり、設計上の自由度を広げ
ることができる。

【００２３】また、固体撮像素子の周辺部において、斜
めに入射した光が層間絶縁膜２２と保護絶縁膜２５との
界面で大きく屈折して転送チャネル領域１４側に進入す
るということがなくなり、固体撮像素子において問題と
なるスミアを低減させることができる。

【００２４】しかも、この水素含有膜２３に含まれる水
素が基板の界面まで拡散到達するため、その水素アニー
ル効果により、界面準位が十分に低減され、暗電流を低
減化することができる。

【００２５】このように、本発明の固体撮像素子によれ
ば、分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の低減に
つながる界面特性の安定化を共に達成させることができ
る。

【００２６】特に、水素含有膜２３を層間絶縁膜２２上
における受光部１の周辺部に形成された段差部分に形成
した場合においては、層間絶縁膜２２上の段差部分に水
素含有膜２３がサイドウィール状に形成されることにな
り、受光部１上には、互いに光屈折率がほぼ同じとされ
た層間絶縁膜２２と保護絶縁膜２５が存することにな
り、上述したように、分光感度等の光学的特性の向上及
び暗電流の低減につながる界面特性の安定化を共に達成
させることができる。

【００２７】また、遮光膜２４を転送電極２０及び水素
含有膜２３を覆うように形成した場合においては、水素
含有膜２３からの水素拡散のうち、上方への水素拡散が
遮光膜によって阻止されるため、この水素含有膜２３か
ら拡散した水素は、そのほとんどが基板１１の界面側に
向かって拡散することになる。その結果、水素アニール
効果による界面準位の低減化が効率よく図れるようにな
り、暗電流を低減化を更に向上させることができる。

【００２８】しかも、サイドウォール状の水素含有膜２
３により転送電極２０の段差が緩やかになり、転送電極
２０上に形成される遮光膜２４のステップカバレージが
改善され、遮光膜２４は、転送電極２０の端部に対応す
る部分においても厚く形成されることになる。これによ
り、遮光膜２４による転送電極２０及び転送チャネル領
域２４への光の進入回避を十分に発揮させることができ
る。

【００２９】そして、層間絶縁膜２２をＰＳＧ膜、水素
含有膜２３をプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリ
コン窒化膜（以下、単にＰ−ＳｉＮ膜と記す）、保護絶
縁膜２５をプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリコ
ン酸化膜（以下、単にＰ−ＳｉＯ膜と記す）とした場合
においては、光屈折率が約２．０であるＰ−ＳｉＮ膜２
３が受光部１の周辺部にサイドウォール状に形成され、
受光部１上に、互いの光屈折率が約１．５であるＰＳＧ
膜２２及びＰ−ＳｉＯ膜２５が積層された形で形成され
ることになる。

【００３０】従って、干渉効果等による分光感度特性の
変動が少なくなり、その結果、ＰＳＧ膜２２とＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２５の各膜厚によって分光特性が変動するというこ
とがなくなり、設計上の自由度を広げることができ、ま
た、固体撮像素子の周辺部において、斜めに入射した光
がＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＯ膜２５との界面で大きく屈
折して転送チャネル領域１４側に進入するということが
なくなり、固体撮像素子において問題となるスミアを低
減させることができる。しかも、Ｐ−ＳｉＮ膜２３に含
まれる水素が基板の界面まで拡散到達するため、その水
素アニール効果により、界面準位が十分に低減され、暗
電流を低減化することができる。

【００３１】次に、本発明に係る固体撮像素子の製法に
おいては、まず、転送電極２０を含む全面に層間絶縁膜
２２を形成した後、受光部１の周辺部に水素含有膜２３
をサイドウォール状に形成した段階で、受光部１上に
は、層間絶縁膜２２が受光部１を覆うように形成される
ことになるが、水素含有膜２３は、受光部１の周辺部の
みにサイドウォール状に形成されることになる。この状
態から、少なくとも受光部１を覆うように保護絶縁膜２
５を形成した段階で、受光部１上に、層間絶縁膜２２と
保護絶縁膜２５の積層膜で構成されたパッシベーション
膜が形成された形となる。

【００３２】そして、その後の熱処理工程にて、サイド
ウォール状に形成された水素含有膜２３から水素が基板
１１の界面側に拡散することになる。水素含有膜２３か
らの水素拡散によって、基板１１の界面準位が十分に低
減され、暗電流を低減化することができることになる。

【００３３】また、パッシベーション膜を構成する層間
絶縁膜２２と保護絶縁膜２５は、互いの光屈折率がほぼ
同じであるため、干渉効果等による分光感度特性の変動
が少なくなり、その結果、層間絶縁膜２２と保護絶縁膜
２５の各膜厚によって分光特性が変動するということが
なくなり、設計上の自由度を広げることができる。

【００３４】また、固体撮像素子の周辺部において、斜
めに入射した光が層間絶縁膜２２と保護絶縁膜２５との
界面で大きく屈折して転送チャネル領域１４側に進入す
るということがなくなり、固体撮像素子において問題と
なるスミアを低減させることができることになる。

【００３５】このように、本発明に係る固体撮像素子に
製法においては、分光感度等の光学的特性の向上及び暗
電流の低減につながる界面特性の安定化を共に達成させ
ることができる固体撮像素子を容易に作製することがで
きる。

【００３６】特に、受光部１の周辺部に水素含有膜２３
をサイドウォール状に形成する場合において、層間絶縁
膜２２上全面に水素含有膜２３を形成した後、水素含有
膜２３に対して異方性エッチング処理を施し、層間絶縁
膜２２上における受光部１の周辺部に形成された段差部
分に水素含有膜２３を残すことにより、受光部１の周辺
部に水素含有膜２３をサイドウォール状に容易に形成す
ることができることになる。

【００３７】また、遮光膜２４を転送電極２０及び水素
含有膜２３を覆うように形成した場合においては、熱処
理工程にて生じる水素含有膜２３からの水素拡散のう
ち、上方への水素拡散が遮光膜２４によって阻止される
ため、この水素含有膜２３から拡散した水素は、そのほ
とんどが基板１１の界面側に向かって拡散することにな
る。その結果、水素アニール効果による界面準位の低減
化が効率よく図れるようになり、暗電流を低減化を更に
向上させることができる。

【００３８】そして、層間絶縁膜２２をＰＳＧ膜とし、
水素含有膜２３をプラズマＣＶＤ法によって成膜された
シリコン窒化膜（以下、単にＰ−ＳｉＮ膜と記す）と
し、保護絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法によって成膜さ
れたシリコン酸化膜（以下、単にＰ−ＳｉＯ膜と記す）
とした場合においては、まず、転送電極２０を含む全面
にＰＳＧ膜２３を形成した後、受光部１の周辺部にＰ−
ＳｉＮ膜２３をサイドウォール状に形成した段階におい
て、受光部１上には、ＰＳＧ膜２２が受光部１を覆うよ
うに形成されることになるが、Ｐ−ＳｉＮ膜２３は、受
光部１の周辺部のみにサイドウォール状に形成されるこ
とになる。この状態から、少なくとも受光部１を覆うよ
うにＰ−ＳｉＯ膜２５を形成した段階で、受光部１上
に、ＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＯ膜２５の積層膜で構成さ
れたパッシベーション膜が形成された形となる。

【００３９】そして、その後の熱処理工程にて、サイド
ウォール状に形成されたＰ−ＳｉＮ膜２３から水素が基
板１１の界面側に拡散することになり、Ｐ−ＳｉＮ膜２
３からの水素拡散によって、基板１１の界面準位が十分
に低減され、暗電流を低減化することができることにな
る。

【００４０】また、パッシベーション膜を構成するＰＳ
Ｇ膜２２とＰ−ＳｉＯ膜２５は、各光屈折率が共に約
１．５でほぼ同じであることから、干渉効果等による分
光感度特性の変動が少なくなり、その結果、ＰＳＧ膜２
２とＰ−ＳｉＯ膜２５の各膜厚によって分光特性が変動
するということがなくなり、設計上の自由度を広げるこ
とができる。

【００４１】また、固体撮像素子の周辺部において、斜
めに入射した光がＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＯ膜２５との
界面で大きく屈折して転送チャネル領域１４側に進入す
るということがなくなり、固体撮像素子において問題と
なるスミアを低減させることができることになる。

【００４２】

【実施例】以下、本発明に係る固体撮像素子を例えばフ
レーム・インターライン転送（ＦＩＴ）方式のＣＣＤイ
メージセンサに適用した実施例（以下、実施例に係るイ
メージセンサと記す）を図１〜図４を参照しながら説明
する。

【００４３】この実施例に係るイメージセンサは、図１
に示すように、入射光量に応じた量の電荷に光電変換す
る受光部１が多数マトリクス状に配され、更にこれら多
数の受光部１のうち、列方向に配列された受光部１に対
して共通とされた垂直転送レジスタ２が多数本、行方向
に配列されたイメージ部３と、このイメージ部３に隣接
して配され、イメージ部３に形成されているような受光
部１はなく、イメージ部３における多数本の垂直転送レ
ジスタ２に連続してそれぞれ多数本の垂直転送レジスタ
４のみが延長形成されたストレージ部５とを有する。

【００４４】また、ストレージ部５に隣接し、かつ多数
本の垂直転送レジスタ４に対して共通とされた水平転送
レジスタが２本、それぞれ並設されている。ここで、２
本の水平転送レジスタのうち、ストレージ部５側に位置
する水平転送レジスタを第１の水平転送レジスタＨ１、
他の水平転送レジスタを第２の水平転送レジスタＨ２と
記す。

【００４５】そして、ストレージ部５と第１の水平転送
レジスタＨ１間には、ストレージ部５における垂直転送
レジスタ４の最終段に転送された信号電荷を第１の水平
転送レジスタＨ１に転送するための２つの垂直−水平転
送レジスタＶＨ１及びＶＨ２が多数の垂直転送レジスタ
４に対して共通に、かつそれぞれ並列に形成されてい
る。これら２本の垂直−水平転送レジスタＶＨ１及びＶ
Ｈ２には、それぞれ垂直−水平転送パルスφＶＨ１及び
φＶＨ２が供給されるようになっており、これら転送パ
ルスφＶＨ１及びφＶＨ２の供給によって、垂直転送レ
ジスタ４からの信号電荷が第１の水平転送レジスタＨ１
に転送されることになる。

【００４６】また、第１及び第２の水平転送レジスタＨ
１及びＨ２間には、第１の水平転送レジスタＨ１に転送
された信号電荷を選択的に第２の水平転送レジスタＨ２
側に転送する水平−水平転送レジスタＨＨが、各水平転
送レジスタＨ１及びＨ２に沿って水平方向に延長されて
配されている。この水平−水平転送レジスタＨＨには、
水平−水平転送パルスφＨＨＧが供給されるようになっ
ており、この転送パルスφＨＨＧの供給によって、第１
の水平転送レジスタＨ１にある信号電荷が選択的に第２
の水平転送レジスタＨ２に転送されることになる。

【００４７】また、上記第１及び第２の水平転送レジス
タＨ１及びＨ２の各最終段には、それぞれ第１及び第２
の出力部６ａ及び６ｂが接続されている。これら第１及
び第２の出力部６ａ及び６ｂは、各水平転送レジスタＨ
１及びＨ２の最終段から転送されてきた信号電荷を電気
信号（例えば電圧信号）に変換する例えばフローティン
グ・ディフュージョンあるいはフローティング・ゲート
等で構成される電荷−電気信号変換部７と、この電荷−
電気信号変換部７にて電気信号の変換が行われた後の信
号電荷を、リセットパルスＰｒの入力に従ってドレイン
領域Ｄに掃き捨てるリセットゲートＲＧと、電荷−電気
信号変換部７からの電気信号を増幅するアンプ８を有し
て構成されている。なお、ドレイン領域Ｄには電源電圧
Ｖｄｄが印加されている。

【００４８】上記イメージ部３における垂直転送レジス
タ２上、及び上記ストレージ部５における垂直転送レジ
スタ４上には、図示しないが例えば２層の多結晶シリコ
ン層による４枚の垂直転送電極がそれぞれ絶縁膜を介し
て形成されている。即ち、４枚の垂直転送電極を１組と
して、その組が多数、縦方向に順次配列されて形成され
ている。そして、イメージ部３における４枚の垂直転送
電極には、互いに位相の異なる４つの垂直転送パルスφ
ＩＭ１〜φＩＭ４がそれぞれ供給され、ストレージ部５
における４枚の垂直転送電極には、互いに位相の異なる
４つの垂直転送パルスφＳＴ１〜φＳＴ４がそれぞれ供
給されるようになっている。

【００４９】これらイメージ部３における垂直転送パル
スφＩＭ１〜φＩＭ４及びストレージ部５における４つ
の垂直転送パルスφＳＴ１〜φＳＴ４の供給によって、
イメージ部３及びストレージ部５における各垂直転送電
極下のポテンシャル分布が順次変化し、これによって、
信号電荷がそれぞれイメージ部３における垂直転送レジ
スタ２及びストレージ部５における垂直転送レジスタ４
に沿って縦方向（第１の水平レジスタＨ１側）に転送さ
れることになる。

【００５０】特に、イメージ部３においては、受光部１
に蓄積されている信号電荷を垂直帰線期間において、ま
ず、垂直転送レジスタ２に読出し、その後、この垂直帰
線期間内において、上記垂直転送レジスタ２に転送され
た信号電荷を高速にストレージ部５の垂直転送レジスタ
４に転送する。

【００５１】ストレージ部５は、垂直帰線期間において
垂直転送レジスタ４に転送された信号電荷を、その後の
水平帰線期間において１行単位に第１の水平転送レジス
タＨ１側に転送する。これによって、垂直転送レジスタ
４の最終段にあった信号電荷は、２つの垂直−水平転送
レジスタＶＨ１及びＶＨ２を経て、まず、第１の水平転
送レジスタＨ１に転送され、そのうち、例えば偶数列に
関する信号電荷が、水平−水平転送レジスタＨＨを介し
て第２の水平転送レジスタＨ２に転送される。

【００５２】そして、次の水平走査期間において、第１
及び第２の水平転送レジスタＨ１及びＨ２上に形成され
た例えば２層の多結晶シリコン層による水平転送電極へ
の互いに位相の異なる２相の水平転送パルスφＨ１及び
φＨ２の印加によって、信号電荷が順次対応する出力部
６ａ及び６ｂ側の電荷−電気信号変換部７に転送され、
各電荷−電気信号変換部７において電気信号に変換され
て、それぞれアンプ８を介して対応する出力端子９より
撮像信号Ｓ１及びＳ２として取り出されることになる。

【００５３】ここで、このイメージセンサの受光部１周
辺の断面をみると、図２に示すように、例えばＮ形のシ
リコン基板１１に形成された第１のＰ形ウェル領域１２
の表面に受光部１を形成するためのＮ形の不純物拡散領
域１３と、垂直転送レジスタ２を構成するＮ形の転送チ
ャネル領域１４並びにＰ形のチャネルストッパ領域１５
が形成され、更に上記Ｎ形の不純物拡散領域１３の表面
にＰ形の正電荷蓄積領域１６が、Ｎ形の転送チャネル領
域１４の直下にスミアの低減を目的とした第２のＰ形ウ
ェル領域１７がそれぞれ形成されている。なお、Ｎ形の
不純物拡散領域１３と転送チャネル領域１４間のＰ形領
域１８は、読出しゲート部を構成する。

【００５４】また、このイメージセンサは、図示するよ
うに、Ｎ形シリコン基板１１の表面に第１のＰ形ウェル
領域１２を形成して、この第１のＰ形ウェル領域１２内
に上記受光部１を構成するＮ形の不純物拡散領域１３を
形成することで、いわゆる電子シャッタの機能を有する
ように構成されている。即ち、シリコン基板１１に供給
される基板電位をシャッタパルスに同期して高レベルに
することにより、第１のＰ形ウェル領域１２におけるポ
テンシャル障壁が下がり、受光部１に蓄積された電荷
（この場合、電子）が上記ポテンシャル障壁を越えて縦
方向、即ちシリコン基板１１側に掃き捨てられることに
なる。これにより、シャッタパルスの最終印加時点から
電荷読出し時点までの期間が実質的な露光期間となり、
残像等の不都合を防止することができるようになってい
る。

【００５５】また、このイメージセンサにおいては、上
記Ｎ形の不純物拡散領域１３と第１のＰ形ウェル領域１
２とのＰＮ接合によるフォトダイオードによって受光部
１（光電変換部）が構成され、この受光部１が多数個マ
トリクス状に配列されて撮像領域が形成されている。そ
して、カラー撮像方式の場合、上記受光部１に対応して
形成される色フィルタ（三原色フィルタや補色フィル
タ）の配色などの関係によって、例えば互いに隣接する
４つの受光部１にて１つの画素を構成するようになって
いる。

【００５６】そして、この実施例においては、転送チャ
ネル領域１４，チャネル・ストッパ領域１５及び読出し
ゲート部１８上に、例えばＳｉＯ₂ からなるゲート絶縁
膜１９を介して１層目の多結晶シリコン層及び２層目の
多結晶シリコン層による４つの 転送電極が形成され、
これら転送チャネル領域１４，ゲート絶縁膜１９及び転
送 電極によって垂直転送レジスタ２が構成される。な
お、図３の断面図においては 、転送電極として例えば
１層目の多結晶シリコン層による転送電極（垂直転送パ
ルスφが印加される）２０のみを示してある。

【００５７】そして、この実施例においては、図２に示
すように、上記転送電極２０の表面に熱酸化によるシリ
コン酸化膜（ＳｉＯ₂ 膜）２１が形成され、更に全面に
層間絶縁膜であるＰＳＧ膜２２を形成されている。この
とき、ＰＳＧ膜２２は、転送電極２０の形状に沿って形
成され、転送電極２０の端面に対応した部分に段差が形
成される。更に、この実施例においては、上記ＰＳＧ膜
２２の段差部分にプラズマＣＶＤ法によって形成された
シリコン窒化膜（以下、単にＰ−ＳｉＮ膜と記す）２３
がサイドウォール形状に形成されて、該Ｐ−ＳｉＮ膜２
３がＰＳＧ膜２２上、受光部１の周縁に対応した部分に
形成された形となっている。

【００５８】また、上記ＰＳＧ膜２２上の転送電極２０
に対応する箇所には、遮光用のＡｌ膜（以下、Ａｌ遮光
膜と記す）２４が下層の転送電極２０及びサイドウォー
ル形状のＰ−ＳｉＮ膜２３を覆うように形成され、外部
から入射した光が転送電極２０側に入り込まないように
構成されている。

【００５９】上記Ａｌ遮光膜２４を含む全面には、プラ
ズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜（以下、Ｐ−ＳｉＯ
膜と記す）２５が形成されている。ここで、ＰＳＧ膜２
２及びＰ−ＳｉＯ膜２５で、受光部１上のパッシベーシ
ョン膜が構成されることになる。また、上記Ａｌ遮光膜
２４は、受光部１上において選択的にエッチング除去さ
れており、光は、このエッチング除去によって形成され
た開口２４ａを通じて受光部１内に入射されるようにな
っている。

【００６０】なお、図３の断面図においては、簡単のた
め、Ａｌ遮光膜２４上の保護膜，平坦化膜，色フィルタ
及びマイクロ集光レンズなどは省略してある。

【００６１】次に、上記実施例に係るイメージセンサの
作製方法を図３及び図４の製造工程図に基づいて説明す
る。なお、図２と対応するものについては同符号を記
す。

【００６２】まず、図３（ａ）に示すように、通常のＣ
ＣＤプロセスを用いて、必要な不純物、例えばＮ形の不
純物（リン（Ｐ）及びボロン（Ｂ））の例えばイオン注
入や膜拡散等による導入及び熱処理による活性化を行っ
て、Ｎ形シリコン基板１１上の第１のＰ形ウェル領域１
２に、Ｎ型の転送チャネル領域１４，Ｐ型のチャネル・
ストッパ領域１５及び第２のＰ形ウェル領域１７を形成
する。その後、転送チャネル領域１４上に例えばＳｉＯ
₂ 等からなるゲート絶縁膜１９を介して多結晶シリコン
層による転送電極２０を形成する。その後、熱酸化を施
して転送電極２０の表面に薄い熱酸化膜（ＳｉＯ₂ 膜）
２１を形成する。なお、上記ゲート絶縁膜１９は、シリ
コン基板１１に対する熱酸化によって形成してもよく、
ＣＶＤ法にて被着形成するようにしてもよい。

【００６３】その後、転送電極２０をマスクとして第１
のＰ形ウェル領域１２の表面にＮ形の不純物、例えばリ
ン（Ｐ）をイオン注入し、更に活性化して、該第１のＰ
形ウェル領域１２の表面にＮ形の不純物拡散領域１３を
形成する。このとき、該Ｎ形の不純物拡散領域１３と第
１のＰ形ウェル領域１２とのＰＮ接合によって受光部
（フォトダイオード）１が形成される。この受光部１形
成後、再び上記転送電極２０をマスクとして今度はＰ形
の不純物、例えばボロン（Ｂ）をイオン注入し、更に活
性化してＮ形の不純物拡散領域１３の表面にＰ形の正孔
蓄積領域１６を形成する。上記不純物のイオン注入にお
いては、シリコン基板１１の表面に形成されたゲート絶
縁膜１９がイオン注入による照射損傷を吸収するための
バッファ層として機能する。

【００６４】その後、全面に層間絶縁膜であるＰＳＧ膜
２２を厚み２００〜４００ｎｍ程度、例えばＣＶＤ法に
より堆積する。その後、全面にシリコン窒化膜２３をプ
ラズマＣＶＤ法によって形成する。このプラズマＣＶＤ
法によるシリコン窒化膜、即ちＰ−ＳｉＮ膜２３は、水
素を多く含んでいる。

【００６５】次に、図３（ｂ）に示すように、上記Ｐ−
ＳｉＮ膜２３全面に対して、異方性エッチングによる垂
直加工を施す。例えば垂直モードでＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）を行なう。このエッチングは、ＰＳＧ膜
２２における転送電極２０に対応する部分や受光部１に
対応する部分などの平坦な部分でＰ−ＳｉＮ膜２３が無
くなる時点で止める。このとき、ＰＳＧ膜２２の段差部
分の側壁にＰ−ＳｉＮ膜２３が残存することになる。即
ち、Ｐ−ＳｉＮ膜２３がＰＳＧ膜２２の段差部分におい
てサイドウォール形状に形成されることになる。Ｐ−Ｓ
ｉＮ膜２３をＰＳＧ膜２２の段差部分に残すことで、転
送電極２０によるＰＳＧ膜２２の段差が緩やかになる。

【００６６】次に、図４（ａ）に示すように、全面にＡ
ｌ遮光膜２４を形成した後、例えば垂直モードによるＲ
ＩＥ（反応性イオンエッチング）でＡｌ遮光膜２４をパ
ターニングして受光部開口２４ａを形成する。この受光
部開口２４ａの開口幅Ｄ１は、ＰＳＧ膜２２の段差部分
に残存するＰ−ＳｉＮ膜２３にて区画される幅Ｄ２より
も小とされている。従って、Ａｌ遮光膜２４の下層に転
送電極２０とＰ−ＳｉＮ膜２３が存することになり、換
言すれば、転送電極２０とＰ−ＳｉＮ膜２３を覆うよう
にＡｌ遮光膜２４が形成されることになる。

【００６７】そして、図４（ｂ）に示すように、Ａｌ遮
光膜２４を含む全面に表面保護用のシリコン酸化膜２５
を厚み３００〜５００ｎｍ程度、プラズマＣＶＤ法にて
成膜する。このプラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜
（即ち、Ｐ−ＳｉＯ膜２５）及び下層のＰＳＧ膜２２に
て受光部１上のパッシベーション膜が構成されることに
なる。このＰ−ＳｉＯ膜２５の光屈折率は、下層のＰＳ
Ｇ膜２２の光屈折率とほぼ同じで１．５前後である。

【００６８】このように素子が形成された後、４００℃
前後で１時間程度の熱処理を行う。このとき、ＰＳＧ膜
２２の段差部分に形成されたサイドウォール形状のＰ−
ＳｉＮ膜２３中に多量に含まれている水素が、シリコン
基板１１側に拡散する。この水素拡散によって、シリコ
ン基板１１の界面が水素化され、例えばシリコン結晶１
１中の微小欠陥に生じているダングリングボンドが水素
によって終端されて、イメージセンサのノイズとなる暗
電流の発生が抑制されることになる。

【００６９】このように、上記実施例に係るイメージセ
ンサにおいては、光屈折率が約２．０であるＰ−ＳｉＮ
膜２３が受光部１の周辺部、特にＰＳＧ膜２２の段差部
分にサイドウォール状に形成するようにしたので、受光
部１上に、互いの光屈折率が約１．５であるＰＳＧ膜２
２及びＰ−ＳｉＯ膜２５が積層された形で形成されて、
これら積層膜にて受光部１上のパッシベーション膜が構
成されることになる。

【００７０】従って、干渉効果等による分光感度特性の
変動が少なくなり、その結果、ＰＳＧ膜２２とＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２５の各膜厚によって分光特性が変動するというこ
とがなくなり、設計上の自由度を広げることができる。

【００７１】また、イメージセンサの周辺部において、
斜めに入射した光がＰＳＧ膜２２とＰ−ＳｉＯ膜２５と
の界面で大きく屈折して垂直転送レジスタ２側に進入す
るということがなくなり、イメージセンサにおいて問題
となるスミアを低減させることができる。

【００７２】しかも、Ｐ−ＳｉＮ膜２３に含まれる水素
がシリコン基板１１の界面まで拡散到達するため、その
水素アニール効果により、界面準位が十分に低減され、
暗電流を低減化することができる。

【００７３】このように、本実施例のイメージセンサに
よれば、分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の低
減につながる界面特性の安定化を共に達成させることが
できる。

【００７４】また、上記Ａｌ遮光膜２４を転送電極２０
及びＰ−ＳｉＮ膜２３を覆うように形成するようにした
ので、Ｐ−ＳｉＮ膜２３からの水素拡散のうち、上方へ
の水素拡散がＡｌ遮光膜２４によって阻止されるため、
このＰ−ＳｉＮ膜２３から拡散した水素は、そのほとん
どがシリコン基板１１の界面側に向かって拡散すること
になる。その結果、水素アニール効果による界面準位の
低減化が効率よく図れるようになり、暗電流を低減化を
更に向上させることができる。

【００７５】また、Ｐ−ＳｉＮ膜を受光部１の周辺部、
特にＰＳＧ膜２２の段差部分にサイドウォール状に形成
するようにしたので、転送電極の段差が緩やかになり、
これによって、転送電極２０上に形成されるＡｌ遮光膜
２４のステップカバレージが改善され、Ａｌ遮光膜２４
は、転送電極２０の端部に対応する部分においても厚く
形成されることになる。その結果、Ａｌ遮光膜２４によ
る転送電極２０及び転送チャネル領域２４への光の進入
回避を十分に発揮させることができる。

【００７６】また、図３及び４で示す本実施例に係るイ
メージセンサの作製方法によれば、受光部１の周辺部に
Ｐ−ＳｉＮ膜２３をサイドウォール状に形成する場合に
おいて、ＰＳＧ膜２２上にＰ−ＳｉＮ膜２３を形成した
後、このＰ−ＳｉＮ膜２３に対して異方性エッチング処
理（垂直モードのＲＩＥ）を施し、上記ＰＳＧ膜２２上
における受光部１の周辺部に形成された段差部分にＰ−
ＳｉＮ膜２３を残すようにしたので、受光部１の周辺部
にＰ−ＳｉＮ膜２３をサイドウォール形状に容易に形成
することができ、分光感度等の光学的特性の向上及び暗
電流の低減につながる界面特性の安定化を共に達成させ
ることができる本実施例に係るイメージセンサを容易に
作製することができる。

【００７７】上記実施例においては、ＦＩＴ方式のイメ
ージセンサに適用した例を示したが、その他、インター
ライン転送（ＩＴ）方式のイメージセンサにも適用させ
ることができる。この場合、図１で示すストレージ部を
省略して構成すればよい。

【００７８】

【発明の効果】本発明に係る固体撮像素子によれば、同
一基板に受光部と転送チャネル領域がそれぞれ配列・形
成され、上記転送チャネル領域上にゲート絶縁膜を介し
て転送電極が選択的に形成され、該転送電極を含む全面
に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に上記転送電
極を覆うように遮光膜が形成された固体撮像素子におい
て、上記受光部の周辺部に水素含有膜をサイドウォール
状に形成し、少なくとも上記受光部に対応する部分に上
記層間絶縁膜とほぼ同じ光屈折率を有する保護絶縁膜を
少なくとも上記受光部を覆うように形成するようにした
ので、分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の低減
につながる界面特性の安定化を共に達成させることがで
きる。

【００７９】また、本発明は、上記構成において、上記
水素含有膜を上記層間絶縁膜上における上記受光部の周
辺部に形成された段差部分に形成するようにしたので、
受光部上には、互いに光屈折率がほぼ同じとされた層間
絶縁膜と保護絶縁膜が存することになり、上述したよう
に、分光感度等の光学的特性の向上及び暗電流の低減に
つながる界面特性の安定化を共に達成させることができ
る。

【００８０】また、本発明は、上記構成において、上記
遮光膜を上記転送電極及び水素含有膜を覆うように形成
するようにしたので、水素アニール効果による界面準位
の低減化が効率よく図れるようになり、暗電流を低減化
を更に向上させることができ、しかも、転送電極上に形
成される遮光膜のステップカバレージが改善され、遮光
膜による転送電極及び転送チャネル領域への光の進入回
避を十分に発揮させることができる。

【００８１】また、本発明は、上記構成において、上記
層間絶縁膜をＰＳＧ膜、上記水素含有膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によって成膜されたシリコン窒化膜、上記保護絶縁
膜をプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリコン酸化
膜としたので、光屈折率が約２．０であるＰ−ＳｉＮ膜
が受光部の周辺部にサイドウォール状に形成され、受光
部上に、互いの光屈折率が約１．５であるＰＳＧ膜及び
Ｐ−ＳｉＯ膜が積層された形で形成されることになり、
これによって、干渉効果等による分光感度特性の変動が
少なくなる。その結果、ＰＳＧ膜とＰ−ＳｉＯ膜の各膜
厚によって分光特性が変動するということがなくなり、
設計上の自由度を広げることができ、また、固体撮像素
子の周辺部において、斜めに入射した光がＰＳＧ膜とＰ
−ＳｉＯ膜との界面で大きく屈折して転送チャネル領域
側に進入するということがなくなり、固体撮像素子にお
いて問題となるスミアを低減させることができる。しか
も、Ｐ−ＳｉＮ膜に含まれる水素が基板の界面まで拡散
到達するため、その水素アニール効果により、界面準位
が十分に低減され、暗電流を低減化することができる。

【００８２】また、本発明に係る固体撮像素子の製法に
よれば、同一基板に受光部と転送チャネル領域がそれぞ
れ配列・形成され、上記転送チャネル領域上にゲート絶
縁膜を介して転送電極が選択的に形成された固体撮像素
子の製法において、上記転送電極を含む全面に層間絶縁
膜を形成する工程と、上記受光部の周辺部に水素含有膜
をサイドウォール状に形成する工程と、上記転送電極を
覆うように遮光膜を形成する工程と、上記少なくとも上
記受光部を覆うように保護絶縁膜を形成する工程と、全
面に熱処理を施す工程とを有するようにしたので、熱処
理工程にて、上記サイドウォール状に形成された水素含
有膜から水素が基板の界面側に拡散することになり、上
記水素含有膜からの水素拡散によって、基板の界面準位
が十分に低減され、暗電流を低減化することができるこ
とになる。

【００８３】また、パッシベーション膜を構成する層間
絶縁膜と保護絶縁膜は、互いの光屈折率がほぼ同じであ
るため、干渉効果等による分光感度特性の変動が少なく
なり、その結果、層間絶縁膜と保護絶縁膜の各膜厚によ
って分光特性が変動するということがなくなり、設計上
の自由度を広げることができる。

【００８４】また、固体撮像素子の周辺部において、斜
めに入射した光が層間絶縁膜と保護絶縁膜との界面で大
きく屈折して転送チャネル領域側に進入するということ
がなくなり、固体撮像素子において問題となるスミアを
低減させることができることになる。

【００８５】このように、本発明に係る固体撮像素子に
製法においては、分光感度等の光学的特性の向上及び暗
電流の低減につながる界面特性の安定化を共に達成させ
ることができる固体撮像素子を容易に作製することがで
きる。

【００８６】また、本発明は、上記受光部の周辺部に水
素含有膜をサイドウォール状に形成する工程において、
上記層間絶縁膜上に水素含有膜を形成した後、上記水素
含有膜に対して異方性エッチング処理を施し、上記ＰＳ
Ｇ膜上における上記受光部の周辺部に形成された段差部
分に上記水素含有膜を残すようにしたので、受光部の周
辺部に水素含有膜をサイドウォール状に容易に形成する
ことができる。

【００８７】また、本発明は、上記製法において、上記
遮光膜を上記転送電極及び水素含有膜を覆うように形成
するようにしたので、熱処理工程にて生じる水素含有膜
からの水素拡散のうち、上方への水素拡散が遮光膜によ
って阻止されるため、この水素含有膜から拡散した水素
は、そのほとんどが基板の界面側に向かって拡散するこ
とになる。その結果、水素アニール効果による界面準位
の低減化が効率よく図れるようになり、暗電流を低減化
を更に向上させることができる。

【００８８】また、本発明は、上記製法において、上記
層間絶縁膜をＰＳＧ膜とし、水素含有膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によって成膜されたシリコン窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ
膜）とし、上記保護絶縁膜をプラズマＣＶＤ法によって
成膜されたシリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）としたの
で、受光部上に、ＰＳＧ膜とＰ−ＳｉＯ膜の積層膜で構
成されたパッシベーション膜が形成された形となる。

【００８９】そして、その後の熱処理工程にて、上記サ
イドウォール状に形成されたＰ−ＳｉＮ膜から水素が基
板の界面側に拡散することになる。上記Ｐ−ＳｉＮ膜か
らの水素拡散によって、基板の界面準位が十分に低減さ
れ、暗電流を低減化することができることになる。

【００９０】また、パッシベーション膜を構成するＰＳ
Ｇ膜とＰ−ＳｉＯ膜は、各光屈折率が共に約１．５でほ
ぼ同じであることから、干渉効果等による分光感度特性
の変動が少なくなり、その結果、ＰＳＧ膜とＰ−ＳｉＯ
膜の各膜厚によって分光特性が変動するということがな
くなり、設計上の自由度を広げることができる。

【００９１】また、固体撮像素子の周辺部において、斜
めに入射した光がＰＳＧ膜とＰ−ＳｉＯ膜との界面で大
きく屈折して転送チャネル領域側に進入するということ
がなくなり、固体撮像素子において問題となるスミアを
低減させることができることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る固体撮像素子を、例えばフレーム
・インターライン転送（ＦＩＴ）方式のＣＣＤイメージ
センサに適用した実施例（以下、実施例に係るイメージ
センサと記す）を示す構成図である。

【図２】本実施例に係るイメージセンサの受光部とその
周辺を示す断面図である。

【図３】本実施例に係るイメージセンサの製法を示す製
造工程図であり、同図（ａ）は転送電極上のＰＳＧ膜上
全面にＰ−ＳｉＮ膜を形成した段階を示し、同図（ｂ）
はＰ−ＳｉＮ膜に対して垂直モードのＲＩＥ加工を施し
た段階を示す。

【図４】本実施例に係るイメージセンサの製法を示す製
造工程図であり、同図（ａ）は転送電極及びＰ−ＳｉＮ
膜を覆うようにＡｌ遮光膜を形成した段階を示し、同図
（ｂ）はＡｌ遮光膜を含む全面にＰ−ＳｉＯ膜を形成
し、更に熱処理を施した段階を示す。

【図５】従来例に係るイメージセンサの受光部とその周
辺を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 受光部 ２ 垂直レジスタ ３ イメージ部 ５ ストレージ部 １１ Ｎ形のシリコン基板 １２ 第１のＰ形ウェル領域 １３ 受光部を構成するＮ形の不純物拡散領域 １４ Ｎ形の転送チャネル領域 １５ Ｐ形のチャネル・ストッパ領域 １６ Ｐ形の正孔蓄積領域 １７ 第２のＰ形ウェル領域 １８ 読出しゲート部 １９ ゲート絶縁膜 ２０ 転送電極 ２１ 熱酸化膜（ＳｉＯ₂ ） ２２ ＰＳＧ膜 ２３ Ｐ−ＳｉＮ膜 ２４ Ａｌ遮光膜 ２５ Ｐ−ＳｉＯ膜

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一基板に受光部と転送チャネル領域が
   それぞれ配列・形成され、上記転送チャネル領域上にゲ
   ート絶縁膜を介して転送電極が選択的に形成され、該転
   送電極を含む全面に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁
   膜上に上記転送電極を覆うように遮光膜が形成された固
   体撮像素子において、 上記受光部の周辺部に水素含有膜がサイドウォール状に
   形成され、少なくとも上記受光部に対応する部分に上記
   層間絶縁膜とほぼ同じ光屈折率を有する保護絶縁膜が少
   なくとも上記受光部を覆うように形成されていることを
   特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】 上記水素含有膜は、上記層間絶縁膜上に
   おける上記受光部の周辺部に形成された段差部分に形成
   されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
   子。
3. 【請求項３】 上記遮光膜は、上記転送電極及び水素含
   有膜を覆うように形成されていることを特徴とする請求
   項１又は２記載の固体撮像素子。
4. 【請求項４】 上記層間絶縁膜がＰＳＧ膜であり、上記
   水素含有膜がプラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリ
   コン窒化膜であり、上記保護絶縁膜がプラズマＣＶＤ法
   によって成膜されたシリコン酸化膜であることを特徴と
   する請求項１、２又は３記載の固体撮像素子。
5. 【請求項５】 同一基板に受光部と転送チャネル領域が
   それぞれ配列・形成され、上記転送チャネル領域上にゲ
   ート絶縁膜を介して転送電極が選択的に形成された固体
   撮像素子の製法において、 上記転送電極を含む全面に層間絶縁膜を形成する工程
   と、 上記受光部の周辺部に水素含有膜をサイドウォール状に
   形成する工程と、 上記転送電極を覆うように遮光膜を形成する工程と、 上記層間絶縁膜とほぼ同じ光屈折率を有する保護絶縁膜
   を少なくとも上記受光部を覆うように形成する工程と、 全面に熱処理を施す工程とを有することを特徴とする固
   体撮像素子の製法。
6. 【請求項６】 上記受光部の周辺部に水素含有膜をサイ
   ドウォール状に形成する工程は、 上記層間絶縁膜上全面に水素含有膜を形成する工程と、 上記水素含有膜に対して異方性エッチング処理を施し
   て、上記ＰＳＧ膜上における上記受光部の周辺部に形成
   された段差部分に上記水素含有膜を残す工程とを有する
   ことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製法。
7. 【請求項７】 上記遮光膜を上記転送電極及び水素含有
   膜を覆うように形成することを特徴とする請求項５又は
   ６記載の固体撮像素子の製法。
8. 【請求項８】 上記層間絶縁膜はＰＳＧ膜であり、水素
   含有膜は、プラズマＣＶＤ法によって成膜されたシリコ
   ン窒化膜であり、上記保護絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法
   によって成膜されたシリコン酸化膜であることを特徴と
   する請求項５、６又は７記載の固体撮像素子の製法。